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开尔文温标是国际单位制（SI）中的主要温度单位。一开尔文被正式定义为纯水（H2O）三相点热力学温度的1/273.16。开尔文度的大小与摄氏度的大小相同。正负1摄氏度的变化与正负1开尔文的变化相同。开尔文刻度不同于更熟悉的摄氏度或摄氏度刻度，因为没有低于零开尔文的数字。0 K的温度表示绝对零，相当于-273.15摄氏度。在标准地球大气海平面压力下，水在0摄氏度或+273.15 K结冰，在+100摄氏度（+373.15 K）沸腾。开尔文以威廉·汤姆森·开尔文（William Thomson kelvin）命名，他于1848年提出了开尔文。开尔文温标是国际单位制（SI）中的主要温度单位。一开尔文被正式定义为纯水（H2O）三相点热力学温度的1/273.16。开尔文度的大小与摄氏度的大小相同。正负1摄氏度的变化与正负1开尔文的变化相同。开尔文刻度不同于更熟悉的摄氏度或摄氏度刻度，因为没有低于零开尔文的数字。0 K的温度表示绝对零，相当于-273.15摄氏度。在标准地球大气海平面压力下，水在0摄氏度或+273.15 K结冰，在+100摄氏度（+373.15 K）沸腾。开尔文是以威廉·汤姆森·开尔文（William Thomson kelvin）的名字命名的，他于1848年提出了开尔文。

延伸阅读

资讯

度）的温度下捕获和存储光子；该存储器也能从存储在电子上的光子中获取信息，将其交换到硅核，而且存储时间增加了约1000倍，长达2秒。最新设备处理本地量子信息的准确率高达99%。 新量子存储器能在4开尔文温度......
的函数关系 这里的T1和T2指的是开尔文温度，Rt 是热敏电阻在T1温度下的阻值，R是热敏电阻在T2标称温度下的标称阻值，B值是热敏电阻的材料常数。 利用该公式进行变换，就可以求解出温度......
TT Electronics公司为拥有AEC－Q200认证的电流感测电阻器系列产品添加新成员，推出SMT开尔文分流电阻器; TT Electronics公司......
皮书将重点讨论其中的一些重要注意事项。 HEMT GaN 和 NCP51820 封装说明 大多数 GaNFET 封装包含一个专用源极开尔文返回引脚，如图 1 中的“SK”所示，其作......
）  EZShunt 产品还消除了开尔文连接的布局复杂性（如图 3 所示），因为它们要么将分流器从内部连接到输入，要么在外部引脚上诠释分流器的开尔文连接。   图 3：展示了开尔文连接引脚 SH+ 和......
）  EZShunt 产品还消除了开尔文连接的布局复杂性（如图 3 所示），因为它们要么将分流器从内部连接到输入，要么在外部引脚上诠释分流器的开尔文连接。 图3 展示了开尔文连接引脚SH+和SH–的INA780......
子的电阻值较低。 开尔文端子与端子 2 开尔文（端子4）结构有两个好处：提高电流测量的可重复性和 TCR 性能。凹槽结构减少了测量中的电路内铜含量。表 2 说明了开尔文端接的 WSK2512 与 2 端子......
在低温和室温下的运行方式不同。最近研究人员分别在室温和 4.2 开尔文温度下，在 40nm 和 160nm 为主体的 CMOS 器件上测量了 CMOS 晶体管性能（以及相关的电流-电压特性）（如图1所示）。由于在这些温度......
） EZShunt 产品还消除了开尔文连接的布局复杂性（如图 3 所示），因为它们要么将分流器从内部连接到输入，要么在外部引脚上诠释分流器的开尔文连接。 图 3：展示了开尔文连接引脚 SH+ 和 SH– 的......
Kelvin 探针为标准阵列和晶圆级设备的量产测试提供一流的性能;史密斯英特康是全球领先的关键半导体测试应用创新解决方案的供应商，其最新推出的创新且稳健的Kelvin(开尔文)弹簧探针技术，适用......
电压模式R－2R DAC的工作原理和特性;首先，我们将简要回顾一下开尔文分压器DAC。这种结构很简单，但它们需要大量的电阻和开关来实现高分辨率DAC。这个问题的一个解决方案是称为R-2R DAC的......
我们简单介绍过氮化镓的设计策略概要，本文将为大家重点说明利用 NCP51820 设计高性能 半桥栅极驱动电路必须考虑的 设计注意事项。本文引用地址： 本设计文档其余部分引用的布线示例将使用含有源极开尔文......
引用地址： 新产品是东芝产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品，其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，有助于减少封装内源极线电感的影响，从而提高高速开关性能。与东芝目前采用3引脚......
列中五款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，十款产品于今日开始批量出货。   新产品是东芝碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品，其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文......
Metal Strip®检流电阻---WSK1206。电阻采用开尔文四端子连接，使TCR降低至35ppm，实现了0.1%的严格公差，从而提高测量精度。Vishay Dale WSK1206具有......
5.4nC的总栅极电荷和低寄生电容确保晶体管具有最小的导通/关断能量损耗。开尔文源极引脚可以优化栅极驱动。除了减小电源和适配器的尺寸和重量外，两款新晶体管还能实现更高的能效、更低的工作温度......
需要先看一下无源端接所产生的噪声量的表达方式－kTB，其中k是玻尔兹曼常数，T是以开尔文为单位的端接温度，B是系统带宽。因为在某个给定的带宽内，器件产生的噪声和温度是成正比的，所以，器件所产生的噪声量可以表示为带宽归一化为1 Hz的等效噪声温度......
，在25°C时的典型导通电阻(RDS(on))分别为75mΩ和49mΩ。此外，3nC和5.4nC的总栅极电荷和低寄生电容确保晶体管具有最小的导通/关断能量损耗。开尔文源极引脚可以优化栅极驱动。除了......
典型导通电阻(RDS(on))分别为75mΩ和49mΩ。此外，3nC和5.4nC的总栅极电荷和低寄生电容确保晶体管具有最小的导通/关断能量损耗。开尔文源极引脚可以优化栅极驱动。除了减小电源和适配器的尺寸和重量外，两款......
源极电感对开关的影响（左）和由此产生的损耗（右）。 LSc的负面影响可以通过使用单独的源极感应引脚（开尔文源）来消除，以减少开关损耗（参见图10）。使用源极感应连接来驱动开关器件的栅极，LSc可被......
的最高品质与出色的技术知识相结合，推出CoolMOS CFD7A系列。 CoolMOS™ CFD7A完全兼容最高475 VDC的系统电压。按照开尔文源极， 可达到更高的效率水平，最高效率达到98.4......
的产品，其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，有助于减少封装内源极线电感的影响，从而提高高速开关性能。与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的开......
电池充电器和电源、电动汽车车载充电器和DC-DC转换器等应用的扩展过程中又迈出了一大步。 D2PAK-7L SiC FET支持大幅提高的开关速度，通过开尔文（Kelvin）源极......
发表论文称，他们新开发出一种新型量子存储器，能纠错且寿命或相干时间超过2秒，为创建可扩展的量子网络铺平了道路。最新研制出的量子存储器能在4开尔文(零下269.15摄氏度)的温度下捕获和存储光子，而此......
尔量子硬件总监在最新的博客文章中提及称第二代硅自旋测试芯片的测试和生产创造了关于该公司在量子芯片制造方面的进展。英特尔的新量子设备是使用Cryoprober进行采样的，在1.7开尔文，或-271.45°C的浅层温度......
900VCoolMOSC3超结 MOSFET相比，MOSFET温度最高可降低4开尔文。相较以前，新产品更为绿色环保，其轻载和满载PFC效率提高了0.2%以上，同时可满足LLC效率......
最大限度减少了无序效应。 研究人员称，在他们制造的每个设备中，都能在相对“温和”的温度下观察到强大的高达一开尔文超电流。 进一步研究表明，这种邻近超导性并非源自沿畴界传播的量子霍尔边缘态，而是......
可减少紧凑内部连接回路中的电感，再加上附带的开尔文源连接，能够实现低开关损耗，支持更高的工作频率，并提高系统功率密度。此外，这些器件采用银烧结芯片贴装，通过液体冷却最大限度排出标准 PCB 和 IMS 基板上的热量，因此......
，十款产品于今日开始批量出货。 新产品是东芝碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品，其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，有助......
惊讶的是，这一区域的温度最高。 什么是红外辐射？ 红外辐射介于电磁光谱的可见光辐射和微波辐射之间。红外辐射源主要为热量或热辐射。温度高于绝对零度(-273.15摄氏度或0开尔文)的任......
℃597附录B的推荐取值中,除一处特例(标准中仅推荐适用于葡萄牙地区)外该值均与式(3)中的吸热系数ka取值完全相同,故本文计算时也与式(3)的吸热系数ka取值保持一致:9、9am分别为物体及环境的开尔文温度......
-nC 所有 RDS (on) 选项（23、30、53 和 70 毫欧）都采用行业标准的 4 引脚开尔文源极 TO-247 封装，以更高的性能水平提供更清洁的开关。53 和 70 毫欧......
1.1  PT100通用接法 由表1.1可以看出，两线制接法线阻抗误差最大，且无法排除；四线制接法也称开尔文氏接法，最为精准且简单，但是需要接口资源比较多；三线制接法可以通过计算排除线误差，节约......
件可以最大程度地减少电磁干扰（EMI），确保清晰的信号和稳定的性能。开尔文源极引脚提高了电流检测的精度，即使在恶劣条件下也能保证测量的准确性。该器件具有适合高压应用的爬电距离，以及在25°C温度环境下高达694 W的大......
涵盖了奕斯伟、理工晶科、唐晶量子、吉利电子化工、应用材料、开尔文测控、秀博瑞殷、韩松电子、空气化工、住化电子、摩西湖等材料和设备支撑企业。围绕三星配套的气体、液体、化工等国际知名企业已形成规模。 在“龙头......
%，漏源导通电阻×栅漏电荷（MOSFET性能的品质因数）降低了约52%。这有助于确保该系列产品实现导通损耗和开关损耗的双重降低，并最终实现了开关电源效率的提高。 该新产品采用TOLL封装，栅极驱动采用开尔文......
), 开尔文源极焊盘(Kelvin Source Pad)构成。有一些只有Gate pad，如上图的芯片就没有Kelvin source pad。   图二 在这......
期望电压的同时，尽可能使用最低的电流。如果电流电平不能降低，可以考虑使用窄电流脉冲而非直流信号。 怎样成功实施低阻、大电流测量 引线电阻和4线（开尔文）方法 电阻的测量常常使用图3所示......
典型导通电阻(RDS(on))分别为75mΩ和49mΩ。此外，3nC和5.4nC的总栅极电荷和低寄生电容确保晶体管具有最小的导通/关断能量损耗。开尔文源极引脚可以优化栅极驱动。除了......
系数低至 ±10 ppm 每开尔文 （ppm/K）。TNPW 高稳定性、薄膜片式电阻器专为需要高精度和长期稳定性的场合而设计。经过 1000 小时寿命测试后，其电阻漂移率低至 ≤0.05%。 温度......
USB插座上执行出色的调节，而无需额外的开尔文检测线路。 图3显示了线缆压降补偿的工作原理。OUT/ISP和BUS/ISN引脚之间连接一个检测电阻RSEN，该电......
主控单元和电池监控器中用于高压检测。该系列汽车级器件提供的阻值范围从 1 Ω 到 10 MΩ。其工作温度范围为 -55 至 175°C，温度系数低至 ±10 ppm 每开尔文 (ppm/K)。TNPW 高稳......
器电源等应用。 贸泽电子供应的UJ4C/SC器件采用独特的共源共栅SiC FET技术，其中常开SiC JFET与Si MOSFET封装在一起形成常关SiC FET。这些FET降低了紧凑型内部连接回路的电感，与包含的开尔文......
器电源等应用。 贸泽电子供应的UJ4C/SC器件采用独特的共源共栅SiC FET技术，其中常开SiC JFET与Si MOSFET封装在一起形成常关SiC FET。这些FET降低了紧凑型内部连接回路的电感，与包含的开尔文......
器电源等应用。 贸泽电子供应的UJ4C/SC器件采用独特的共源共栅SiC FET技术，其中常开SiC JFET与Si MOSFET封装在一起形成常关SiC FET。这些FET降低了紧凑型内部连接回路的电感，与包含的开尔文......
直接影响热像仪所能产生的图像清晰度和锐度。热像仪以毫开尔文（mK）为单位标称灵敏度。数字越低，探测器越灵敏。热灵敏度，也称为噪声等效温差（NETD），描述使用热像仪时观察到的最小温差。实际上，NETD值越低，传感......
MOSFET 中显示出的 E on 。E开和 E关实际上与温度无关。值得注意的是，实际外壳设计对开关损耗（主要是导通损耗）有重大影响。特别有效的是开尔文接触的使用，它实......
像摄像机如何从远处测量核心体温？热成像传感器是一种微机电系统（MEMS）芯片，是一个对8至14微米波长范围内的长波红外电磁辐射（LWIR）敏感的探测器阵列。开尔文0度以上的所有物体和所有生物都在这个光谱范围内发出辐射，这种辐射的强度代表了它们的表面温度......
），确保清晰的信号和稳定的性能。开尔文源极引脚提高了电流检测的精度，即使在恶劣条件下也能保证测量的准确性。该器件具有适合高压应用的爬电距离，以及在25°C温度环境下高达694 W的大......
幅降低也提高了硬开关和软开关应用的使用效率，与900V CoolMOS C3 超结 MOSFET相比，MOSFET温度最高可降低4开尔文。相较以前，新产品更为绿色环保，其轻载和满载PFC效率提高了0.2%以上，同时......

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