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功率MOS体二极管参数分析(2024-12-07 19:11:23)
µJ，或者说只高出=1.6/0.128=12倍。
因Qrr引起的体二极管损耗
下管体二极管反向恢复时，上管还处在导通过程中，VDS维持在VIN，如下图所示：对应的反向恢复损耗......
解析LLC谐振半桥变换器的失效模式(2024-04-26)
点以下）最严重的缺点是：开通时为硬开关，从而导致二极管反向恢复应力。此外，还会增加开通损耗，产生噪声或EMI。
图9. 依赖负载条件LLC谐振变换器的工作点
二极管关断伴随非常大的dv/dt，因此......
GaN如何在基于图腾柱PFC的电源设计中实现高效率(2023-08-01)
的硅金属氧化物半导体 FET (MOSFET) 不适合图腾柱 PFC，原因在于 MOSFET 的体二极管具有非常高的反向恢复电荷，会导致高功率损耗和击穿损坏的风险。SiC 功率 MOSFET 与硅相比有了微小改进，固有体二极管的反向恢复......
GaN 如何在基于图腾柱 PFC 的电源设计中实现高效率(2023-08-28)
合图腾柱 PFC，原因在于 MOSFET 的体二极管具有非常高的反向恢复电荷，会导致高功率损耗和击穿损坏的风险。SiC 功率 MOSFET 与硅相比有了微小改进，固有体二极管的反向恢复电荷较低。
另外......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向恢复......
案例分享：二极管反向恢复电流如何测试？(2024-10-12 11:16:43)
案例分享：二极管反向恢复电流如何测试？;
最近在网上有看到测试二极管反向恢复时间的例子，大家可以看一下，加深印象。
从中......
详解开关电源缓冲吸收电路~(2024-12-12 19:23:17)
尖峰是电感续流引起的。
引起电压尖峰的电感可能是：变压器漏感、线路分布电感、器件等效模型中的感性成分等。
引起电压尖峰的电流可能是：拓扑电流、二极管反向恢复电流、不恰......
全面升级！安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析(2024-04-09)
工作栅极电压
推荐的工作栅极驱动电压，是通过考虑性能（如 RDS（ON）、开关损耗（EON、EOFF）、体二极管的正向压降（VF）及其反向恢复损耗（EREC））和可靠性，特别是栅极氧化层质量来确定的。
如表2所示......
专业与性能并行：顾邦半导体 GBS60020，为高功率应用量身定制！(2024-11-13)
体二极管反向恢复速度极快（Trr=190ns），恢复电荷低至1.72uC，同时具备较低的峰值反向恢复电流（Irrm=18A），减少系统损耗，适合......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23 15:21)
不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向恢复时间几乎不受温度变化的影响，可在+175 °C高温......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
拖尾，从而能够进一步提升效率。
与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向恢复......
牛人剖析功率MOS，从入门到精通(2024-11-18 19:30:30)
电路
(2)：因二极管反向恢复引起的MOSFET 开关波形：
九、功率MOSFET的功率损耗......
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效(2024-03-29)
和优异的开关性能，同时，品质因数成为新的市场标杆。与上一代产品相比，最新的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压(VGS(th)) 分布更窄，使开关波形更加锐利，导通和关断损耗更低。
此外，新产品还提高了体二极管反向恢复......
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效(2024-03-28)
和优异的开关性能，同时，品质因数成为新的市场标杆。与上一代产品相比，意法半导体最新的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压(VGS(th)) 分布更窄，使开关波形更加锐利，导通和关断损耗更低。
此外，新产品还提高了体二极管反向恢复......
速IGBT配合使用，适用于PFC、电动（EV）/ 混合动力汽车（HEV）电池充电站输出整流级、太阳能逆变器增压级和UPS。这些应用环境下，整流器导通损耗低于前代器件，同时反向恢复损耗低。此外，SOT-227......
LED路灯电源设计(2023-09-21)
提供更好的开关条件。如图2所示，消除了二极管反向恢复，并且不需要快速恢复二极管。MOSFET 也以零电流导通，
BCM PFC 的基本思想是每个开关周期中电感电流从零开始，如图 3 所示。当升......
RS瑞森半导体低压MOS-SGT在电动车控制器上的应用(2023-04-03)
) 方面，能抵抗高浪涌电流冲击;
4、在MOS管导通损耗方面，具有更低导通损耗，可节省电能;
5、在MOS管体二极管的反向恢复时间Trr方面，具有更低反向恢复损耗；产品性能有效提高了续航里程，节能......
三电平电路原理及常见的电路拓扑分析(2024-01-15)
流时导通，其损耗包括导通损耗和反向恢复损耗。
在整流工况下，损耗主要集中在D1/D4管和T2/T3管，D1/D4存在导通损耗和反向恢复损耗，T2/T3在换流时产生导通损耗和开关损耗，而D2/D3和......
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效(2024-03-29 14:35)
一代产品相比，意法半导体最新的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压(VGS(th)) 分布更窄，使开关波形更加锐利，导通和关断损耗更低。此外，新产品还提高了体二极管反向恢复性能，所采......
Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计(2024-01-30)
的共源共栅结构电路配置，将 SiC JFET 与硅基 MOSFET 合并封装，从而制造出具备宽带隙开关技术效率优势和硅基 MOSFET 简单栅极驱动的器件。SiC FET 的效率取决于传导损耗；得益于业界卓越的低导通电阻和体二极管反向......
Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能(2024-01-30)
栅极驱动的器件。SiC FET 的效率取决于传导损耗；得益于业界卓越的低导通电阻和体二极管反向压降，Qorvo 的共源共栅结构／JFET 方式带来了更低的传导损耗。
UJ4SC075009B7S 的主......
Qorvo 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能(2024-01-30 14:48)
的共源共栅结构电路配置，将 SiC JFET 与硅基 MOSFET 合并封装，从而制造出具备宽带隙开关技术效率优势和硅基 MOSFET 简单栅极驱动的器件。SiC FET 的效率取决于传导损耗；得益于业界卓越的低导通电阻和体二极管反向......
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效(2024-03-30)
更低。
此外，新产品还提高了体二极管反向恢复性能，所采用新的优化工艺提高了 MOSFET 的整体鲁棒性。体二极管的低反向恢复电荷 (Qrr) 和快速恢复时间 (trr) 使MDmesh DM9 AG......
英飞凌推出200V和250V OptiMOS FD(2014-03-14)
FD，进一步完善了中压产品组合。作为针对体二极管硬式整流进行优化的最新一代功率MOSFET，这些器件更加可靠耐用，具有更低的过冲电压和更低的反向恢复损耗，有助于实现最可靠的系统，特别......
SiC功率半导体技术如何助力节碳减排？(2023-03-29)
称之为SiC体二极管双极退化，它带来的是功耗的进一步放大；第二个痛点是负温度系数，并联存在均流问题；第三个痛点是它的双极特性，反向恢复损耗不为零，这导致SiC体二极管在某些应用场景中的功耗大；第四......
对标C4D40120D，1200V SiC肖特基二极管B2D40120HC1让车载充电机更高效(2023-10-24)
的拓扑结构为LLC谐振，如下图所示：
SiC二极管在LLC电路的应用
在上述PFC电路和LLC电路中，二极管的导通损耗和开关损耗越小、反向漏电流和反向恢复时间越小，开关频率就可以做到更高。反向耐压越高，工作......
Littelfuse推出IGBT模块和整流器二极管模块(2014-05-27)
于确保延长使用寿命，提高现场的可靠性。”整流器二极管模块具备以下关键优势：
• 低反向恢复损耗，有助于确保高运营效率。
• 低正向电压，减少散热要求。
• 高浪涌电流抵御能力，确保现场可靠运行。
• 低电......
一文搞懂IGBT的损耗与结温计算(2023-02-20)
图 6. 二极管反向恢复波形
图 5 和图 6 显示了二极管在整流器或电抗模式下工作期间的电流和电压波形。二极管损耗的计算类似于 IGBT 损耗。
需要了解的是，损耗以半正弦波变化。需要......
东芝半导体携多款产品和解决方案亮相PCIM Asia2017(2017-07-27)
为追求高功率密度、高可靠性的客户提供功率单元参考设计。
东芝碳化硅模块
2014年东芝推出搭载SiC二极管的混合型模块。这类产品独特的构造可以大幅度减小在电源开关时的损耗，二极管反向恢复损耗减少97%（3.3kV......
光伏微逆变器应用中的拓扑及工作原理分析(2023-02-14)
较小的输出滤波电容，并且有低纹波额定值
2.减小输出二极管损耗
3.具有较小的瞬态输出电压尖峰
4.EMI性能更好
5.若使用SiC的二极管，反向恢复损耗可以降到最低
以下......
兼容C3D02065E，碳化硅肖特基二极管B1D02065E助力LED显示屏电源(2023-08-16)
显示屏体正常显示。肖特基二极管整流器因具有极快的开关速度、超低的正向电压降、极低的反向恢复时间、低泄漏和高结温能力而深受设计师们的喜爱。本文介绍了基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D02065E在LED显示......
TI推出250W氮化镓IPM，比IGBT更小巧更高效(2024-06-26)
) 切换氮化镓FET。在MOSFET中，体二极管具有高零反向恢复特性，限制了开关 di/dt 和 dv/dt，并导致额外的损耗和相节点电压振铃。对于IGBT，即使添加优化的反并联二极管，仍然会造成与反向恢复......
如何通过优化模块布局解决芯片缩小带来的电气性能挑战(2023-03-13)
两种布局在第一阶段显示了相等的di/dt，但V2有一个较高的反向恢复电流峰值，而V1在最后阶段显示了一个较高的反向恢复拖尾电流。这表明两种布局的二极管恢复过程是不同的，而且它直接影响到IGBT的开通损耗和二极管的关断损耗。为了......
英飞凌推出面向高能效电源应用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品(2023-10-10)
封装：IKZA，Plus封装：IKY）在提高性能方面表现出众，因为它不仅能降低开关损耗，还提供了额外的优势，如更低的电压过冲、最小的导通损耗和最低的反向恢复损耗。凭借这些特性，TRENCHSTOP......
英飞凌推出面向高能效电源应用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGB(2023-10-11)
高性能方面表现出众，因为它不仅能降低开关损耗，还提供了额外的优势，如更低的电压过冲、最小的导通损耗和最低的反向恢复损耗。凭借这些特性，TRENCHSTOP IGBT7 H7简化了设计，最大......
RS瑞森半导体-大功率开关电源的应用(2022-12-19)
的同时还可以有更高的功率密度，可广泛应用于服务器电源、大功率电源上。
瑞森半导体提供的BV为600V、 650V的超结MOS同时带有FRD完全可用于谐振电路上,具有高速快恢复二极管（FRD），短的反向恢复......
自动执行宽禁带SiC/GaN器件的双脉冲测试(2023-09-05)
的贡献。
(DPT) 是测量宽带隙 (WBG) 器件的开关和二极管反向恢复参数的首选方法。这种高效的测试方法可以收集关键测量结果，从而高效地验证和优化电源转换器的设计。文中......
自动执行宽禁带 SiC/GaN 器件的双脉冲测试(2023-09-05)
电荷：对反向恢复电荷行为进行量化，以了解其对总损耗的贡献。
双脉冲测试 (DPT) 是测量宽带隙 (WBG) 器件的开关和二极管反向恢复参数的首选方法。这种......
40A/1200V碳化硅肖特基二极管B2D40120HC1用于机车空调(2023-10-26)
满足100kHz以上高频脉冲的整流，对整流二极管的反向恢复时间、电流有很高的性能要求。
基本半导体的高性能碳化硅肖特基二极管，可以实现高频整流，开关损耗非常低。下面以一个常用的40A/1200V的碳化硅肖特基二极管......
东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET，助力提高电源效率(2024-02-22)
“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”，于今日开始支持批量出货。
新产品采用高速二极管，旨在改善桥式电路和逆变电路应用中至关重要的反向恢复[2]特性。与标准型DTMOSVI相比，新产品将反向恢复......
英飞凌推出面向高能效电源应用的分立式650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7新品(2023-11-21)
高性能方面表现出众，因为它不仅能降低开关损耗，还提供了额外的优势，如更低的电压过冲、最小的导通损耗和最低的反向恢复损耗。凭借这些特性，TRENCHSTOP™ IGBT7 H7简化了设计，最大......
同时实现业内出色低噪声特性和超快反向恢复时间的600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”(2023-03-30 15:01)
压和输出电流方面表现更出色，在处理大功率时损耗更小。*2) trr：反向恢复时间（Reverse Recovery Time）内置的二极管从导通状态到完全关断状态所需的时间。该值越低，开关时的损耗越小。*3) Lifetime控制......
ROHM推出600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”(2023-03-30)
品牌，该品牌的MOSFET产品不仅保持了Super Junction MOSFET高耐压和低导通电阻的特点，还缩短了内置二极管的反向恢复时间。因其可降低开关损耗......
Vishay推出FRED Pt® 第五代600 V Hyperfast恢复整流器(2022-10-11)
电荷（Qrr）低于前代解决方案 60 %，同时恢复损耗降低 90 %。此外，与最接近的竞品相比，整流器反向恢复能量（Erec）提高10 %，软恢复有助于降低 EMI，在整......
℃温度条件下，产品的正向压降最大为1.4V，正向导通压降低，反向电流的典型值为8uA，反向电流小，系统功耗低。
5、采用TO-247-3封装，利于设计。
二次侧整流二极管通常使用FRD（快速恢复二极管......
低功耗 GaN 在常见交流/直流电源拓扑中的优势(2024-01-12)
以上，便需要功率因数校正 (PFC) 级。在 PFC 级中，如果希望利用 的功能，则需要考虑图腾柱 PFC 拓扑，如图 3 所示。去除桥式整流器后，由于反向恢复损耗为零，GaN FET 在这......
自动执行宽禁带 SiC／GaN 器件的双脉冲测试(2023-09-06 10:16)
电荷行为进行量化，以了解其对总损耗的贡献。
双脉冲测试 (DPT) 是测量宽带隙 (WBG) 器件的开关和二极管反向恢复参数的首选方法。这种高效的测试方法可以收集关键测量结果，从而......
自动执行宽禁带 SiC/GaN 器件的双脉冲测试(2023-09-06)
电荷行为进行量化，以了解其对总损耗的贡献。
双脉冲测试 (DPT) 是测量宽带隙 (WBG) 器件的开关和二极管反向恢复参数的首选方法。这种高效的测试方法可以收集关键测量结果，从而......
同时实现业内出色低噪声特性和超快反向恢复时间的600V耐压Super Junct(2023-03-30)
于意大利语的音乐术语。
PrestoMOS™是ROHM自有的功率MOSFET品牌，该品牌的MOSFET产品不仅保持了高耐压和低导通电阻的特点，还缩短了内置二极管的反向恢复时间。因其可降低开关损耗......
用好氮化镓不止需要功率器件，驱动一样值得注意(2024-03-25 14:36)
，以更高的保真度更准确地再现所需的电源开关波形。GaN 功率 FET 的另外独特性之一是器件内部没有体二极管，从而消除了反向恢复损耗 (Qrr)。 Wu 表示，通过消除这些功率损耗，GaN FET......
相关企业
;日英电子（上海）有限公司;;NIEC日本英达电子的快恢复二极管具有软开关功能.在波形上没有形成大的振荡,减少了自身的功率损耗,对PFC电路上特别重要,反向恢复时间极短.对EMI也很有帮助.参数
等的产品服务于大中华地区. 肖特基产品,全系列,是低于0.14V压差的VF产品.低反向电流.总体低功耗. 快恢复二极管,以具有软恢复在行业一直领先.均与各大厂商对比在反向的波形上有明显的优势.减少恢复损耗
快捷。 长期供应2CL系列高压二极管电压范围从4千伏到20千伏；电流范围从5毫安到450毫安；反向恢复时间小于100毫微秒;2CLZ系列高压二极管整流组件电压范围从30千伏到200千伏；电流范围从0.1安到2安
已达到正向电流300安培以上，反向电压200V以上；快恢复二极管已达到正向电流240安培以上。 伴随着公司的不断扩大与发展，公司通过了ISO9001国际质量体系认证。为顺
在半导体器件的研发领域一直处于国内领先水平。2000年，我司研制出大电流、高反压的肖特基与快恢复二极管，其中，肖特基势垒二极管已达到正向电流300安培以上，反向电压200V以上；快恢复二极管已达到正向电流240安培
壮大的动力。2000年，我司研制出大电流、高反压的肖特基与快恢复二极管，其中，肖特基势垒二极管已达到正向电流300安培以上，反向电压200V以上；快恢复二极管已达到正向电流240安培以上。伴随
;深圳市美微科半导体有限公司;;公司主营产品： 整流二极管/三端稳压管/ESD保护器件/肖特基二极管; 普通快恢复整流二极管; 快普通快恢复整流二极管; 超快恢复整流二极管; 桥式整流器; 肖特基整流二极管
;北京科隆兴电子科技发展中心;;专业批发二极管，三极管，稳压管，TVS管，自恢复保险丝，电阻，电容 大量现货库存 欢迎咨询台湾国巨（YAGEO）贴片电阻.电容.安森美（ON).菲利蒲(PHILIPS
;苏州鑫港电子有限公司;;苏州鑫港二极管厂专业生产各规格二极管,包括普通整流二极管,快恢复及超快恢复二极管,产量大,质量好,价格合理. 1N4007,FR107
、MIC品牌二极管、快恢复二极管、超快恢复二极管、贴片二极管、各种型号二极管！在消费者当中享有较高的地位，公司与多家零售商和代理商建立了长期稳定的合作关系。深圳市福田区铭迪信电子商行经销的二极管