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SPI存储器的结构特点及在自动测试仪上实现测试的方法研究(2023-01-03)
进行访问，其中以SPI 接口的芯片最多，主要包括EEPROM、FLASH memory、FRAM等类型。与并行存储器相比，串行存储器引脚少、体积小、易于扩展、与单片机或控制器连接简单、工作可靠，而且......
用原子态瞬时切换取代了EEPROM技术中的捕获电荷至程序位。F-RAM本身不受软错误、磁场或辐射效应影响，且无需软件来管理页面边界。其接近无限的耐用性（1013个写入周期）意味着不需要损耗均衡。
该并行存储器采用44引线......
中的捕获电荷至程序位。F-RAM本身不受软错误、磁场或辐射效应影响，且无需软件来管理页面边界。其接近无限的耐用性（1013个写入周期）意味着不需要损耗均衡。该并行存储器采用44引线陶瓷TSOP封装......
中的捕获电荷至程序位。F-RAM本身不受软错误、磁场或辐射效应影响，且无需软件来管理页面边界。其接近无限的耐用性（1013个写入周期）意味着不需要损耗均衡。该并行存储器采用44引线陶瓷TSOP封装......
英飞凌推出业界首款抗辐射1 Mb和2 Mb并行接口铁电RAM F-RAM(2024-07-16)
着不需要损耗均衡。
该并行存储器采用44引线陶瓷TSOP封装并且通过QML-V认证，具有出色的抗辐射性能：
–TID：>150 Krad（硅......
Microchip推出容量更大、速度更快的串行 SRAM产品线(2024-03-29)
于最大限度地减少整个电路板的尺寸。
2 Mb和4 Mb串行SRAM 器件解决了串行SRAM最常见的缺点——并行比串行存储器快，通过可选的四通道SPI(每个时钟周期 4 位)，将总线速度提高到143 MHz，大大缩小了串行和并行......
Microchip推出容量更大、速度更快的串行SRAM产品线(2024-03-29)
总线，只需要4-6 个MCU I/O 引脚即可轻松集成。这减少了对更昂贵、高引脚数MCU的需求，有助于最大限度地减少整个电路板的尺寸。
2 Mb和4 Mb 器件解决了串行SRAM最常见的缺点——并行比串行存储器......
Microchip推出容量更大、速度更快的串行 SRAM产品线(2024-03-29)
引脚即可轻松集成。这减少了对更昂贵、高引脚数MCU的需求，有助于最大限度地减少整个电路板的尺寸。
2 Mb和4 Mb串行SRAM 器件解决了串行SRAM最常见的缺点——并行比串行存储器快，通过......
Microchip推出容量更大、速度更快的串行 SRAM产品线(2024-03-29 15:13)
引脚即可轻松集成。这减少了对更昂贵、高引脚数MCU的需求，有助于最大限度地减少整个电路板的尺寸。2 Mb和4 Mb串行SRAM 器件解决了串行SRAM最常见的缺点——并行比串行存储器快，通过......
Microchip推出容量更大、速度更快的串行 SRAM产品线(2024-03-29 15:13)
引脚即可轻松集成。这减少了对更昂贵、高引脚数MCU的需求，有助于最大限度地减少整个电路板的尺寸。2 Mb和4 Mb串行SRAM 器件解决了串行SRAM最常见的缺点——并行比串行存储器快，通过......
英飞凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON F－RAM非易失性存储器已开始批量供货(2022-11-23)
凌的EXCELON F-RAM是新一代铁电存取存储器。新产品具有超低功耗模式与高速接口，以及即时非易失性和无限次数的读/写周期，并以此成为业界功耗极低的任务关键型非易失性存储器。串行存储器的读写性能与采用并行......
英飞凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON F－RAM非易失性存储器已开始批量供货(2022-11-23 09:52)
凌的EXCELON F-RAM是新一代铁电存取存储器。新产品具有超低功耗模式与高速接口，以及即时非易失性和无限次数的读/写周期，并以此成为业界功耗极低的任务关键型非易失性存储器。串行存储器的读写性能与采用并行......
Microchip推出容量更大、速度更快的串行 SRAM产品线(2024-04-09)
即可轻松集成。这减少了对更昂贵、高引脚数MCU的需求，有助于最大限度地减少整个电路板的尺寸。
2 Mb和4 Mb串行SRAM 器件解决了串行SRAM最常见的缺点——并行比串行存储器......
Microchip推出用于数据中心计算的新型CXL智能存储控制器，助力现代CPU优化应用工作负载(2022-08-03)
Microchip推出用于数据中心计算的新型CXL智能存储控制器，助力现代CPU优化应用工作负载;受处理器增加存储通道的限制，来自人工智能（AI）和机器学习（ML）工作负载、云计算和部署于传统并行连接存储器......
Microchip推出用于数据中心计算的新型CXL智能存储控制器，助力现代CPU优化应用工作负载(2022-08-03)
Microchip推出用于数据中心计算的新型CXL智能存储控制器，助力现代CPU优化应用工作负载;受处理器增加存储通道的限制，来自人工智能（AI）和机器学习（ML）工作负载、云计算和部署于传统并行连接存储器......
英飞凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON F－RAM非易失性存储器已开始批量供货(2022-11-23)
想选择。”
英飞凌的EXCELON F-RAM是新一代铁电存取存储器。新产品具有超低功耗模式与高速接口，以及即时非易失性和无限次数的读/写周期，并以此成为业界功耗极低的任务关键型非易失性存储器。串行存储器的读写性能与采用并行......
MAX72044B数据手册和产品信息(2024-11-11 09:18:57)
本地控制和扩展器或厂商特有的机箱管理功能
片上跟踪缓冲器
内部ECC保护用户数据SRAM
标准EJTAG处理器调试接口
软件兼容于其它Maxim机箱管理处理器
两种工作模式，用于外部程序存储器：并行存储器......
东芝推出TXZ+族高级系列新款M4N组Arm Cortex－M4微控制器(2021-10-19)
M4N组产品用串行存储器接口强化通信功能，除UART、FUART、TSPI和I2C外，还支持Quad／Octal SPI、音频接口（I2S）以及外部总线接口。此外，这些器件能够为各个外围电路分配独立DMA......
东芝推出TXZ+族高级系列新款M4N组Arm Cortex－M4微控制器(2021-10-19)
M4N组产品用串行存储器接口强化通信功能，除UART、FUART、TSPI和I2C外，还支持Quad／Octal SPI、音频接口（I2S）以及外部总线接口。此外，这些器件能够为各个外围电路分配独立DMA......
台积电、高通两大半导体巨头试水存储赛道？(2024-08-23)
指令和数据。
存储器的一种流行格式是低功率双倍数据速率(LPDDR)同步动态随机存取存储器(SDRAM)标准。JEDEC是LPDDR的标准制定主体并且已经发布了该标准的各种版本，其中......
AT89C51与AT89S51有何不同_AT89C51与AT89S51的区别(2023-03-07)
管脚被外部拉低，将输出电流。这是由于内部上拉的缘故。P2口当用于外部程序存储器或16位地址外部数据存储器进行存取时，P2口输出地址的高八位。在给出地址“1”时，它利用内部上拉优势，当对外部八位地址数据存储器......
Microchip推出4 Mb串行EEPROM存储器25CSM04(2020-08-26)
EEPROM器件受MPLABÒ串行存储器产品入门工具包支持。该工具包含有串行存储器接口板、串行EEPROM入门软件包、USB电缆、包含MPLAB X的集成开发环境的光盘、Total Endurance™软件......
基于LPC2104的汽车行使记录仪(2023-03-07)
较齐全且能扩展的汽车行驶记录仪。 本记录仪采用带ARM7内核的LPC2104型CPU作为主控机，大容量闪速存储器作为存储载体，带有精确的时钟电路，利用高精度A/D转换器采集汽车传感器转换的模拟量，并直......
51单片机存储器内存的讲解(2023-09-04)
51单片机存储器内存的讲解; 51单片机当中的存储器从功能性上来划分可以分为程序存储器与数据存储器。一般来说单片机存储器的存储空间是能够进行存储空间拓展的，但是如何进行拓展则需要根据不同的存储器......
基于CPLD控制器和AD9283芯片实现车距报警器的设计(2023-05-30)
。双端口 RAM作为一种特殊的RAM芯片，在高速数据采集处理系统中得到广泛的应用。它具有两个独立的端口，各自均有一套独立的数据总线、地址总线和控制总线，允许两个端口独立地对存储器中的任何单元进行存......
浅析非对称双核MCU基础知识及核间通信(2023-03-20)
连接一条单独的总线，而并非没有分块。如若不然，则会出现两个核竞争使用同一块RAM的情况——性能反而还不如只用单个内核！进一步，LPC4350还有两条总线连接到外部扩展的并行和串行存储器，故总共有6个独立的存储器......
ST 4Mbit EEPROM存储芯片，让小型设备也能处理更多用户数据(2019-11-25)
界公认的最大的串行EEPROM芯片厂商，串行存储器广泛用于消费、工业和汽车相关设备系统，我们将继续推动技术创新。市场上首款4Mbit EEPROM器件是采用我们自己的CMOS技术生产，该技......
最大神经形态计算机研制成功(2024-04-19)
数据方式的计算机能提高人工智能（AI）模型的效率和能力。
科学家对神经形态计算机寄予厚望，因为这种计算机使用人工神经元执行存储和计算功能。这使数据无需在各组件之间来回穿梭，从而获得更高的能源效率。
英特尔公司声称，Hala......
FinFET晶体管尺寸的量化一直是主要挑战，并迫使高密度6T(2022-12-22)
Memory,DRAM)
而言的。后者由于存储位元是基于电容器的电荷量进行存储，电荷量会随着时间和温度的变化而减少，因此需要定期刷新来保持原有的记忆信息。但无论是SRAM还是DRAM，都属于易失性存储器，在断......
华天南京公司成功导入长鑫存储、金泰克两大重点客户(2021-07-20)
华天科技(南京)有限公司集成电路先进封测产业基地，华天南京公司通过引进国外先进设备，进行存储器、人工智能等集成电路产品的封装测试。
资料显示，华天科技主要从事半导体集成电路封装测试业务，产品......
清华大学交叉信息研究院段路明课题组实现量子存储器增强的非局域图态制备(2022-03-01)
清华大学交叉信息研究院段路明课题组实现量子存储器增强的非局域图态制备;近日，清华大学交叉信息研究院段路明研究组在量子信息领域取得重要进展，首次在实验上利用量子存储器实现高效制备非局域图态，展示了量子存储器......
在 STM32F7x0 超值系列和 STM32H750超值系列微控制器上执行外部存储器代码(2023-02-07)
BootROM，可用于外部存储器代码执行。
XiP 用例旨在从外部闪存（QSPI 或 FMC-NOR 闪存）“芯片内执行”。用户应用程序代码应链接到目标执行存储器地址（外部 QSPI 或 FMC-NOR 闪存......
第8章 单片机系统扩展设计(2024-08-09)
第8章 单片机系统扩展设计;系统接口扩展技术
存储器扩展技术
输入输出（I/O）和中断扩展技术
MCS-51单片机并行接口基本方法
单片机与片外并行器件接口设计有两个任务：硬件......
基于DMA的高速数据闪存阵列的设计方案(2024-07-23)
结构
数据存储系统结构如图1所示，包括以下3个部分：
(1)FPGA,数据存储系统的核心，集成度高，功耗低，内部嵌有总线结构灵活，并行处理能力强的软处理器核MICROBLAZE,并有......
ARM64体系结构编程与实践学习笔记（九） 高速缓存介绍(2022-12-09)
某一单元时，计算机硬件就自动地将包括该单元在内的那一组单元内容调入高速缓冲存储器，中央处理器即将存取的主存储器单元很可能就在刚刚调入到高速缓冲存储器的那一组单元内。于是，中央处理器就可以直接对高速缓冲存储器进行存......
PLC的基础知识(2023-03-07)
通信接口送来的程序和信息，并将它们存入存储器;
② 采用循环检测(即扫描检测)方式不断检测输入接口送来的状态信息，以判断输入设备的状态;
③ 逐条运行存储器中的程序，并进行各种运算，再将运算结果存储......
基于接口芯片8255的扩展方法解析(2024-02-27)
方式称为统一编址，8051就是采用的这种方式。
下面我们介绍一下接口芯片8255。
8255是一个并行接口扩展芯片。它有一个8位的待扩展并行接口D0-D7，三个扩展后的8位并行接口PA，PB，PC。四个存储器，PA......
51单片机学习笔记(2024-08-13)
进制数后面用H作后缀，或0X、0x作前缀。
PROM(Programmable ROM): 可编程（烧写）只读存储器，内容断电可以维持。内容的存储过程称为固化、烧录、烧写。烧写（一次性）时需......
浪潮发布高性能分布式存储平台AS15000G7，加速AI产业化变革(2023-09-01 10:21)
AS15000G7平台，助力AIGC在金融、教育、医疗等领域突破海量多元异构数据存力瓶颈，加速释放数据价值。
极致性能，加速AI大模型训练。AS15000G7采用高吞吐并行存储......
基于89C51时钟电路的设计与制作(2023-03-07)
AT24C16）中，AT24C16是ATMEL公司生产的电擦电写串行存储器，容量是2K字节。一周的闹钟程序被编成7页，一天一页，每一页占256个字节，AT24C16中剩下的256个字节留备用。
每条......
抗疲劳材料出现，存储器无限次数擦写有望实现(2024-06-07)
抗疲劳材料出现，存储器无限次数擦写有望实现;铁电材料是一种常见的功能材料，因其晶体正负电荷中心不重合，产生电偶极矩，从而具有自发电极化的性质，并能够被外场所调控。然而，以商用最广的锆钛酸铅（PZT......
基于AT89C52单片机实现并行打印接口数据采集系统的应用方案(2023-09-27)
它可以实现数据打印功能，但这些数据无法用文件存储到WINDOWS操作系统的管理PC机中，因此不便于对这些数据进行统计和分析，严重影响了管理效率。为此，需要对这些设备进行功能扩充，使之能够按要求对所需数据进行存储......
51单片机管脚说明文档(2022-12-12)
脚被内部上拉电阻拉高，且作为输入。并因此作为输入时，P2口的管脚被外部拉低，将输出电流。这是由于内部上拉的缘故。P2口，用于外部程序存储器或16位地址外部数据存储器进行存取时，P2口输出地址的高八位。在给出地址“1......
Microchip推出64兆位串行SuperFlash®存储器，满足恶劣的航天系统设计环境(2022-04-25)
FPGA配合使用。与Microchip的并行SuperFlash存储器一样，串行SuperFlash产品也可用作FPGA和其他Microchip解决方案的配置存储器，比如基于arm® Cortex®......
基于Z扫描测量系统的软硬件电路的设计(2023-06-13)
机通过缓冲器读取锁存器的数据，并将数据编码。
（3）数据传输部分，经编码后的数据传送给PC机，由PC机进行存储、打印、绘图等操作。
2 硬件电路
测量系统采用ATMEL公司的AT89C52作为控制器，由信......
佰维荣获“2020年度电子元器件行业优秀国产品牌企业”(2021-05-06)
、信创存储、嵌入式存储和消费类存储的全维度覆盖。近年来，佰维客户结构不断优化，成功进入国内外顶级客户供应链，并在车载电子、智能终端、智能家居、智能穿戴等细分领域占据重要市场份额，为多个行业头部客户独家供应存储器......
基于C8051F040多路浸水时刻记录电路模块化设计(2024-01-11)
测试铝铬合金材料在不同温度的多组时间信息。
1 系统硬件结构
基于C8051F040多路浸水时刻记录电路硬件部分由6个主要模块组成：浸水传感器、信号电平转换电路、达接斯时钟模块、串行存储器M25P80模块、单片......
STC12C5A60S2引脚详解(2024-01-15)
输入时，P2口的管脚电位被外部拉低，将输出电流，这是由于内部上拉的缘故。P2口当用于外部程序存储器或16位地址外部数据存储器进行存取时，P2口输出地址的高八位。在给出地址“1”时，它利用内部上拉的优势，当对外部八位地址数据存储器......
日本东北强震，对半导体相关生产初步判定暂无碍｜TrendForce集邦咨询(2022-03-18)
或半导体业者则有部分进行机台检查中，整体并无造成太大影响。
存储器方面，铠侠K1 Fab震度达5级，地震发生当时造成线上wafer部分受损，目前K1 Fab已经停机进行检查，而先前K1 Fab在污......
应用笔记|如何使用 STM32U575/585 微控制器的 GPDMA(2024-09-25)
）
• STM32U585xx 数据手册（DS13086）
• STM32U575xx 数据手册（DS13737）
2.GPDMA 通用指南
2.1GPDMA 概述
在减载 CPU 的控制下，GPDMA 控制器通过链表执行存储器......
相关企业
ramtron;铁电;;Ramtron公司总部设在美国科罗拉多州Colorado Springs市，是全球领先的非易失性铁电半导体的供应商。Ramtron产品包括串行和并行铁电随机存储器（F-RAM
;深圳市琴芯电子有限公司;;联系QQ:2303721985;半导体 无线和射频半导体 PIN 二极管 无线和射频集成电路 射频晶体管 分立半导体 二极管与整流器 分立半导体模块 晶体管 晶闸管 存储器
;深圳市英尚微电子有限公司;;我司是韩国EMLSI和美国Everspin半导体中国区指定代理. 公司主要产品有： 1,Low power SRAM （低功耗静态随机存储器）1Mbit~8Mbit
;上海英芯电子科技有限公司;;英尚国际有限公司(Ramsun International Limited),是一家专业从 事随机存储器、程序存储器芯片市场推广及销售；公司拥有较为专业的市 场服
;新生活科技有限公司;;代理美国Microsemi存储器（WEDC）、继电器、压力传感器、Sullins连接器、台湾巨景CHIPSIP存储器
的打进了国内市场。并以广州为中转站，重点服务华南地区。公司还为客户提供中港两地交货，以及协助客户加快货物进口报关速度。 公司专门销售集成电路存储器，静态存储器（SRAM）、电可擦写随机存储器（EEPROM）、智能
ARTSCHIP等系列产品。 主要产品包括：电源调整管理芯片、微处理器监控芯片、串口芯片、音频系统芯片、非易失性存储器、通用运算放大器以及比较器、总线串行存储器以及显卡驱动芯片等。 系列
ARTSCHIP等系列产品。 主要产品包括：电源调整管理芯片、微处理器监控芯片、串口芯片、音频系统芯片、非易失性存储器、通用运算放大器以及比较器、总线串行存储器以及显卡驱动芯片等。 系列
;存储器;;
IC（MTK.高通.字库.CPU.FLASH.中频.功放.电源.蓝牙等）、电脑IC（南北桥.声卡显卡网卡.内存.CPU）、以及其它各类冷门IC、各种存储器(RAM随机存储器、SRAM静态随机存储器