资讯
变频器中的器件选取(2023-08-25)
单向导通的特性，多用于整流、反向隔离、电平钳位等多种场合。选取二极管，需要考虑通态电流容量、反向耐压，恢复时间等主要指标。
(1)整流二极管
当二极管用于开关电源整流时，一般需要快速二极管以减小损耗，然后......
对标C4D40120D，1200V SiC肖特基二极管B2D40120HC1让车载充电机更高效(2023-10-24)
的拓扑结构为LLC谐振，如下图所示：
SiC二极管在LLC电路的应用
在上述PFC电路和LLC电路中，二极管的导通损耗和开关损耗越小、反向漏电流和反向恢复时间越小，开关频率就可以做到更高。反向耐压越高，工作......
变频器的辅助电源设计(2023-08-25)
，允许纹波电流大于1.16A;
第3路：
1000uF/35V，其阻抗小于0.058Ω，允许纹波电流大于1.71A。
副边整流二极管的选取
①二极管反向耐压
第一路：
第二路：
第三路：
考滤......
整理常见电子元器件的等效电路(2024-10-08 16:05:06)
欧姆的小电阻R0。将阻尼二极管设在行输出管的内部，减小了引线电阻，有利于改善行扫描线性和减小行频干扰，基级与发射极之间接入的电阻是为了适应行输出管工作在高反向耐压的状态。
......
专业与性能并行：顾邦半导体 GBS60020，为高功率应用量身定制！(2024-11-13)
体二极管反向恢复速度极快（Trr=190ns），恢复电荷低至1.72uC，同时具备较低的峰值反向恢复电流（Irrm=18A），减少系统损耗，适合......
功率MOS体二极管参数分析(2024-12-07 19:11:23)
µJ，或者说只高出=1.6/0.128=12倍。
因Qrr引起的体二极管损耗
下管体二极管反向恢复时，上管还处在导通过程中，VDS维持在VIN，如下图所示：对应的反向......
案例分享：二极管反向恢复电流如何测试？(2024-10-12 11:16:43)
案例分享：二极管反向恢复电流如何测试？;
最近在网上有看到测试二极管反向恢复时间的例子，大家可以看一下，加深印象。
从中......
【干货】二极管限幅电路理论分析，工作原理+作用(2024-06-25)
与输出串联。当二极管正向偏置时导通时，输入信号在输出端。相反，当二极管反向偏置/阻断时，串联限幅电路会传递输入信号。
分为正/负限幅电路。
1、正限幅电路
串联正限幅去除波形的正半部分，如下所示，二极管处于反向......
二极管限幅电路理论分析，工作原理+作用，几分钟搞定(2024-12-19 17:54:04)
限幅电路
三、串联二极管限幅电路
在串联限幅电路中，二极管与输出串联。当二极管正向偏置时导通时，输入信号在输出端。相反，当二极管反向......
二极管导通AB两端的控制条件藏在A中，而三极管却是藏在C中。(2024-01-15)
个大圈里，二极管的影响微乎其微。
3.故障诊断
完好的二极管，导通后具有小于1Ω的阻抗，实际上就是体电阻。
正常状态的二极管反向电阻很高，正向电阻很小，两者的比例大约在1000倍左右。用万......
防反接电路、防倒灌电路、过流保护电路(2024-09-14 14:51:48)
并联到电路中。二极管要考虑导通电流和反向耐压等参数
3.桥式整流电路
看好电路图的 电源和负载的两端接哪
4.MOS管防反接（用得......
收藏总结：19种常见的二极管应用电路！(2024-11-23 18:23:13)
极性保护电路
什么是
肖特基二极管
？
2、二极管反向......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向......
OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点(2022-12-06)
，不同于驱动MOSFET结电容的容性负载，驱动芯片驱动变压器等感性负载时，输出承受负压和反向电流的能力有限，因而常常需要在驱动输出测进行有效保护。
需要注意的是，UCC27524-Q1等芯片的输出负向耐压一般为二极管......
解析LLC谐振半桥变换器的失效模式(2024-04-26)
电流消耗很高的循环能量。
关于移相全桥拓扑中功率的失效问题，其主要原因是：在低反向电压下，MSOFET体二极管的反向恢复较慢。另一失效原因是：空载或轻载情况下，出现Cdv/dt直通。在谐振中的一个潜在失效模式与由于体二极管反向......
抛负载测试，汽车24V系统怎么通过波形5a测试？(2023-09-27)
流有效的是选用TVS瞬态抑制二极管进行保护。为此，接下来，专业高品质电路保护器件厂家及保护解决方案服务商东沃电子，针对车载24V系统电源口抛负载瞬态电压现象，设计了个经典防护方案，方案图如下所示：
从东沃车载24V......
详解开关电源缓冲吸收电路~(2024-12-12 19:23:17)
尖峰是电感续流引起的。
引起电压尖峰的电感可能是：变压器漏感、线路分布电感、器件等效模型中的感性成分等。
引起电压尖峰的电流可能是：拓扑电流、二极管反向恢复电流、不恰......
这位大牛记录下了电路设计的全过程(2024-04-24)
路输出选择合适的整流管
每个绕组的输出整流管承受的最大反向电压值VD（n）和均方根值IDrms（n）如下：
选用的二极管反向耐压值和额定正向导通电流需满足：
9. Step9：为每路输出选择合适的滤波器
第n......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23 15:21)
不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向恢复时间几乎不受温度变化的影响，可在+175 °C高温......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向......
牛人剖析功率MOS，从入门到精通(2024-11-18 19:30:30)
继续放电直至零。
八、因二极管反向恢复引起的MOSFET开关波形
(1)实验......
东芝推出400 V耐压小型开关二极管HN1D05FE(2024-10-12)
东芝推出400 V耐压小型开关二极管HN1D05FE;
【导读】东芝深耕于电子元器件领域多年，其耐压小型开关二极管产品一直备受市场关注。近期推出的400 V耐压开关二极管......
东芝推出400 V耐压小型开关二极管HN1D05FE(2024-10-14)
东芝推出400 V耐压小型开关二极管HN1D05FE;
电子技术的飞速进步伴随着集成电路和微型化技术的日新月异，小型开关二极管作为电子元件中的关键一环，尤其在高压、恶劣环境下，其性......
东芝推出适用于高压电路的400 V耐压小型开关二极管(2023-12-22)
东芝推出适用于高压电路的400 V耐压小型开关二极管;
【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近期发布了400 V耐压开关二极管新产品“HN1D05FE”。 “HN1D05FE......
基础知识之SiC功率器件(2024-03-21)
却存在开关损耗大 的问题，其结果是由此产生的发热会限制IGBT的高频驱动。 SiC材料却能够以高频器件结构的多数载流子器件（肖特基势垒二极管和MOSFET）去实现高耐压，从而同时实现 “高耐压”、“低导通电阻”、“高频......
常见的二极管组件（整流桥、高压硅堆、二极管排）(2024-12-07)
、5A、10A、20A、35A、50A等多种规格，耐压值（最高反向电压）有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V等多种规格。半桥是将四个二极管......
速开关，可提升车载充电机整机效率。
碳化硅肖特基二极管B1D30120HC的特点如下：
1、结温最大额定值为175℃，存储温度范围为-55~175℃，符合车载高温应用要求。
2、反向电压（重复峰值）最大......
CAN总线接口保护电路设计指南(2022-12-06)
组电阻、PTC等，切勿选择普通的金属膜、碳膜电阻！
● TVS管：导通电压应高于信号幅值，并低于引脚最大直流耐压，如12V。峰值电流则应大于2*16.5=33A，如P6KE12CA。
● 二极管......
CAN总线接口保护电路设计指南(2022-12-06)
。
● 二极管：反向耐压大于TVS最大导通电压，峰值电流大于16.5A，如1N4007。
产品推荐
致远电子提供了完整的CAN接口产品方案，可为客户免除CAN接口及保护电路的设计烦恼。SM1500......
电路设计要考虑的异常情况(2024-04-24)
损毁。(这段文字，博主表示没理解)
4、 过压保护
CON1为电源输入口，正常5V供电；FUL为2A保险丝，电流保护；D3是反向耐压40V，超过40V，D3阻抗减小电流增大，保险......
纳芯微全新发布1200V系列SiC二极管，布局SiC生态系统(2023-07-11)
具备明显优势
1.几乎零反向恢复电流
如下图所示，SiC二极管的反向恢复电流几乎为零，明显优于Si基并且该电流的大小不受正向导通电流、关断速度（di/dt）和结......
PMOS做信号开关NMOS做电平转换(2024-12-02 10:02:21)
特性着手来理解这些疑问，下图是一个二极管的IV曲线：
由图可知，二极管反向偏压后，从0到-200mV，其反向电流随反向电压VF的（绝对值）增大而增加，近似......
开关电源整流滤波电路和钳位保护电路设计(2024-06-03)
关电源中一般不用它构成漏极钳位保护电路。
需要指出，阻塞二极管一般可采用快恢复或超快恢复二极管。但有时也专门选择反向恢复时间较长的玻璃钝化整流管1N4005GP，其目的是使漏感能量能够得 到恢复，以提高电源效率。玻璃钝化整流管的反向恢复时间介于快恢复二极管......
变频器的能量转换方式(2024-05-23)
的磁能并不能直接反馈至电源，只能和滤波回路中的电容进行能量交换。
还是以波形来说明问题，θ角依然是存在的，以一个周期为例，开始阶段，电压超前电流θ角，电压与电流反向，磁场做功，电流通过反并二极管反馈至直流回路，给电......
工程师随时可能用得上的10个电路图(2024-11-11 23:11:45)
开关模型和恒压降模型：
2、桥式整流电流流向过程：
输入输出波形：
3、计算：Vo, Io,二极管反向......
二极管选型指南(2024-04-08)
电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。反向电压增大到一定程度后，二极管反向击穿。
正向导通压降与导通电流的关系
在二极管两端加正向偏置电压时，其内......
车载直流DC/DC变换器输出电流采样选型(2023-03-14)
.此时如果选择普通PN二极管，其较大的正向导通压降（~0.7V） 常常使其不能在超出负向耐压限值时及时起到保护作用。通常建议选择正向导通压降更小的肖特基二极管进行负电压的有效钳位， 如BAT54S......
℃，存储温度范围为-55~175℃，符合高温应用要求。
2、反向电压（重复峰值）最大额定值为650V，耐压性能出色，满足车载大电压应用对二极管的要求。
3、连续正向电流最大额定值为10A，可承......
CCM与DCM的区别(2024-09-11 16:00:35)
,期间，MOSFET导通，电流从输入端流过原边电感器，对耦合电感器进行线性充电，并在其周围产生磁场（见图1.b）。在副边，整流二极管反向偏置，从而使变压器与输出端断开连接（见图1......
CAN总线接口保护电路设计指南(2022-12-07)
*16.5=33A，如P6KE12CA。
● 二极管：反向耐压大于TVS最大导通电压，峰值电流大于16.5A，如1N4007。
▌产品推荐
提供了完整的CAN接口......
精密线性恒流仪的设计和应用分析(2023-05-30)
测试仪
（1） 电子元件的电压测试（包括：反向耐压、工作电压和正向压降等）。根据电子元件的类型和测试原理，选择好外接直流（稳压）电源的电压范围，然厉将元件的引脚分清正负极接到Z1、Z2测试端上，将RW调至......
Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计(2024-01-30)
的共源共栅结构电路配置，将 SiC JFET 与硅基 MOSFET 合并封装，从而制造出具备宽带隙开关技术效率优势和硅基 MOSFET 简单栅极驱动的器件。SiC FET 的效率取决于传导损耗；得益于业界卓越的低导通电阻和体二极管反向......
Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能(2024-01-30)
栅极驱动的器件。SiC FET 的效率取决于传导损耗；得益于业界卓越的低导通电阻和体二极管反向压降，Qorvo 的共源共栅结构／JFET 方式带来了更低的传导损耗。
UJ4SC075009B7S 的主......
Qorvo 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能(2024-01-30 14:48)
的共源共栅结构电路配置，将 SiC JFET 与硅基 MOSFET 合并封装，从而制造出具备宽带隙开关技术效率优势和硅基 MOSFET 简单栅极驱动的器件。SiC FET 的效率取决于传导损耗；得益于业界卓越的低导通电阻和体二极管反向......
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效(2024-03-29)
很低的能量损耗和优异的开关性能，同时，品质因数成为新的市场标杆。与上一代产品相比，最新的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压(VGS(th)) 分布更窄，使开关波形更加锐利，导通和关断损耗更低。
此外，新产品还提高了体二极管反向......
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效(2024-03-28)
很低的能量损耗和优异的开关性能，同时，品质因数成为新的市场标杆。与上一代产品相比，意法半导体最新的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压(VGS(th)) 分布更窄，使开关波形更加锐利，导通和关断损耗更低。
此外，新产品还提高了体二极管反向......
ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”(2024-01-24)
trr*1超快的100V耐压肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）“YQ系列”。
●采用沟槽MOS结构，使存在权衡关系的VF和IR相比......
基于51单片机的路灯自动开关控制仿真设计(2024-03-18)
仿真后LCD1602显示检测到光照强度和默认光照阈值。当前检测到的光照强度是3lx，接近于0，PWM的占空比最小，PNP三极管低电平导通，经过PNP三极管反向后LED灯的亮度接近最亮。
环境......
PMOS做双向开关电路-PMOS防倒灌、防反接电路(2024-12-04 14:45:57)
掉稳压管来分析。
2、VCC和GND反接，电路保护：
因为Q1的体二极管反接，始终处于关断状态，即使负载为0Ω的通路，S极的电位也始终保持与G极相等，Q1始终处于关断状态。电路关断，起到......
了解升压转换器的操作(2024-03-29)
处的电压将接近0V。由于输出电压高于0V，二极管反向偏置，并且只要开关导通，就没有电流流过。
认识到二极管在开关循环的这一部分是开路强调了输出电容器的重要性，输出......
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并联模块1600V/150A PAT20016 二晶闸管反向并联模块1600V/200A PDH308 二极管与晶闸管同向串联模块800V/30A PDH608 二极管与晶闸管同向串联模块800V/60A
等的产品服务于大中华地区. 肖特基产品,全系列,是低于0.14V压差的VF产品.低反向电流.总体低功耗. 快恢复二极管,以具有软恢复在行业一直领先.均与各大厂商对比在反向的波形上有明显的优势.减少
国独立生产半导体的厂商。产品种类超过40多种封装形式和10000多种型号。产品分为稳压二极管、肖特基、可控硅二极管、ＴＶＳ.桥式整流器等.瞬变(瞬态)抑制二极管简称TVS器件,在规定的反向应用条件下,当承
已达到正向电流300安培以上，反向电压200V以上；快恢复二极管已达到正向电流240安培以上。 伴随着公司的不断扩大与发展，公司通过了ISO9001国际质量体系认证。为顺
在半导体器件的研发领域一直处于国内领先水平。2000年，我司研制出大电流、高反压的肖特基与快恢复二极管，其中，肖特基势垒二极管已达到正向电流300安培以上，反向电压200V以上；快恢复二极管已达到正向电流240安培
管芯片、电阻芯片、植物生长灯芯片、齐纳二极管、光敏芯片、光敏二极管、光敏、接收头芯片、接收管芯片、红、黄绿、黄、橙芯片、双色点阵芯片、背光芯片、数码管芯片、指示灯芯片、显示屏芯片、反向红光芯片、昭和
快捷。 长期供应2CL系列高压二极管电压范围从4千伏到20千伏；电流范围从5毫安到450毫安；反向恢复时间小于100毫微秒;2CLZ系列高压二极管整流组件电压范围从30千伏到200千伏；电流范围从0.1安到2安
壮大的动力。2000年，我司研制出大电流、高反压的肖特基与快恢复二极管，其中，肖特基势垒二极管已达到正向电流300安培以上，反向电压200V以上；快恢复二极管已达到正向电流240安培以上。伴随
管芯片、850发射管芯片、电阻芯片、植物生长灯芯片、齐纳二极管、光敏芯片、光敏二极管、光敏、接收头芯片、接收管芯片、红、黄绿、黄、橙芯片、双色点阵芯片、背光芯片、数码管芯片、指示灯芯片、显示屏芯片、反向
,韩国SEMIHOW,德爱D&I等品牌电源器件，主要有场效应管(MOSFET)，肖特基(Schottky),快恢复二极管,三端稳压，光电耦合器等，产品广泛应用于开关电源，UPS电源，机箱电源，逆变器,电动