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浮接(floating)。 好了，ESD的原理和测试部分就讲到这里了，下面接着讲Process和设计上的factor随着摩尔定律的进一步缩小，器件尺寸越来越小，结深越来越浅，GOX越来越薄，所以静电击穿......
摩尔定律的进一步缩小，器件尺寸越来越小，结深越来越浅，GOX越来越薄，所以静电击穿越来越容易，而且在Advance制程里面，Silicide引入也会让静电击穿变得更加尖锐，所以几乎所有的芯片设计都要克服静电击穿......
的比较详细。 下拉电阻的作用有两个： A. 防止在静电作用下，电荷没有释放回路，容易引起静电击穿； B. MOS管在开关状态工作时，就是不断的给Cgs充放电，当断开电源时，Cgs内部......
这个二极管决定了源极和漏极，这样，封装也就固定了，便于实用。 我的老师年轻时用过不带二极管的mos管，非常容易被静电击穿，平时要放在铁质罐子里，它的源极和漏极就是随便接。 解释5：金属氧化物膜 图中有指示，这个膜是绝缘的，用来......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？; mos 管可能会遭受与其他功率器件相同的故障，例如过电压（半导体的雪崩击穿）、过电流（键合线或者衬底熔化）、过热（半导......
可能使引线复原。电解时银电极上的银离子不仅迁移到陶瓷电容的介质表面，还扩散到介质内部，导致漏电流增大，严重时两个银电极短路，导致陶瓷电容击穿失效，对陶瓷电容造成损伤，陶瓷......
体三极管的耐压VCEO随管温度升高是逐步下降，这就形成了管温继续上升、耐压继续下降最终导致晶体三极管的击穿，这是一种导致电视机开关电源管和行输出管损坏率占95%的破环性的热电击穿现象，也称为二次击穿现象......
温度升高是逐步下降，这就形成了管温继续上升、耐压继续下降最终导致晶体三极管的击穿，这是一种导致电视机开关电源管和行输出管损坏率占95%的破环性的热电击穿现象，也称为二次击穿现象。MOS管具......
率远高于同规格的硅基MOSFET，而栅氧是导致碳化硅失效一个特别重要也特别常见的失效现象，主要失效类型包括低势垒导致的隧穿加剧、陷阱造成的TAT的加剧以及工艺制程中带来的外部缺陷。 因此，SiC......
，这是一种导致电视机开关电源管和行输出管损坏率占95%的破环性的热电击穿现象，也称为二次击穿现象。MOS管具有和普通晶体三极管相反的温度～电流特性，即当管温度（或环......
半导体器件击穿机理分析及设计注意事项;在日常的电源设计中，半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题，本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制，以及......
觉仅会令人不快；但对于一些电子组件，遇上静电放电(ESD)可能意味着完全失效。半导体结构越微小，模拟和数字I/O引脚的阻抗越高，便越容易受到静电放电(ESD)的影响。可能的后果包括p/n结的热击穿、氧化物击穿......
MOS的雪崩击穿(过电压)(2024-12-09 11:48:24)
MOS的雪崩击穿(过电压); 什么是雪崩击穿？ MOSFET在电源板上由于母线电压、漏感尖峰电压等系统电压叠加在MOSFET漏源之间，当该......
备安全标准。 TH9110/TH9110A系列除了基本的交流、直流、绝缘电阻测试外，还增加了崩溃电压测试功能，可分析产品的击穿点电压，满足特定客户对产品高压可靠性检测的要求；同时具有开短路检测功能，解决......
时， 沿固体绝缘子表面放电的现象 。前面我们谈到的保持电气间隙，是为了防止通过气隙放电，也就是说保持爬电距离是为了防止另外一种区别于空气击穿的高压绝缘失效。 实验表明： 沿固体介质表面的闪络电压不但要比同体介质本身的击穿......
冷却和夹紧用的轴向导槽等电机制造和运行原因引起的不对称，产生交链转轴的交变磁通，在电机轴两端产生电位差。这种交流轴电压一般不会超过10V，但具有较大的能量。如果不采取有效措施，轴电压经过轴承系统形成一个回路，将产生很大的轴电流，导致电机的轴承系统发生电击穿。 ......
浅谈因电迁移引发的半导体失效;前言本文引用地址：半导体产品老化是一个自然现象，在电子应用中，基于环境、自然等因素，半导体在经过一段时间连续工作之后，其功能会逐渐丧失，这被称为功能失效。半导体功能失效......
有可能造成功率管遭受过高的di/dt而引起误导通。为避免上述现象的发生，通常在MOS驱动器的输出与MOS管的栅极之间串联一个电阻(R509)，电阻的大小一般选取几十欧姆。该电阻可以减缓Rds从无穷大到Rds(on)(一般......
MOSFET在汽车电子上的应用;过去15到20年间，在汽车电子领域中，MOS管的应用已经很广泛了，汽车用功率MOSFET已从最初的技术话题发展到蓬勃的商业领域。选用功率MOSFET是因为其能够耐受汽车电子系统中常遇到的掉载和系统能量突变等引起的瞬态高压现象......
有陶瓷气体放电管和半导体过压保护器的优点：绝缘电阻高（≥10^8Ω）、极间电容小（≤0.8pF）、放电电流较大（最大达3kA）、双向对称性、反应速度快（不存在冲击击穿的滞后现象）、性能稳定可靠、导通后电压较低，此外还有直流击穿......
电阻高（≥10^8Ω）、极间电容小（≤0.8pF）、放电电流较大（最大达3kA）、双向对称性、反应速度快（不存在冲击击穿的滞后现象）、性能稳定可靠、导通后电压较低，此外还有直流击穿电压高（最高......
了一个标准的电压要求。 （2）没有雪崩击穿 没有雪崩击穿，一旦击穿，就是永久性的，类似于电容里面的介质击穿。对于650V的器件而言，如果是硅MOS管，一般实际击穿电压大约在750V左右（设计裕量10......
机理及寿命预估研究更少 。而实际上，对于工作在极限性能状态或耐高温环境下的中小型电机，由于其极限应用，永磁电机的电磁负荷设计高，电机绝缘老化速度较常规电机会加快，也存在绕组绝缘老化被击穿失效导致电机烧毁等问题。 此外......
放大系数β，极间反向电流，(集电极最大允许电流，集电极最大允许耗散功率，反向击穿电压=3个重要极限参数决定BJT工作在安全区域)。 14、因J-FET的Rgs很高，在使用时首先应注意无静电操作，否则很容易发生栅极击穿......
极最大允许耗散功率，反向击穿电压=3个重要极限参数决定 BJT 工作在安全区域）。 14、因 J-FET 的 Rgs 很高，在使用时首先应注意无静电操作，否则很容易发生栅极击穿......
在安全区域）。 14、因J-FET的Rgs很高，在使用时首先应注意无静电操作，否则很容易发生栅极击穿；另外就是在设计电路时应仔细考虑各极限参数，不能超出范围。将J-FET......
因J-FET的Rgs很高，在使用时首先应注意无静电操作，否则很容易发生栅极击穿；另外就是在设计电路时应仔细考虑各极限参数，不能超出范围。将J-FET当做......
线容易受力断开。 焊接点脱落：线端焊接不良，导致容易出现脱焊、虚焊现象。 图6 连接线断开 图7 焊接点脱落 1.4 灯不亮类分析 发光二极管其中一个失效后，整体所有灯均存在不良现象，属于......
管并联到电路中。二极管要考虑导通电流和反向耐压等参数 3.桥式整流电路 看好电路图的 电源和负载的两端接哪 4.MOS管防反接（用得......
: 描述失效现象,报告地点,报告失效率,相关的批号或辨别号,受影响的品质,受影响的客户等详细细节 第二......
控制器用红外接收头的失效分析与研究;　　摘 要：控制器使用红外接收头在实际应用中出现失效，故障现象表现为接收距离短，不接收等。经分析主要为器件制造、过电、设计等多方面原因导致。本文......
语音模块播报出现噪音异常。 3 语音模块音频输出改善意义 本文结合失效现象，对语音模块音频输出噪音的失效原因及失效机理分析，分析结果表明语音模块在设计初期试验设计评估不足，在后续使用时出现运行故障，即播报出现沙沙声异常现象......
语音模块播报出现噪音异常。 4   语音模块音频输出改善意义 本文结合失效现象，对语音模块音频输出噪音的失效原因及失效机理分析，分析结果表明语音模块在设计初期试验设计评估不足，在后......
了故障的谜团。 故障现象 经放大电路板可以看到线路一些管脚被损坏，这是典型的静电浪涌现象。 如：蓝牙音响会不读USB卡、放歌声音嘈杂、插电重启、电池不供电等 故障分析 其实......
强调产品的可持续发展属性，这与电池的转换效率、生产能耗和物料消耗息息相关。新电池技术的涌现带来新的失效现象，例如LETID、PID和UV导致的衰减、电池标准的不断完善为行业对电池质量的控制和评估提供了更多依据。在这......
测试机是否合适，是否会有问题，科普一个名词叫ESD尾波(Trailing pulse)如图(1)，其主要原因是水银继电器在高压切换的过程中会产生离子化并在开关完全闭合前产生跳火现象如图(2)，这就产生了当静电......
障芯片装配到正常线控器上故障复现，测试芯片46 脚对地短路，芯片开封发现46 脚处有明显灼伤痕迹，判断为EOS 导致。IC 抗静电实验结果显示A 厂家抗静电能力人体模式最高5 000 V，机械模式最高2 000 V，失效......
电容器顶部分瓣开裂，接线柱严重锈蚀，盖板变形、脱落，这些都说明电解电容器已损坏。用万用表测量开路或短路，容量明显减小，漏电严重。 电解电容的损坏、失效有以下几种情况： 1）电解电容内部的短、断路损坏，故障现象......
氧化层厚度：栅极氧化层的厚度影响栅极电容，进而影响开关速度和Rdson。较薄的栅极氧化物可以提高开关速度，但也可能增加栅极漏电流，并增加氧化层击穿失效的风险。 3.    栅极设计：栅极设计影响栅极电阻，进而......
影响开关速度和Rdson。较薄的栅极氧化物可以提高开关速度，但也可能增加栅极漏电流，并增加氧化层击穿失效的风险。 3. 栅极设计：栅极设计影响栅极电阻，进而影响开关速度和Rdson。较低......
始维修之前，确保安全是至关重要的一步。 电路板上可能存在残留电压，直接接触可能会造成电击危险。 因此，断开......
力，而且避免了封接过程中的电击穿，减少了装置的封接失效。但实际操作繁琐，无法满足大规模生产的需要。因此，针对上述问题，本文研究了一种高效便捷的传感器封接方法。采用第2 种方......
假MOS害人！出口美国7000多台设备被要求全部召回...;国际电子商情讯 电子行业因假冒元器件而导致的损失每年估计超过50亿美元，随着全球芯片缺货现象的加剧，高额利润更让造假者们趋之若鹜。 随着8......
反馈胶囊电路板1.2V与GND网络短路,导致电池耗电极快。我们根据客户的局部电路图和失效现象,进行故障定位,确认为瓷片电容失效。对失效瓷片电容进行剖面分析,发现瓷片电容从焊盘延45°角开裂,属于典型机械应力失效......
短路,导致电池耗电极快。我们根据客户的局部电路图和失效现象,进行故障定位,确认为瓷片电容失效。对失效瓷片电容进行剖面分析,发现瓷片电容从焊盘延45°角开裂,属于典型机械应力失效形貌。最后,建议......
国内产品在技术指标上存在的问题主要是高温(150℃)漏电大以及电磁辐射EMI难解决;产品质量上存在的问题主要是老化考核后产品击穿电压(BV)跌落，可靠性难以符合工业要求等问题。瑞森半导体高压MOS系列......
能耗和物料消耗息息相关。新电池技术的涌现带来新的失效现象，例如LETID、PID和UV导致的衰减、电池标准的不断完善为行业对电池质量的控制和评估提供了更多依据。在这样的背景下，市场......
的电压可能导致电子设备和元器件过热，进而损坏或烧毁。例如，电容、二极管和集成电路等对电压变化非常敏感。②绝缘击穿：过压可能导致电缆和设备的绝缘材料击穿。这种击穿会引发短路，导致设备失效或产生火灾风险。③电弧......
选择上， 要选用高耐ESD的器件；静电保护器件在选择时需要考虑其容性，避免不合适的容性导致其所保护信号线的信号本身的失效； 5、器件......
成分测试 铜环和过孔沉铜点发暗，不论是失效的电容、电阻还是其它器件都存在大面积氧化腐蚀，对失效样品上残留氧化物进行检测发现硫元素含量很高，占到 15.306%，见图 2 所示。因此，从失效现象......

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