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功率。不要使用小型扬声器来尝试此放大器电路，因为放大器会被它损坏。 作为最终电平放大器，通常使用双极晶体管代替MOSFET作为双极晶体管，在特定情况下比高压MOSFET更耐久。本文所用的晶体管......
产节点有望在相同电压下将功耗降低24% ~35% 或将性能提高15%，晶体管密度比上一代 3nm 工艺高 1.15 倍。这些优势中的绝大部分是由台积电的新型全栅（GAA）纳米片晶体管以及 N2......
密度增加15%，同等功耗下性能提升15%，同等性能下功耗降低24-35%。 台积电2nm首次引入全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管，有助于调整通道宽度，平衡性能与能效。 新工......
IBM 展示专为液氮冷却优化的纳米片晶体管原型，性能可较室温翻倍;12 月 25 日消息，在今年 12 月初旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议（IEDM）上，IBM 研究......
IBM 展示专为液氮冷却优化的纳米片晶体管原型，性能可较室温翻倍;在今年 12 月初旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议（IEDM）上，IBM 研究人员展示了首款专为液氮冷却优化的先进 CMOS......
胎压模块对贴片晶振的要求;在没有胎压监测的时代，有数据统计得出，在高速公路发生的事故中，由轮胎故障引发的占了46%，其中爆胎就占了70%以上，事故风险频有发生。且轮胎在爆炸中所产生的的冲击波，足以......
航空航天大学、哈尔滨工业大学和沈阳航空航天大学为论文的共同通讯单位。 SIGN贴片的组成与功能 该SIGN贴片采用电解质栅极-石墨烯晶体管作为信号转换平台，与现有的生物标志物电化学检测方法相比，石墨烯晶体管......
性能提高15%，晶体管密度比上一代 3nm 工艺高 1.15 倍。而这些指标的提升主要得益于台积电的新型全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管，以及 N2 NanoFlex 设计......
概伦电子“高精度大容量全芯片晶体管级电路快速仿真技术”荣获“中国芯”EDA技术创新奖;近日，2024“中国芯”首届EDA专项奖颁奖仪式在上海隆重举行。作为国内首家EDA上市公司，关键......
概伦电子“高精度大容量全芯片晶体管级电路快速仿真技术”荣获“中国芯”EDA技术创新奖;近日，2024“中国芯”首届EDA专项奖颁奖仪式在上海隆重举行。作为国内首家EDA上市公司，关键......
人心里不踏实，好像神经质似的，不知什么时候会来个“反常表现”。不要放弃，调整一下电路参数，使输出电路达到正常值，达到其工作状态，让我们“放心”的地步。 电路参数的变异，有以下几种原因： 1、晶体管......
台积电 3nm 制程工艺月产能逐步提升，下月有望达到 4.5 万片晶圆; 2 月 24 日消息，据外媒报道，在三星电子采用全环绕栅极晶体管架构的 制程工艺量产之后，仍采用鳍式场效应晶体管的 制程......
上的分层n型纳米片晶体管，拥有跨越六个等级的开关电流比。 台积电表示，CFET晶体管已证明耐用性超过90%，且成功通过测试。虽然台积电承认需要研究更多，才能充分利用CFET技术，但目前正在进行的工作是实现这一目标的关键一步。......
IBM展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS晶体管;IBM在2023年12月早些时候的IEEE国际电子器件会议（IEDM）上展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS晶体管。纳米片晶体管......
纳米栅极间距，专注放在p型晶体管上的分层n型纳米片晶体管，拥有跨越六个等级的开关电流比。 台积电表示，CFET晶体管已证明耐用性超过90%，且成功通过测试。虽然台积电承认需要研究更多，才能......
生产大批量基础半导体器件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部......
纳米片晶体管架构和背部供电技术。 台积电推出的采用纳米片晶体管架构的2nm制程技术，在相同功耗下较3nm工艺速度快10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%。 业内人士指出，三星、台积......
，台积电也在重新命名工艺节点，标志着「埃级」时代的开始。 的 A16 工艺技术将依赖于环绕栅全包围纳米片晶体管，采用背面电源轨道。预计在相同电压和复杂度下，性能相较 N2P 制程提升 8......
3225贴片晶振在汽车电子领域的应用;近几年，随着新一轮科技革命和产业变革孕育兴起，新能源汽车、智能汽车产业进入了加速发展的阶段。我国的汽车产业，经过多年的持续努力，技术水平显著提升、产业......
Nexperia首次推出 用于48 V汽车和其他更高电压总线电路的80 V RET;奈梅亨，2021年1月12日：半导体基础元器件领域的高产能生产专家今天首次宣布推出80 V RET（配电阻晶体管......
（安世半导体）是闻泰科技的子公司，分立式器件、逻辑器件与MOSFET器件的专业制造商，其生产的产品包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 以及......
同功耗下速度增快10%-15%，或在相同速度下功耗降低25%-30%，不过晶体管密度提升就只有10-20%了。 不过技术先进的代价就是2nm代工价格越来越贵，在3nm涨价到2万美元的基础上，2nm代工一片晶......
东芝推出两款采用SC-63封装的双极晶体管TTA2097/TTC5886A; 【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）现已推出两款采用SC-63封装（东芝别名：新PW......
新版摩尔定律来了 ChatGPT之父：AI算量18个月翻倍;行业有个黄金定律，那就是Intel创始人50多年前提出的，指出芯片晶体管18到24个月翻倍，如今是AI时代了，“”之父Sam Altman......
东芝推出两款双极型晶体管——TTA2070和TTC5810; 【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）推出两款双极型晶体管“TTA2070和TTC5810”（采用SC-62......
保证英特尔会在那个时间段内瞄准 CFET：有趣的是，英特尔的幻灯片展示了其下一代 GAA 纳米片晶体管 (RibbonFET)，然后直接跳到 CFET，省略了大多数人认为将是介于纳米片和 CFET 之间。您还可以在上面的幻灯片中看到这种类型的晶体管......
三星加速先进制程投资 明年Q1建成月产能7000片晶圆2nm产线; 【导读】据业内人士透露，三星电子正在加快建立用于量产2nm工艺的生产设施。该公......
三星加速先进制程投资 明年Q1建成月产能7000片晶圆2nm产线; 【导读】据业内人士透露，三星电子正在加快建立用于量产2nm工艺的生产设施。该公......
态系合作，摩尔定律10年内仍有效。 摩尔定律是由英特尔联合创办人Gordon Moore 1960年代提出，芯片晶体管数量每隔一年就会翻倍成长，增强运算能力。想增加晶体管数，必须做得更小，就要......
上引入台积电2nm制程。 资料显示，台积电2nm(N2)工艺最快会在2025年推出，无论是在密度还是在能效方面，它都将成为半导体行业最先进的技术。 N2技术采用领先的纳米片晶体管结构，将提......
电先进制程技术正在逐步推进。有行业消息称，台积电已于7月开始在新竹科学园区的宝山晶圆厂风险试产2nm制程，并计划于2025年上半年正式量产。N2为台积电第一个使用GAA纳米片晶体管的节点。 另外，台积电计划于2026年采......
电先进制程技术正在逐步推进。有行业消息称，台积电已于7月开始在新竹科学园区的宝山晶圆厂风险试产2nm制程，并计划于2025年上半年正式量产。N2为台积电第一个使用GAA纳米片晶体管的节点。 另外，台积电计划于2026年采......
客制逻辑芯片，有 48 纳米栅极间距，专注放在 p 型晶体管上的分层 n 型纳米片晶体管，拥有跨越六个等级的卓越开关电流比。 台积电 CFET 晶体管已证明耐用性超过 90%，且成功通过测试。虽然......
供超高精度温补晶振以满足通信基站的需求。 官网：www.kyocera.com.cn 7.日本大河RIVER 日本大河石英晶振成立于1949年,主要生产小型石英晶体、贴片晶振、有源晶振等频率元件，SMD表贴型小型元器件为行业领先地位。 8......
选择晶振需要注意的五方面;晶振分有源晶振和无源晶振两种，两种主要区别就是有源是有电压的，无源是需要外接电压。有源晶振即晶体振荡器。晶振在许多电子产品都用得到，为了确保产品能正常运行，选择......
PowerRail）与纳米片晶体管，2026年量产。超级电轨将供电网络移到晶圆背面，晶圆正面释出更多讯号网络空间，提升逻辑密度和效能，适用复杂讯号布线及密集供电网络的高效能运算（HPC）产品。 相较......
于多种产品。业界猜测最有可能的是一些功率晶体管或小信号晶体管产品。 据 ET 报道，这些封装好的元件已运往日本、美国和欧洲的塔塔客户。ET 还报道说，塔塔即将推出自己的芯片设计，目标是 28 纳米......
的重要原因之一。 相比于5nm，台积电3nm工艺具有更好的效能、功耗，其逻辑密度将增加60%，相同速度下功耗降低30-35%，而且3nm工艺的SRAM缓存在晶体管密度上比5nm高出5%。 苹果......
的负温度电流特性，使之不会产生恶性循环而热击穿。 也就是MOS管没有二次击穿现象，可见采用MOS管作为开关管，其开关管的损坏率大幅度的降低，近两年电视机开关电源采用MOS管代替过去的普通晶体三极管后，开关......
制程将结合超级电轨（Super PowerRail）与纳米片晶体管，2026年量产。超级电轨将供电网络移到晶圆背面，晶圆正面释出更多讯号网络空间，提升逻辑密度和效能，适用......
厂团队接力冲刺2024年风险试产与2025年量产目标。 相对于3nm(N3E)制程来说，台积电2nm制程将会首次采样全新环绕闸极(GAA)晶体管架构，虽然晶体管密度仅提升了10%，但在相同功耗下，台积......
消息称台积电正与2nm制程潜在客户商谈，单片晶圆报价2.5万美元; 【导读】据电子时报6月27日消息，台积电正与2nm制程工艺的潜在客户进行商谈。这一制程下的晶体管，采用了GAA全环......
AI芯片晶体管数量突破4万亿个;据财联社3月14日报道，美国加州半导体公司Cerebras Systems发布了一项重大消息，其第三代晶圆级AI加速芯片“WSE-3”(Wafer Scale......
具有高迁移率的可拉伸橡胶半导体，是发展能与生物组织无缝集成的柔性晶体管及电路的关键挑战。传统的使不可拉伸半导体变得可拉伸的策略主要包括设计面外褶皱、面内弯曲、kirigami等特殊结构，然而......
Nexperia Nexperia，作为半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管......
都经过认证，并针对FINFLEX架构进行了优化。 2纳米家族 在过去的15年中，台积电一直在研究纳米片(nanosheet)晶体管，并坚信N2是导入纳米片晶体管的合适工艺制程。 由于纳米片晶体管......
将会首次采样全新环绕闸极（GAA）晶体管架构，虽然晶体管密度仅提升了10%，但在相同功耗下，台积电2nm工艺的性能将提升10~15%；而在相同性能下，台积电2nm工艺的功耗将降低23~30%。根据......
时为 1.5 W/cmK），需要仔细设计布局和适当的开发出能够有效散热的封装技术。通过用 GaN 晶体管代替硅基器件，工程师可以设计出更小、更轻、能量损失更少且成本更低的电子系统。  受汽车、电信......
(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal......
可实现更精细的微调和更出色的关断特性。由于这些内部电阻的容差高于外部电阻，因此RET适合晶体管在打开或关断状态下工作的开关应用，并有助于克服标准BJT的温度依赖性。此外，还能降低与贴片以及手动处理相关的成本。 此系......

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深圳市泰佳晶电子有限公司
/S；HC-49U；￠2*6；￠3*8；￠3*9；￠3*10；UM-5；UM-1；贴片（SMD）；钟振；陶瓷系列。晶体;KDS晶体;KDS贴片晶振,KDS贴片晶体,KDS晶体振荡器,KDS石英晶体
贴片晶振 深圳市泰晶实业有限公司
;贴片晶振 深圳市泰晶实业有限公司;;深圳市泰晶实业有限公司是一家专业从事石英晶体频率元器件、晶体频率元器件生产自动化设备研发、生产和销售的大型制造企业。是国家级高新技术企业、中国
深圳市泰佳晶电子有限公司 业务部
；￠3*8；￠3*9；￠3*10；UM-5；UM-1；贴片（SMD）；钟振；陶瓷系列。晶体;KDS晶体;KDS贴片晶振,KDS贴片晶体,KDS晶体振荡器,KDS石英晶体,KDS晶振,KDS石英
深圳市南方金旭科技有限公司
;深圳市南方金旭科技有限公司;;主营各种石英晶体（49S/U，2＊6 3＊8 贴片晶振，振荡器）
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;广东贴片石英晶振有源有限公司;;主导产品有：49S/SMD石英晶体谐振,49U石英晶体谐振，UM石英晶体谐振,圆柱晶体， 陶 瓷晶体，时钟振荡器，压控晶振，温补晶振，压控温补晶振，恒温晶振 ，晶体
烟台耐安科技有限责任公司
;烟台耐安科技有限责任公司;;公司主要经营晶体谐振器，振荡器，恒温晶振、温补晶振、压控晶振和贴片晶振等。
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;深圳市雄基电子器材有限公司;;是深圳老牌的电子产品供应商，公司位于华强北电子大厦。主要产品：稳压电路 .稳压二极管 1瓦 . 集成电路 . 稳压二极管 .To-92双极型晶体管 . 贴片
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;利群电子有限公司;;本公司主要专业生产石英晶振，压电陶瓷滤波器，陶瓷谐振器，石英晶体谐振器，声表面谐振器，声表面滤波器，晶体谐振器，振荡器，石英晶振，贴片晶振，圆柱晶振...欢迎
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;刁文芳;;本公司主要供应石英晶体,钟振,贴片晶振,柱晶,音叉谐振器,贴片钟振，主要产品用于石音钟,电子表,时钟器,电脑及计算机等使用石英谐振器,或称石英晶体.本公司产品质量向有保证,备有