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浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
频信号加到共射极三极管VT1的基极，经放大后，由集电极输出并直接送到VT2的发射级，经VT2放大后，由视频信号VT2的集电极输出，送往显像管的阴极。
2、绝缘栅型场效应管......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
变化多少。
3. 场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产生电流，而三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC，因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。
4. 场效应管......
重庆万国造出自研自产 IGBT 元件，预计今年内实现量产(2022-08-12)
Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide......
伺服系统构成及其工作原理(2024-06-03)
%以上。IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点，用于......
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
的，所以NMOS又被称为绝缘栅型场效应管。
当栅极G和源极S之间不加任何电压，即VGS=0时，由于漏极和源极两个N+型区之间隔有P型衬底，相当于两个背靠背连接的PN结，它们......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用;
一、分类
MOSFET是集成电路中带有绝缘层的栅型场效应管，主要分为N沟道和P沟道两大类。其中N沟道MOS管电路中BEEP引脚......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
内部的二极管给替代了。
电源反接时，场效应管内的二极管未到击穿电压不导通。分压电阻无电流流过无法提供G极电压，也不导通，从而起到保护作用。
对于电路中并联在分压电阻上的稳压二极管，因为场效应管的输入电阻是很高的，是一......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
内的二极管未到击穿电压不导通。分压电阻无电流流过无法提供G极电压，也不导通。从而起到保护作用。
对于电路中并联在分压电阻上的稳压二极管，因为场效应管的输入电......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
指针式万用表对场效应管进行判别方法;（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
；而三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。
4、场效应管只有多数载流子参与导电；三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电，因少......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
IB决定集电极电流IC。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。
4、场效应管只有多数载流子参与导电；三极......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
变化多少。
3、场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产生电流；而三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
论表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度较大，就说明管有较大的放大能力。
第二，此方法对MOS场效应管也适用。但要注意，MOS场效应管的输人电阻高，栅极Ｇ允许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘......
双面散热汽车IGBT器件热测试评估方式创新(2023-03-06)
Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有（Metal-Oxide......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
必看！IGBT基础知识汇总！;
01 是什么？本文引用地址：
，绝缘栅双极型，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
纯直流场效应管功放电路;【电路原理】这款场效应管功放，适合那些倾心于电子管音色，因而各种原因无法自制出靓声的胆后级发烧友。此款双极型场效应管功放与电子管的输出特性极为相似，频率特性好，音色......
igbt在电动汽车上的作用(2023-09-28)
igbt在电动汽车上的作用; igbt在电动汽车上的作用
IGBT是一种由控制电路控制、是否导电的半导体；由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成......
STM32控制的电子负载(2022-12-08)
功率部分的地和测控部分的地隔离分开，两个地通过0欧姆电阻点连接，可以减少因压降或噪声导致的测量噪声干扰。
负载晶体管与电流检测
该部分电路负责硬件恒定电流控制，利用运算放大器LM358的负反馈控制场效应管的......
储能系统的关键零部件——IGBT介绍(2024-10-08 17:04:04)
源变换与传输的核心器件
IGBT可以通俗的理解为是带阀门控制的能控制电子双向（多向）流动的晶体管。IGBT是由BJT双极型三极管和绝缘栅型场效应管MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有 MOSFET金氧半场效晶体管的高输入......
车规级IGBT有多重要？(2024-03-11)
双极型晶体管，它由绝缘栅型场效应管和双极型三极管两个部分组成，其兼具MOSFET输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度快和BJT通态电流大、导通压降低、损耗小等优点，是功......
SiC功率器件崛起，新能源汽车迎来性能革命！(2024-03-19)
能源汽车中的应用
IGBT是一种由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有驱动容易、控制简单、开关频率高、导通电压低、通态电流大、损耗小等优点。在新......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
端连接在一起，在第二级中补偿电容实际作为密勒电容使用。
通过提供足够的栅源电压值使场效应管导通，衬底驱动MOS晶体管即以耗尽型器件的原理工作，通过施加在衬底端的输入电压调制流经晶体管的电流，完成采用衬底驱动输入晶体管的......
什么是H桥？介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
，下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场效应管相当于四个开关。 相对于前文4个N型MOS管的H桥电路，此电......
介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
MOS管的H桥，另外还有包含2个N型、2个P型MOS管的H桥，
下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场效应管......
硬件工程师的哲学人生~(2024-10-17 22:45:34)
你爱一个男生，非常笃定的话就和他结婚吧，男生的爱情就像绝缘栅场效应管，一般不可以测，所以，你千万别用你的闺蜜好友啥的来试他，男生的防线就如模电老师形容那管子一样，一测试就坏，而且，就算坏了，你还......
圣邦微电子推出 60V 高压降压转换器 SGM61630(2023-03-04)
内部集成高边 NMOS 类型场效应管，MOSFET 导通内阻典型值 140mΩ。芯片静态电流仅 50μA，在休眠关闭模式下漏电流仅 2μA，非常适合电池供电的高压转低压应用，如车......
STM32单片机的GPIO端口设置(2024-04-16)
式输出级即提高电路的负载能力，又提高开关速度。
4.2 开漏电路
场效应管是电压控制型元器件，当对场效应管的栅极施加电压时，漏极与源极会导通。结型场效应管有一个特性就是它的输入阻抗非常大，这意味着：没有电流......
模拟电路入门100个知识点！(2024-11-10 22:13:28)
。
35、场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻
大
，热稳定性
好......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
基站及许多工业用途。
•DTMOSVI系列：TK055U60Z1功率场效应管是600V DTMOSVI系列的第一款产品，该系列产品基于东芝最新一代工艺，采用了超级结结构，被广泛认为是功率场效应管的最新分水岭。新型场效应管的......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
列产品基于东芝最新一代工艺，采用了超级结结构，被广泛认为是功率场效应管的最新分水岭。新型场效应管的RDS(on)仅为55毫欧，性能较东芝DTMOSIV-H系列的同类器件提升了13%。
TPH9R00CQ5功率场效应管......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
I-V测量
本节描述了用于表征生物场效应管的常见直流I-V测量，包括传输特性（Id-Vg）、输出特性（Id-Vd）和漏电流与时间测量（Id-t）。
传输特性（Id-Vg）
生物场效应管......
电动汽车车载充电器过流保护电路分析(2024-04-29)
收到过流保护信号时关闭SiC开关管的控制信号输出通道，以使AC/DC变换器40和DC/DC变换器50停止工作。预设电流阈值可以根据实际情况进行预设。
其中，在本实用新型实施例中，SiC开关管为SiC功率场效应管。与传统的场效应管......
【51单片机】I/O口(2024-07-26)
~ P3：内置上拉电阻的双向I/O口，各端口缓冲器可接收、输出4个TTL门电路。
P0 ~ P3做输入端时必须将P0 ~ P3口先置1。使内部场效应管截止，从而不影响输入电平。
P0 ~ P3均可......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17 15:24)
最新分水岭。新型场效应管的RDS(on)仅为55毫欧，性能较东芝DTMOSIV-H系列的同类器件提升了13%。
• TPH9R00CQ5功率场效应管：基于U-MOS X-H沟槽工艺，这种新型功率场效应管......
8051单片机基本操作(2024-01-15)
导通，通过P1口的内部上拉电阻，P1口被钳在0电平上，1无法送入P1口。所以与P0口一样，在数据输入P1口之前，先要通过内部总线向锁存器写1，让非Q=0，场效应管截止，P1口输入的1就可以送到输入三态缓冲器的输入......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
最新分水岭。新型场效应管的RDS(on)仅为55毫欧，性能较东芝DTMOSIV-H系列的同类器件提升了13%。
TPH9R00CQ5功率场效应管：基于U-MOS X-H沟槽工艺，这种新型功率场效应管......
请问一下IGBT是如何实现电路控制的？(2024-06-14)
晶体管（MOSFET）的高电流单栅控制特性及双极性晶体管的低饱和电压的能力，在单一的IGBT器件里，会透过把一个隔离的场效应晶体管（FET）结合，作为其控制输入，并以......
电路与人生，这样来理解电路(2024-10-20 12:02:30)
你爱一个男人，就和他结婚吧，男人的爱情就像绝缘栅场效应管，一般不可以测，所以，你千万别用你的闺蜜好友啥的来试他，男人的防线就如模电老师形容那管子一样，一测试就坏，而且，就算坏了，你还......
全面解析STC89C52单片机的LED调光系统电路(2023-10-08)
结构为Boost电路，如下图2.1所示。当电压输入电压的范围是5-12V，输出根据 的调节范围是24-36V。引脚1输出PWM来控制场效应管IRF3205的导通与截止。 引脚3是电压反馈端，内置......
可控硅控制器工作原理(2024-01-22)
结构的双极型晶体管称为普通双极性晶体三极管简称普通双极管。
(2)场效应管
场效应管的内部含有许多由导电材料构成的栅源和漏源两个电极形成的空间电荷层而构成具有放大能力的器件叫场效应晶体管，也叫绝缘栅......
使用电机驱动器IC实施的PCB设计(2024-08-30)
于把驱动板的地线与单片机的地线隔开，实现“一点接地”。高速运放KF347(也可以用TL084)的作用是比较器，把输入逻辑信号同来自指示灯和一个二极管的2.7V基准电压比较，转换成接近功率电源电压幅度的方波信号。KF347的输入电......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
极之间没有导电沟道，所以电流为0；
当开关S闭合，场效应管栅极获得正电压，上面会带有正电荷，它产生的电场穿过电介质，将P衬底中的电子吸引过来并聚集，从而在两个都是N型掺杂的源漏极之间出现导电沟道，由于......
手持万用表的原理介绍(2023-02-07)
时要使用低量程，为其提供最大的测试电流。测试绝缘栅型的场效应管GBT管或高压硅堆时，要使用Rx10K量程，才能为其栅极提供5V以上的门坎电压。测量发光二极管或光电耦合器的二极管时，如果......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
特性参数
SVG032R4NL5 100A、30VN沟道增强型场效应管采用PDFN56封装，具有100A、30V的电流、电压，RDS(on) = 2.0mΩtyp) ，封装、参数和PKC26BB基本......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
CHAO
在大部分的教材里都会告诉你长长的一段话：
全称金属氧化半导体场效应晶体管，英文名Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，属于绝缘栅极场效......
集体爆发！实现33%国产化率，国产IGBT半导体龙头跻身全球前五！(2024-06-03)
型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，被誉为是电力电子行业的“CPU”。
目前IGBT大规......
储能逆变器带动哪电力电子器件？(2024-10-18 17:33:25)
作用就是变压、变频、交变转换等
，是储能应用中不可缺少的器件。
IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成......
8051单片机的GPIO(2024-07-25)
总线时，无需外接上拉电阻。
P0可做为高阻态输入端使用。
P0 ~ P3做输入时，端口必须先置1，使内部场效应管截止，从而不影响输入电平。
......
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;深圳市华坤伟业电子经营部;;IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅极型功率管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成
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;结型场效应管 尼博集团有限公司;;尼博集
;结型场效应管 深圳市佰�N电子有限公司;;
;结型场效应管 深圳市正达荣电子有限公司;;深圳市正达荣电子有限公司，于1999年正式踏入电子行业，早已形成全面、完善的电子行业系统体系，以其先进的技术、可靠的性能、优惠的价格、良好的服务态度、周到