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英飞凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON F－RAM非易失性存储器已开始批量供货(2022-11-23)
凌的EXCELON F-RAM是新一代铁电存取存储器。新产品具有超低功耗模式与高速接口，以及即时非易失性和无限次数的读/写周期，并以此成为业界功耗极低的任务关键型非易失性存储器。串行存储器......
英飞凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON F－RAM非易失性存储器已开始批量供货(2022-11-23 09:52)
凌的EXCELON F-RAM是新一代铁电存取存储器。新产品具有超低功耗模式与高速接口，以及即时非易失性和无限次数的读/写周期，并以此成为业界功耗极低的任务关键型非易失性存储器。串行存储器......
英飞凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON F－RAM非易失性存储器已开始批量供货(2022-11-23)
想选择。”
英飞凌的EXCELON F-RAM是新一代铁电存取存储器。新产品具有超低功耗模式与高速接口，以及即时非易失性和无限次数的读/写周期，并以此成为业界功耗极低的任务关键型非易失性存储器。串行存储器......
英飞凌推出业界首款 LPDDR 闪存，助力打造下一代汽车电子电气架构(2023-04-25)
独立于处理器进行扩展，能够有效地满足下一代汽车的需求。我非常看好这种新型非易失性存储器，期待看到这一领域的生态系统蓬勃发展。”
英飞凌科技闪存解决方案营销和应用副总裁Sandeep......
台积电再添“利器”SOT-MRAM 内存：功耗仅为类似技术百分之一(2024-01-18)
全球微电子元件领域顶尖会议国际电子元件会议（IEDM）上共同发表论文。
IT之家注：STT-MRAM 是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器 MRAM 的二代产品。STT-MRAM 存储......
车载MCU，又要变天了(2024-03-05)
，PCM与材料带电粒子状态无关，故其具有很强的抗空间辐射能力。
四类新型非易失性存储器与NAND Flash指标综合对比图，图源丨科技中国
可以看出，三种路线中，所有巨头的时间点都是2024年......
车载MCU，又要变天了(2024-03-11 09:26)
：低延时、读写时间均衡、功耗低；读写具备非破坏性，耐写能力强；部分PCM采用非晶体管设计，可实现高密度存储；此外，PCM与材料带电粒子状态无关，故其具有很强的抗空间辐射能力。
四类新型非易失性存储器......
这种新型存储，国内要爆发了？(2023-10-16)
界并不存在什么六边形战士，所以都是看应用需要什么，选择什么技术。四类新型非易失性存储器与NAND Flash指标综合对比图，图源丨科技中国 MRAM是一种非易失性存储技术，它被称为“全能手”，顾名思义，是因为MRAM什么......
赛普拉斯整合Ramtron F-RAM解决方案, 推出快速写入非易失性存储器产品系列(2012-12-27)
赛普拉斯整合Ramtron F-RAM解决方案, 推出快速写入非易失性存储器产品系列;赛普拉斯半导体在其产品系列中整合了Ramtron International的铁电随机存取存储器（F-RAM......
Ramtron推出世界上最低功耗的非易失性存储器(2012-02-06)
Ramtron推出世界上最低功耗的非易失性存储器;世界领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International......
英飞凌推出业界首款 LPDDR 闪存，助力打造下一代汽车电子电气架构(2023-04-25)
半自动驾驶汽车飞速发展，发动机控制变得越发精妙，实时决策能力对于保障车辆和驾驶员的安全至关重要。英飞凌 LPDDR 闪存提供实时 XiP存储器，还能独立于处理器进行扩展，能够有效地满足下一代汽车的需求。我非常看好这种新型非易失性存储器......
四种可以增强未来航天器电子设备辐射的技术了解一下(2024-10-24 10:28:04)
商业太空公司都对光子学非常感兴趣。”
空间中的非易失性存储器
空间抗辐射研究的另一个有前景的领域是新型非易失性存储器。计算机通常使用静态随机存取存储器（SRAM）或动态随机存取存储器......
Intel携手Micron推出3D XPOINT技术(2015-07-30)
Intel携手Micron推出3D XPOINT技术;
加利福尼亚州圣克拉拉及爱达荷州博伊西 - （美国商业资讯） - 英特尔公司与美光科技公司今天推出3D XPOINT™技术，非易失性存储器......
我国存储技术突破！(2024-08-14)
。
复旦团队研发超快闪存集成工艺，突破存储速度极限
非易失性存储器是指即使在存储器芯片的电源被关闭时，也可以保存数据的计算机存储器。常见的非易失性存储器包括闪存（Flash......
英飞凌推出业界首款 LPDDR 闪存，助力打造下一代汽车电子电气架构(2023-04-25 14:34)
独立于处理器进行扩展，能够有效地满足下一代汽车的需求。我非常看好这种新型非易失性存储器，期待看到这一领域的生态系统蓬勃发展。” 英飞凌科技闪存解决方案营销和应用副总裁Sandeep......
瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求FeRAM发力智能物联时代增量市场(2023-01-09)
潜力巨大。
图1：全球存储器市场规模及增速（资料来源：YOLE）
业界将相变存储器、铁电存储器、磁性存储器和阻变存储器在内的非易失性作为打破传统架构限制的新型存储器（non-volatile......
瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求，FeRAM以独特性能发力智能物联时代增量市场(2023-01-09)
、铁电存储器、磁性存储器和阻变存储器在内的非易失性作为打破传统架构限制的新型存储器（non-volatile RAM），普遍认为在新增市场和新应用中面临机遇。而其中FeRAM是一种理想的存储器，在计......
瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求，FeRAM发力智能物联时代增量市(2023-01-13)
、铁电存储器、磁性存储器和阻变存储器在内的非易失性作为打破传统架构限制的新型存储器（non-volatile RAM），普遍认为在新增市场和新应用中面临机遇。而其中FeRAM是一种理想的存储器，在计......
瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求，FeRAM以独特性能发力智能物联时代增量市场(2023-01-09 10:36)
、铁电存储器、磁性存储器和阻变存储器在内的非易失性作为打破传统架构限制的新型存储器（non-volatile RAM），普遍认为在新增市场和新应用中面临机遇。而其中FeRAM是一种理想的存储器，在计......
瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求，FeRAM以独特性能发力智能物联时代增量市场(2023-01-09)
、铁电存储器、磁性存储器和阻变存储器在内的非易失性作为打破传统架构限制的新型存储器（non-volatile RAM），普遍认为在新增市场和新应用中面临机遇。而其中FeRAM是一种理想的存储器，在计......
瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求，FeRAM以独特性能发力智能物联(2023-01-09)
、铁电存储器、磁性存储器和阻变存储器在内的非易失性作为打破传统架构限制的新型存储器（non-volatile RAM），普遍认为在新增市场和新应用中面临机遇。而其中FeRAM是一种理想的存储器，在计......
瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求，FeRAM以独特性能发力智能物联时代增量市场(2023-01-09)
来源：YOLE)
业界将相变存储器、铁电存储器、磁性存储器和阻变存储器在内的非易失性作为打破传统架构限制的新型存储器(non-volatile RAM)，普遍认为在新增市场和新应用中面临机遇。而其......
AI计算时代,25年工龄的RRAM渐入佳境(2023-02-14)
和计算，消除了数据访存带来的延迟和功耗，是真正意义上的存算一体。
另外，传统存储器所具有的易失性、微缩性差等问题可以被新型非易失性存储器很好地解决。RRAM在AI大算......
并行接口铁电RAM（F-RAM）非易失性存储器。这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员，其特点是具有出色的可靠性和耐用性，在85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年，并且能以总线速度进行随机存取和全存储器......
在 STM32F7x0 超值系列和 STM32H750超值系列微控制器上执行外部存储器代码(2023-02-07)
用程序支持两种执行方式：
支持芯片内执行（支持 XiP）
支持 BootROM
用户必须通过修改 memory.h 头文件来选择匹配需求的配置。
3.1 支持芯片内执行（XiP）
XiP 模型基于直接从用于代码存储的外部非易失性存储器......
英飞凌推出第二代高可靠非易失性SRAM(2021-04-01)
的高可靠性工业用器件证明了我们致力于为需要高性能、高可靠性存储器的恶劣工作环境提供解决方案。”
英飞凌的nvSRAM技术将高性能SRAM与一流的SONOS非易失性技术相结合。在正常工作条件下，nvSRAM的作......
英飞凌推出第二代高可靠非易失性SRAM(2021-04-01)
的高可靠性工业用器件证明了我们致力于为需要高性能、高可靠性存储器的恶劣工作环境提供解决方案。”
英飞凌的nvSRAM技术将高性能SRAM与一流的SONOS非易失性技术相结合。在正常工作条件下，nvSRAM的作......
Fujitsu推出运行温度达125摄氏度的汽车级I2C接口512Kbit FeRAM(2023-08-08)
Fujitsu推出运行温度达125摄氏度的汽车级I2C接口512Kbit FeRAM;
【导读】MB85RC512LY是一款存储密度为512Kbit的非易失性存储器，在1.7V至1.95V......
意法半导体非易失性存储器取得突破，率先在业界推出串行页EEPROM(2022-07-01)
意法半导体非易失性存储器取得突破，率先在业界推出串行页EEPROM;依托在串行EEPROM技术领域的积累和沉淀，意法半导体率先业界推出了串行页EEPROM （Serial Page EEPROM......
意法半导体非易失性存储器取得突破，率先在业界推出串行页EEPROM(2022-07-01)
意法半导体非易失性存储器取得突破，率先在业界推出串行页EEPROM;依托在串行EEPROM技术领域的积累和沉淀，意法半导体率先业界推出了串行页EEPROM （Serial Page EEPROM......
台积电英飞凌强强联合，新型存储RRAM发展如何？(2022-12-02)
Random Access Memory，ReRAM或RRAM）逐渐受到市场重视。
近日，英飞凌官方消息称，其下一代Aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器，特别是电阻式随机存取存储器......
台积电英飞凌强强联合，新型存储RRAM发展如何？(2022-12-04)
Random Access Memory，ReRAM或）逐渐受到市场重视。本文引用地址：近日，官方消息称，其下一代Aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器，特别是电阻式随机存取存储器（），而不......
国产铁电存储器PB85RS2MC助力车载电子控制系统优化升级(2024-05-06)
国产铁电存储器PB85RS2MC助力车载电子控制系统优化升级;新能源汽车的核心技术是大家熟知的动力电池、电池管理系统和整车控制单元。车载电子控制系统对于存取各类传感器资料的需求持续增加，因此对于高性能非易失性存储......
中芯国际出样40nm工艺的ReRAM意义何在？(2017-01-17)
光联合研发的3D XPoint，是基于PCM相变存储技术，也被称为是新一代存储芯片，而ReRAM更是颇具代表性的新型非易失性存储器。
ReRAM为何物
虽然ReRAM的名字中带RAM，但其实是像NAND......
Synopsys全新DesignWare中等容量非易失性存储器（NVM）IP使芯片成本降低多达25%;Synopsys日前宣布：其全新DesignWare®中等容量非易失性存储器（NVM）IP产品......
国产铁电存储器PB85RS2MC助力汽车安全气囊系统提供智能(2023-09-14)
信息。鉴于在严重的事故中，系统很有可能掉电，因此都需要非易失性存储器。
安全气囊应用中最常选用带有串行外设接口(SPI)的非易失性存储器 (FRAM)。国产铁电存储器PB85RS2MC刚好......
九种计算机内存类型(2024-01-25)
的设计速度令人难以置信，因此它的价格也很昂贵，并且存储容量较小，而单个辅助存储设备的大小可以达到 TB，而且价格仍然合理。
易失性内存和非易失性内存之间的差异
易失性存储器需要电力来维持存储的信息。当计......
Mb和2 Mb并行接口铁电RAM（F-RAM）非易失性存储器。这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员，其特点是具有出色的可靠性和耐用性，在85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年，并且能以总线速度进行随机存取和全存储器......
Mb和2 Mb并行接口铁电RAM（F-RAM）非易失性存储器。这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员，其特点是具有出色的可靠性和耐用性，在85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年，并且能以总线速度进行随机存取和全存储器......
英飞凌推出业界首款抗辐射1 Mb和2 Mb并行接口铁电RAM F-RAM(2024-07-16)
2 Mb并行接口铁电RAM（F-RAM）非易失性存储器。这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员，其特点是具有出色的可靠性和耐用性，在85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年，并且能以总线速度进行随机存取和全存储器......
赛普拉斯半导体推出一款具有四个串行外设接口的1Mb非易失性静态随机存取存储器(2015-08-04)
Quad SPI nvSRAM具有在掉电时保护数据安全的能力，其数据吞吐量可媲美并行器件，并且尺寸更小，功耗更低。”
赛普拉斯的nvSRAM系采用其SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式非易失性存储器......
国产铁电存储器PB52RS2MC在车载电子控制系统中的应用(2024-03-22)
PB85RS2MC在数据保持上，不仅不需要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比，具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。
由于......
昕原半导体完成近亿美元Pre-A轮融资 28nm制程ReRAM芯片实现量产(2021-04-06)
资本、元禾谷风等基金。
据报道，昕原半导体专注于ReRAM存储领域，是一家集核心技术、工艺制程、芯片设计、IP授权和生产服务于一体的新型IDM公司。该公司的核心产品覆盖高工艺嵌入式存储、高密度非易失性存储......
华虹半导体科创板IPO获批，2022年其功率器件及嵌入式非易失性存储器业务占比超62%(2023-05-18)
华虹半导体科创板IPO获批，2022年其功率器件及嵌入式非易失性存储器业务占比超62%; 2023年5月17日，上交所官网发布信息显示，华虹半导体有限公司(以下简称华虹半导体或华虹)科创板IPO......
Fujitsu推出运行温度达125摄氏度的汽车级I2C接口512Kbit FeRAM(2023-08-08 09:45)
/device/i2c-512k-mb85rc512ly.htmlMB85RC512LY是一款存储密度为512Kbit的非易失性存储器，在1.7V至1.95V的低电源电压下工作。工作电流极低，例如......
Fujitsu推出运行温度达125摄氏度的汽车级I2C接口512Kbit FeRAM(2023-08-08 09:45)
/device/i2c-512k-mb85rc512ly.htmlMB85RC512LY是一款存储密度为512Kbit的非易失性存储器，在1.7V至1.95V的低电源电压下工作。工作电流极低，例如......
铁电存储器PB85RS2MC在汽车ADAS中可以起到关键型功能(2023-09-28)
写入速度缓慢可能导致关键传感器数据丢失，致使了解事故原因所需的数据消于无形。
先进的新型铁电存储器性能要求可靠性更高，功耗低且比当前NVM解决方案速度更快；拍字节铁电存储器PB85RS2MC是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储......
国芯思辰 |铁电存储器PB85RS2MC在汽车ADAS中可以起到关键型功能(2024-06-19)
需要很长的数据写入时间。
PB85RS2MC是一颗非易失性存储器，数据保持：10年@85℃（200年@25℃）；它的工作环境温度范围是-40℃至85℃，工作电压为2.7V至3.6V，待机功耗仅有7μA，可以......
全球存储市场上半年规模同比增长97.7%(2024-09-09)
全球存储市场上半年规模同比增长97.7%;
【导读】专业存储市场调研机构CFM闪存市场近日发布的数据显示，2024年二季度全球NANDFlash（非易失性存储器）市场规模环比增长18.6......
富士通推出业界最高密度4 Mbit ReRAM量产产品(2016-11-08)
品为富士通半导体与松下电器半导体（注2）合作开发的首款ReRAM存储器产品。
ReRAM是基于电阻式随机存取的一种非易失性存储器，此产品可将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身，同时......
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;深圳飞思瑞克科技;;深圳市飞思瑞克科技有限公司，是一家专业致力于存储器IC的研发，生产和销售合作商。多年来通过团队共同努力和执着追求，我们已成为生产非易失性存储产品EEPROM芯片（24CXX系列
;深圳市飞思瑞克有限公司;;深圳市飞思瑞克科技有限公司专业致力于存储器IC的研发、生产和销售。多年来，通过团队共同努力和执著的追求，我们已成为生产非易失性存储器产品EEPROM芯片（24CXX 系列
;深圳飞思瑞克有限公司;;深圳市飞思瑞克科技有限公司专业致力于存储器IC的研发、生产和销售。多年来，通过团队共同努力和执著的追求，我们已成为生产非易失性存储器产品EEPROM芯片（24CXX 系列
等诸多类型高能效电源解决方案供应。 国半（NSC）美国国家半导体公司的电源管理，放大器，接口及LVDS LED照明，音频，时钟及定时，温度传感器等系列产品。 爱特梅尔产品涵盖了先进的逻辑器件、非易失性存储器
;深圳市飞思瑞克科技有限公司销售部;;深圳市飞思瑞克科技有限公司专业致力于存储器IC的研发、生产和销售。多年来，通过团队共同努力和执著的追求，我们已成为生产非易失性存储器产品EEPROM芯片
;深圳市飞思瑞克科技有限公司成都分公司;;深圳市飞思瑞克科技有限公司专业致力于存储器IC的研发、生产和销售。多年来，通过团队共同努力和执著的追求，我们已成为生产非易失性存储器产品EEPROM芯片
ramtron;铁电;;Ramtron公司总部设在美国科罗拉多州Colorado Springs市，是全球领先的非易失性铁电半导体的供应商。Ramtron产品包括串行和并行铁电随机存储器（F-RAM