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高产高纯制备半导体性单壁碳纳米管实现突破;具有特定导电属性的单壁碳纳米管（SWCNTs）可控制备，是未来纳米电子器件应用的迫切需求。然而，要实现半导体性单壁碳纳米管（s-SWCNTs）纯度......
管的可控制备。 该成果为大规模选择性生长高纯度半导体性单壁碳纳米管提供了有效手段和新思路，为半导体性单壁碳纳米管在纳米电子器件、信息......
特点及选型原则的示意图，结合被测纳米材料或纳米电子器件的类型及测试要点，选择最适合的SMU。4200 – SCS 几乎适用于全部种类的纳米材料的测试，当然，某些特殊的源表更适合一些特殊的应用。 纳米线/碳纳米管及电子器件......
）。C3N的成功合成弥补了石墨烯无带隙的重大缺憾，为碳基纳米材料在微电子器件的应用提供了新的选择，并引起了广泛关注。然而，相比于目前研究已经比较成熟的石墨烯，C3N的研究起步较晚，该材......
基于石墨烯的纳米电子平台问世; 石墨烯器件生长在碳化硅衬底芯片上。图片来源：佐治亚理工学院 纳米电子学领域的一个紧迫任务是寻找一种可替代硅的材料。美国佐治亚理工学院研究人员开发了一种新的基于石墨烯的纳米电子......
量的触点可以大量生产，从而产生各种新型纳米电子、光电和量子器件。因此，谁知道呢，锗和 SiGe 可能还会有另一个机会与基础硅和其他专业工艺技术一起大放异彩。 另一方面，众所周知，从实......
打破摩尔定律有望！1 纳米电晶体已出现？; 半导体行业观察台积电共同CEO刘德音先前在出席活动时才透露，目前......
打破摩尔定律有望！1 纳米电晶体已出现？; 半导体行业观察台积电共同CEO刘德音先前在出席活动时才透露，目前......
知识以及 IISc 中可用的专业知识。我们的目标还包括通过研究生级别的培训计划加强能力建设，为学生提供行业实习机会，并鼓励年轻研究人员创业，”Sowrirajan 表示“我们很高兴能与三星半导体印度研究院在先进纳米电子......
创造“芯”世界，了解您所不知道的微纳电子器件; 微纳电子技术做为信息技术的基石，推动了无线通信技术不断向前发展。随着亚纳米时代的到来，器件小型化的不断发展和集成度的不断提高，传统的硅基半导体器件......
不稳定性阻碍了相关领域的深入发展。21日，中国科学院深圳先进技术研究院发布最新科研成果：研究人员开发出一种基于双连续纳米分散网络的BIND界面，只需要按压10秒钟，即可实现柔性电子器件“乐高式”高效稳定组装。相关......
研究将名为多层六方氮化硼的二维绝缘材料（约6纳米厚），集成到包含由互补金属—氧化物半导体技术制成的硅晶体管的微芯片内，实现了优异的集成密度、电子性能和良品率。研究人员表示，研制出的器件宽度仅260纳米，能用于高级和计算。未来大多数微芯片将会利用这些优异的电子......
研究有望帮助微芯片制造商和人工智能公司开发新硬件，以减少数据处理时间并降低能耗。 研究人员强调，最新研究对纳米电子和半导体领域来说具有重要意义，因为所生产的器件和电路性能优异，且具有深远的工业应用潜力。 ......
人员强调，最新研究对纳米电子和半导体领域来说具有重要意义，因为所生产的器件和电路性能优异，且具有深远的工业应用潜力。 封面图片来源：拍信网......
答辩，2023达摩院青橙奖15人获奖名单产生，并获得“青橙学者”称号。他们平均年龄仅有33岁，却在各自领域有前沿的探索突破，并获得广泛的国际认可，覆盖了硅基光电子、纳米电子器件、细胞重编程、胚胎......
研究人员在自旋电子器件制造工艺方面获新突破，或成半导体芯片行业新标准;据美国明尼苏达大学官网消息，近日，美国明尼苏达大学的研究人员与国家标准与技术研究院 (NIST) 的联合团队一起开发了一种制造自旋电子器件......
存储技术提出了越来越严格的要求。磁性半导体作为一类新的自旋电子材料，具有同步实现逻辑运算、信息处理和存储的潜力。 因此，低维磁性半导体已成为纳米级自旋电子器件构建的必然趋势，旨在使器件尺寸最小化，实现......
IBM 展示专为液氮冷却优化的纳米片晶体管原型，性能可较室温翻倍;12 月 25 日消息，在今年 12 月初旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议（IEDM）上，IBM 研究......
IBM 展示专为液氮冷却优化的纳米片晶体管原型，性能可较室温翻倍;在今年 12 月初旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议（IEDM）上，IBM 研究人员展示了首款专为液氮冷却优化的先进 CMOS......
矛，中国科学院院士。现任北京大学电子学院院长、北京大学碳基电子学研究中心主任。主要从事电子显微学和碳基纳米电子学研究。在电子显微学领域，发展了可以精确处理一般材料体系反射和透射电子衍射、弹性和非弹性电子......
设计理论基础、光电子器件及集成技术、宽禁带半导体、电子器件、射频电路关键技术、多功能与高效能集成电路等。 量子材料与器件 围绕量子材料制备、物性研究和器件物理中的基础性重大科学前沿问题，重点......
自旋电子器件制造工艺获新突破，或成半导体芯片行业新标准;美国明尼苏达双城大学研究人员和国家标准与技术研究院（NIST）的联合团队开发了一种制造自旋电子器件的突破性工艺，该工......
设计理论基础、光电子器件及集成技术、宽禁带半导体、电子器件、射频电路关键技术、多功能与高效能集成电路等。 量子材料与器件 围绕量子材料制备、物性研究和器件物理中的基础性重大科学前沿问题，重点......
一条通往未来高性能计算系统的可行道路。美国联邦政府其他的支持工作还包括：半导体技术先进研究网络，安全与可靠的网络空间计划中的“安全、可信、保障和弹性的半导体系统”项目，2020 及未来纳米电子器件发展计划，以及节能计算：从设......
目前工业界和学术界晶体管栅极长度微缩的发展情况，本研究率先达到了亚1纳米 纽约州立大学布法罗分校纳米电子学家李华民对此评价道：这项新工作将栅极的尺寸极限进一步缩小到仅一层碳原子的厚度，在相......
相当于只用一个集成系统模块，就可以承担整个系统的功能，好比不同军种组合成一个集团军，以完成多样化任务。 器件结构革新 开发量子器件、单电子器件、石墨烯器件、仿生类脑器件等。 晶体管是集成电路的核心器件......
倍的能效提升。 据了解，记忆电阻器是继电阻、电容、电感之后的第四种电路基本元件，可以在断电之后，仍能“记忆”通过的电荷，被当做新型纳米电子突触器件。 ......
，还有三星SDS公司执行长及三星电子副董事长等。 研究人员指出，利用纳米电极阵列拷贝人类大脑神经网络，之后将拷贝图像黏贴到内存上，建构成高密度3D网络。论文......
管栅长逐步微缩，本工作实现了亚1纳米栅长的晶体管 学术界在极短栅长晶体管方面做出了探索。2012年，日本产业技术综合研究所在国际电子器件大会（IEDM）报道了基于绝缘衬底上硅实现V形的......
所需的两种类型的晶体管堆叠在一起的结构。在本周的旧金山IEEE国际电子器件大会上，、和台积电展示了他们在晶体管下一次演变方面取得的进展。本文引用地址：芯片公司正在从自2011年以来使用的FinFET器件结构过渡到纳米......
首个可变形纳米级电子设备制成，有望改变量子科学研究方式;一般而言，智能手机等设备内的纳米电子部件是坚固的静态设备，一旦被设计和制造出来，就无法变形。但美国物理学家报告称，他们研制出了一种新的纳米......
基于石墨烯的纳米电子平台问世，可与传统的微电子制造兼容;IT之家 12 月 23 日消息，随着芯片制造行业工艺微缩这条路逐渐走到尽头，学领域急需找出一种硅的替代材料，而大......
成果发表在《科学》（Science）上。 记忆电阻器可以在断电之后，仍能“记忆”通过的电荷，因而其被当做新型纳米电子突触器件。 据媒体报道，吴华强、高滨聚焦忆阻器存算一体技术研究，探索......
我国科研团队成功揭示层状铁电半导体的电子传输机制;信息爆炸的时代，数据计算和存储电子器件愈加追求轻量化、高性能、低能耗。近年来，层状铁电半导体因兼具超薄半导体的小尺寸特点，以及......
信息产业园，其中启动区半导体科技园，占地2355亩。 “两区”是三龙湾南海片区的南海IC设计产业先行区、狮山的南海纳米电子产业先行区。 IC设计产业先行区已由国资投资建设了占地150亩、总建......
英特尔在可扩展硅基量子处理器领域取得突破，向量子实用性更进一步;英特尔在《自然》杂志上发表的研究展示了单电子控制下高保真度和均匀性的量子比特。 英特尔在《自然》杂志发表题为《检测300毫米自旋量子比特晶圆上的单电子器件......
IBM展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS晶体管;在2023年12月早些时候的IEEE国际电子器件会议（IEDM）上展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS。纳米......
IBM展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS晶体管;IBM在2023年12月早些时候的IEEE国际电子器件会议（IEDM）上展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS晶体管。纳米......
产生的无用热量更少，”GaTech研究员Walter de Heer说。原则上，与使用硅相比，在单个石墨烯芯片上可以封装更多的组件。该技术还与传统的微电子制造兼容，这是任何可行的硅替代品的要求。 为了创建新的纳米电子......
设备和计算机计算效率的方法——一种新的光辐射源。 研究者表示，“研究人员创造了一种新的光辐射源。其尺寸与纳米电子学中使用的紧凑型芯片相当，但特性使得它可以多倍加速微电路内的信息传输。” 研究......
ADP5092数据手册和产品信息;The ADP5091/ADP5092是一款智能集成式能量采集纳米电源管理解决方案，可转换来自PV电池或热电发生器(TEG)的直流电源。该器件可对储能元件（如可......
智能眼镜的配件)，带火了这一概念。柔灵科技开发的柔性神经交互手环为全球第一条全柔性纳米电子芯片，主要利用基于肌电信号采集解码的3D手势识别技术，以肌电手环的产品形态，为AR、VR、元宇......
与 14、16 纳米制程相比较，7 纳米电晶体密度提高两倍，芯片运算效能可增加三成，将成为晶圆代工厂未来最高端制程。 不过，相对于台积电、三星循序渐进，先在 10 纳米练功，格罗方德选择跳过，直接......
团队通过设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。 据了解，基于垂直架构的二维纳米电子学器件，已经......
属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。 据了解，基于垂直架构的二维纳米电子学器件，已经......
确定在美国成立子公司。 据悉，该企业是2019年从纳米电子研究中心IMEC分拆而来独立部门。其CEO Sean·Lord表示，大多数目标客户都位于美国西部或亚洲，所以......
卫星只使用冰和电就能产生所需推力。 随着电子器件的不断小型化，轨道发射能力的不断提高，小型卫星正在迅猛发展。然而，在小型卫星发展的进程中，必须缩小的不仅仅是电子器件，推进器和其它稳定性装置的尺寸也必须按比例缩小。虽然......
人员制备了高密度（约47000个/cm2）印刷晶体管阵列。该界面捕获效应打印策略可应用于其他2D材料，包括NbSe2、Bi2Se3和黑磷，为印刷二维材料电子器件提供了新方法和新思路。  相关......
无需半导体材料的电子器件问世; 美国麻省理工学院团队在电子制造领域取得一项重要进展：他们利用全3D打印技术，制作出了不需要半导体材料的有源电子设备器件。这一突破性研究发表在新一期《虚拟......
-28纳米显示驱动芯片、55纳米CMOS图像传感器芯片、90纳米电源管理芯片、110纳米微控制器芯片及28纳米逻辑芯片。产品应用覆盖消费电子、车用电子及工业控制等市场领域。 晶合......

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