资讯
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项，您知道吗？(2024-06-14)
电压超过阈值电压，即使在关断后也会引发寄生导通。
图9 (b)中的红色波形显示了通过该路径测得的电流。电流峰值与dv/dt成正比，并导致电阻器两端产生峰值电压。这意味着该电流将限制外部栅极电阻（RG......
PFC电路：栅极电阻的更改(2023-03-16)
很好地权衡栅极电阻值的设置是非常重要的。在本文中，我们来探讨当将开关器件的损耗抑制在规定值以下时，最大栅极电阻RG的情况。另外，由于噪声需要实际装机评估，所以在这里省略噪声相关的探讨。本文引用地址：
关键要点
・增加......
低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术，满足光伏应用的需求(2022-12-23)
现十分软，未达到临界值。开通时，所有器件的开关性能不相上下。如果栅极电阻（RG）进一步降低，S7的开关损耗降低，dv/dt值增大。
图2.在VDC=600V和TJ=25°C条件下，当IC=Inom......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09)
新工艺实现的Eoff＝0.35mJ[3]（典型值）
- 采用反向导通（RC）结构的内置续流二极管（FWD）
- 快速开关时间（下降时间）：tf＝40ns（典型值）（TC＝25℃、IC＝15A、RG......
测试共源共栅氮化镓 FET(2024-04-09)
器件时，需要使用三个重要组件来避免振荡。个是缓冲电路，第二个是铁氧体磁珠，第三个是栅极电阻 (Rg) 依赖性。RC缓冲电路由串联的电阻器和电容器组成（即简单的低通滤波器）。如果将其连接在功率 FET......
IGBT／MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计(2023-10-24)
栅极驱动器。IGBT/MOSFET 栅极电阻选择 RG 值时，重要的是要从栅极驱动器 IC 和功率半导体开关 MOSFET/IGBT 的角度来考虑。对于栅极驱动器 IC，我们选择的 RG 在 IC 允许......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09 14:13)
值）- 采用反向导通（RC）结构的内置续流二极管（FWD）- 快速开关时间（下降时间）：tf＝40ns（典型值）（TC＝25℃、IC＝15A、RG＝56Ω）- 低二极管正向电压：VF＝1.2V（典型值）（TC......
实时监测TVOC浓度——中科微感新一代高性能TVOC传感器正式推出(2024-02-06 10:16)
我公司的标准试验条件下测出。纵坐标表示传感器电阻比 Rg/Ra，Rg与Ra的定义如下：Rg = 各种浓度气体中的传感器电阻值Ra = 洁净空气中的传感器电阻值
如上图所示，本系列传感器对10 ppm异丁......
实时监测TVOC浓度——中科微感新一代高性能TVOC传感器正式推出(2024-02-06 10:16)
我公司的标准试验条件下测出。纵坐标表示传感器电阻比 Rg/Ra，Rg与Ra的定义如下：Rg = 各种浓度气体中的传感器电阻值Ra = 洁净空气中的传感器电阻值
如上图所示，本系列传感器对10 ppm异丁......
Amphenol RF推出微型高压（MHV）线缆组件(2023-08-24)
。Amphenol RF MHV线缆组件采用行业标准RG-58线缆和卡口耦合机制，可实现轻松快速的连接/断开功能。该组件采用直通式MHV连接器，具有镀镍黄铜主体和镀银黄铜触点。镍镀层提高了耐用性。虽然MHV......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09)
）
- 快速开关时间（下降时间）：tf＝40ns（典型值）（TC＝25℃、IC＝15A、RG＝56Ω）
- 低二极管正向电压：VF＝1.2V（典型值）（TC＝25℃、IF＝15A、VGE......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09)
时间）：tf＝40ns（典型值）（TC＝25℃、IC＝15A、RG＝56Ω）
-低二极管正向电压：VF＝1.2V（典型值）（TC＝25℃、IF＝15A、VGE＝0V）
主要规格：
注：
[1......
电动机控制应用三种不同的dV/dt控制方法(2022-12-20)
统方法可能会提高外部栅极电阻值。因为这些器件的CGD（CRSS）相对较高，所以外部RG值可以放缓dV/dt而不会过度延迟时间。对于图腾柱PFC等快速开关应用而言，这种方法非常好，在这种情况下，较快的dV/dt会带......
全差分放大器为精密数据采集信号链提供高压低噪声信号(2024-10-28)
性能没有得到优化。
图2.单端转差分电路
更好的方法是将两个运算放大器配置成差分方式，类似于基本差分放大器，其中U1和U2共享反馈和增益电阻，增益Av = (RG + 2RF)/RG(见图......
声光控延时开关电路板的组成及原理(2023-10-20)
使声光控开关在白天开关断开，即由光敏电阻RG等元件组成光控电路，R6和RG组成串联分压电路，夜晚无环境光时，光敏电阻的阻值很大，两端的电压高，则与非门D1的1脚为高电平“1”，通过与非门D1则为低电平“0”。再通......
变频器主回路中驱动电路和保护电路设计(2023-08-25)
的作用是单向导通，D点为低电平时，使保护电路对欠压电路部分无影响。
典型的IGBT驱动电路如下图。对于IGBT的驱动，由于IGBT的特性随VGE和RG变化，而且随IGBT的电......
关于IGBT 安全工作区 你需要了解这两个关键(2023-12-15)
密切注意耗散和其他性能问题。例如，反向偏置安全工作区具有温度特性（在高温下劣化），VCE－IC 的工作轨迹根据栅极电阻 Rg 和栅极电压 VGE 而变化。
因此，有必......
正确理解驱动电流与驱动速度(2022-01-27)
VCC通过M1和Rg给Cgs，Cgd充电，从而使MOSFET开通，其充电简化电路见图2。当M1关断，M2开通的时候，Cgs通过Rg和M2放电，从而使MOSFET关断，其放电简化电路见图3。
衡量......
新型-30 V p沟道TrenchFET®第四代功率MOSFET可降低便携式电子设备功耗(2020-02-17)
电源应用中的现有器件。该MOSFET适用于适配器和负载开关、反向极性保护、电池供电设备电机驱动控制、电池充电器、消费类电子、计算机、电信设备等。
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器件经过100 % RG和UIS测试，符合......
AD9929数据手册和产品信息(2024-11-11 09:18:01)
：RG时钟、水平时钟、垂直时钟、传感器门限脉冲、一个基底时钟和一个基底偏置脉冲。采用三线式串行接口对操作进行编程。
AD9929采用64引脚CSPBGA封装，额定温度范围为-25℃至+85°C。......
AD9991数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:31)
位模数转换器。时序发生器提供所有必需的CCD时钟：RG、水平时钟、垂直时钟、传感器门限脉冲、基底时钟和基底偏置控制。采用三线式串行接口对操作进行编程。
AD9991采用节省空间的56引脚LFCSP......
AD9923A数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:36)
与5场、10相CCD一起使用。
模拟前端包括黑色电平箝位、CDS、VGA和一个12位ADC。时序发生器和垂直驱动器提供必需的CCD时钟：RG、水平时钟、垂直时钟、传感器门限脉冲、基底......
基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片(2024-06-24)
的驱动正电压是+15V，在关断期间，串扰电流Igd（红色线）会流经Ciss, 在关断电阻Roff和IGBT内部栅极电阻Rg两端，产生左负右正的电压，这两个电压叠加在IGBT门极，此时IGBT会有......
AD9977数据手册和产品信息(2024-11-11 09:21:01)
模拟前端均包括黑色电平箝位、CDS、VGA和一个65 MSPS、14位模数转换器。时序驱动器为RG、HL和H1至H4提供高速CCD时钟驱动器。采用三线式串行接口对操作进行编程。
AD9977采用节省空间的6 mm......
伍尔特电子同轴产品线增加新产品(2022-12-06)
转换器 WR-ADPT 和一系列配备 RPSMA 插头的各种类型（RG174/U、RG-178/U、RG316/U），每类都提供标准的 152 毫米和 305 毫米两种长度。
伍尔......
AD9940数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:20)
差分输出提供良好的信号完整性。AD9940采用2.7 V单电源供电，功耗典型值为105 mW（不包括H/RG驱动电流），提供48引脚LQFP和48引脚LFCSP封装。
应用
专业高清电视摄像机
专业/高端......
伍尔特电子同轴产品线增加新产品——高频连接器：SMA、RPSMA、线缆和转接头(2022-12-06)
边缘安装的连接器，所有这些产品都具有 IP67 防护等级。新产品还包括直角 SMA 转换器 WR-ADPT 和一系列配备 RPSMA 插头的各种类型线缆（RG174/U、RG-178/U、RG316......
伍尔特电子同轴产品线增加新产品(2022-12-06)
安装的连接器，所有这些产品都具有 IP67 防护等级。新产品还包括直角 SMA 转换器 WR-ADPT 和一系列配备 RPSMA 插头的各种类型线缆（RG174/U、RG-178/U、RG316/U），每类......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
）栅电压IGBT工作时，必须有正向栅电压，常用的栅驱动电压值为15～187，最高用到20V， 而棚电压与栅极电阻Rg有很大关系，在设计IGBT驱动电路时， 参考IGBT Datasheet中的额定Rg值......
Vishay推出新款共漏极双N沟道60 V MOSFET，提高功率密度和效率(2019-12-11)
和烟雾报警器。
SiSF20DN进行了100 % Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
新型MOSFET现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为30周。
VISHAY简介
Vishay......
OPPO携手2023年法网公开赛，以专业影像助力捕捉精彩瞬间(2023-05-26)
次举办“RG x OPPO Photo Gallery”，展示 OPPO Find N2 Flip 等最新旗舰智能手机捕捉的励志瞬间。 OPPO还将继续通过法网“每日最佳进球”线上平台展示，在比......
基于TDR技术的阻抗测量系统的设计和应用研究(2023-06-01)
误安装SMA连接器（2，红）时RG 405同轴电缆的反射图。
只有传输路径上所有元件（不仅包括蚀刻线，而且包括电缆、连接器甚至集成电路中的终端电阻）都是阻抗匹配的，才能......
CS5265的功能介绍 转HDMI 4K60HZ方案(2023-11-02)
式EDID（如果终端设备没有，CS5265将响应EDID）
支持HDCP 1.4和HDCP2.3，带片上键以支持HDCP中继器。
支持RG 4:4:4 8/10位pc和YCCr 4:4:4、4......
英国将试验使用低地球轨道卫星为家庭和企业提供高速互联网连接(2022-12-07)
);
天线电缆：单一同轴电缆
电缆损耗 最大/最小：4/20 dB (1.62GHz)，4Ω直流环路电阻;
RG-223 : 最小7米 / 最大25米 ;
RG214–FRNC......
谈谈几种常用的MOSFET驱动电路(2024-04-22)
管子导通的速度就比较慢。如果驱动能力不足，上升沿可能出现高频振荡，即使把图1中Rg减小，也不能解决问题！IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速度等因素，都影响驱动电阻阻值的选择，所以Rg并不能无限减小。
2、电源IC......
OPPO携手2023年法网公开赛，以专业影像助力捕捉精彩瞬间(2023-05-26)
更方便捕捉运动员、球迷等场内外激动人心的精彩瞬间。
图片使用OPPO手机拍摄
在赛事期间，OPPO 将再次举办“RG x OPPO Photo Gallery”，展示 OPPO Find N2......
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低开关损耗的4引脚封装(2023-08-31)
另有说明，Ta＝25℃）
注：
[1] 截至2023年8月
[2] 截至2023年8月，东芝测量值（测量条件：VDD＝800V、VGG＝+18V／0V、ID＝20A、RG＝4.7Ω、L＝100μH、Ta......
Vishay推出的新款对称双通道MOSFET(2023-01-30)
布局，支持缩短开关回路，从而减小寄生电感。SiZF5300DT和SiZF5302DT经过100% Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
器件......
Vishay推出的新款对称双通道MOSFET 可大幅节省系统面积并简化设计(2023-02-01)
SiZF5302DT经过100% Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
器件规格表：
SiZF5300DT和SiZF5302DT 现可提供样品并已量产。......
MOS管驱动电流估算(2024-04-02)
电流只需 250mA左右即可。仔细想想这样计算对吗？
这里必须要注意这样一个条件细节，RG=25Ω。所以这个指标没有什么意义。
应该怎么计算才对呢？其实应该是这样的，根据产品的开关速度来决定开关电流。根据I......
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装(2023-08-31)
、VGG＝+18V／0V、ID＝20A、RG＝4.7Ω、L＝100μH、Ta＝25℃）
*本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
*本文档中的产品价格和规格、服务......
缩短开关回路，从而减小寄生电感。SiZF4800LDT经过100% Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
竞品对比表：
SiZF4800LDT现可提供样品并已实现量产，供货周期为26周。
......
安森美和Ampt携手合作，助力光伏电站供应商提高能效(2023-01-06)
速扩展，证明安森美是个强大的合作伙伴。”
EliteSiC器件的RDS(on)典型值为80 mΩ，栅极电荷(Qg)值为56 nC，Rg较低，为1.7Ohms。它能够在175°C的结温下工作，降低......
安森美和Ampt携手合作，助力光伏电站供应商提高能效(2023-01-09)
)值为56 nC，Rg较低，为1.7Ohms。它能够在175°C的结温下工作，降低了应用中的热管理要求，从而实现尺寸更小、成本更低的方案。
执行副总裁兼电源方案部总经理Simon Keeton......
Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能(2024-11-21 11:00)
驱动和电动工具；以及电池管理系统。MOSFET符合RoHS标准且无卤素，经过100 % Rg和UIS测试，符合IPC-9701标准，可实现更加可靠的温度循环。器件的标准尺寸为6 mm × 5 mm，完全......
艾睿满足不同电源应用需求的多样化解决方案(2023-08-23)
（Field Stop Trench Gen4）技术的高速版IGBT，由于想要拥有更快的开关，将导致更高的电压尖峰，竞争对手的高速IGBT需要更高的Rg，由于安森美的FS4高速IGBT的电压尖峰较小，因此......
优化汽车应用的驾驶循环仿真(2023-01-06)
、IAM1、TJ 和 RG 等参数）计算功率损耗和开/关能量。PLECS 还可以将这些仿真的功率损耗插入带有其他一些参数（如 RTH 和 TFLUID）的 Cauer 模型中，对半......
优化汽车应用的驾驶循环仿真(2023-01-09)
模块的开关特性进行仿真有助于预测开关电压波形并确定纹波。可以使用 2D 和 3D 查找表（使用 VDC、IAM1、TJ 和 RG 等参数）计算功率损耗和开/关能量。PLECS 还可以将这些仿真的功率损耗插入带有其他一些参数（如 RTH 和......
Vishay推出的新款对称双通道MOSFET可大幅节省系统面积并简化设计(2023-01-30)
减小寄生电感。SiZF5300DT和SiZF5302DT经过100% Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
器件规格表：
SiZF5300DT和SiZF5302DT 现可提供样品并已量产。供货......
安森美和Ampt携手合作，助力光伏电站供应商提高能效(2023-01-06)
电荷(Qg)值为56 nC，Rg较低，为1.7Ohms。它能够在175°C的结温下工作，降低了应用中的热管理要求，从而实现尺寸更小、成本更低的方案。
安森美执行副总裁兼电源方案部总经理Simon......
相关企业
-FB、5D-FB、5D-2V、7D-FB、8D-FB、9D-FB、10D-FB、12D-BF、1.5C-2V、2.5C-2V、3C-2V、5C-2V、）； 参照美国军标（MIL-C-17）标准制造的RG
;DMTECHNOLOGY;;dfg rg
;深圳荣冠科技有限公司;;荣冠科技有限公司是一家专业从事手机电池设备研发制造的有限责任公司，公司拥有高级的软硬件开发工程师和专业的机械模具制造工程师。公司主要产品有电池综合测试仪（RG-301、RG
点间距 4mm 4.75mm 6mm 7.62mm 10.0mm 点结构 R/G/RG R/G/RG/RGB R/G/RG/RGB R/G/RG/RGB R/R/RG/RGB 模块尺寸 32mm
;深圳市龙岗区伟利达电线电缆经营部;;伟利达电子科技有限公司是电子连接线、UL电子线、排线、端子接插线、UL屏蔽线、护套线、特种高温线、热缩管、套管、安防控制线（75-3、75-4、75-5、RG
;杭州临安东特电缆有限公司;;本公司主要经营射频同轴电缆,SYWV（Y）-75型系列，视频电缆，RG系列,电话线等。本公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原
;深圳市佑南实业有限公司;;本公司长期代理韩国SAMWHA（三和）系列陶瓷电容、MLCC、电解电容，其中电解电容主要包括包括节能灯专用系列：RH(长寿命），电表专用系列：WD WL WG RG RD
;昆山市海宣电子有限公司;;我司是一家从事RF射频同轴线、I-PEX（组件）极细同轴线RF（0.81,1.13、1.37、RG178）线缆组件、RG军标线缆（组件）、半刚线（组件）、半柔
;深圳市金特诺电子有限公司;;圳市金特诺电子有限公司是一家从事RF射频同轴连接器、I-PEX（板端和组件）极细同轴线RF（0.81,1.13、1.37、RG178）线缆组件、RG军标线缆（组件
电器、建筑、房地产，其中UL电子线 屏蔽线 RG同轴线系列线材起步较早，出口量大。