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*)((uint8_t*)&a+1) = 0x01020304;   *(uint32_t*)&b = 0x05060708;   printf("global var addr: %p %p......
unsigned long *p = src;     while (count--)         outl (*p++, port); }   #define outsb(a,b,l) io_outsb......
#16#801) P CPU S7-300/400 的外围设备 16#1 P CPU S7-1500 的外围输入 16#2 P CPU S7-1500 的外围输出 B#16#81 I 输入......
实验七--时钟(2023-06-13)
MPLLCON寄存器,[19:12]为MDIV,[9:4]为PDIV,[1:0]为SDIV  27  * 有如下计算公式:  28  *  S3C2410: MPLL(FCLK) = (m * Fin)/(p......
置)的波形如下图所示: (1)波形幅度 通过示波器读取两个信号的波形峰值: V ( 2 ) pp = 0.28 V ,    V ( 3 ) pp = 2.5 V V_{(2)p - p......
lesson8 液晶显示; 1 #include  2 sbit l1=P2^5;//读写选择  3 sbit lcden=P2^6;//使能信号  4 sbit lcdrs=P2^4;//数据......
*S*COSθ,当面积为S的平面与磁场方向垂直的时候,角θ为0,COSθ就等于1,公式就变成Φ=B*S。 将上面两个公式结合一下,就可以得到电机磁通强度计算公式为:B=E/(4.44*f*N*S)。 2......
、25和26中指出。L B [AR1, P#10.0]  将字节(其位置由AR1的内容加上10个字节计算得出)载入ACCU 1。位的存储区在AR1的位24、25和26中指出。T D [AR2,P......
段如下: 3.合并法排序(将两个有序数组A、B合并成另一个有序的数组C,升序) 基本思想: 1)先在A、B数组中各取第一个元素进行比较,将小的元素放入C数组; 2)取小......
;  24     TL0=0x9C;  25     TR0=1;     //开启定时器0  26       27 }  28   29 void delay(int p)  30 {  31......
积为S的平面与磁场方向垂直的时候,角θ为0,COSθ就等于1,公式就变成Φ=B*S。 将上面两个公式结合一下,就可以得到电机磁通强度计算公式为:B=E/(4.44*f*N*S)。 2)另外......
单片机寄存器的头文件 int main(void) {     unsigned char a=54,b=18;    if (a/b==1)P0=0xfe; //第一个LED亮    else......
以识别了,即可以插入U盘等设备了。 下面是patch:    1: diff --git a/Makefile b/Makefile    2: index 70dea02..5d96411......
在时间 (t) 内完成一定量的工作 (W),则 P=W/t。可以证明,提供给任何电气元件的功率为: 功率=电流倍电压功率=电流倍电压或者 P=否P=否 (1) 瓦特 (W) 是电功率的单位。 当施加 1 V......
器件可以为射频(RF)和中频(IF)部分提供LO。上述器件由低噪声数字鉴频鉴相器(PFD)、精密电荷泵、可编程参考分频器、可编程A和B计数器以及双模预分频器(P/P+1)组成。A(6位)、B(12位)计数......
);  //定义一个函数指针    int a, b, c;    p = Max;  //把函数Max赋给指针变量p, 使p指向Max函数    printf("please enter a and b......
。为7—9 V的稳压二极管,这就是说,只有当P端电压为9.5~ 11.5 V时,三极管VT才能导通。因此,它有很强的抗干扰能力。图b为电压调节器集成电路的管脚图,管脚符号与图a一一对应。该电......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
,VT2 PMOS截止,VT3 NMOS,VT4 NMOS导通,Y端为低电*,即A=1B=1时,Y=0; 当A,B端均为低电*时,VT1 PMOS,VT2 PMOS导通,VT3 NMOS,VT4......
P系列定压电源模块的EMC性能;在隔离通讯、隔离驱动、隔离采样放大等应用场景需要功率1~3W的隔离电源。我司P系列为此量身设计,具有高隔离耐压、小隔离电容,优秀的性能。只需简单的外围电路,就能......
=BSCOSθ ,当面积为S的平面与磁场方向垂直的时候,角θ为0,COSθ就等于1,公式就变成 Φ=B*S 。 将上面两个公式结合一下,就可以得到电机磁通强度计算公式为: B=E/(4.44fN......
围,所以这里使用向pc赋值的方法进行跳转 26 halt_loop: 27             b       halt_loop 2.init.c  1 #define     WTCON......
--累加器A的奇偶标志位,如果累加器A的8位的模2和为1(奇),则P1;否则P=0。由于P总是表示A的奇偶性,随着A的内容变化的,所以一个值写入PSW的P位的值不变。 RS1、RS0--指示......
转磁场频率为f0/P,这时不平衡磁拉力将变化2P次,因不平衡磁拉力和电磁振动频率为 a) 静态偏心;b) 动态偏心;c) 动态偏心电磁力的拍振 图3 静态、动态偏心的电磁振动 静态......
势幅值也达到最大值FΦ1,而此时B、C相电流瞬时值刚好为负的相电流幅值的一半,即iB=iC=-(1/2)Im,相应地此时B、C两相的磁势则为-(1/2)FΦ1,将此......
, 0x30000000 .text .global _start _start: b reset reset: bl  disable_watch_dog   @ 关闭WATCHDOG,否则CPU会不......
     r0,     =0x30000000     @1. 目标地址=0x30000000,这是SDRAM的起始地址             mov     r1,     #4096......
(printascii)                    addruart_current r3, r1, r2                    b       2f 1......
;(Ri) ((Ri)) - 1 三、乘除指令 乘法指令 MUL AB ;B、A (A)×(B),影响OV、P 若(B)﹥ 0,则OV=1;否则OV=0。 除法指令 DIV AB  ;A、B......
键抬起结束一次键盘扫描 b[3]=b[2]=b[1]=b[0]=10; P1=0x0f; } 3)定义按键的功能 void act(){ switch(key){ case 0x77:clear......
到了363Ω·cm²。 图1 a)本征汞空位n-on-p型器件与;b)非本征Au掺杂器件暗电流分布图对比 图2为昆明物理研究所制备的Au掺杂长波器件暗电流随工作温度变化图。上下两条趋势线分别为n......
号无符号同) float:4 double:8 那么上面两个结构大小如何呢? 结果是: sizeof(strcut A)值为8 sizeof(struct B)的值却是12 结构体A中包含了4字节长度的int一个,1字节......
了成本效率。本文通过对N沟道和P沟道进行比较,介绍 MOSFETs,探究其目标应用。 N沟道和P沟道功率MOSFET的比较分析  MOSFET截面图(如图1)表明N沟道和P沟道功率MOSFETs之间......
=400Mhz,我们取m=92,p=1,s=1.也可以根据手册p255频率表中的数值,     //但是没有400Mhz的组合。可以选接近的    rMPLLCON = 92<<12 | 1<......
, int color) { int a, b, num; a = 0; b = r; while(22 * b * b >= r * r) // 1/8圆即可 { fb_put_pixel(x......
netmask 255.255.255.0dhcpd -cf /etc/dhcpd.conf wlan0hostapd -B /etc/myhostapd.confecho "1" > /proc......
候张三发现自己右边有个建设银行,这样走过多少个街区就可以推测出个八九不离十了。 接下来,张三祭出了传说中的“贝叶斯估计“大法,来算算自己看到右手边有个建设银行后,自己处在第各个街区的概率,标记为p(A|B)。 张三......
组件是以增加栅极驱动设计的复杂性为代价。图三对比了使用互补MOSFET和N信道MOSFET的电路。当P通道MOSFET作为HS开关管(图三b),极大简化了驱动器设计。这种结构去除了驱动HS开关管的电荷泵,并且P通道MOSFET可以......
管,图1-2所示A 、B分别是P沟道MOS管道结构图和代表符号。 图1-1-A 图1-1-B1-2-A 图1-2-B 2、MOS管的工作原理 图1-3是N沟道MOS管工......
)使用E b o o t擦除N a n d F l a s h 1.用串口线或USB转串口线连接开发板和PC,并启动minicom 2.进入Eboot开发状态 打开OK64l0开发的电源开关,过会......
T R I P = V O S ( m a x ) + ( V H Y S T / 2 ) = 5 m V + 7 m V = 12 m V (1) V_{TRIP} = V_......
(“Address of a: %d ”,value); printf(“Address of b: %d ”,*p); while(1) { } } 有人会想。。.。。.就这? 有人觉得多此一举? 其实......
氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET,IMZA65R083M1H,C3M0075120D)以及具有肖特基型p-GaN栅极的650V GaN高电子迁移率晶体管(SP-HEMT,GS-065-011-1-L)的性......
三极管知识讲解,补课(2024-11-09 18:33:37)
想办法增加反偏时少数载流子的数量即可。所以,如图B,如果能够在P区或N区人为地增加少数载流子的数量,很自然的漏电流就会人为地增加。其实,光敏二极管的原理就是如此。光敏二极管与普通光敏二极管一样,它的PN结具有单向导电性。因此,光敏......
+和B-之间,电池组从P+和P-输出电压。充电时,充电器输出电压接在P+和P-之间,电流从P+到单体电池的B+和B-,再经过充电控制MOSFET到P-。在充电过程中,当单体电池的电压超过4.35V时......
)都是电流再生时的电路,但由于有两种电路状态,所以将(b)命名为“电流再生时1”、将(c)命名为“电流再生时2”。 (b)电流再生时1是在供给电流时将导通的Q1关闭、而Q4保持导通。在这......
(mfor help):  回车查看信息     Command (m for help):n 回车       p回车     partition uumber(1-4): 回车 这是选分第个分......
N1911A/12A P系列功率计的功能特点及应用;N1911A/12A P 系列功率计得到 Keysight BenchVue 软件的支持。BenchVue 软件使您无需编程,便可......
的检测传感器的分析能力P---转1圈的脉冲数 a)直线运动 b)回转运动 N:检测传感器的转速 LP:定位精度(mm) θP:定位精度(°)     3、步进电机时,NM、P外,还要计算以下项目 a)电机步进角θM......
s3c2440裸机-LCD编程(四、实现显示功能);1.让LCD显示满屏红色 我们想要在LCD上显示出数据,所需步骤如下: a. 初始化LCD b. 使能LCD c. 获取LCD参数......
s3c2440裸机-LCD编程-4-实现显示功能;1.让LCD显示满屏红色 我们想要在LCD上显示出数据,所需步骤如下: a. 初始化LCD b. 使能LCD c. 获取LCD参数......

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) L-63(B) L-100(B) L1-10(B) L1-25(B) L1-63(B) L1-100(B) L-F6D-P LA-F6D-A 2LA-F6D-ABU L-F10D-P-1 L-F6
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;福州瑞翔自动化业务部;;福州瑞翔自动化业务1部 经销批发的SIEMENS、OMRON、ABB、A-BP+F等自动化产品、SIEMENS、OMRON、ABB、A-BP+F、PHOENIX、LS
;苏州恩威电子科技有限公司销售部;;OEG继电器,tyco继电器, tyco接触器,KILOVAC接触器, tyco热缩套管,RAYCHEM热缩套管, P&B继电器,SCHRACK继电
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联成齿轮减速马达 (广东一级代理商)减速马达:1/10 H P――5 H P, 分三相、单相,减速比1/3―1/1800;齿 轮 箱:1 H P――5 H P,有双轴型、直结型;台湾
;衍丰电子(上海)有限公司;;tyco/Corcom电源滤波器;Kilovac大功率直流接触器,Tyco高压继电器;p&b通用继电器,热磁断路器;P&U变压器;光控器;交流接触器等
;北京合世工控科技有限公司;;P+F倍加福安全栅系列保护器型号 我公司是德国P+F倍加福公司在中国区的授权代理商及重要商业合作伙伴,代理经销倍加福品牌的全系列产品,包括:安全栅,隔离栅,齐纳栅,避雷
出口到亚洲、非洲、北美洲等地区和国家。产品有:美标:52-1、52-3、52-4、52-5、56-1、56-2、56-3、56-4、54-2、54-3、54-4、55-2、55-3、55-4、55-57-1