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理工大学应用物理学系柴扬教授课题组研发了能在室温下工作、基于“谷”输运机制的量子晶体管。该项研究成果利用新型拓扑半导体材料“碲烯”来制备谷晶体管,突破了室温下利用谷输运机制实现晶体管......
基于量子干涉的单分子晶体管面世,可用于制造更小更快更节能的新一代电子设备;英国和加拿大科学家组成的一个国际研究团队开发出一种新型单分子晶体管,利用量子干涉来控制电子流。这一成果为在电子设备中使用量子......
研究提出一种适合数据爆炸时代的新数据处理策略。团队亦表示,纳米激子晶体管有望在实现光学计算机方面发挥不可或缺的作用,助力人类处理由人工智能技术驱动的海量数据。 当电子吸收光子并跃迁到更高的能级时,激子就产生了。激子是开发下一代低热量发光元件和量子......
栅极和接触层加工技术。 在硅自旋量子比特中,信息(0/1)被编码在单个电子的自旋(上/下)中。 硅自旋量子比特本质上是一个单电子晶体管,因此英特尔能够采用与标准CMOS(互补金属氧化物半导体)逻辑......
/下)中。硅自旋量子比特本质上是一个单电子晶体管,因此英特尔能够采用与标准CMOS(互补金属氧化物半导体)逻辑生产线类似的流程制造它。 英特尔认为,硅自旋量子比特比其他量子比特技术更有优势,因其可以利用先进晶体管......
/下)中。硅自旋量子比特本质上是一个单电子晶体管,因此英特尔能够采用与标准CMOS(互补金属氧化物半导体)逻辑生产线类似的流程制造它。 英特尔认为,硅自旋量子比特比其他量子比特技术更有优势,因其可以利用先进晶体管......
/下)中。硅自旋量子比特本质上是一个单电子晶体管,因此英特尔能够采用与标准CMOS(互补金属氧化物半导体)逻辑生产线类似的流程制造它。 英特尔认为,硅自旋量子比特比其他量子比特技术更有优势,因其可以利用先进晶体管......
栅极和接触层加工技术。 在硅自旋量子比特中,信息(0/1)被编码在单个电子的自旋(上/下)中。 硅自旋量子比特本质上是一个单电子晶体管,因此英特尔能够采用与标准CMOS(互补金属氧化物半导体)逻辑......
码在单个电子的自旋(上/下)中。硅自旋量子比特本质上是一个单电子晶体管,因此英特尔能够采用与标准CMOS(互补金属氧化物半导体)逻辑生产线类似的流程制造它。 英特尔认为,硅自旋量子比特比其他量子......
是在300毫米的硅晶圆上生产的,利用了英特尔领先的晶体管工业化制造能力,如极紫外光刻技术(EUV),以及栅极和接触层加工技术。在硅自旋量子比特中,信息(0/1)被编码在单个电子的自旋(上/下)中。硅自旋量子比特本质上是一个单电子晶体管......
可用于构建更加紧凑的急剧弯折的光学线路,提高光子芯片的器件集成度和鲁棒性。近年来拓扑结构中鲁棒性的量子态传输成为热门的研究方向,而量子干涉作为光量子信息过程的核心,尚未在拓扑保护光子晶体芯片中实现。 任希锋研究组与中山大学董建文课题组合作在硅光子晶体......
理论物理学家理查德·费曼提出的挑战。该校初创企业“硅量子计算”公司(SQC)6月23日宣布创造出世界上第一个原子级量子集成电路。 据SQC官网介绍,该团队2012年宣布制造出世界上第一个单原子晶体管,并提......
控制热量如何流经材料一直是物理学家和工程师长期以来的一个却难以实现的梦想,这种新的设计原理朝这个方向迈出了一大步,因为它通过电场的开关来管理热运动,就像几十年来电子晶体管的做法一样。 电子晶体管是现代信息技术的基础构建模块,它们最初由贝尔实验室在20世纪40......
国家纳米科学中心的戴庆研究团队与合作者在纳米尺度光电互联领域研究取得了新突破。相关研究成果北京时间2月10日在国际学术期刊《科学》在线发表。 在这项研究中,科研人员构筑了石墨烯和氧化钼范德华材料的异质结构,实现了一种新型的电调控光子晶体管,并且进一步展示了该晶体管......
复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管;传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型晶体管形成互补结构,从而获得高性能计算能力。其密度的提高主要通过缩小单元晶体管的尺寸来实现。 例如7nm节点......
突破!复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管;传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型晶体管形成互补结构,从而获得高性能计算能力。其密度的提高主要通过缩小单元晶体管的尺寸来实现。 例如......
芯片科学十大进展提名奖 接近量子极限的二维半导体接触 南京大学王欣然、施毅教授团队与东南大学王金兰教授团队提出了一种轨道杂化增强的新策略,在单层MoS2晶体管中实现了目前最低的接触电阻42......
引入传统的硅基芯片制造流程,实现了晶圆级异质CFET技术。相比于硅材料,二维原子晶体的单原子层厚度使其在小尺寸器件中具有优越的短沟道控制能力。 图:硅基二维叠层晶体管的概念、晶圆级制造与器件结构 研究......
红色表示手性声子模式下运动幅度最大的离子。铈离子用茶色表示。罗盘指针代表旋转原子引起的磁化。图片来源:美国莱斯大学  美国莱斯大学量子材料科学家发现,当原子做圆周运动时,它们也能创造奇迹:稀土晶体中的原子晶......
所需算力每三个半月翻一倍,而摩尔定律下的晶体管数量每18个月才翻一倍,算力供需“剪刀差”持续拉大,量子计算成为共识解决方案。 目前量子计算主要有超导、离子阱及光量子三条技术路线,行业多方持续看好光量子路径。行业......
利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上,并利用两者高度匹配的物理特性实现 4 英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管。 这种技术可以实现了晶圆级异质 CFET 技术。相比于硅材料,二维原子晶体......
复旦大学微电子学院朱颢研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件;当前MOSFET器件的持续微缩所带来的功耗问题已经成为制约集成电路发展的主要瓶颈。研发新原理器件以突破MOSFET亚阈值摆幅(SS......
,以促进定制芯片的开发,这些芯片可以在低温下直接连接到低温恒温器内部的量子比特。温度骤降影响晶体管的关键参数之一是阈值电压(Vt)。随着温度的降低,Vt大幅增加,推动晶体管选择低和超低Vt变体(LVt......
:纳米碳管是推动未来半导体制程前进0.1nm的重要技术 新材料对于制程技术的发展同样重要,由于制程密度越高,其承受的量子物理现象也就越难掌控,而更重要的是,晶体管......
理工学院的科研团队独辟蹊径,选用了由锑化镓和砷化铟构成的超薄半导体材料,精心打造出这款新型3D晶体管。该晶体管不仅性能达到了当前硅晶体管的顶尖水平,更能在远低于传统晶体管的电压下实现高效运作。 此外,团队还创新性地将量子隧穿原理融入晶体管......
芯片巨头们已着手研发下一代CFET技术;外媒 eNewsEurope 报道,英特尔 (Intel) 和台积电将在国际电子元件会议 (IEDM) 公布垂直堆叠式 () 场效晶体管进展,使 成为......
运算设备的业界最高产量规格和一致性。英特尔成功以现有硅基半导体制程生产量子运算芯片,且良率达到了95%。这一成就代表了在英特尔晶体管制造工艺上扩展和制造量子芯片的一个重要里程碑。英特尔表示,该研究是使用英特尔第二代硅自旋量子......
运算设备的业界最高产量规格和一致性。英特尔成功以现有硅基半导体制程生产量子运算芯片,且良率达到了95%。这一成就代表了在英特尔晶体管制造工艺上扩展和制造量子芯片的一个重要里程碑。 英特尔表示,该研究是使用英特尔第二代硅自旋量子......
和存储的新可能,以实现更高性能的计算;量子计算的新进展。本文引用地址:  技术开发事业部副总裁兼组件研究与设计总经理Gary Patton表示:“自人类发明晶体管75年来,推动......
尔的研究人员展示了以下研究成果:3D封装技术的新进展,可将密度再提升10倍;超越RibbonFET,用于2D晶体管微缩的新材料,包括仅三个原子厚的超薄材料;能效和存储的新可能,以实现更高性能的计算;量子......
英特尔在量子点阵列的有效产量方面达到了关键里程碑;英特尔在为高性能计算机的新时代制造量子芯片方面已经超越了一个关键的里程碑。在英特尔位于俄勒冈州希尔斯伯勒的戈登·摩尔晶体管研发机构,实验室和组件研究部门宣称已经为硅自旋量子......
仅三个原子厚的超薄材料;能效和存储的新可能,以实现更高性能的计算;量子计算的新进展。 英特尔技术开发事业部副总裁兼组件研究与设计总经理Gary Patton表示:“自人类发明晶体管75年来,推动......
尔的研究人员展示了以下研究成果:3D封装技术的新进展,可将密度再提升10倍;超越RibbonFET,用于2D晶体管微缩的新材料,包括仅三个原子厚的超薄材料;能效和存储的新可能,以实现更高性能的计算;量子......
尔的研究人员展示了以下研究成果:3D封装技术的新进展,可将密度再提升10倍;超越RibbonFET,用于2D晶体管微缩的新材料,包括仅三个原子厚的超薄材料;能效和存储的新可能,以实现更高性能的计算;量子......
处理器。英特尔使用了极紫外光刻(EUV)技术实现小尺寸自旋量子比特芯片的大批量制造。 用数百万个均匀的量子比特实现容错量子计算机,需要高度可靠的制造工艺。凭借在晶体管......
-Around,中文名为全环绕栅极晶体管,其本质上是一种新型的晶体管设计,可以在更小的制程下提供更好的性能。 在GAA晶体管中,栅极材料包围了晶体管的源和漏,从而提供了更好的电流控制。 这可以帮助减少量子......
-激子强耦合、二维材料、有机发光、等离子体激光、纳米线激光、量子点、光学天线、纳米颗粒、SERS、光子芯片、LED/OLED等多学科领域。 ARMS发现光子晶体动量空间偏振新自由度 Physical......
联盟,以此为契机,SEMI ESD 联盟执行董事 Bob Smith 与 Atomera 首席执行官 Scott Bibaud 先生进行了深入的技术交流,探讨 Atomera 的原子级技术如何提升电子产品的晶体管......
,GAA全称Gate-All-Around,中文名为全环绕栅极晶体管,其本质上是一种新型的晶体管设计,可以在更小的制程下提供更好的性能。 在GAA晶体管中,栅极材料包围了晶体管......
研团队通过增强半金属与二维半导体界面的轨道杂化,将单层二维半导体MoS2的接触电阻降低至42Ω·μm,超越了以化学键结合的硅基晶体管接触电阻,并接近理论量子极限,该成......
温下的 CMOS 晶体管可以执行与量子计算机一起工作所需的各种功能。这些功能包括以 I/V 转换器、低通滤波器以及模拟信号/数字信号间的相互转换等的执的能力(如图2所示)。 图2: 以虚线圆圈为中心的硅自旋量子......
尔发明了一种基于铁电材料独特物理特性的新型内存架构,该架构通过使用一个具有多个并联电路的存取晶体管,实现存储单元位密度的显著提升。对于缓存和主内存之间的嵌入式密集内存层而言,铁电内存是非常好的选择。 英特尔也在拥抱量子领域,不仅仅是以量子计算的形式,还在......
,芯片性能的提升基于晶体管的不断小型化。近年来硅晶体管的小型化速度已放缓,因为到达一定微小尺度后,晶体管功能会受到量子力学某些效应的干扰,从而影响正常运行。 这项研究发表在美国《先进功能材料》杂志......
年,整个业界就将开始向10nm制程发展。 不过放眼未来,摩尔定律开始有些失灵了,因为从芯片的制造来看,7nm就是物理极限。一旦晶体管大小低于这一数字,它们在物理形态上就会非常集中,以至于产生量子......
基于硅纳米波导倏逝场耦合的超紧凑光学式MEMS加速度计;近些年,加速度计因其体积小、功耗低、易于与互补金属氧化物半导体晶体管集成电路(CMOS IC)整合而受到持续关注。目前已经开发了电容、压阻......
球半导体观察不完全统计,今年来共有超30项关键技术取得重要进展,涉足类脑芯片、光子芯片、人工智能芯片、第三/四代半导体(碳化硅/氮化镓/氧化钾/金刚石等),以及光刻胶材料、存储器、晶体管......
执行官 Scott Bibaud 先生进行了深入的技术交流,探讨 Atomera 的原子级技术如何提升电子产品的晶体管性能,以及量子工程材料对芯片性能、行业人才和行业趋势的影响。 Bob Smith......
相当于只用一个集成系统模块,就可以承担整个系统的功能,好比不同军种组合成一个集团军,以完成多样化任务。 器件结构革新 开发量子器件、单电子器件、石墨烯器件、仿生类脑器件等。 晶体管......
Atomera 的原子级技术如何提升电子产品的晶体管性能,以及量子工程材料对芯片性能、行业人才和行业趋势的影响。Bob Smith:我注意到 Atomera 官网重点介绍了量子工程材料。您能为我们详细解释下什么是量子......
器,逻辑器件,模拟器件 。通常我们统称他们为芯片。 提起芯片,很多人可能见过,就是一块黑色类似于小盒子的东西,它是由晶体管......

相关企业

;上海展科特电子有限公司;;爱思塞拉(S-cera)公司是专业生产电子晶体.陶瓷制品的高新技术企业,拥有韩国国内一流的电子晶体.陶瓷系列制品。为了专门事业化在2002年从三星电机(株)分社
;上海韦蓝贸易有限公司;;主营 湖北东光 电子晶体产品
;基盛(深圳)电子实业公司;;基盛(深圳)电子公司是一家集研发、生产、销售于一体的专业电子晶体制造商。本公司有模具部、塑胶部、石英部、机芯部、五金部、帮定部、成品部。网络实名“基盛电子表芯”
;安丘市科威电子有限公司;;我公司已有13年半导体器件生产历史,设备先进,测试仪器齐全,例行实验设施完善。主要产品有:1.NPN硅低频大功率晶体管 3DD1-3DD12,3DD21
;东莞灿域电子有限公司;;我司是一家生产代理.二三极管 .产品系列有各种封装的 晶体管 场效应管 可控蛙 三端稳压IC等品种达800遇种. 产品用于;显示器 电源 音响 电话机 电脑 玩具 节能
;szwtron;;分布式组件、集成电路、电子组件、被动组件等。主动组件:小信号晶体管、功率晶体管、场效应晶体管、IGBT、线性IC、逻辑处理IC、LCD驱动IC、、MP3IC、DVDIC、工业
;中国连云港市普天电子晶体材料有限公司;;中国连云港市普天电子晶体材料有限公司创建于2002年,拥有土地10000平方米,厂房5000平方米。本企业从日本、韩国、台湾
主要产品是江苏供应长电全系列二/三极管,晶体管,MOS管,压敏电阻,TVS管,整流管,稳压管,双晶体管,数字晶体管,镇流器专用开关晶体管等被动元器件。 公司秉承想客户之所想,急客户之所急的经营思路,快速,高效,灵活
类电子元器件,主要产品包括:高频中、小功率晶体管、玻璃封装硅功率二极管、高压硅堆、单相、三相桥式硅整流器、高频大功率晶体管、低频大功率PNP、NPN晶体管、功率晶体开关管、达林顿PNP、NPN功率晶体管、功率MOS
;深圳市雄基电子器材有限公司;;是深圳老牌的电子产品供应商,公司位于华强北电子大厦。主要产品:稳压电路 .稳压二极管 1瓦 . 集成电路 . 稳压二极管 .To-92双极型晶体管 . 贴片