资讯
使用jlink直接烧norflash或者nandflash不借助uboot的猜想(2024-08-01)
作，并且通过指定命令文件支持批量指令输入，那么首先jlink是可以直接访问内部存储器的，包括它的RAM和各种Soc上外设如存储控制器，串口配置寄存器等，但是不能直接访问外部存储器，如Norflash。这样......
OK6410内存及启动流程(2024-07-19)
OK6410内存及启动流程;一、内存 只是从大体上介绍，并没有涉及寄存器的操作 6410的系统资源为：256MB DDR 、2GB NANDFlash 如下图所示：
ROM是只读存储器，RAM是随机存储器......
全球存储市场上半年规模同比增长97.7%(2024-09-09)
全球存储市场上半年规模同比增长97.7%;
【导读】专业存储市场调研机构CFM闪存市场近日发布的数据显示，2024年二季度全球NANDFlash（非易失性存储器）市场规模环比增长18.6......
s3c2440裸机-nandflash编程（二. nand控制器和nand访问时序）(2023-08-02)
电启动时，NAND Flash 控制器将通过下面的引脚配置来获取连接的 NAND Flash 的信息。
NCON：NAND Flash 存储器选择（普通/先进）
0：普通 NAND Flash（256......
基于CAN总线的运动控制系统设计(2023-04-03)
器，主要功能是将CAN控制器的逻辑电平转换为CAN总线的差分电平，并具有隔离功能（DC2500 V）、ESD保护功能及TVS管防总线过压功能。 LPC2294具有外部存储器控制器（EMC），通过......
三、编写 s3c24x0 的 bootloader——重定位（一）(2024-08-26)
寄存器需要设置 MODE（NAND Flash 控制器运行模式），要使能 nandflash；Reg_nCE（NAND Flash 存储器的 nFCE 信号控制），我们是引导期间，所以要使能片选；InitECC......
s3c2440 nandflash 初始化(2024-07-22)
改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。
flash闪存是非易失存储器......
flash控制器包含了如下的特性：
l一个引导启动单元
lNand Flash存储器接口，支持8位或16位的每页大小为256字，512字节，1K字和2K字节的Nand flash
l软件模式：用户......
嵌入式学习之Nand Flash(2024-08-30)
嵌入式学习之Nand Flash;Nand Flash是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand Flash存储器......
十、S3C2440 开发资源(2023-07-11)
启动固化程序，判断启动方式：USB，NANDFLASH，SD card 等
10.4 存储器比较
10.4.1 内存
SDRAM：静态内存，特点就是容量小、价格高，优点是不需要软件初始化直接上电就能用
DRAM......
基于STM32的新型电力数据采集系统的设计与实现(2023-09-26)
程时间为200μs。STM32的静态存储器控制器FSMC可以把外部存储器划分为固定大小为256M字节的4个存储块，其中存储块2和3可用于访问NANDFLASH设备，本电力数据采集系统利用FSMC的存储块2连接......
三星转移DRAM产能给CMOS，有机会带动DRAM调涨(2021-01-08)
月发生台湾中坜厂的停电事故，已经引起了DRAM存储器的波动，尤其是在伺服器DRAM方面。另SK海力士在收购了英特尔的NANDFlash部门，斥资了90亿美元之后，预估也暂时无法对DRAM存储器......
基于LabVIEW开发平台实现多通道数据测试系统的应用方案(2023-06-02)
统的硬件结构为基于Nandflash技术的存储测试子系统。Nandflash是一种非易失性存储器，具有体积小、功耗小、读写速度快等优点。本文采用三星公司的Nandflash芯片K9F4GOSUOA作为主要存储器件，控制......
S3c2440处理器中nor flash启动和nand flash启动问题(2023-01-31)
某些工艺因素的影响,nandflash生产过程中就可能出现坏块,另外,nandflash在多次擦写中也可能出现坏块,所以这也决定了nand不可能实现直接运行代码,只能做存储器的功能,以下是nandflash电路(TQ2440......
西部数据将拆分NANDFlash部门与铠侠合并，完成后或登市场龙头(2023-07-17)
议的内容主要是分拆西部数据的NAND Flash快闪存储器部门，然后进一步与铠侠合并。之后，西部数据的股东将控制合并后新公司约略超过一半的股权。不过，当前相关讯息仍在保密中。
报导指出，两家......
SK海力士展示300层NANDFlash，最快2024年问世(2023-03-21)
SK海力士展示300层NANDFlash，最快2024年问世;SK海力士表示，新3D NAND Flash快闪存储器预定两年内上市，有望打破纪录。
据tomshardware报道，SK海力......
韩媒：韩国半导体产业正逐渐失去竞争力(2021-05-12)
%下跌至2020年41.7%。NANDFlash快闪存储器市场，由于美光科技正考虑收购日本厂商铠侠（Kioxia），并购一旦完成，不但可能动摇三星的龙头地位，还可能导致三星利润下滑。
尽管......
搭建S3C6410开发板的测试环境(2024-09-19)
OpenGL ES 1.1/ 2.0和D3DM API 能实现4M triangles/s的3D加速。 S3C6410包括优化的外部存储器接口，该接口能满足在高端通信服务中的数据带宽要求。
安装......
中国大陆存储器产业崛起，韩国产业如临大敌(2016-11-23)
超过4成。
预料大陆记忆体市场当前发展的4大主力，将由长江存储（负责3D NANDFlash、DRAM生产）、武汉新芯（负责NOR Flash、逻辑代工）担纲重任，而福建晋华存储器项目、合肥市存储器......
s3c2440裸机-nandflash编程（一. nandflash原理及结构简介）(2023-08-09)
平表示操作还在进行中，高电平表示操作完成）
2.nandflash内部存储结构
nandflash内部存储结构如下：
我们常见的Nand Flash，内部只有一个chip，每个chip只有一个plane......
s3c2440裸机-nandflash编程-1-nandflash原理及结构简介(2024-07-04)
平表示操作还在进行中，高电平表示操作完成）
##2.nandflash内部存储结构
nandflash内部存储结构如下：
我们常见的Nand Flash，内部只有一个chip，每个......
s3c2440对nandflash的操作1(2024-08-30)
s3c2440对nandflash的操作1;nandflash在对大容量的数据存储中发挥着重要的作用。相对于norflash，它具有一些优势，但它的一个劣势是很容易产生坏块，因此......
担忧大陆DRAM崛起，三大厂商全力围堵(2016-12-26)
将决战2018年，抢当大陆DRAM产业龙头。
尽管大陆布局自制3D NANDFlash雏形渐现，长江存储将与已购并飞索（Spansion）的赛普拉斯（Cypress）合作，切入32层和64层3DNAND......
EEPROM 和 flash 这样讲，早就懂了！(2024-04-26)
Memory。是相对于紫外擦除的rom来讲的。但是今天已经存在多种的变种，变成了一类存储器的统称。
狭义的EEPROM：
这种rom的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1......
东芯股份回应19nm闪存进度及3D NAND研发问题(2022-08-24)
NAND闪存研发问题，东芯股份表示，公司目前聚焦于中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售，暂不涉及3DNAND业务。
车规级芯片方面，东芯股份称，车规级存储器......
一、编写 s3c24x0 的 bootloader——介绍、看门狗及时钟设置(2024-08-26)
源的选择如下：
FCLK，HCLK 和 PCLK
FCLK 是提供给 ARM920T 的时钟。
HCLK 是提供给用于 ARM920T，存储器控制器，中断控制器，LCD 控制器，DMA 和 USB 主机模块的 AHB......
基于LPC3000系列芯片的TK-Scope仿真／烧录存储器的启动方法分析(2023-03-06)
基于LPC3000系列芯片的TK-Scope仿真／烧录存储器的启动方法分析;在ARM9内核的开发中，烧录和仿真BootLoader程序一直是研发工程师头痛的事情。原因是没有高效的BootLoader......
STM32与FPGA通信中FSMC操作实例(2024-08-08)
优势
①支持多种静态存储器类型。STM32通过FSMC可以与SRAM、ROM、PSRAM、NORFlash和NANDFlash存储器的引脚直接相连。
②支持丰富的存储操作方法。FSMC不仅......
基于FPGA和STM32的FSMC通信(2024-01-18)
基于FPGA和STM32的FSMC通信;1、FSMC简介：FSMC即灵活的静态存储控制器，FSMC管理1GB空间，拥有4个Bank连接外部存储器，每个Bank有独立的片选信号和独立的时序配置；支持的存储器......
EEPROM和Flash这样讲，我早就懂了(2023-02-01)
EEPROM和Flash这样讲，我早就懂了;存储器分为两大类：RAM和ROM，本文主要讨论ROM。。ROM最初不能编程，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活。
后来出现了PROM，可以......
SD NAND 的 SDIO在STM32上的应用详解(上篇）(2024-03-22)
等多媒体文件都可以方便地保存到SD卡中。因此不少数码相机也开始支持SD卡。
SD卡采用的是采用了NandFlash存储器，稍后解释NandFlash与NorFlash的区别。
1.卡容量
标准容量 SD 卡，支持......
深度解读S3C2410A的嵌入式系统的U－Boot移植(2023-02-27)
两大部分，Stage 1中主要包括设备初始化、中断设置、时钟设置和存储器初始化等工作，并且采用汇编语言实现，而一些通用功能大多采用C语言实现，放在Stage 2中。
2 U-Boot的启......
基于FPGA的NAND Flash的分区续存的功能设计实现(2023-08-19)
数据会写覆盖之前的数据，无法实现数据的续存，使得NAND Flash使用起来十分不便；而且数据反复地从零地址开始存储，造成NAND Flash存储器的使用上的不均衡，影响其寿命[1]。
本文提出了一种基于的NAND......
国芯科技：高性能高安全边缘计算芯片新产品“CCP1080T”内部测试成功(2023-03-21 15:05)
令可重构的方式实现各种常见的分组和哈希算法。CCP1080T芯片支持安全启动，符合国密安全处理器相关的标准。同时，CCP1080T带有高性能DDR4存储器接口，8通道高性能Serdes接口可以复用成多个PCIE3.0接口、多个......
s3c2440 SDRAM(2024-08-21)
。
图1 S3C2440存储器BANK
如图所示，左侧对应不使用Nandflash启动时（通过跳线设置），存储器Bank分布图，通常在这种启动方式里选择Norflash启动，将Norflash焊接......
S3C2440存储系统-SDRAM驱动(2024-08-21)
介质：
（1）NOR FLASH（2M）：ROM存储器，通常用来保存BootLoader，引导系统启动
（2）NAND FLASH（256M，型号不一样，Nandflash大小不一样）：保存......
S3C2440 SDRAM驱动配置编程(2024-06-06)
选中外接设备， S3C2440通过8根选信号线和27根地址线，就可以访问1GB。如图2-48所示。
图2-48 S3C2440存储器BANK
如图所示，左侧图对应不使用Nandflash启动时(通过跳线设置)，存储器......
linux驱动系列之arm汇编(2023-07-21)
空间有一个大致的了解。我做实验主要用的是2440，下面也就2440进行说明。在2440中我们一般使用三种存储设备：SDRAM、Nandflash、Norflash。这三个存储设备相对于我们平常的PC就是......
基于FPGA的NAND FLASH坏块表的设计与实现(2022-12-21)
地址为2 048的存储的数据值。若值为0xFF，则该部分为好块；若值不为0xFF，则该部分为坏块。NANDFLASH 流程如图3所示。
2.2 坏块表的设计思路
根据FPGA 的应用特点，本次NAND......
u-boot-2015.04 在tq2440上的移植（使用spl引导u-boot）(2023-06-26)
, =CONFIG_UBOOT_MTD_ADDR /*u-boot镜像在NandFlash中存储地址*/ ldr r1, =CONFIG_SYS_TEXT_BASE......
s3c2440——Nandflash(2023-09-12)
s3c2440——Nandflash;简介：
Nandflash与计算机的硬盘类似，用于保存系统运行所必须的操作系统、用户数据、运行过程等各类数据。并且在Nandflash中的......
硅晶圆将涨价！SUMCO：增产8英寸产品、惟仍供不应求(2021-05-12)
，本季期间12英寸逻辑用硅晶圆需求扩大、供需将更趋紧绷，在存储器用12英寸产品部分，继DRAM之后、NANDFlash也出现回复动向；在8英寸以下硅晶圆部分，除车用/民生用之外、产业用需求也回复，虽藉......
STM32入门学习笔记之TFTLCD显示实验1(2024-04-07)
FSMC简介
FSMC，即灵活的静态存储控制器，能够与同步或异步存储器和16位PC存储器卡连接，STM32F1的FSMC接口支持包括SRAM、NANDFLASH、NOR FLASH和PSRAM等存储器......
电能质量监测记录分析仪硬件设计方案(2024-06-26)
分为以下四部分：
①NANDFLASH选用三星K9F1G08U0D，连接到微控制器FSMC的BANK2，具有128MB大容量存储空间，用于存储图片、系统参数和各种事件，当系统缺失SD卡时也用于电量记录。
②SD卡采......
关于s3c6410的SD卡启动(2024-09-13)
介质中启动，nandflash, sd卡，sdhc卡，OneNand, MoviNand.... BL1和BL2存储于这些存储介质中。这里我主要关注sd和sdhc卡.
(2) BL0在加载BL1前已......
u-boot-2011.06在基于s3c2440开发板的移植之nandflash启动(2024-06-07)
u-boot-2011.06在基于s3c2440开发板的移植之nandflash启动;由于价格的原因，相对于norflash，nandflash对于存储大容量的数据来说更具有优势。但是......
基于DMA的高速数据闪存阵列的设计方案(2024-07-23)
号。
3.2 DMA实现流水线操作流程
K9NBG08U5A对有效数据的存储操作包括加载阶段和编程阶段，编程阶段期间，FPGA不能对FLASH进行操作，因此对于单片F L A S H存储器而言，编程......
在国家大基金推动下，国内存储器公司的状况展望(2016-11-17)
在国家大基金推动下，国内存储器公司的状况展望;
自从政府的大基金成立以来，特别是在宣传口径上突出了国内一年进口存储器花费的外汇储备已经超过了进口石油所需的金额后，国内的本地公司都在存储器......
Uboot S3C2440 BL1 的流程(2024-07-18)
初始化
取消存储保护区
简单初始化NandFlash
disable ADB
返回
设置堆栈
判断......
SK海力士抢攻晶圆代工市场，会是笔好生意吗？(2016-10-27)
以外业务。
今年第三季为止，DRAM 和NANDFlash 各占SK 海力士总体销售比重的69%、28%，非存储部门仅占3%。
之前，SK 海力士12 吋晶圆厂只生产存储......
相关企业
BGA...)本公司在存储器元器件方面备有大量现货，价格最具优势，欢迎查询 地址：深圳华强佳和大厦2A036 电话：0755-83234885 手机：13723438951
;深圳市琴芯电子有限公司;;联系QQ:2303721985;半导体 无线和射频半导体 PIN 二极管 无线和射频集成电路 射频晶体管 分立半导体 二极管与整流器 分立半导体模块 晶体管 晶闸管 存储器
;深圳市英尚微电子有限公司;;我司是韩国EMLSI和美国Everspin半导体中国区指定代理. 公司主要产品有： 1,Low power SRAM （低功耗静态随机存储器）1Mbit~8Mbit
;上海英芯电子科技有限公司;;英尚国际有限公司(Ramsun International Limited),是一家专业从 事随机存储器、程序存储器芯片市场推广及销售；公司拥有较为专业的市 场服
;新生活科技有限公司;;代理美国Microsemi存储器（WEDC）、继电器、压力传感器、Sullins连接器、台湾巨景CHIPSIP存储器
;存储器;;
IC（MTK.高通.字库.CPU.FLASH.中频.功放.电源.蓝牙等）、电脑IC（南北桥.声卡显卡网卡.内存.CPU）、以及其它各类冷门IC、各种存储器(RAM随机存储器、SRAM静态随机存储器
经营的种类有：汽车IC、通讯IC、手机IC（MTK.高通.字库.CPU.FLASH.中频.功放.电源.蓝牙等）、电脑IC（南北桥.声卡显卡网卡.内存.CPU）、以及其它各类冷门IC、各种存储器(RAM
;鑫焱;;我司是以世界知名品牌的电子元器件及IC集成电路做销售,..产品广泛为单片机/编程/储存器IC/通讯/等.长期提供单片机常用的存储器电路,一般为EPROM存储器(全
;沈平安;;存储器专营