资讯
电流表何时内接?何时外接?(2022-12-15)
通道输入阻抗无穷小。然而现实跟理想总有那么一点差距,电压表和电流表的输入阻抗消耗了测量回路中电能,产生了系统误差,对测量精度的影响跟测量方法有关。
1、在确定用哪一种方法前先来计算不同情况下电压和电流表的损耗功率......
Boost变换器中SiC与IGBT模块热损耗对比研究*(2023-01-28)
器件中的电流。Boost电路中,VT器件管和输出二极管VD均存在导通损耗。根据 Boost 电路的工作规律,VT 管在D∗T的时间内导通,其中D 为占空比,T 为周期,VT 管导通损耗功率Econd.vt 为......
【测试案例分享】使用示波器自动化测量电源开关损耗(2024-08-22)
测量提供了定制化自动设置功能,并且符合 IEC60747-8 和 IEC60747-9 的测试方法,告别复杂设置,现在只需按 一个按钮,就可以执行全套开关损耗功率和能量测量。
软件中可以选择算法模型,支持......
一种基于功能安全的新能源汽车能量管理方案(2024-07-18)
表示电池实际消耗功率; Pa _ mot表示驱动系统实际消耗功率, Pa _ dcdc表示DC − DC实际消耗功率;
1.1.1 驱动系统需求功率的计算
此处提出了电池峰值功率与持续放电功率......
高频介质损耗测试仪的技术指标(2022-12-09)
~20mm(ε》30时)
8.其他
消耗功率:约25W
净 重:约7kg
外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。
......
还搞不懂缓冲电路?看这一文,工作原理+作用+电路设计+使用方法(2024-11-06 21:23:00)
选择取决于要抑制的尖峰电压和振铃频率
。对于大多数应用,耗散缓冲器损耗被最小化也能够接受,通过会用来快速设计。
无损缓冲器
在理想状态下是无损的或者不会消耗功率,但实......
一文搞懂IGBT的损耗与结温计算(2023-02-20)
计算 IGBT 的总功率损耗,须将这三个能量之和乘以开关频率。
IGBT 损耗必须使用阻性负载或在负载消耗功率的部分周期内进行测量。这样可消除二极管导通。
图 5. 二极管导通损耗波形
FWD反向......
如何计算高速RS-485收发器的功率损耗(2023-04-03)
如何计算高速RS-485收发器的功率损耗;RS-485 接口因其稳健性和长距离通信能力而广泛用于工业应用。自 RS-485 标准于 1998 年推向市场以来,电子系统的尺寸和复杂性不断增加。许多......
速来围观|瑞森半导体慕尼黑华南电子展主题演讲(2023-11-02)
半导体封装及制造等领域展出,为电子智能制造行业提供一个横跨产业上下游的专业交流圈。
01主题演讲
瑞森半导体副总龙立先生在2023碳中和创新论坛—《绿色能源电子技术应用发展论坛》上,进行了《低功耗功率......
分频器在音箱中的作用是什么 不用分频器可以做箱吗?(2024-09-18)
和高音,分别送至各自扬声器。连接简单,使用方便,但消耗功率,出现音频谷点,产生交叉失真,它的参数与扬声器阻抗有的直接关系,而扬声器的阻抗又是频率的函数,与标称值偏离较大,因此误差也较大,不利于调整。
将音......
大联大世平集团推出基于易冲半导体产品的无线充电发射IC方案(2023-09-20)
/EPP-10W/EPP-15W/SFC-10W;
线圈型号:A11a;
待机消耗功率:<0.2W@5V;
可充电高度:3mm-7mm;
保护功能:OCP/OVP/UVP/OTP......
大联大世平集团推出基于易冲半导体产品的无线充电发射IC方案(2023-09-20)
型号:A11a;
● 待机消耗功率:<0.2W@5V;
● 可充电高度:3mm-7mm;
● 保护功能:OCP/OVP/UVP/OTP/FOD;
● FCC/CE认证。......
大联大世平集团推出基于易冲半导体产品的无线充电发射IC方案(2023-09-20)
;
线圈型号:A11a;
待机消耗功率:<0.2W@5V;
可充电高度:3mm-7mm;
保护功能:OCP/OVP/UVP/OTP......
城镇供水二次加压泵站运行方式电耗探讨(2024-08-09)
结合北方的某一泵站的工艺供水参数,算出泵站在同一工艺供水参数下采用不同运行方式的电耗指标的实际数值,见表2。
从表1和表2可以看出,1.4节所述供水方式是一种最节能的泵站工艺运行方式。此运行方式实际的电耗功率比二次加压泵站理想状态下的电耗功率......
标准负载对按摩器具输入功率的影响(2024-07-16)
部件工作)、单纯电热状态(加热部件工作)、电动和电热组合状态。
单纯电动状态:当只有内部电机部件工作,电机受到标准负载影响,处于带载状态,扭矩增加,克服阻力做功使得消耗功率变大,所以施加标准负载时输入功率......
驱动电机轴承电腐蚀原罪—趋肤效应(2024-07-23)
是说电流集中在导体外表的薄层,越靠近导体表面,电流密度越大,导体内部实际上电流较小。结果使导体的电阻增加,使它的损耗功率也增加。这一现象称为趋肤效应(skin effect)。
对于钢,如果频率为100kHz,则皮......
纳微半导体推出全球首款智能GaNFast氮化镓功率芯片,GaNSense新技术登场(2021-11-10)
够进一步减少外部元件数量,缩小系统的尺寸。此外,如果氮化镓功率芯片识别到有潜在的系统危险,该芯片将迅速过渡到逐个周期的关断状态,以保护器件和周围系统。GaNSense技术还集成了智能待机降低功耗功能,在氮化镓功率......
RS-485收发器常见问题解答(2023-03-06)
)。
THVD1424 收发器具有 SLR(压摆率控制)引脚,支持由系统设计人员用于低速(最大 500kbps)和快速(最大 20Mbps)应用。
6、如何估算 RS-485 的功率损耗?
要计算功率损耗,您可以将功率......
市场一片火热,第三代半导体——碳化硅究竟用在哪?(2021-07-29)
MOSFET是高速低损耗功率开关中最有前景的器件之一。
目前阳光电源应用SiC器件的组串逆变器已广泛应用于全球市场;国家......
TI:未来5-10年里,电源产品发展受五大指标影响(2020-07-28)
%甚至更高的能量。除了很好的功率密度设计之外,BQ25790/2还具备Low IQ的设计,其静态功耗只有1µA,可延长电池寿命与储存时间,从而实现更多功能。1µA的静态功耗意味着在一年的存储状态下,其电量损耗......
汽车电子技术:我们来谈谈发动机热效率(2023-06-25)
部分的损失包括摩擦损失和运动损失,曲轴、活塞等运动机构的摩擦阻力要消耗功率,众所周知,发动机4个冲程中只有一个冲程是做功的,其他3个冲程是要消耗功率的。
为什么柴油机的热效率比汽油机高?
柴油......
纳微半导体推出全球首款智能GaNFast氮化镓功率芯片,GaNSense新技术登场(2021-11-08)
和快速感应,包括电流和温度的感知。这项技术实现了正在申请专利的无损耗电流感应能力。与前几代产品相比,GaNSense 技术可额外提高10%的节能效果,并能够进一步减少外部元件数量,缩小系统的尺寸。此外,如果氮化镓功率......
纳微半导体推出全球首款智能GaNFast氮化镓功率芯片,GaNSense新技术登场(2021-11-19)
,如果氮化镓功率芯片识别到有潜在的系统危险,该芯片将迅速过渡到逐个周期的关断状态,以保护器件和周围系统。GaNSense技术还集成了智能待机降低功耗功能,在氮化镓功率芯片处于空闲模式时,自动......
纳微半导体推出全球首款智能GaNFast氮化镓功率芯片,GaNSense新技术登场(2021-11-08)
和快速感应,包括电流和温度的感知。这项技术实现了正在申请专利的无损耗电流感应能力。与前几代产品相比,GaNSense 技术可额外提高10%的节能效果,并能够进一步减少外部元件数量,缩小系统的尺寸。此外,如果氮化镓功率......
纳微半导体推出全球首款智能GaNFast氮化镓功率芯片,GaNSense新技术登场(2021-11-19)
,如果氮化镓功率芯片识别到有潜在的系统危险,该芯片将迅速过渡到逐个周期的关断状态,以保护器件和周围系统。GaNSense技术还集成了智能待机降低功耗功能,在氮化镓功率芯片处于空闲模式时,自动......
RS-485 收发器常见问题解答(2023-03-09)
。
6.如何估算 RS-485 的功率损耗?
要计算功率损耗,您可以将功率分成几个部分。当器件在没有外部负载的情况下上电时,则该集成电路本身消耗功率;如果您在其输出引脚上添加负载,该器件会提供驱动负载的功率......
ROHM推出低阻值贴片电阻器“UCR006”(2014-07-24)
式音响
<产品阵容表>
<术语解说>
・额定功率
“额定功率”是指为了安全使用电子设备、IC、被动元件所需的最大功耗值。也就是说,“额定功率”越大,对消耗功率的环境和热量变化、意外......
大联大世平集团推出基于易冲半导体产品的无线充电发射IC方案(2023-09-20)
->15W;
输出功率:15W(Max);
效率:82.83%@15W,Vin:12V;
协议:BPP-5W/EPP-10W/EPP-15W/SFC-10W;
线圈型号:A11a;
待机消耗功率......
电源转换器热阻特性分析开架式与基板式密封式的对比(2024-05-24)
热量封装直接传导到空气中。这可被描述为多个Θc-a路径混合。
此外,元器件消耗的功率和整个模块消耗功率的比例随着工作条件的变化而变化。比如,当输入电压较高时,耗散在转换器输入部分的功率会相应得大,但在......
A类、B类、AB类、C类、D类5类功放介绍及比较(2024-09-03)
有信号或信号非常小时,晶体管的正负通道都常开,这时功率有所损耗,但没有A类功放严重。当信号是正相时,负相通道在信号变强前还是常开的,但信号转强则负通道关闭。当信号是负相时,正负通道的工作刚好相反。AB......
碳化硅MOSFET尖峰的抑制(2023-01-13)
收的电压尖峰能量,CSNB 所积蓄的能量不会每次开关都充分释放出来。因此,即使开关频率加快,RSNB 的消耗功率也不会变得很大,可以将CSNB 增大,大幅提高电路的抑制效果。但样线路布局变得复杂,如果不是4 层以......
MAX1191数据手册和产品信息(2024-11-11 09:18:59)
全差分或单端信号输入。MAX1191在1.875MHz输入频率和7.5Msps采样速率下,达到了48.6dB典型的信号与噪声和失真比(SINAD),仅消耗功率12mW。这款ADC工作于2.7V至3.6V的模......
浅谈音频功放类型与结构(2024-09-20)
度小,信号越小传真度越高。最大的缺点是效率低,最大只有25%,不输入信号时丝毫不降低消耗功率,极不适合做功率放大。但因其高传真度,部分高级音响器材仍采用A类放大器。
由于无论有没有信号输入,A类功放的电流损耗......
什么是甲类功放和乙类功放 甲类功放和甲乙类功放哪个好(2024-04-19)
什么是甲类功放和乙类功放 甲类功放和甲乙类功放哪个好;什么是甲类功放和乙类功放
甲类功放和乙类功放是两种常见的功率放大器类别。
甲类功放(Class A Amplifier)是一种功率放大器,其工......
电动汽车dcdc转换器的功能 dcdc变换器电路(2023-08-04)
变压器两侧的电路拓扑可以是全桥式、半桥式、推挽式等等。这几种隔离型的双向DCDC转换器,采用了更多的功率开关,电压变比大,带电气隔离等优点。但是这类DCDC转换器结构复杂,成本也相对较高,转换器的损耗高,低频......
基础知识之晶体管(2024-03-21)
计算元件的通道温度。
六、导通电阻
何谓导通电阻?
MOSFET工作(启动)时,漏极和源极间的阻值称为导通电阻 (RDS(ON))。数值越小,工作时的损耗(功率损耗)越小。
关于导通电阻的电气特性
晶体管的消耗功率......
推进物联网开发,贸泽电子携手Nordic举办窄带物联网技术研讨会(2022-10-20)
和GPS支持。本次直播将深入展示nRF9160超低功耗功能和NCS平台开发,与工程师分享如何在nRF9160所提供的各种软件和硬件的支持下,快速开展物联网的开发,并探讨如何使用Nordic SDK去实现超低功耗功率......
基础知识之运算放大器(2024-03-25)
引起的散热或环境温度。 最大接合部温度由制造工艺决定。 保存温度范围表示IC在不工作的状态,即无消耗功率的状态下保存环境的最大温度。 一般与最大接合部温度的值相同。
容许损耗(总损耗)
容许损耗(总损耗......
10月新品推荐:MCU、Retimer、MEMS麦克、GaN HEMT(2022-10-31)
它通常必须作为更大应用的附加功能。Microchip Technology推出首款基于Arm Cortex-M4F的PIC单片机(MCU)系列产品,以解决这一无线连接设计挑战。新系列产品将蓝牙低功耗功能直接集成为系统的基本组件之一,并得......
LT1181A数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:26)
电路采用坚固型双极性设计,以提供同类竞争 CMOS 设计无可比拟的操作故障耐受力和 ESD 保护水平。这些电路仅采用 0.1μF 外部电容器,消耗功率仅为 40mW,其传输速率可达 120k baud,甚至......
使用Matlab的Simulink工具进行电机控制的仿真实例(2024-01-25)
电机效率评估模块
在Simulink中,我们可以设计电机效率评估模块来评估电机的效率。这个模块包括电机的输入功率、输出功率以及损耗功率的计算。通过准确计算这些功率,我们可以得到电机的效率。
优化......
国芯思辰 |基于可控硅LTH16-08的调功电加热器的应用方案(2024-09-06)
短路时很容易被击穿,移相调压时产生谐波较大,对电网冲击污染有较大影响。
基于可控硅LTH16-08的调功器可以实现温度的连续调节,相比于固态继电器,具有控温精度高、温度波动小、消耗功率低、效率高、节能、响应......
LTC1041数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:57)
过程中,会对模拟输入进行采样和比较。比较完成后,将会关闭电源。这可在低采样速率下实现极低的平均功耗。CMOS 逻辑可保持连续输出,同时几乎不消耗功率。
为了使系统功耗保持绝对最低,提供......
四大技术争夺EV充电桩主流标准(2023-09-25)
,输出功率为50kW、效率为98%时,损耗为1kW;输出功率为400kW、效率为98%时,损耗为8kW,这也就增加了冷却难度),因此更高的功率输出需要更大的冷却系统。使用低损耗功率......
四大技术争夺EV充电桩主流标准(2023-09-25)
为8kW,这也就增加了冷却难度),因此更高的功率输出需要更大的冷却系统。
使用低损耗功率半导体可以使冷却系统的成本更低,体积更小,进而降低系统的成本和体积。因此近年来,市场对SiC MOSFET,和Si......
MAX1184数据手册和产品信息(2024-11-11 09:18:47)
态性能的应用,如成像、仪器和数字通讯等应用。这款ADC工作于+2.7V至+3.6V单电源,消耗功率仅150mW,且在7.5MHz输入频率和20Msps采样速率下,达到了59.5dB的典型信噪比(SNR......
电机能够承受多高的温度?什么原因导致电机会发热?(2023-10-30)
越大、损耗功率越大,温度越高。我们知道,电机内耐温最薄弱的东西是绝缘材料,如漆包线。绝缘材料耐温有个限度,在这个限度内,绝缘材料的物理、化学、机械、电气等各方面性能都很稳定,其工作寿命一般约为20 年......
单片机如何读取4-20ma信号(2022-12-12)
图所示,IS1为一个电流源代表4-20ma信号,通过一个150欧姆电阻将电流值转化为电压值,VF1电压变化范围为0.6~3V,电阻最大消耗功率0.06W,可选取0805封装的精密电阻。
看来......
推进物联网开发,贸泽电子携手Nordic举办窄带物联网技术研讨会(2022-10-20 16:05)
讨如何使用Nordic SDK去实现超低功耗功率。贸泽电子亚太区市场及商务拓展副总裁田吉平女士表示:“随着云计算、大数据和低成本传感器等所有核心技术的发展,物联网也在不断地升级。窄带物联网技术的出现,使得医疗、家居、安防......
SiC仿真攻略手册——详解物理和可扩展仿真模型功能!(2023-12-28)
和导通时间)获得开关损耗能量或导通损耗功率。我们还可以计算同一乘积在一个开关周期内的平均值,以获得每个SiC MOSFET的总损耗。
图16. 每个SiC MOSFET的总功率损耗
正如......
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改进质量管理体系,增强顾客满意度;加强新产品的研发力度,加速研制更高档次高频低损耗功率材料,我们将与您共创辉煌!
;东莞市浩磁电子科技有限公司;;一体成型插件式电感,一体成型SMD电感,它们具有可耐大电流(可达65A),大功率,低损耗,温升低,高储能,低阻抗,无噪音,体积小,高饱和磁通密度之优良特性,广泛
电阻越大越好。 介质损耗:电容器在电场作用下消耗的能量,通常用损耗功率和电容器的无功功率之比,即损耗角的正切值表示。损耗角越大,电容器的损耗越大,损耗角大的电容不适于高频情况下工作。 选用常识: 电容
,以先进的电路设备和低内阻大电流助于驱动高性能运算、减少电机的能源损耗,大大的提高产品的性能! IRF全系列功率MOS管:IRF7811A IRF7832 IRF7314 IRF7341
铁氧体制作共模电感器的理想材料;PM功率变压器用磁芯系列,具有优良的温度特性,低损耗,是制作高频大功率变压器的首选材料;PG切口磁芯系列,具有优良的温度特性,高饱和磁感,优良的温度叠加特性,是制作PFC电感、电抗
性音响分频器电阻灯泡,对音圈进行阻止,防止过载削波和失真波损害扬声器的高音单元!灯泡不消耗功率,比纯电阻更具变化,有效防止出现音频谷点,不产生交差失真,它的参数与扬声器的阻抗相协调,减小功率损耗
;河南省长葛市松亮建筑机械厂;;主要生产高速全自动箍筋机,本机集冷拔,调直,剪断,成型等功能于一体,比传统箍筋生产方式效率提高6-8倍(每分钟50-80个),功率消耗降低3-4倍,钢筋零损耗。原材
保护,提高了产品的安全性。产品采用高精度低损耗恒流电路,提高电源效率,保证负载工作稳定。具有最大输出功率限制功能,避免了对LED的冲击。针对LED的负载特性进行优化,适合驱动大功率LED.。
产品:铁基非晶、纳米晶带材。 1、铁基非晶带材 性能特点:具有很高的饱和磁感应强度,同时具有高导磁率、低矫顽力、低损耗(相当于硅钢的1/3-1/5)、低激
好的特点,性价比优势明显。市场竞争力极高。全系列产品,大电容采用日本铃木材料制造的足470UF/200V电解电容。功率管采用大功率原装台湾强茂半导体器件,输出整流管彩用原装台湾MOSPEC的大功率