资讯
华人科学家发现立方砷化硼，或是迄今“最佳”半导体材料(2022-07-25)
较差，而其他材料如砷化镓，同样具有良好的电子迁移率，但对空穴不具有良好的迁移率。
研究负责人表示，许多电子产品的主要瓶颈在于热量，尽管碳化硅的电迁移率较低，但其热导率是硅的三倍，因此......
香港大学开发新方法 制备更高效、安全的锂电池(2023-03-12)
组成，能把通过的阴离子捆绑缠绕在聚合物框架中，从而实现高度选择性的阳离子传输。
聚合物内部的阳离子导电性，由链段迁移率系统工程控制，有助于制定新的高导电固体电解质的全面设计规则。
这种单离子......
半导体工艺变局在即｜3nm以下工艺举步维艰，纳米片浮出水面(2023-01-11)
代纳米片将继续使用硅基沟道来实现nFET，因为其性能已经足够。
为了改进pFET，代工厂正在研究高迁移率沟道材料。领先的材料竞争者是SiGe，尽管III-V材料、锗和其他技术也在研发中。应变SiGe由于其优越的空穴迁移率和......
东北大学开发岩盐氧化物阴极材料 适用于可充电镁电池(2024-04-03)
材料。研究人员采用了高熵策略，以促进阳离子缺陷激活岩盐氧化物阴极。这一进展还解决了RMB的一个关键问题，即镁在固体材料中传输困难。到目前为止，镁的迁移率在传统阴极材料中（如尖晶石结构材料）需要......
巨光东来第三代砷化镓太阳能电池项目签约天津(2024-10-31 14:17)
冀产业链供应链重点项目签约仪式上，咸水沽镇人民政府与巨光东来新能源有限公司就第三代（砷化镓）光伏发电系统及钠离子电池产业化项目进行签约。
砷化镓是光电及通信领域不可或缺的原材料，广泛应用于制造高频、高速、大功率、低噪......
碳化硅SIC将会发力电动汽车？(2024-03-07)
极 MOSFET，实现了特定沟道电阻降低 3.6 倍。
虽然尚不清楚功率器件行业将多快采用像 finFET 这样激进的架构，但 SiC 的高击穿电压是一个引人注目的优势。希望实现这一优势的制造商需要找到解决方案来应对低迁移率和高电流密度带来的挑战。 ......
70轮融资完成！73家动态更新！“钠电池元年”来了？(2023-07-27)
池产业发展应用也存在诸多挑战，能量密度偏低，迁移率低导致容易产生损耗、充电效率和电池寿命低等技术难题。
资本涌入 政策加持
从市场表现来看，钠离子电池量产愈发临近，资本市场对产业链企业追逐更甚。
截至2023年7......
MIT黑科技：让芯片自己组装自己 轻松实现7纳米(2017-03-29)
管的工作原理为在闸极施予一固定电压，使信道形成，电流即可通过。在数位电路中，藉由电流通过与否，便可代表逻辑的1或0。
过去信道的材料主要为硅，然而硅的电子迁移率（Electron Mobility）已不......
我国研发出首个室温超快氢负离子导体(2023-04-06)
土氢化物——氢化镧晶格中故意制造大量的缺陷和纳米微晶，研发出首个室温环境下超快氢负离子导体。相关研究成果4月5日发表于《自然》杂志。
在某些条件下，一些材料经历有序—无序相变，而转变为具有高离子电导率和低迁移能垒的超离子......
马里兰大学王春生团队：全固态锂金属电池负极界面设计思路(2024-01-29)
报道的多孔疏锂/亲锂梯度夹层，则可同时抑制空隙形成和电解质还原。但夹层的电子离子电导率和梳锂性对锂沉积的影响并未被考虑。如果夹层具有低电子电导率、高离子电导率和疏锂性，从而......
霍尼韦尔自动化软件推动大规模电池制造变革(2024-06-17)
问霍尼韦尔中国网站www.honeywell.com.cn，或关注霍尼韦尔官方微博和官方微信。
[1] 来源于霍尼韦尔电池卓越制造平台在试点阶段的内部测试结果
[2] 资料来源：美国国家可再生能源实验室发布的《汽车锂离子电......
霍尼韦尔自动化软件推动大规模电池制造变革(2024-06-17)
注霍尼韦尔官方微博和官方微信。
[1] 来源于霍尼韦尔电池卓越制造平台在试点阶段的内部测试结果
[2] 资料来源：美国国家可再生能源实验室发布的《汽车锂离子电池制造：区域......
霍尼韦尔自动化软件推动大规模电池制造变革(2024-06-18 09:25)
注霍尼韦尔官方微博和官方微信。
[1] 来源于霍尼韦尔电池卓越制造平台在试点阶段的内部测试结果[2] 资料来源：美国国家可再生能源实验室发布的《汽车锂离子电池制造：区域成本结构和供应链考量》（nrel.gov......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
前还没有p型GaN
HEMT，因此模拟/数字IC的设计与硅不同。没有p型氮化镓管的原因主要是：首先，离子注入和镁离子低温退火在GaN上难以实现；其次，GaN的空穴迁移率只有30cm2/Vs，远低......
北京大学研究团队在氧化物半导体器件方向取得系列重要进展(2023-02-21)
前面临的主要问题在于氧化物半导体高阈值电压与高开态电流不可兼得，从而需要负保持电压来实现高数据保持时间，并且写入速度仍然远低于主流DRAM的水平。针对上述问题，团队针对性开展了沟道优化与欧姆接触优化研究，通过原位氧离子处理的方式实现了兼具低载流子浓度与高迁移率......
浅谈因电迁移引发的半导体失效(2024-02-28)
浅谈因电迁移引发的半导体失效;前言本文引用地址：半导体产品老化是一个自然现象，在电子应用中，基于环境、自然等因素，半导体在经过一段时间连续工作之后，其功能会逐渐丧失，这被称为功能失效。半导......
极长寿命新型氧离子电池问世(2023-03-30)
到另一种陶瓷材料，之后可使它们再次迁移回来，从而产生电流。
陶瓷不易燃，这意味着它们不太可能着火，而锂离子电池经常会发生这种情况。此外，也不......
科学家研发氧离子电池：电池容量不衰减，具备超长使用寿命(2023-03-23)
科学家研发氧离子电池：电池容量不衰减，具备超长使用寿命;IT之家 3 月 23 日消息，是目前主流的电池解决方案，但科学家正在寻找替代解决方案。维也纳工业大学的科研团队近日开发出氧离子电池。本文......
Gallium Semiconductor推出首款ISM CW放大器，扩大产品组合(2023-09-19)
宣布推出GTH2e-2425300P ISM CW放大器，这是一款2.4-2.5 GHz、300W的预匹配离散型GaN on SiC高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility......
镁离子电池：离现实使用更近一步发展(2022-12-05)
+ 离子封装在其纳米孔中。这产生了一种基于 MOF 的电解质，其中 Mg 2+松散堆积，允许二价 Mg
2+离子迁移。然后为了提高离子电导率，他们将电解质引入乙腈蒸气中。对样品进行交流阻抗测试以测量离子电......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用(2022-12-30)
可使用的电压高十倍。基于碳化硅的半导体具有更高的热导率、更高的电子迁移率和更低的功率损耗；从而碳化硅(SiC)二极管已经进入迅速扩张的逆变器市场，尤其是在欧洲已经意识到了太阳能的优点，正在......
AKM新一代电流传感器：电动汽车高压SiC平台的“灵魂伴侣”(2023-09-11)
敏度霍尔元件砷化铟是AKM独创的化合物半导体技术，将其应用至电流传感器中，使得在产品分辨率和响应速度方面的优势十分明显。江华分享道，与使用硅（Si）材料的一般电流传感器相比，砷化铟化合物半导体的电子迁移率......
功率半导体设计挑战都有哪些？(2024-02-21)
既是功率器件最重要的指标，也是最大的挑战。 效率的驱动力主要通过器件的导通电阻来衡量。 除了效率之外，其他几个挑战也需要关注，包括：
• 电流密度：确保设计符合电迁移 (EM) 规则
• 器件打开/关闭......
美国团队研发电动汽车新充电技术：10 分钟充电 90%，堪比加油(2022-08-23)
% 以上，并且没有锂电镀或阴极开裂。这意味电动汽车充电速度有望向加油速度看齐。
据介绍，当锂离子电池进行充电时，锂离子将从设备的一侧（阴极）迁移到另一侧（阳极）。当锂离子迁移的越快，充电......
中科院合肥研究所开发超长循环锂离子电池(2022-12-19)
中科院合肥研究所开发超长循环锂离子电池;近年来，锂离子电池广泛应用于不同领域。与传统锂离子电池正极材料相比，单位质量富锂锰基正极材料中有更多的锂离子参与能量存储。
外延......
三星SDI固态电池技术：9分钟完成80%充电，拥有20年超长寿命！(2024-03-07)
三星SDI固态电池技术：9分钟完成80%充电，拥有20年超长寿命！;近日，三星SDI公布了他们最新的Super-Gap固态电池技术，根据介绍它的性能比锂离子电池好40%左右，最高拥有900Wh/L......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用(2023-01-03)
硅(SiC)是一种非常适合电力应用的半导体，这主要归功于它能够承受高电压，比硅可使用的电压高十倍。基于碳化硅的半导体具有更高的热导率、更高的电子迁移率和更低的功率损耗；从而碳化硅(SiC)二极......
昆仑新材发布固态电解质、高硅体系电解液等多项重磅新技术(2024-03-01)
进一步提高能量密度需采用固态电解质完全替代液态电解液。固态电池的产业发展路线是从液态电解液电池先过渡到固液混合电解质，最终向全固态电解质发展。固态电解质可以满足诸多条件，包括高离子导率、宽电化学窗口、高锂离子选择性(即高锂离子迁移率)，优异......
全固态电池空间电荷层微观机理揭示(2023-03-29)
现这一现象的微观机理和过往几十年的认知截然不同。研究成果发表在国际学术期刊《自然·通讯》上。
相比于目前的商业化锂离子电池，全固态锂电池具有更好的安全性和更大的能量密度提升空间。在这种电池中，空间电荷层可以产生于各种固—固界......
GaN新技术可使散热能力提高2倍以上(2024-01-04)
试图通过新一代材料解决上述问题。
据悉，金刚石具备极强的导热性能，氮化镓具有宽带隙和高导电性等特性，居于上述特性，以金刚石为衬底的氮化镓晶体管被寄予厚望。
在最新研究中，大阪公立大学的科学家们成功地用金刚石作为衬底制造了高电子迁移率......
GaN新技术可使散热能力提高2倍以上(2024-01-04)
公立大学的科学家们成功地用金刚石作为衬底制造了GaN高电子迁移率晶体管。为了进一步提高金刚石的导热性，研究人员在GaN和金刚石之间加入了一层3C-SiC（立方碳化硅）层。这一技术显著降低了界面的热阻，从而提高了散热效率。
封面图片来源：拍信网......
我国首款嵌套式霍尔推力器成功点火运行！(2024-01-31)
霍尔效应推力器（Hall effect thruster）。在推力器中推进剂被电场加速，霍尔推力器将电子约束在磁场中，并利用电子电离推进剂，加速离子产生推力，并中和羽流中的离子。
霍尔......
三星7nm工艺揭秘，摩尔定律还能继续(2017-03-13)
材料中发生大的改变是在90纳米工艺，那时全球工业界开始引入应变硅材料。芯片制造商采用外延工艺在PMOS晶体管形成中集成了SiGe的应变硅，或者称让晶格结构发生畸变。这样可以通过增加空穴的迁移率......
GaN， “镓”驭全功率 ——高压大功率应用，氮化镓前景可期(2024-06-17)
的结构不变从而保持它的高性能及可靠性。在自然状态下，2DEG沟道可不受束缚地最大化其无与伦比的高迁移率和电荷密度组合。Transphorm的Normally-off D-mode解决......
中国科学院化学研究所等发展直写高性能原子级厚二维半导体薄膜新策略(2022-11-10)
率较低（约4.9%）。研究使用商用石墨烯作为电极，制备的晶体管在室温下显示出6.7 cm2·V-1·s-1的迁移率和2×106的开关比，超过了此前印刷MoS2薄膜晶体管的性能。基于此，科研......
固态电池商用可行性探索进展加速，“颠覆性”还很难！(2023-01-11)
进一步提高电压。我们的实验仍在进行中。”
还有一家2019年成立的Solid State Battery（SSB），其固态电解质使用聚合物和离子材料的组合，从而产生更大的离子迁移率。此外，加入的纳米颗粒通过抑制枝晶生长以及提供额外的离子......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
道效应中的器件亚阈值电流成为妨碍工艺进一步发展的主要因素，尽管提高沟道掺杂浓度可以在一定程度上抑制短沟道效应，然而高掺杂的沟道会增大库伦散射，使载流子迁移率下降，导致器件的速度降低，所以......
从原理到实例：GaN为何值得期待？(2021-11-30)
降低了漂移区电阻率，以获得更低的Ron和更高的功率性能。
3、高电子饱和漂移速率：在半导体器件工作过程中，多数是利用电子作为载流子实现电流的传输。高电子饱和漂移速率可以保证半导体器件工作在高电场材料仍然能保持高的迁移率......
技术革新引领绿色发展，国际化战略加速推进(2024-08-29 12:43)
年同期增长约1.09%。在积极探索新兴业务发展的同时，天能投入大量精力巩固和加强主业的龙头地位，基石业务铅蓄电池取得营业收入约人民币192.52亿元；在新能源电池领域，天能加快开拓锂电储能，加速迭代氢燃料电池及钠离子电......
质用车：钠离子电池为何火了？有何优劣势？(2023-12-06)
负极电极电势降低，从而使得正负极之间电压差升高而实现钠离子电池的充电；放电时，钠离子和电子的迁移则与之相反，钠离子从负极脱出经电解液后重新嵌入正极活性材料晶格中。电子则经由外电路从负极流向正极，为外......
AsiaRF推出业内首款Wi-Fi CERTIFIED HaLow™物联网网关(2023-06-07)
功耗、远距离优势与摩尔斯微电子MM6108 SoC的卓越射频性能相结合，AsiaRF物联网网关将为物联网连接解决方案树立一个新标杆。AsiaRF和摩尔斯微电子之间的合作，将使......
2024年度动力电池新时代——钠离子电池的崛起(2024-06-24)
在外部电路中传递，与钠离子的迁移保持电荷平衡。由于钠离子电池这一特性，与锂离子电池的制造设备可兼容，产业化难度较小，未来市场前景广阔。
能量密度方面，钠离子电池的电芯通常在105-150wh/kg范围......
摩尔定律还能继续，有技术为证！(2017-04-24)
和电容对于信号通过越来越细的导线传播速度的影响。电阻也产生热量，这可能导致信号完整性问题、电迁移，并且可能导致质量随时间的退化。 此外，片上资源存在线路拥塞和竞争。而在45nm以下，模拟IP不再缩小，这就......
华为真的做了石墨烯电池？秒杀锂电池？(2016-12-02)
华为真的做了石墨烯电池？秒杀锂电池？;
版权声明：本文来自《凤凰科技》，如您觉得不合适，请与我们联系，谢谢。
12月 1日消息，华为中央研究院瓦特实验室在第 57届日本电池大会上宣布在锂离子电......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
更高的工作电压、频率和温度。更宽的带隙对于允许器件在更高的温度下工作尤为重要。耐高温意味着，在正常条件下这些器件可以在更高的功率水平上运行。具有较高临界电场和较高迁移率的宽带隙半导体具有最低的漏源导通电阻 (RDS......
锂钠之争，谁才是电池市场的未来(2023-01-14)
对比 [2]
在工作原理上，钠离子电池与锂离子电池极具相似性。钠离子电池充电过程中，正极材料发生氧化反应，失去电子，同时钠离子从正极脱嵌。电子补偿电荷通过外电路到达负极，钠离子也通过电解液迁移......
华大九天发布高性能晶体管级电源完整性分析工具Empyrean Patron®(2022-07-14)
依据摩尔定律及后摩尔定律，工业界一直致力于在缩小芯片面积的同时增加内部器件数量，因此器件本身尺寸及连接方式越来越受到限制。对于低压设计、物联网设计和汽车电子产品而言，电迁移和IR-drop......
性能比硅优越的半导体材料，立方砷化硼取得研究进展(2022-07-25)
理工学院研究人员首次取得重要科学进展，于实验中发现立方砷化硼晶体为电子、电洞提供高载流子迁移率，扩大该材料于商业领域的潜在用途，比如提高CPU速度。
硅、砷化镓等材料具有良好的电子迁移率，但电洞迁移率......
GaN衬底研发获新突破！(2022-12-01)
阻率。
近年来，半绝缘SiC衬底上外延生长的GaN高迁移率晶体管(GaN-on-SiC HEMTs)已广泛应用于微波射频领域的功率放大器电路中，然而由于GaN和SiC晶体之间的晶格失配和热失配，导致......
霍尼韦尔与NEXCERIS公司加强合作 提高电动汽车安全性(2022-12-08)
球电动汽车销量同比翻了一番，达到近700万辆[1]。如今，许多电动汽车都以锂离子电池作为能量来源，而锂离子电池在极少数情况下可能带来火灾等重大安全风险并危及汽车驾驶员、将电......
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