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电机碳化硅技术指标是什么 碳化硅国家技术标准介绍(2023-02-02)
电机碳化硅技术指标是什么 碳化硅国家技术标准介绍;电机碳化硅技术指标是什么 碳化硅国家技术标准介绍
以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视，并在多个领域得到广泛的应用，并且......
邦盛新能源:高压实铁锂材料实现稳定量产(2024-04-24 10:17)
池 0.5C 比容量大于 145 mAh/g， 常温循环 5000 次放电保持率大于 80%。材料加工性能优异，能量密度高，主要应用于高端动力、储能等领域。
电化学性能
理化指标......
Soitec 公布 2023 财年第一季度财报，同比增长 12%(2022-07-28)
份支付相关的非货币项、流动资产拨备变动以及风险和应急事项拨备变动前（不包括资产处置收入）的当期经营收入 (EBIT)。这种替代业绩指标是非 IFRS 量化指标，用于衡量公司从其经营活动中产生现金的能力。EBITDA......
碳化硅激光剥离设备国产化，中电科二所取得突破性进展(2022-02-11)
碳化硅激光剥离设备国产化，中电科二所取得突破性进展;据太原日报报道，近日中国电子科技集团第二研究所（以下简称“中电科二所”）近日传来好消息，科研团队在SiC激光剥离设备研制方面，取得......
Soitec 2020财年销售额同比增长34.6%创纪录(2020-06-17)
现有的产品矩阵让我们处于一个有利的位置，去引领半导体行业大趋势所带来的机遇：5G、人工智能和能源效率。除了我们的SOI产品之外，我们还在开发和商用化新的先进材料，包括POI、氮化镓和碳化硅，以满足我们的终端战略市场——智能......
光子芯片有最新突破！济南在全球率先研制成功12英寸铌酸锂晶体(2024-05-21)
市发布《关于促进集成电路产业发展的意见》，提出2025年500亿级的产业发展目标。单在集成电路产业的最底层，济南有着深厚的产业基础和科研能力，其代表性的企业和机构有：专注于碳化硅衬底材料的天岳先进，落地......
Soitec发布2020上半财年报告，同比增长30%(2019-12-05)
展稳健的工业与商业渠道，以加速Soitec创新技术的应用，从而进一步巩固行业地位。近期，我们与应用材料公司启动联合研发项目，致力于开发下一代碳化硅衬底，这正是我们蓬勃发展的有力证明。本次......
Soitec 发布 2023 财年上半年财报，同比增长 18%(2022-11-30)
法国贝宁（Bernin），我们正按计划筹备建设用于生产 SmartSiC™ 晶圆的生产设施，这对于推动碳化硅在电动汽车和工业应用市场中的发展至关重要。我们也很高兴看到格芯（GlobalFoundries......
北京中电科碳化硅全自动减薄机顺利交付并批量市场销售(2023-06-05)
北京中电科碳化硅全自动减薄机顺利交付并批量市场销售;据北京亦庄消息，近日，北京中电科电子装备有限公司（以下简称“北京中电科”）碳化硅全自动减薄机顺利交付并批量市场销售。该设备是碳化硅......
8英寸企业集结，国家标准《碳化硅外延片》半年后实施(2024-05-16)
-2024《碳化硅外延片》的意义，2023年11月30日，中国电科指出，《碳化硅外延片》国家标准确定了碳化硅外延片的质量技术细节，规范和统一了具体的技术性能项目和指标。该标......
我国成功制备6英寸氧化镓单晶，第四代半导体正式“撒网”(2023-03-01)
镓材料是最有可能在未来大放异彩的材料之一，在未来的10年左右，氧化镓器件有可能成为有竞争力的电力电子器件，会直接与碳化硅器件竞争。但氧化镓目前的研发进度还不够快，仍需不懈努力。
国内......
天岳先进：公司8英寸衬底开发进展顺利(2022-09-23)
降低下游芯片制备成本的重要途径，碳化硅衬底行业未来必然向着更大尺寸的方向发展。公司先前已经布局了8英寸产品的研发，是国内最早研发和布局产业化的企业之一，包括“8英寸宽禁带碳化硅半导体单晶生长及衬底加工关键技术项目”等。公司将持续加大8......
75亿，年产48万片SiC！芯粤能碳化硅项目通过审查(2023-01-17)
75亿，年产48万片SiC！芯粤能碳化硅项目通过审查;近日，广东省能源局发布广东芯粤能半导体有限公司“面向车规级和工控领域的碳化硅芯片制造项目”节能报告的审查意见：项目......
我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术(2024-09-03)
华以新能源汽车举例介绍，碳化硅功率器件本身相比硅器件具备省电优势，可提升续航能力约 5%；应用沟槽结构后，可实现更低电阻的设计。
在导通性能指标不变的情况下，则可实现更高密度的芯片布局，从而降低芯片使用成本。
......
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动低碳化的高性能系统(2024-03-15)
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动低碳化的高性能系统;
【导读】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新一代碳化硅......
基本半导体碳化硅功率模块装车测试发车仪式在深圳举行(2021-07-30)
为代表的第三代半导体是支撑新能源汽车发展的关键技术之一。其中碳化硅功率模块是新能源汽车电机驱动系统的关键部件，具备耐高压、耐高温、高开关频率、低开关损耗等特点，对整车的主要技术指标......
又发生一起碳化硅合作案！(2024-06-20)
又发生一起碳化硅合作案！;6月19日，清纯半导体（宁波）有限公司（以下简称“清纯半导体”）与苏州悉智科技有限公司在清纯半导体宁波总部签订车载电驱功率模块&供电电源模块用SiC芯片......
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2， 推动低碳化的高性能系统(2024-03-12)
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2， 推动低碳化的高性能系统;【2024年3月12日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽......
Soitec 公布 2022 财年全年财报，营收突破 10 亿美元(2022-06-13)
厂 (Bernin 4) 配备首批碳化硅生产工具 (150 和 200-mm)，助力贝宁 4 厂提升 300-mm SOI 的更新产能，以及在新加坡工厂进一步扩充 300-mm SOI 的产能，包括......
碳化硅MOSFET在新能源行业有怎样的应用和发展(2024-03-22)
碳化硅MOSFET在新能源行业有怎样的应用和发展;1、碳化硅场效应管SiC-MOSFET
在碳化硅电力电子器件的研究中，SiC-MOSFET是最受关注的器件。在Si材料接近理论性能极限的今天，SiC......
又一家碳化硅功率芯片企业宣布完成数亿元A+轮融资(2023-04-28)
又一家碳化硅功率芯片企业宣布完成数亿元A+轮融资;4月26日，清纯半导体（宁波）有限公司（以下简称“清纯半导体”）宣布完成数亿元A+轮融资。本轮融资由蔚来资本、士兰微及其战略基金、华登......
中电化合物8吋SiC外延片首批产品交付(2023-11-03)
器件成本，为进一步推进碳化硅材料的降本增效提供有力支持。技术指标上，8吋SiC外延片厚度均匀性可实现≤3%、掺杂浓度均匀性≤5%、表面致命缺陷≤0.5/cm²。
中电化合物表示，8吋外......
理想率先迈入补能“5G时代”，碳化硅的春天来了？(2023-06-24)
抢占市场份额。
截至目前，碳化硅在车载逆变器（电控）、DC-DC、车载充电器（OBC）以及充电桩等领域均有应用。从电驱动的发展趋势来看，高功率密度和高效率是核心指标，其次为系统集成化、小型化、轻量......
碳化硅/氮化镓元件开始商用，电子产业迎来大革命(2017-07-07)
在转换效率方面，相较于硅电晶体在单极(Unipolar)操作下无法支持高电压，碳化硅即便是在高电压条件下，一样可以支持单极操作，因此其功率损失、转换效率等指标性能的表现，也显......
Soitec发布20财年第三季度业绩报告，较19财年同期增长16%(2020-02-07)
平的营收证明了其业绩的提高。我们也正在开发碳化硅产品，以克服电动汽车正面临的重要行业挑战。这些都是我们将业务拓展至SOI以外的重要战略步伐。”
北京，2020年2月7日——半导......
“第三代半导体”迎来新方向，新能源车成为主线，重点在5家短线大牛(2023-04-13)
，为电池、空间、冷却系统节省的本钱在525～850美元，系统性本钱明显下降。
国家新能源汽车技术创新中心总司理原诚寅向《中国电子报》记者指出，碳化硅器件在新能源汽车中的技术价值，体现在能耗优化、动力性能提升和车辆轻量化等指标......
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC MOSFET G2，推动低碳化的高性能系统(2024-03-12 11:12)
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC MOSFET G2，推动低碳化的高性能系统;英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET......
TUV莱茵与smart达成战略合作 推动汽车价值链低碳转型及可持续发展(2023-03-31)
等行业提供整个生命周期的耗能和碳排放数据收集、建模量化指标以及评估等服务，涉及原材料、设计研发、生产过程直至产品回收等各个环节。近年来，TUV莱茵陆续推出了能源管理、节能诊断、LCA生命周期评估、产品碳足迹、水足迹、环境产品宣告（EPD......
国家队加持，芯片制造关键技术首次突破(2024-09-02)
现更低电阻的设计。在导通性能指标不变的情况下，则可实现更高密度的芯片布局，从而降低芯片使用成本。
生产一代、研发一代、预研一代，目前国家第三代半导体技术创新中心（南京）已启动碳化硅超级结器件研究，“这个......
第三代半导体SiC动态涌现！(2024-05-16)
外延片的质量技术细节，规范和统一了具体的技术性能项目和指标。该标准及时填补了国内半导体材料领域产品标准的空白，对碳化硅外延片生产工艺、质量控制、采购及销售管理都有重要的指导作用。
晶升股份研发出液相法碳化硅SiC晶体......
半导体CVD设备国产化进行到哪步了？(2023-07-24)
，包括分子束外延、磁控溅射和脉冲激光淀积等,CVD的优势在于可以精确控制外延膜厚度和掺杂浓度、缺陷较少、生长速度适中、过程可自动控制等优点，是目前已经成功商业化的 SiC外延技术。
评价一款碳化硅......
10分钟狂充80%电量！东风碳化硅功率模块明年量产装车(2022-12-13)
10分钟狂充80%电量！东风碳化硅功率模块明年量产装车;近日消息，从东风汽车官方获悉，东风碳化硅功率模块项目课题已经顺利完成，将于2023年搭载东风自主新能源乘用车，实现量产。
IGBT行业......
这才是第三代半导体的最佳应用场景(2020-12-14)
这才是第三代半导体的最佳应用场景;今年年初，小米公司推出的氮化镓(GaN)快速充电器引爆了第三代半导体概念。实际上，除了在消费电子领域备受期待的氮化镓之外，第三代半导体的另一个重要产品碳化硅(SiC......
车规碳化硅功率模块 - 衬底和外延篇(2023-01-10)
车规碳化硅功率模块 - 衬底和外延篇;中国汽车工业协会最新数据显示，2022年1月至11月，新能源汽车产销分别完成625.3万辆和606.7万辆，同比均增长1倍，市场占有率达到25%。由此......
SiC 与半导体垂直整合的复兴，先进 SiC 解决方案的需求不断增长(2023-02-16)
之间。碳化硅材料除宽禁带之外，还 具有高击穿场强、高饱和漂移速度及高稳定性、最大功率等优点。
禁带宽度决定材料特性，宽禁带提高更好性能。禁带宽度是衡量半导体性能的 一个重要指标，更宽......
功率半导体巨头拓展中国“朋友圈” 国产碳化硅商业化按下“加速键”(2023-05-16)
微董事长陈向东介绍，通过发挥IDM一体化优势，士兰微碳化硅MOSFET/SBD功率器件芯片中试线进展顺利，芯片性能指标达到业内领先水平；士兰微正在加快建设碳化硅芯片量产线，用于汽车主驱的碳化硅......
逆变器的逆变效率怎么提高，空间矢量脉宽调制(2024-09-10)
包括磁滞损耗和涡流损耗两个方面，可以通过测量变压器的空载电流来计算。
提高逆变器效率的技术
目前，提高功率逆变器效率的技术路线有3种。
首先，采用空间矢量脉宽调制等控制方法降低损耗。
其次，碳化硅......
首发｜安储科技完成Pre-A轮融资，为半导体领域提供更佳的抛光清洗方案(2024-03-19)
为中国领先的电子材料平台为愿景，致力于为半导体领域提供更佳的抛光清洗方案以及更先进的电子材料。
碳化硅作为宽禁带半导体，适合高压、大电流的应用场景，近年来受到新能源汽车、光伏储能等行业影响，市场增速极快，国内碳化硅......
车规碳化硅功率模块——衬底和外延篇(2023-01-10)
车规碳化硅功率模块——衬底和外延篇;中国汽车工业协会最新数据显示，2022年1月至11月，新能源汽车产销分别完成625.3万辆和606.7万辆，同比均增长1倍，市场占有率达到25%。由此......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
下一代半导体：一路向宽，一路向窄;随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段，对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。走向产业化的锑化物，以及国内外高度关注的氧化镓、金刚石、氮化......
利用全面功率产品组合，英飞凌迎接绿色未来(2024-09-09)
G2产品，相较于上一代实现了关键性能指标的提高，包括存储能量和电荷等。这不仅提高了整体能源效率，而且在碳化硅技术的基础上进一步促进了脱碳进程。
CoolSiC采用了沟槽式技术，在开......
全球有多少座8英寸碳化硅厂？(2024-10-10)
导电型4H-SiC衬底项目已实现全线贯通，产品在微管密度、电阻率等关键性能指标上表现优异；9月2日天岳先进表示，在8英寸碳化硅衬底上，公司率先实现了自主扩径，完成从8英寸......
长光辰芯发布首款超大靶面可拼接 sCMOS 图像传感器：超大感光面积 + 810(2022-12-15)
他应用不同，天文应用对CMOS芯片的感光面平整度、像素内响应不均匀性都提出了更高的要求。天文望远镜成像系统的景深极小，感光面的不平整极易导致成像系统离焦。GSENSE1081BSI采用了表面平整度较高的碳化硅......
长光辰芯推出首款超大靶面背照式可拼接sCMOS图像传感器(2022-12-15)
面的不平整极易导致成像系统离焦。GSENSE1081BSI采用了表面平整度较高的碳化硅封装基底，碳化硅基底和感光面硅材料的热膨胀系数接近，使得芯片深度制冷至-50℃以下，也可保持极高的平整度，更好......
Qorvo宣布推出行业先进的高性能1200V第四代SiC FET(2022-05-17)
®（纳斯达克代码：QRVO）今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列，该系列具有出色的导通电阻特性。全新 1200V 非常适用于主流的 800V 总线......
全球有多少座8英寸碳化硅芯片厂？(2024-10-10 12:57:53)
。
今年以为我国碳化硅衬底市场动态频频， 9月10日宁波合盛新材宣布其8英寸导电型4H-SiC衬底项目已实现全线贯通，产品在微管密度、电阻率等关键性能指标......
“国产芯片”瑞森半导体（REASUNOS）将亮相2023慕尼黑上海电子展(2023-07-11)
展会面积规模计划扩大至10万平米,参展企业将达到1600+,预计吸引观众7万人次，将会是电子行业同胞的一场盛会。
瑞森半导体本次展会主打三条产品线，硅基功率器件，碳化硅基功率器件以及功率IC......
Soitec 发布 2023 财年上半年财报，同比增长 18%(2022-11-30 11:49)
正按计划筹备建设用于生产 SmartSiC™ 晶圆的生产设施，这对于推动碳化硅在电动汽车和工业应用市场中的发展至关重要。我们也很高兴看到格芯（GlobalFoundries）和意......
签约、开工、投产...国内一大批半导体产业项目进展追踪！(2022-11-25)
签约、开工、投产...国内一大批半导体产业项目进展追踪！;近日，国内一批半导体项目迎来新的进展，涵盖碳化硅、掩膜版、溅射靶材等领域。
希科半导体SiC外延片投产
11月23日，希科......
逾10座晶圆厂蓄势待发；存储器市场“宠儿”；国产“芯”突破(2024-05-06)
集成电路独角兽企业达45家
碳化硅签单不断
1
逾10座晶圆厂蓄势待发
当地时间4月25日，美光科技正式在其官网宣布，获得61亿美元政府补助。美光在新闻稿中指出，已经......
相关企业
;唐山德意陶瓷制造有限公司;;唐山恒通碳化硅有限公司（唐山德意陶瓷制造有限公司）成立于 2000 年 10 月 1 日，位于唐山市高新技术开发区。公司是由多名青年科技专家投资兴建，集科
;江苏环能硅碳陶瓷有限公司;;泰州市环能硅碳棒制造有限公司是一家专业生产碳化硅制品企业，公司致力于研发高性能硅碳棒及碳化硅陶瓷，并与高等科研所合作开发新型高温电热元件，是一
;淄博兴德碳化硅有限公司;;本公司目前致力于开发｜磁性材料炉用推板 碳化硅莫来石结合新型耐火材料
;枣庄市鑫阳磨料磨具有限责任公司;;碳化硅 枣庄市鑫阳磨料磨具有限责任公司 地址：山东省滕州市经济工业园区 电话：0632－5883388 5883366 传真：0632－5883366 电子
和销售于一体的综合性企业。公司专业生产刚玉、碳化硅，刚玉莫来石耐火材料，产品广泛应用于磁性材料厂、陶瓷厂和玻璃窑炉等行业。现主要产品有：规格为25KG-1T的刚玉-碳化硅坩埚、浇口；粉体煅烧匣钵；氧化
;苏州英能电子科技有限公司;;苏州英能电子科技有限公司，成立于2011年5月，是一家专注碳化硅二极管研发、生产、销售的半导体制造公司，其以优秀的归国博士团队为基，与浙江大学电力电子中心密切合作，引进国外碳化硅
;潍坊通用工程陶瓷有限公司;;潍坊通用工程陶瓷有限公司是一家专业从事研究、生产、销售真空反应烧结碳化硅制品的股份制高新技术企业。本公 司引进德国真空反应烧结碳化硅生产工艺和软件技术，拥有
;山东天岳先进材料科技有限公司;;山东天岳先进材料科技有限公司是专业从事蓝宝石和碳化硅单晶生长加工的高新技术企业。公司的主要产品有2-6英寸蓝宝石和2-4英寸碳化硅单晶衬底，其产
全自动液压震动成型机和高速升温烧成梭式窑（1750℃）可生产大面、超厚、超薄耐火材料制品，主要产品有：碳化硅、莫来石、刚玉-莫来石、堇青石-莫来石、硅线石（红柱石）-莫来石系列产品，其中二氧化硅结合碳化硅转、莫来石结合碳化硅砖、刚玉
;潍坊六方碳化硅陶瓷有限公司;;