开尔文温标是国际单位制(SI)中的主要温度单位。一开尔文被正式定义为纯水(H2O)三相点热力学温度的1/273.16。开尔文度的大小与摄氏度的大小相同。正负1摄氏度的变化与正负1开尔文的变化相同。开尔文刻度不同于更熟悉的摄氏度或摄氏度刻度,因为没有低于零开尔文的数字。0 K的温度表示绝对零,相当于-273.15摄氏度。在标准地球大气海平面压力下,水在0摄氏度或+273.15 K结冰,在+100摄氏度(+373.15 K)沸腾。开尔文以威廉·汤姆森·开尔文(William Thomson kelvin)命名,他于1848年提出了开尔文。开尔文温标是国际单位制(SI)中的主要温度单位。一开尔文被正式定义为纯水(H2O)三相点热力学温度的1/273.16。开尔文度的大小与摄氏度的大小相同。正负1摄氏度的变化与正负1开尔文的变化相同。开尔文刻度不同于更熟悉的摄氏度或摄氏度刻度,因为没有低于零开尔文的数字。0 K的温度表示绝对零,相当于-273.15摄氏度。在标准地球大气海平面压力下,水在0摄氏度或+273.15 K结冰,在+100摄氏度(+373.15 K)沸腾。开尔文是以威廉·汤姆森·开尔文(William Thomson kelvin)的名字命名的,他于1848年提出了开尔文。
延伸阅读
资讯
能纠错且相干超2秒的量子存储器面世(2022-12-01)
度)的温度下捕获和存储光子;该存储器也能从存储在电子上的光子中获取信息,将其交换到硅核,而且存储时间增加了约1000倍,长达2秒。最新设备处理本地量子信息的准确率高达99%。
新量子存储器能在4开尔文温度......
高性能超导导线制成(2024-08-12)
以稀土钡铜氧化物为基础,涵盖所有磁场和从5开尔文到77开尔文的工作温度范围,这个温度范围高于传统超导体发挥作用所需的温度。
在4.2开尔文时,新HTS导线在没有外部磁场的情况(也称为自场)下,每平......
STM32控制的电子负载(2022-12-08)
的函数关系
这里的T1和T2指的是开尔文温度,Rt 是热敏电阻在T1温度下的阻值,R是热敏电阻在T2标称温度下的标称阻值,B值是热敏电阻的材料常数。
利用该公式进行变换,就可以求解出温度......
TT Electronics公司为拥有AEC-Q200认证的电流感测电阻器系列产品添加新成员,推出SMT开尔文分流电阻器;
TT Electronics公司......
氮化镓GaN驱动器的PCB设计策略概要(2023-02-20)
皮书将重点讨论其中的一些重要注意事项。
HEMT GaN 和 NCP51820 封装说明
大多数 GaNFET 封装包含一个专用源极开尔文返回引脚,如图 1 中的“SK”所示,其作......
具备简易设计、低漂移和小尺寸的集成分流器解决方案(2023-10-11)
)
EZShunt 产品还消除了开尔文连接的布局复杂性(如图 3 所示),因为它们要么将分流器从内部连接到输入,要么在外部引脚上诠释分流器的开尔文连接。
图 3:展示了开尔文连接引脚 SH+ 和......
具备简易设计、低漂移和小尺寸的集成分流器解决方案(2023-10-11)
)
EZShunt 产品还消除了开尔文连接的布局复杂性(如图 3 所示),因为它们要么将分流器从内部连接到输入,要么在外部引脚上诠释分流器的开尔文连接。
图3 展示了开尔文连接引脚SH+和SH–的INA780......
关于电阻温度系数、测量和结构影响 这篇文章说透了(2024-01-03)
子的电阻值较低。
开尔文端子与端子 2
开尔文(端子4)结构有两个好处:提高电流测量的可重复性和 TCR 性能。凹槽结构减少了测量中的电路内铜含量。表 2 说明了开尔文端接的 WSK2512 与 2 端子......
量子计算机和CMOS半导体的发展回顾与未来预测(2022-09-29)
在低温和室温下的运行方式不同。最近研究人员分别在室温和 4.2 开尔文温度下,在 40nm 和 160nm 为主体的 CMOS 器件上测量了 CMOS 晶体管性能(以及相关的电流-电压特性)(如图1所示)。由于在这些温度......
Kelvin 探针为标准阵列和晶圆级设备的量产测试提供一流的性能(2021-11-16)
Kelvin 探针为标准阵列和晶圆级设备的量产测试提供一流的性能;史密斯英特康是全球领先的关键半导体测试应用创新解决方案的供应商,其最新推出的创新且稳健的Kelvin(开尔文)弹簧探针技术,适用......
干货 | 具备简易设计、低漂移和小尺寸的集成分流器解决方案(2023-10-11)
)
EZShunt 产品还消除了开尔文连接的布局复杂性(如图 3 所示),因为它们要么将分流器从内部连接到输入,要么在外部引脚上诠释分流器的开尔文连接。
图 3:展示了开尔文连接引脚 SH+ 和 SH– 的......
电压模式R-2R DAC的工作原理和特性(2023-10-24)
电压模式R-2R DAC的工作原理和特性;首先,我们将简要回顾一下开尔文分压器DAC。这种结构很简单,但它们需要大量的电阻和开关来实现高分辨率DAC。这个问题的一个解决方案是称为R-2R DAC的......
几个氮化镓GaN驱动器PCB设计必须掌握的要点(2023-02-27)
我们简单介绍过氮化镓的设计策略概要,本文将为大家重点说明利用 NCP51820 设计高性能 半桥栅极驱动电路必须考虑的 设计注意事项。本文引用地址:
本设计文档其余部分引用的布线示例将使用含有源极开尔文......
LT6658数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:50)
输出也非常适合驱动高分辨率ADC和DAC的基准输入,同时为微控制器和其他电路供电。两个输出具有相同的精度规格,并在温度和负载范围内保持一致。每个输出可使用外部电阻进行配置以提供高达6V的输出电压
LT6658采用开尔文......
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低开关损耗的4引脚封装(2023-08-31)
引用地址:
新产品是东芝产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品,其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接,有助于减少封装内源极线电感的影响,从而提高高速开关性能。与东芝目前采用3引脚......
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低开关损耗的4引脚封装(2023-08-31)
列中五款额定电压为650V,另外五款额定电压为1200V,十款产品于今日开始批量出货。
新产品是东芝碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品,其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文......
SEICA宣布将再次参加德国斯图加特电池展(2024-06-12)
汽车电池单元之间的电气连接是确保其性能和安全性的基础,因此测试接合点是电池生产过程中的一个必要步骤。 在斯图加特展出的 Pilot BT 系统能够同时对 16 个以上的电池芯进行平行、精确的开尔文测试,实现了每分钟近 2400 个以......
Vishay推出新款高精度Power Metal Strip检流电阻(2015-11-05)
Metal Strip®检流电阻---WSK1206。电阻采用开尔文四端子连接,使TCR降低至35ppm,实现了0.1%的严格公差,从而提高测量精度。Vishay Dale WSK1206具有......
意法半导体量产PowerGaN器件,让电源产品更小巧、更清凉、更节能(2023-08-03)
5.4nC的总栅极电荷和低寄生电容确保晶体管具有最小的导通/关断能量损耗。开尔文源极引脚可以优化栅极驱动。除了减小电源和适配器的尺寸和重量外,两款新晶体管还能实现更高的能效、更低的工作温度......
MAX40204数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:17)
估套件提供双向和单向电流检测选项、一根用于在两个增益选项(10V/V和100V/V)之间切换的跳线(J1)以及另一根用于将电路板置于低功耗模式的跳线(J2)。
该评估套件具有用于放大器输入端传感和检测的开尔文......
网络分析仪的噪声系数(2023-02-03)
需要先看一下无源端接所产生的噪声量的表达方式-kTB,其中k是玻尔兹曼常数,T是以开尔文为单位的端接温度,B是系统带宽。因为在某个给定的带宽内,器件产生的噪声和温度是成正比的,所以,器件所产生的噪声量可以表示为带宽归一化为1 Hz的等效噪声温度......
意法半导体量产PowerGaN器件,让电源产品更小巧、更清凉、更节能(2023-08-03)
,在25°C时的典型导通电阻(RDS(on))分别为75mΩ和49mΩ。此外,3nC和5.4nC的总栅极电荷和低寄生电容确保晶体管具有最小的导通/关断能量损耗。开尔文源极引脚可以优化栅极驱动。除了......
意法半导体量产PowerGaN器件,让电源产品更小巧、更清凉、更节能(2023-08-03 15:36)
典型导通电阻(RDS(on))分别为75mΩ和49mΩ。此外,3nC和5.4nC的总栅极电荷和低寄生电容确保晶体管具有最小的导通/关断能量损耗。开尔文源极引脚可以优化栅极驱动。除了减小电源和适配器的尺寸和重量外,两款......
通过封装和散热技术提高数据中心服务器开关模式电源功率密度(2023-04-24)
源极电感对开关的影响(左)和由此产生的损耗(右)。
LSc的负面影响可以通过使用单独的源极感应引脚(开尔文源)来消除,以减少开关损耗(参见图10)。使用源极感应连接来驱动开关器件的栅极,LSc可被......
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET——TWxxxZxxxC系列(2023-08-31)
的产品,其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接,有助于减少封装内源极线电感的影响,从而提高高速开关性能。与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比,新型TW045Z120C的开......
全新650 V CoolMOS™ CFD7A系列为汽车应用带来量身定制的MOSFET性能(2020-05-08)
的最高品质与出色的技术知识相结合,推出CoolMOS CFD7A系列。
CoolMOS™ CFD7A完全兼容最高475 VDC的系统电压。按照开尔文源极, 可达到更高的效率水平,最高效率达到98.4......
UnitedSiC扩展FET产品组合,六款全新SiC FET问市(2021-05-20)
电池充电器和电源、电动汽车车载充电器和DC-DC转换器等应用的扩展过程中又迈出了一大步。
D2PAK-7L SiC FET支持大幅提高的开关速度,通过开尔文(Kelvin)源极......
LTC3778数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:58)
在主输出承受轻负载时辅助副端绕组稳压。SENSE+ 和 SENSE- 引脚在任选的检测电阻器或同步 MOSFET 的两端提供了真正的开尔文 (Kelvin) 检测。
故障保护由内部折返电流限制、一个......
光量子比特的存储保真度达95.2%:为大规模光量子网络铺平道路(2022-12-15)
发表论文称,他们新开发出一种新型量子存储器,能纠错且寿命或相干时间超过2秒,为创建可扩展的量子网络铺平了道路。最新研制出的量子存储器能在4开尔文(零下269.15摄氏度)的温度下捕获和存储光子,而此......
英特尔在量子点阵列的有效产量方面达到了关键里程碑(2022-10-09)
尔量子硬件总监在最新的博客文章中提及称第二代硅自旋测试芯片的测试和生产创造了关于该公司在量子芯片制造方面的进展。英特尔的新量子设备是使用Cryoprober进行采样的,在1.7开尔文,或-271.45°C的浅层温度......
英飞凌推出全新的CoolMOS PFD7高压MOSFET系列(2022-11-09)
900VCoolMOSC3超结 MOSFET相比,MOSFET温度最高可降低4开尔文。相较以前,新产品更为绿色环保,其轻载和满载PFC效率提高了0.2%以上,同时可满足LLC效率......
Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却PowerPAK封装的600 V(2024-05-07)
发布的MOSFET有效输出电容Co(er) 和Co(tr)典型值分别仅为79 pF和499 pF,有助于改善硬开关拓扑结构开关性能,如PFC、半桥和双开关顺向设计。封装还提供开尔文(Kelvin)连接......
Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却PowerPAK 封装的600 V E系列功率MOSFET(2024-05-07 13:51)
于改善硬开关拓扑结构开关性能,如PFC、半桥和双开关顺向设计。封装还提供开尔文(Kelvin)连接,以提高开关效率。器件符合RoHS标准,无卤素,耐受雪崩模式下过压瞬变,并保证极限值100 %通过UIS测试......
科学家创造出新型一维超导体,为解决凝聚态物理长期难题提供新路径(2024-04-25)
最大限度减少了无序效应。
研究人员称,在他们制造的每个设备中,都能在相对“温和”的温度下观察到强大的高达一开尔文超电流。
进一步研究表明,这种邻近超导性并非源自沿畴界传播的量子霍尔边缘态,而是......
非常见问题解答第221期:开关模式电源问题分析及其纠正措施:检测电阻器违规(2024-09-09)
停止调整。
当电感器和检测电阻器之间的走线大于所需的长度,或者载流走线连接到芯片上的检测引脚之一时,通常会发生这种现象。由于所选检测电阻器在毫欧级,因此它对所增加的任何电阻都很敏感。可以通过开尔文......
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低开关损耗的4引脚封装(2023-09-01 15:07)
,十款产品于今日开始批量出货。
新产品是东芝碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品,其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接,有助......
Qorvo为功率设计扩展高性能且高效的750V SiC FET产品组合(2022-08-04)
可减少紧凑内部连接回路中的电感,再加上附带的开尔文源连接,能够实现低开关损耗,支持更高的工作频率,并提高系统功率密度。此外,这些器件采用银烧结芯片贴装,通过液体冷却最大限度排出标准 PCB 和 IMS 基板上的热量,因此......
Qorvo宣布推出行业先进的高性能1200V第四代SiC FET(2022-05-17)
-nC
所有 RDS (on) 选项(23、30、53 和 70 毫欧)都采用行业标准的 4 引脚开尔文源极 TO-247 封装,以更高的性能水平提供更清洁的开关。53 和 70 毫欧......
什么是红外辐射?红外热像仪及其工作原理(2023-01-04)
惊讶的是,这一区域的温度最高。
什么是红外辐射?
红外辐射介于电磁光谱的可见光辐射和微波辐射之间。红外辐射源主要为热量或热辐射。温度高于绝对零度(-273.15摄氏度或0开尔文)的任......
城市轨道交通架空接触线覆冰临界条件计算思路及应对措施探讨(2022-12-21)
℃597附录B的推荐取值中,除一处特例(标准中仅推荐适用于葡萄牙地区)外该值均与式(3)中的吸热系数ka取值完全相同,故本文计算时也与式(3)的吸热系数ka取值保持一致:9、9am分别为物体及环境的开尔文温度......
英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V, 重新定义AI服务器电源的功率密度和效率(2024-06-25)
这一高性能MOSFET与晶体管组合,该电源可提供8千瓦以上的功率,功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。
全新MOSFET产品组合共包含10款产品:5款RDS(on) 级(11至45 mΩ)产品采用开尔文源TOLL......
温度测量时如何消除线阻抗引入的误差?(2023-02-06)
1.1 PT100通用接法
由表1.1可以看出,两线制接法线阻抗误差最大,且无法排除;四线制接法也称开尔文氏接法,最为精准且简单,但是需要接口资源比较多;三线制接法可以通过计算排除线误差,节约......
英飞凌推出适用于高能效电动汽车快充的650V CoolMOS™ CFD7A(2023-11-27)
件可以最大程度地减少电磁干扰(EMI),确保清晰的信号和稳定的性能。开尔文源极引脚提高了电流检测的精度,即使在恶劣条件下也能保证测量的准确性。该器件具有适合高压应用的爬电距离,以及在25°C温度环境下高达694 W的大......
东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率(2023-06-13)
%,漏源导通电阻×栅漏电荷(MOSFET性能的品质因数)降低了约52%。这有助于确保该系列产品实现导通损耗和开关损耗的双重降低,并最终实现了开关电源效率的提高。
该新产品采用TOLL封装,栅极驱动采用开尔文......
1513.5亿元!西安:全国第四(2022-09-06)
涵盖了奕斯伟、理工晶科、唐晶量子、吉利电子化工、应用材料、开尔文测控、秀博瑞殷、韩松电子、空气化工、住化电子、摩西湖等材料和设备支撑企业。围绕三星配套的气体、液体、化工等国际知名企业已形成规模。
在“龙头......
揭秘碳化硅芯片的设计和制造(2023-04-04)
), 开尔文源极焊盘(Kelvin Source Pad)构成。有一些只有Gate pad,如上图的芯片就没有Kelvin source pad。
图二
在这......
射频计的热管理从选择电路板开始(2024-07-30)
值意味着为PCB提供了安全的高温指示,虽然它并未包含高输入功率电平对PCB的影响。
PCB 材料的热导率可以用作层压板散热效率的相对指示器。该参数本质上描述了PCB材料的导热能力,其计量单位是每米材料每开尔文温度......
如何使用吉时利源表2460型大电流数字源表源实现低阻测量(2023-05-23)
期望电压的同时,尽可能使用最低的电流。如果电流电平不能降低,可以考虑使用窄电流脉冲而非直流信号。
怎样成功实施低阻、大电流测量
引线电阻和4线(开尔文)方法
电阻的测量常常使用图3所示......
意法半导体量产PowerGaN器件,让电源产品更小巧、更清凉、更节能(2023-08-03)
典型导通电阻(RDS(on))分别为75mΩ和49mΩ。此外,3nC和5.4nC的总栅极电荷和低寄生电容确保晶体管具有最小的导通/关断能量损耗。开尔文源极引脚可以优化栅极驱动。除了......
ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT(2024-11-07)
爬电距离对策是在器件上实施的,因此也有助于减轻客户的设计负担。此外,TO-247-4L封装产品通过增加开尔文发射极引脚*6,还实现了高速开关和更低损耗。通过对TO-247-4L封装新产品、普通......
相关企业
;合肥开尔纳米能源科技股份有限公司市场销售部;;合肥开尔纳米公司简介合肥开尔纳米能源科技股份有限公司(新公司)于2009年由合肥开尔纳米技术发展有限责任公司与合肥市建设投资控股(集团)有限
;合肥开尔纳米能源科技股份公司;;合肥开尔纳米能源科技股份公司是纳米陶瓷粉体、纳米氮化钛、纳米氮化铝、纳米氮化硅、纳米碳化硅、纳米碳化钛、纳米碳化锆、纳米碳化硼、纳米氮化硼、纳米
;合肥开尔纳米能源科技股份公司销售部;;合肥开尔纳米能源科技股份有限公司是纳米氮化硅、纳米碳化硅、纳米氮化铝、纳米碳化钛、纳米氮化钛、纳米碳化锆、纳米氮化硼、纳米硅粉、纳米
;合肥开尔纳米能源科技股份有限公司外贸部;;合肥开尔纳米能源科技股份有限公司外贸部是纳米碳化硅、纳米氮化硅、纳米硅粉、纳米碳化钛、纳米氮化钛、纳米碳化锆、纳米
;翁开尔有限公司;;
;凯尔文电子有限公司;;专业设计,生产遥控数码开关,家居安防产品
;合肥开尔纳米能源科技股份有限公司;;
;深圳市达尔文电子有限公司;;深圳达尔文电子是一家经营国内外知名品牌电位器的公司,公司长期备有大量库存,以满足广大客户的需求,专业为各种高科技仪器、仪表、电器,机电设备,数据通讯,电源
;广州开尔汽车用品有限公司;;广州开尔汽车用品有限公司,创立于2004年, 工厂地址位于广东省广州市白云区,背靠全国风景名胜广州白云山,地理交通位置非常方便。并且这里还是全国最大,最主
;西安开尔泰电力电子制造有限公司;;***,万网空间,***,网络推广(商友软件、百度竞价、google左侧优化、google广告、诚信通会员)