重定位之前，要将 flash 初始化，flash 的初始化分为 norflash 和 nandflash，norflash 不用初始化，所以不用做任何操作

3.1 nandflash 初始化

在 nandflash 初始化之前，需要设置栈：

1     /** 6. 重定位：把 bootloader 本身的代码从flash 复制到它的链接地址中 */

2     /** copy_code_to_sdram 用 C语言写，需要先设置栈 */

3     ldr sp, =0x34000000     /** 栈指向 SDRAM 的顶端 */

进入初始化：

1     bl nand_init

nandflash 初始化需要注意两个内容，一个是 s3c2440 手册的第 6 章 nandflash 控制器，一个是 nandflash 的芯片手册。

3.1.1 寄存器 NFCONF

要注意两个寄存器，是初始化需要操作的：

 注意图中标记的三个寄存器参数，这三个参数与 nandflash 控制器的时序有关：

发出 CLE/ALE 之后，一个写信号 nWE 需要多久变为低电平，nWE 变为低电平后，CLE/ALE 又需要保存多长时间才能变为低电平。

nWE 中的低电平为 /WE 中的 twp 处位置，为写信号的脉冲宽度，最小为 12 ns，最小值都是通过 nandflash 手册得到的，如下：

HCLK * (TWRPH0 + 1)  >= 12ns

自己设置的时钟FCLK（CPU主频是 400MHZ），分频比是 FCLK: HCLK: PCLK = 1：4：8，那么 HCLK 是100MHZ，即为10ns；则 10 * （TWRPH0 + 1） >= 12，TWRPH0 >= 0.2，那么 TWRPH0 可以设置为 1。

发出 CLE 和 ALE 之后，过多少时间才能发出写信号？time = tcls - twp >= 0，这里说明 CLE 信号和 WE 信号可以同时发出，那么可以将 TACLS 时间设置为 0，即发出 CLE 后，立即发出写信号。

TWRPH1 表示写信号变为高电平之后，CLE 和 ALE 还需要维持多长时间，从 nandflash 时序图和手册，可以知道 tclh >= 5ns，则 10 * （TWRPH1 + 1） >= 5，则 TWRPH1 >= 0。

3.1.2 寄存器 NFCONT

这个寄存器需要设置 MODE（NAND Flash 控制器运行模式），要使能 nandflash；Reg_nCE（NAND Flash 存储器的 nFCE 信号控制），我们是引导期间，所以要使能片选；InitECC，虽然在引导期间不会使用 ECC，但是也要进行 ECC 初始化。

3.1.3 初始化代码

 1 void nand_init(void)

 2 {

 3 #define TACLS       0

 4 #define TWRPH0      1

 5 #define TWRPH1      0

 6 

 7     /** 设置时序 */

 8     NFCONF = (TACLS << 12) | (TWRPH0 << 8) | (TWRPH1 << 4);

 9     /** 使能 NND Flash 控制器, 初始化 ECC, 禁止片选 */

10     NFCONT = (1 << 4) | (1 << 1) | (1 << 0);

11 }