资讯
飞科官宣：下一代剃须刀明天上市 独特裤衩造型(2024-10-18)
年和2023年的销量均未能突破5000万只。
到了2024年上半年，飞科电器的电动剃须刀销售收入为15.03亿元，较上年同期减少了3.7亿元，同比下降了19.88%。
早在......
步进电机控制方法有哪些(2024-08-09)
可旋转部分叫做转子。图2给出了一种简单的电机，叫做双相双极电机，因为其定子上有两个绕组，而且其转子有两个磁极。
图2双相双极电机
如果我们按图2a所示方向给绕组1输送电流，而绕组2中没有电流流过，那么......
东芝推出两款采用SC-63封装的双极晶体管TTA2097/TTC5886A(2024-01-22)
-Mold）的双极晶体管“TTA2097和TTC5886A”。这两款产品适用于功率器件中的栅极驱动电路、消费设备和工业设备中的电流开关以及LED驱动电路。TTA2097的集电极-发射极额定电压和集电极电......
可控硅控制器工作原理(2024-01-22)
用于各种频率和波形的脉宽调制电路以及作为其它电力电子变换器的功率元件等.
常见的几种类型
(1)普通型双极型晶体管
双极型晶体管的两个电极各有一个沟道和两个基极组成一个p沟道结构和一个n沟道结构的双极型晶体管称为普通双极性晶体三极管简称普通双极......
了解RET的开关特性(2023-02-03)
了解RET的开关特性;可通过基极电流开启或关闭双极结型晶体管(BJT)。但是，由于基极-发射极二极管两端的压降在很大程度上取决于温度，因而在许多应用中，需要一个串联电阻将基极电流保持在所需水平，从而......
东芝扩展有助于降低设备能耗的双极型晶体管的产品线(2024-07-10)
东芝扩展有助于降低设备能耗的双极型晶体管的产品线;
【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）现已推出两款双极型晶体管“TTC022”（采用SC-62封装：东芝封装别名PW......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
没有少数载流子注入，因此在栅极偏压降低到一定的阈值电压以下后，电流会立即断开。
另一方面，双极性器件可利用双极性（电子-空穴）调制，将空穴注入基极，从而显著提高导通能力。这些“额外”注入......
东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET(2024-11-13 10:40)
MOSFET的体二极管在反向传导操作[3]期间双极通电时，其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通过在MOSFET中嵌入SBD（肖特基势垒二极管）以弱......
AD7293数据手册和产品信息(2024-11-11 09:21:09)
AD7293数据手册和产品信息;AD7293是一款PA漏极电流控制器，集电流、电压和温度监控与控制通用功能于一体，采用SPI兼容型接口，集成在单芯片解决方案中。
该器件具有一个4通道、12位逐......
150W功率放大器电路(2023-09-01)
欧姆的负载（扬声器）。本文引用地址：电路的原理：
该电路的基本原理是双极结型晶体管的不同偏置方式。 麦克风输出的电信号非常低。使用 CE 配置的双极结型晶体管在 A 类模式下偏压，可将......
调频发射电路(2023-07-24)
前置放大器的设计：
在此，我们设计一个简单的单级共射极放大器作为前置放大器。
a) 选择 Vcc：我们选择了 NPN 双极结型晶体管 BC109。由于该晶体管的 VCEO 约为 40V，因此我们选择了更低的 Vcc......
ST最新的双极功率晶体管媲美MOSFET的能效且具备紧凑封装(2013-10-16)
ST最新的双极功率晶体管媲美MOSFET的能效且具备紧凑封装;意法半导体的3STL2540提供双极晶体管的成本优势和硅面积使用效率，同时兼具同级MOSFET的能效，为设......
利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关以实现系统电源循环(2024-01-23)
的正常高电平输出提供必要的基极-发射极电压，作为NPN双极结型晶体管的控制输入。它在基极-发射极结上建立足够的电压，使晶体管进入导通状态。
电阻分压器连接到高端MOSFET开关的栅极引脚和源极引脚，以控制其栅源电压(VGS......
利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关以实现系统电源循环(2024-01-23)
统处于活动状态时，MAX16155 WDO引脚的看门狗输出处于空闲状态，通常为高电平。然后会通过限流电阻网络连接到驱动晶体管的基极引脚。WDO引脚的正常高电平输出提供必要的基极-发射极电压，作为NPN双极......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
必看！IGBT基础知识汇总！;
01 是什么？本文引用地址：
，绝缘栅双极型，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET......
莱迪思半导体和HELION合作推出基于LatticeECP3 FPGA的3D摄像机(2012-03-12)
耗的LatticeECP3 FPGA，莱迪思双传感器前板使用了莱迪思MachXO2™ PLD和莱迪思合作伙伴Helion提供的3D ISP（图像信号处理）IP。双图像传感器设计结合了两个Aptina......
双极性结型晶体管的开关损耗(2024-05-09)
双极性结型晶体管的开关损耗;在SPICE仿真的帮助下，我们研究了当BJT用作开关时发生的两种类型的功耗。本文引用地址：（BJT）既可以用作小信号放大器，也可以用作开关。尽管......
提供米勒箝位的单电源/双电源高电压隔离IGBT栅极驱动器——ADUM4135(2023-10-11 14:25)
的iCoupler®技术在输入信号与输出栅极驱动器之间实现隔离。
ADuM4135提供米勒箝位，可在栅极电压低于2 V（典型值）时实现稳健的IGBT单轨电源关断。使用或不使用米勒箝位电路，都可以采用单极或双极......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
IGBT驱动电路介绍;，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极......
内镜、乐普、启明、健适医疗、心玮医疗、杭州坦帕、苏州朗开、天津索玛科技、沃伦设计、新华安得医疗、谱高医疗、锐健马斯汀、上海超光微、常州景钰舟、沃伦设计、长海医院、浙江感汇、上海鸿脉、上海脉全、杭州安杰思、苏州......
MOSFET每个参数都讲透了！(2024-10-08 15:24:00)
崩能力保证定义
单发雪崩电流IAS：下图中的峰值漏极电流
单发雪崩能量EAS：一次性雪崩期间所能承受的能量，以Tch≤150°C为极......
ADUM4137数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:41)
ADUM4137数据手册和产品信息;ADuM41371ADuM4138 是一款已专门针对绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) 驱动进行优化的单通道栅极驱动器。ADI 公司的 iCoupler® 技术......
LTC3901数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:42)
LTC3901数据手册和产品信息;LTC®3901 是一款副端同步整流器驱动器，专为在隔离型推挽和全桥式转换器电源中使用而设计。该芯片用于驱动两个外部 N 沟道 MOSFET 并接受一个变压器产生的双极......
MOSFET每个参数都讲透了(2024-09-23 17:38:21)
崩能力保证定义
单发雪崩电流IAS：下图中的峰值漏极电流
单发......
推出采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN封装的晶体管(2013-11-15)
适用于空间受限的便携式应用中的电源管理和负载开关，这是因为外形大小、功率密度和效率在这些应用中都是极为关键的因素。
恩智浦半导体公司晶体管产品经理Joachim Stange表示：“在如此小的塑料封装内达到如此高的漏极和集极电流值是前所未有的。通过......
Nexperia首次推出 用于48 V汽车和其他更高电压总线电路的80 V RET(2021-01-12)
在与晶体管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封装中组合偏置电阻和偏置发射极电阻，RET可以节省空间并降低制造成本。SOT363封装还提供双RET......
汽车级大功率IGBT现状及未来趋势研究 (2024-07-14)
高压系统中主要以大功率 IGBT 模块方案为主。
2. IGBT 工作原理
IGBT 芯片的内部结构结合了 MOSFET 的驱动优势及 BJT（双极性晶体管）的导通优势（如图 3 所示）。
图 3......
什么叫IGBT? IGBT的结构、工作原理与应用领域有哪些？(2025-01-14 07:05:07)
什么叫IGBT? IGBT的结构、工作原理与应用领域有哪些？;
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），全称绝缘栅双极型晶体管，是一......
7月动力电池装车量TOP15出炉(2024-08-12)
7月动力电池装车量TOP15出炉;8月9日，中国汽车动力电池产业创新联盟（简称“电池联盟”）发布了2024年7月及1-7月的国内动力和储能电池销量和装车量数据。
产量方面，7月，在新......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
注入的少数载流子很容易通过反偏的PN结——集电结，到达集电极，形成集电极电流Ic。
三极管放大导通条件是《发射结正偏，集电结反偏》就非常容易理解了，上一......
Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法(2022-12-05)
将阐述需要考虑哪些标准因素。本文引用地址：
超过 1000 V 电压的应用通常使用IGBT解决方案。但现在的SiC 器件性能卓越，能够实现快速开关的单极组件，可替代双极 IGBT。这些SiC器件......
现代工业电机驱动中如何可靠地实现短路保护的问题(2022-12-19)
现代工业电机驱动中如何可靠地实现短路保护的问题;工业电机驱动的整个市场趋势是对更高效率以及可靠性和稳定性的要求不断提高，功率半导体器件制造商不断在导通损耗和开关时间上寻求突破。有关增加绝缘栅极双极......
基础知识之晶体管(2024-03-21)
，输出电流就从10mA变成7倍那么高的70mA。 因此，只要有轻微的噪声进入输入电压就会引起输出电流大幅度变化，也就不适合实际使用。
就这样，由于双极晶体管采用电流控制是稳定的，所以就要将IC的输出电压转换成基极电......
上半年国内动力电池装车量TOP15出炉：合计超200GWh！(2024-07-12)
上半年国内动力电池装车量TOP15出炉：合计超200GWh！;7月10日，中国汽车动力电池产业创新联盟（简称“电池联盟”）发布了2024年6月及1-6月的国内动力和储能电池销量和装车量数据。
数据......
变频器和IGBT的基础知识(2024-05-30)
关频率则受器件开关时间的限制。采用绝缘双极型晶体管IGBT时，开关频率可达10kHz以上，输出波形已经非常逼近正弦波，因而又称为SPWM逆变器，成为当前最有发展前途的一种装置形式。
电压型变频器结构框图：
电压......
储能系统的关键零部件——IGBT介绍(2024-10-08 17:04:04)
合计构成电化学储能系统成本的80%，其中储能逆变器占到20%。
IGBT绝缘栅双极型晶体管为储能逆变器的上游原材料，IGBT的性能决定了储能逆变器的性能，占逆变器价值量的20%-30......
Nexperia双通道500 mA RET可在空间受限的应用中实现高功率负载开关(2023-09-27)
列器件适用于可穿戴设备和智能手机中的负载开关，也可用于功率要求更高的数字电路。例如空间受限的计算、通信、工业和汽车应用。值得注意的是，DFN封装的RET采用双重空间节省方案，可加倍提高空间利用率。首先，通过将双极性晶体管(BJT)和电......
Nexperia双通道500 mA RET可在空间受限的应用中实现高功率负载开关(2023-09-27)
倍提高空间利用率。首先，通过将双极性晶体管(BJT)和电阻巧妙地集成到单一封装中，可节省大量电路板空间。此外，无引脚DFN封装本身的空间效益较高。这种......
为什么使用双极性晶体管驱动功率LED(2023-02-08)
决方案使用两个符合汽车标准的MJD31C大功率100 V 3 A NPN双极晶体管，但对于需要更精密线性稳压器的应用，则可用增益更高的MJD31CH-Q替代MJD31CA。
这些器件的基极电......
今年Q1中国销量TOP10车企动力电池配套解析(2024-04-03)
新能源等提供电池配套。
值得注意的是，极电新能源是吉利汽车自研自产电池企业。
· 长安汽车：宁德时代、中创新航、国轩高科、亿纬锂能提供电池配套
今年第一季度，长安汽车新能源汽车销量达到12.88万辆，同比......
动力电池TOP15一季度排名！(2024-04-15)
%。
销量方面，3月，我国动力和其他电池合计销量为73.2GWh，环比增长96.1%，同比增长49.5%。其中，动力电池销量为62.3GWh，占比85%，环比增长85.6%，同比增长41.3%；其他电池销量......
字节更新激励政策，增加高管期权激励！(2024-01-24)
内容生态相关业务。
去年11月，PICO创始人周宏伟宣布，PICO OS团队整体并进字节跳动产品研发和工程架构中台，市场、游戏、视频部门进行大裁员。此前，PICO OS产品负责人马杰思......
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET(2022-12-13 11:33)
方格设计将嵌入式SBD固定在体二极管附近能够有效限制寄生二极管的双极传导，而反向传导的单极电流限制是由相同SBD面积消耗的电流条状SBD图案设计实现的单极电流限制的两倍。在2.7mΩ・cm2条件下，导通电阻降低约20......
车规级IGBT有多重要？(2024-03-11)
车规级IGBT有多重要？;作为电力电子行业里的“CPU”，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是国际上公认的电子革命中最具代表性的产品。将多个IGBT芯片集成封装在一起形成IGBT模块，其功率更大、散热......
传鸿海有意收购旺宏出售的6英寸晶圆厂(2021-04-20)
半导体技术也投入相关领域，如CMOS影像感测元件（CIS）、绝缘栅双极电晶体（IGBT）等特殊半导体制程。
市场人士认为，若鸿海能顺利购下该厂，双方在汽车半导体领域将可形成合力，旺宏能够透过鸿海MIH......
提高 xEV 牵引逆变器系统的安全性(2022-12-08)
提高 xEV 牵引逆变器系统的安全性;
电动汽车设计人员可以通过监控栅极电压阈值来提高系统的安全性和可靠性。
当消费者购买汽车时，他们认为设计工程师尽职尽责地创造了一款安全的产品。为了......
8月国内动力电池装车量为47.2GWh，三元锂电池占比仅1/4(2024-09-11)
8月国内动力电池装车量为47.2GWh，三元锂电池占比仅1/4;
【导读】中国汽车动力电池产业创新联盟发布8月动力电池月度数据，该月我国动力和其他电池销量为92.8GWh，同比增长43.2......
用于 EV 充电系统栅极驱动的隔离式 DC／DC 转换器(2022-12-05)
出电压（不同部件号）。双极电压是使用具有短路保护的 pnp 射极跟随器分流器网络产生的。
5.7-kV 隔离测试额定值（在生产中测试持续时间为 1 秒）。该部件还提供功能性（非安全屏障）、连续 2.5kV......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。
PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路（见N沟道金属—氧化物—半导......
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET(2022-12-13)
式MOSFET的侧电流特性的评估证实，使用方格设计将嵌入式SBD固定在体二极管附近能够有效限制寄生二极管的双极传导，而反向传导的单极电流限制是由相同SBD面积消耗的电流条状SBD图案设计实现的单极电......
相关企业
微计算机的智能化控制使输出功率自动适应不同组织、不同阻抗的要求，从而对手术质量提供了切实的保证，该系列高频电刀适合腹腔镜、宫腔镜、膀胱镜及前列腺汽化电切镜的手术要求。公司是国内最早生产高频电刀,技术最先进、质量服务优良、出口产销量最大的高频电刀
;杰思优电子有限公司;;
;深圳杰思特科技公司;;
;南京杰思尔公司;;发展中
;广州杰思信息技术有限公司;;广州杰思电子有限公司是一家集生产加工、经销批发的私营有限责任公司，在广州、深圳、上海、湖南设有销售服务中心；杰思
;深圳市杰思创科技有限公司;;
;无锡杰思物流设备有限公司;;
;南京杰思尔设备工程有限公司;;
;合肥安杰物资公司;;合肥安杰物资公司是一家集生产加工、经销批发的有限责任公司，液位计、联轴器、过滤器、电磁阀、压力控制器是合肥安杰物资公司的主营产品。合肥安杰
;深圳石谷棠科技有限公司;;石谷棠科技隶属广州则天信息技术有限公司，着力于医用传感器及配件的研发生产，目前生产的产品有血氧探头、心电导联线、有创压力传感器电缆、无创血压袖带、体温探头、高频电刀