资讯
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
功率半导体的开发。
世界最强半导体——氧化镓
氮化镓的性能已是出类拔萃，但是它还不是最强的。世界最强半导体材料就目前的指标而言，是氧化镓......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
禁带可用于制造大功率的紫外光源。
在超宽禁带半导体中，氮化铝镓（氮化铝和氮化镓的合金材料）、氧化镓、金刚石是较有代表性的几个方向。
与氧化镓、金刚石等禁带宽度相对固定的材料不同，氮化......
“半导体口粮”出口管制影响多大？上市公司回应来了(2023-07-05)
大概率会引起下游产品价格变动。
以金属镓为例，目前我国金属镓的消费领域包括半导体和光电材料、太阳能电池、合金、医疗器械、磁性材料等。在半导体材料领域，金属镓是砷化镓、氮化镓的重要原料之一。
国金......
IQE 宣布与 SK siltron 达成战略合作协议(2022-10-13)
领域的领先企业能够联合起来，为氮化镓材料相关的增长市场共同开发产品，这一点可喜可贺。我期待着与 IQE 共同走向成功，并将这种关系发展到涵盖广泛的半导体材料领域。”关于氮化镓氮化镓是一种宽能隙半导体材料......
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？(2017-08-01)
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？;
来源：内容来自GaN世界 ，作者 Barry Manz， Mouser Electronics 谢谢。
氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓......
15亿！台湾8英寸氮化镓功率厂商投资案通过(2024-10-10)
，台亚半导体举行股东会，会议通过了将8英寸GaN（氮化镓）事业群分割的计划。分割后，6英寸氮化镓产线继续保留在台亚，产线同时生产感测组件，且生产6英寸氮化镓是为子公司冠亚或其他厂商代工；8英寸氮化镓......
自力更生！韩国研发出替代氮化镓的新材料(2020-03-09)
产品和高频设备的核心设备。
公开资料显示，氮化镓是第三代半导体材料的代表之一，具备易散热，体积小，损耗小，功率大等诸多优点，被业内寄予厚望。可被应用于光电、功率和射频等多个领域，同时能满足高功率密度、低能耗、高频......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
和销售的科技型企业。
为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代材料，发展至以氧化镓为代表的第四代半导体材料。氧化镓是什么？为何......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
研发、生产和销售的科技型企业。
为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代材料......
辉煌。”
氮化镓是一种宽禁带材料，功率密度更大、效率更高而尺寸更小，尤其是在高频开关应用中能够发挥重要作用。凭借低能耗和小型化的优势，氮化镓器件的适用范围极广。据市场分析机构预测，氮化镓......
英飞凌将收购氮化镓系统公司（GaN Systems）(2023-03-03)
凌是一家技术实力非常深厚的集成器件制造商，能够帮助我们充分发挥自身潜力，再创辉煌。”
氮化镓是一种宽禁带材料，功率密度更大、效率更高而尺寸更小，尤其是在高频开关应用中能够发挥重要作用。凭借低能耗和小型化的优势，氮化镓......
英飞凌将收购氮化镓系统公司，进一步巩固自身在全球功率系统领域的领导地位(2023-03-03)
辉煌。”
氮化镓是一种宽禁带材料，功率密度更大、效率更高而尺寸更小，尤其是在高频开关应用中能够发挥重要作用。凭借低能耗和小型化的优势，氮化镓器件的适用范围极广。据市场分析机构预测，氮化镓......
英飞凌成功收购GaN Systems，氮化镓市场向巨头“靠拢”？(2023-10-29)
应用不断扩大
氮化镓（GaN）是第三代半导体的主要代表材料之一，凭借宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强等特性优势，氮化镓可以满足各种应用场景对高效率、低能耗、高性......
7天制造1颗芯片，誉鸿锦半导体如何做到？(2023-10-16)
渗透率依然低的原因，并不是很多人所认为的氮化镓器件规模仍然不足，导致成本均摊困难。因为规模是结果而并非原因，本质问题出现在产业效率上。
只有从第一性原理出发，搞清楚氮化物半导体的材料......
重点研发“卡脖子”项目，同济大学氧化镓材料项目签约江苏无锡(2023-06-21)
共服务平台，建立院士工作站，挂牌“同济大学人工晶体研究院”等项目内容。
氧化镓是提升集成电路产业市场竞争力、实现产业跨越式技术进步的重要材料，正在逐渐成为半导体材料界一颗冉冉升起的新星，市场......
中国宣布出口限制之后，美国如何采购镓？(2023-08-17)
晶体可以在各种衬底上生长，包括蓝宝石、碳化硅（SiC）和硅（Si）。在硅上生长 GaN 外延层可以使用现有的硅制造基础设施，从而无需使用成本很高的特定生产设施，而且可采用低成本、大直径的硅晶片。氮化镓材料......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
性质各有千秋。目前研究比较多的是β相（热稳定性最佳，禁带宽度~4.8eV），而α相（高禁带宽度~5.3eV）和ε相（极化率十倍于氮化镓，适合于高电子迁移率晶体管）方面的研究也逐渐增加。所以从材料属性来说，氧化镓是一种很有希望的超宽禁带材料......
英飞凌将收购氮化镓系统公司（GaN Systems），在扩充氮化镓产品线的同时(2023-03-03 17:28)
非常期待与英飞凌携手开始书写新的篇章。英飞凌是一家技术实力非常深厚的集成器件制造商，能够帮助我们充分发挥自身潜力，再创辉煌。”氮化镓是一种宽禁带材料，功率密度更大、效率更高而尺寸更小，尤其是在高频开关应用中能够发挥重要作用。凭借......
非常期待与英飞凌携手开始书写新的篇章。英飞凌是一家技术实力非常深厚的集成器件制造商，能够帮助我们充分发挥自身潜力，再创辉煌。”
氮化镓是一种宽禁带材料，功率密度更大、效率更高而尺寸更小，尤其......
格芯获3500万美元资金补贴，加速制造下一代氮化镓芯片(2023-10-20)
Thomas Caulfield表示：“硅基氮化镓是新兴市场高性能射频、高压功率开关和控制应用的理想技术，对于6G无线通信、工业物联网和电动汽车非常重要。”
格芯......
从手机充电器到汽车充电器，氮化镓开启逆袭之路(2023-10-08)
从手机充电器到汽车充电器，氮化镓开启逆袭之路;
【导读】如今的消费类电源市场，要说「几乎人手一个氮化镓快充充电器」并不过分吧？从 2018 年前后开始，氮化镓快充充电器进入国内市场，随后便开启了第三代半导体材料......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
结构不同决定的部分特性。此外，对氮化镓功率器件的外延工艺以及功率器件的工艺进行描述，加深对氮化镓功率器件的工艺技术理解。在理解氮化镓功率器件结构和工艺的基础上，对不同半导体材料的特性、不同衬底材料的氮化镓HEMT进行......
氮化镓争夺战火热进行中，规模超60亿元的收购案尘埃落定(2023-10-26)
一步扩大了英飞凌在功率半导体领域的领先优势，并将大幅缩短新产品上市周期。
氮化镓应用不断扩大
氮化镓（GaN）是第三代半导体的主要代表材料之一，凭借宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强等特性优势，氮化镓......
3500万美元补贴，又一大厂发力氮化镓芯片(2023-10-20)
。
格芯佛蒙特州半导体制造工厂表示，继续朝着大规模生产用于航空航天和国防、蜂窝通信、工业物联网和汽车的下一代氮化镓芯片迈进。
格芯总裁兼CEO Thomas Caulfield表示：“硅基氮化镓是......
氮化镓争夺战火热进行中，规模超60亿元的收购案尘埃落定(2023-10-26)
应用不断扩大
氮化镓（GaN）是第三代半导体的主要代表材料之一，凭借宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强等特性优势，氮化镓可以满足各种应用场景对高效率、低能耗、高性价比的要求，可广泛应用于LED、激光......
从手机快充到电动汽车，氮化镓功率半导体潜力无限(2022-03-21)
亿美元
氮化镓是第三代半导体核心材料之一，具备开关频率高、禁带宽度大、更低的导通电阻等优势，这种材料通常应用于LED（照明、显示）、射频通讯与高频功率器件领域，手机快充是氮化镓......
8月1日起！中国正式限制镓、锗等芯片关键材料出口(2023-08-01)
中指出，镓相关物项包含氮化镓、砷化镓、铟镓砷等;锗相关物项包含磷锗锌、锗外延生长衬底、二氧化锗等。
此举也引发了海外厂商囤货，因为没有这些是生产的关键材料，没有将没办法生产。
与铜......
第三代半导体科普，国产任重道远(2017-05-15)
。
这里要特别说明一下氮化镓GaN材料。
镓是地球上存在的一种贵金属材料，大约排名第十左右，中国储量全球第一。作为三代半导体材料当家花旦的氮化镓,近二十年来，由于LED照明产业的发展推动，已成为三代半导体材料中的核心材料......
英飞凌对英诺赛科提出专利侵权诉讼(2024-03-14)
度增长，达到约 20 亿美元（资料来源：Yole，Power SiC and GaN Compound Semiconductor Market Monitor Q4 2023）。氮化镓是一种宽禁带半导体，具有......
氮化镓激光芯片终于实现国产，氮化镓正在向快充以外的市场进军(2023-08-29)
三代半导体，除了碳化硅，就是近几年声名鹊起，后来者居上的“氮化镓”了。
氮化镓作为第三代半导体材料的前沿代表，与前代半导体材料相比，多项指标有显著提升。氮化镓是......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机(2023-07-31)
（极化率十倍于氮化镓，适合于高电子迁移率晶体管）方面的研究也逐渐增加。
所以从材料属性来说，氧化镓是一种很有希望的超宽禁带材料。氧化镓的优势不仅是材料性能高，更重要的是成本较低。2019年有......
2023中国(深圳)温差电器件材料技术展览会(2022-12-07)
、铜和铜镍合金、铋和铋锡合金、铑合金固溶体材料等液态材料；
五、高温/中温/低温材料：SiGe、MnSi2、CeS、SiGe合金、SiGe合金材料，PbTe、GeTe、PbTe、AgSbTe2其合金材料......
纳斯达克上市之后，纳微半导体有哪些重点布局？(2021-11-02)
据中心、汽车方面拓展，这个过程中在芯片设计以及产品量产上也面临一些技术难点。查莹杰坦言，往服务器、汽车方向发展会面临一些挑战。氮化镓是平面型结构，很适合做集成，但容易存在散热问题，这些......
2026年全球GaN射频器件市场预计超过24亿美元(2021-06-08)
2026年全球GaN射频器件市场预计超过24亿美元;氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，可以用在高功率、高速的光电元件中。
在......
12英寸氮化镓，新辅助？(2024-09-10)
12英寸氮化镓，新辅助？;第三代半导体材料氮化镓，传来新消息：日本半导体材料大厂信越化学为氮化镓外延生长带来了有力辅助。
2024年9月3日，信越化学宣布研制出一种用于GaN（氮化镓）外延......
纳微半导体发布全新GaNSense Control合封氮化镓芯片(2023-05-22)
前所未有的高集成度和性能表现。
氮化镓是相比传统高压 (HV) 硅 (Si) 功率半导体有着重大升级的下一代半导体技术，同时还减少了提供相同性能所需的能源和物理空间。采用了氮化镓的充电器，能在......
MICRO USB连接器设计过程中材料强度的重要性(2023-09-26)
强度的原因，分析哪种导电金属或合金材料最为适合应用是至关重要的。
设计MICRO USB连接器最常用的三种材料分别是：黄铜、磷青铜(PhBr)、铍铜(BeCu)。为了更好地了解哪种材料......
宜普电源转换公司起诉竞争对手英诺赛科，要求保护新兴氮化镓（GaN）技术专利(2023-05-25)
硅： 氮化镓与电力转换的未来
氮化镓（GaN）是下一代电源转换技术，有望在未来十年内取代硅基功率半导体。与硅基半导体相比，氮化镓是更小、更高效、更可靠，并能以更低的成本表现出更良好的性能。其应......
氮化镓取代碳化硅？PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样(2024-11-12 09:47)
，继续推高氮化镓的裕量和耐用性，但“天空才是尽头”，所以才有了如今的1700V 氮化镓。实际上，1700V的碳化硅技术PI也有，但是阎金光表示，氮化镓在价格上更具优势，包括材料、生产工艺、切割......
GaN材料成本直降90%，“挤掉”SiC提上日程？(2023-09-19)
GaN材料成本直降90%，“挤掉”SiC提上日程？;作为宽禁带半导体家族中的一员，氮化镓(GaN)功率器件近两年获得了比之前更高的关注度，正逐渐成为第三代半导体材料中最耀眼的一颗新星。
根据Yole......
ITRI Pub#580：SMT所使用的锡与锡合金的金相学解读(2024-11-13 06:39:18)
有许多独特的物理化学性质，如低熔点、良好的延展性和耐腐蚀性，因此被广泛应用于各种工业领域。锡合金则是以锡为主要成分，通过添加其他金属或非金属元素而形成的具有特定性能的合金材料。这些合金在机械性能、耐腐......
氧化镓商业化脚步临近，或将与碳化硅直接竞争(2023-09-22)
杂的块状单晶。
具体而言，氧化镓是一种多变的半导体材料，它有六种不同的晶相，其中最稳定的是β相。β相氧化镓可以通过熔融法生长出大尺寸的单晶衬底，这对......
第二十一届中国国际半导体博览会闭幕，博威合金半导体靶材背板材料引关注(2024-11-21)
半导体产业的重要盛会，此次博览会聚焦半导体产业链、供应链及超大规模应用市场，展现半导体行业的发展趋势和技术创新成果，吸引了众多国内外知名企业和专业人士的积极参与。其中，宁波博威合金材料股份有限公司（简称......
中国开发芯片技术，美国疑虑重重(2016-10-21)
构也表示，担心中国的目标是这种材料。声明称，大批量生产氮化镓是中国的“经济重点发展项目”，并称担心大陆从与该材料有关的台湾企业窃取商业秘密，也担......
7亿美元，印度软件厂商计划进军芯片制造！(2024-05-20)
种类繁多，碳化硅与氮化镓是代表产品，目前二者在消费电子与电动汽车的应用备受关注。
近年印度积极推动芯片组装和本地化生产，旨在成为全球半导体市场的重要参与者。业界指出，印度......
损害赔偿，并希望能够禁止英诺赛科公司将其构成侵权的氮化镓产品套件进口至美国。
取代硅： 氮化镓与电力转换的未来
氮化镓（GaN）是下一代电源转换技术，有望在未来十年内取代硅基功率半导体。与硅基半导体相比，氮化镓是......
宜普电源转换公司（EPC）在美国国际贸易委员会起诉竞争对手英诺赛科，要求保护新兴氮化镓（GaN）技术专利(2023-05-25 14:28)
产品套件进口至美国。取代硅： 氮化镓与电力转换的未来氮化镓（GaN）是下一代电源转换技术，有望在未来十年内取代硅基功率半导体。与硅基半导体相比，氮化镓是更小、更高......
氮化镓 (GaN) 带来电源管理变革的 3 大原因(2023-04-18)
数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密度。
氮化镓技术，通常称为 GaN，是一种宽带隙半导体材料，越来越多地用于高电压应用。这些应用需要具有更大功率密度、更高能效、更高开关频率、更出色热管理和更小尺寸的电源。除了数据中心，这些......
氮化镓芯片制造商纳微半导体最快将于今年Q3上市(2021-05-08)
任何适用的监管批准。预计该笔交易最终将于2021年第三季度完成。
氮化镓是下一代半导体技术，其运行速度比传统硅快20倍，且尺寸和重量仅为传统硅器件的二分之一，可实现高达三倍的功耗或三倍的充电速度。Navitas......
全球芯片正在破局...(2024-07-15)
。其中氮化铝（AlN）和金刚石仍面临大量科学问题亟待解决，而针对氧化镓，业界指出，氧化镓是继第三代半导体碳化硅和氮化镓之后，最具市场潜力的材料。
氧化镓方面，根据资料，特性上，氧化镓......
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;上海荣御合金材料有限公司;;上海荣御合金材料有限公司是一家集生产加工、经销批发的有限责任公司，镍铬丝・带、电热丝、锰铜丝、电炉丝・带、康铜丝、电阻丝・带、镍铬合金是上海荣御合金材料
;宁波市江东方俊电工合金材料厂;;宁波市江东方俊电工合金材料厂是一家集生产加工、经销批发的私营独资企业，各类电器触点、银触点、复合触点、电器触片、复合触片.、各类银丝材是宁波市江东方俊电工合金材料
;上海廉贵合金材料有限公司;;上海廉贵合金材料有限公司是一家专业制造精密合金材料、贵金属制品的股份企业。 十几年来，从原料冶炼成材，到最后成品出厂，融贯全程的质量保障是本公司的特点。目前公司生产的精创牌电阻合金
;上 海焱鑫合金材料有限公司;;上海焱鑫合金材料有限公司是生产热电偶合金、电阻合金、铜镍系列合金、电热合金、铁镍软磁合金等特种合金丝带材的专业化公司。公司拥有冶炼、锻轧、拉拔、冷轧、热处
;东台市宝金电热合金材料厂;;东台市宝金电热合金材料厂是一家集生产加工、经销批发的私营独资企业，高温镍铬丝、高温网带丝、高温棒材、精密合金、高电阻电热丝、耐高温扁带、不锈钢丝、高温
;继电器 上海鼎阜金属材料有限公司;;上海鼎阜金属材料有限公司主要针对测温材料、电阻材 料、低阻发热合金材料、精密合金材料、热电偶和贵金属加 工等多种合金丝、带、棒材料销售公司。 本公
manufacturing in Taiwan.
; EPC设计，开发，市场，销售基于氮化镓的电源管理设备，采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换，利用优越的半导体材料，EPC是率先推出增强型氮化镓
;上海御阳电工合金材料有限公司;;上海御阳电工合金材料有限公司成立于1998年.是国内生产电阻电热合金的专业生产厂家. 我厂集科研生产与一体,从熔炼扎钢,拉拔,机械
;上海慈东合金材料公司;;