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种都是半导体行业中的关键材料之一,而且中国都是全球储量及产量最大的,对半导体影响有重要影响。 受此消息影响,全球的镓、锗价格已经开始上涨,不过此前涨幅并不算夸张,今天正式限制之后还有待观察。 全球......
正式实施。 中国禁止出口镓锗等材料是为了维护国家安全和利益。中国在这两种广泛应用于战略新兴产业的金属原材料上,不但储量丰富,而且是全球的供应大国。通过出口许可制,可以厘清这些关键金属出口的最终用户和用途,以规......
全球稀土之争(2023-12-28)
国曾削减出口,导致稀土价格暴涨,形成市场哄抢。 2023年,中国的稀土金属生产配额提高了14%,达到24万吨,以支持其蓬勃发展的电动汽车产业。9月25日,中国工业和信息化部和自然资源部发布了“2023年第......
关物项包含氮化镓、砷化镓、铟镓砷等;锗相关物项包含磷锗锌、锗外延生长衬底、二氧化锗等。 此举也引发了海外芯片厂商囤货,因为没有这些是半导体生产的关键材料,没有将没办法生产芯片。 据韩国媒体报道称,数据显示,韩国......
美开发“塑胶芯片”,价格不到1美分?;据外媒报道,美国伊利诺大学厄巴纳-香槟分校与柔性电子制造商PragmatIC半导体,共同设计了一款廉价的塑胶处理器,并预估能以不到1美分的价格大规模生产,真正......
个几乎无法想象的数字背后,是晶体管价格的持续下降,因为工程师们已经学会将越来越多的晶体管集成到同一硅片区域。 缩小硅平面二维空间中的晶体管取得了巨大的成功:自 1971 年以来,逻辑......
新型铜铟镓硒太阳能电池能效创纪录;瑞典乌普萨拉大学和第一太阳能欧洲技术中心科学家携手,研制出一款新型铜铟镓硒(CIGS)太阳能电池,其能源转换效率高达23.64%,创下同类太阳能电池能效新纪录。相关......
颠覆市场”。 光谷实验室表示,在食品检测、半导体检测等工业应用中,基于短波的机器视觉如同机器的“眼睛”,具有重要意义。成像芯片作为成像系统最核心部件,对成像质量以及相机成本均起着决定性作用。 传统铟镓......
颠覆市场”。 光谷实验室表示,在食品检测、半导体检测等工业应用中,基于短波红外成像的机器视觉如同机器的“眼睛”,具有重要意义。成像芯片作为成像系统最核心部件,对成像质量以及相机成本均起着决定性作用。 传统铟镓......
激励核心技术团队 立昂微1元转让立昂东芯9%股权;2月8日,立昂微发布公告,拟将持有的杭州立昂东芯微电子有限公司(以下简称“立昂东芯”)9%的股权以1元的价格......
电池)主要有单晶硅、多晶硅电池;第二代光伏电池(薄膜电池,具备低成本的特点)主要有非晶硅、砷化镓、碲化镉、铜铟镓硒等;第三代光伏电池(薄膜电池为主,具备高效率、低成本的特点),包括宽光谱叠层多结、染料......
的产能,已经全部被客户包走了,显示半导体景气的成长趋势,主要是汽车电子的需求量非常的大。 此前黄崇仁曾指出,力积电有三大策略方向,首先是第四代氧化物半导体IGZO(氧化铟镓锌),第二是逻辑、内存......
产品包括紫外高功率半导体光源芯片、像素化矩阵式智能车灯光源芯片等。据悉,InGaN (铟镓氮)基像素化矩阵式智能车大灯光源芯片的自主研发工作正有序推进,今年底将给下游客户提供样品。 封面图片来源:拍信网......
可与硅基芯片一体化集成的量子点短波红外成像芯片,其探测波段范围远超传统铟镓砷芯片,同时制造成本仅不到近百分之一。极大的成本优势,让量子点芯片有望推开新市场的大门。 封面图片来源:拍信网......
中国3D DRAM研究取得创新进展;随着尺寸的不断微缩,1T1C结构动态随机存储器(DRAM)的存储电容限制问题愈发显著,导致传统1T1C-DRAM面临微缩瓶颈。 基于铟镓锌氧(IGZO)晶体......
投资10亿人民币,积极把握当前汽车产业“新能源化和智能化”的发展契机,布局汽车下一代光电子芯片的研发与车规级芯片制造,通过布局InGaN(铟镓氮)基像素化矩阵式智能车大灯光源芯片、AlGaN(铝镓氮)基高......
中指出,镓相关物项包含氮化镓、砷化镓、铟镓砷等;锗相关物项包含磷锗锌、锗外延生长衬底、二氧化锗等。 此举也引发了海外厂商囤货,因为没有这些是生产的关键材料,没有将没办法生产。 与铜......
3.45μm像素尺寸,提供高分辨率成像 在形成光接收单元的光电二极管的铟镓砷(InGaAs)层和形成读出电路(ROIC)的硅(Si)层之间使用Cu-Cu连接。这一......
×0.2cm,芯片一致性好,性能稳定,在应用时方便使用、易操作上手,无论是对量子产业发展还是量子科学的研究,都将产生极大促进作用。 国光量子自主研发的量子编解码和调制解调芯片,集成了铌酸锂、硅光、铟镓......
进一步微缩面临挑战。基于铟镓锌氧(IGZO)晶体管的2T0C-DRAM有望克服1T1C-DRAM的微缩挑战,在3D DRAM方面发挥更大的优势。但目前的研究工作都基于平面结构的IGZO器件,形成......
纳米粒子或晶体可以精确调整以吸收扩展波长的光。该技术将系统的可见性和检测范围从标准CMOS传感器的范围扩展到SWIR波长。迄今为止,由于传统铟镓砷(InGAas)工艺的高成本和制造复杂性,SWIR 技术的采用受到限制。 声明称,SWIR......
的积分球组合 PD 100 光电二极管提供两种型号:一种配备硅(Si)探测器,适用于 400 nm 至 1100 nm的光谱范围。另一种配备铟镓砷(InGaAs)探测器,适用于 900......
辐射热仪/热式/未冷却 InGaAs –砷化铟镓 QWIP –量子阱红外探测器 预期销售增长 Teledyne预计,收购将立即增加收益,不包括交易成本和无形资产摊销,并在......
晶体管的数目增长每两年增加一倍。给人印象最深的当属集成电路中单个晶体管的价格,从上世纪六七十年代的1美元飞流直下,到了二十一世纪,单个晶体管价格仅为1美元的千万分之一。 图片......
前市场的涨价预期更多是情绪左右。 需要注意的是,尽管镓、锗相关物项国内价格变化尚难以判断,但在业内看来,下游相关产品大概率会出现供应紧缺,从而导致涨价。目前已有海外厂商火速对下游客户予以“安抚......
成果发表于《Nature Communications》上。   (三)基于铟镓氮红光Micro-LED芯片的全彩显示技术 南京大学、厦门大学、合肥......
)”领域上,砷化铟镓(InGaAs)、氮化镓(GaN)等非硅系芯片需求将加速,另一方面,随著高性能需求,车用芯片也将进一步无晶圆厂(Fabless)化、对晶......
/微晶硅薄膜电池组件的良率约为60%,主流厂商的CIGS(铜铟镓硒)电池组良率也只有65%。 曾有媒体在2018年报道称,山西省大批顾客投诉汉能薄膜太阳能发电产品涉嫌虚假宣传。该公......
Technology Corporation,简称SDTC) 宣布携手合作,E Ink元太科技将采用夏普显示科技的IGZO* (Indium Gallium Zinc Oxide,铟镓锌氧化物)背板,运用......
)或氧化铟镓(IGZO)等材料,这项技术也常用于高端显示器,像Apple的iPad和Macbook系列等中尺寸产品。Oxide的漏电流较低,将有利未来在透明显示器的应用。 大世代AMOLED......
咨询表示,目前普遍用于智能手机屏幕的氧化物(Oxide)半导体背板技术,主要采用氧化锌(ZnO)或氧化铟镓(IGZO)等材料,这项技术也常用于高端显示器,像Apple的iPad和Macbook系列......
、3818009004、3825690004)。 6.铟镓砷(参考海关商品编号:2853909028、3818009005、3825690005)。 7.硒化镓(包括但不限于多晶、单晶、晶片、外延片、粉末、碎料......
量子自主研发的量子编解码和调制解调芯片,集成了铌酸锂、硅光、铟镓砷和金属氯化物工艺,可以实现高精度的相位编码和偏振编码。整个芯片的光衰减在 3dB 之内,偏振隔离度超过 20dB。同时,整个芯片还考虑了无消相干子空间,无论......
量子自主研发的量子编解码和调制解调芯片,集成了铌酸锂、硅光、铟镓砷和金属氯化物工艺,可以实现高精度的相位编码和偏振编码。整个芯片的光衰减在 3dB 之内,偏振隔离度超过 20dB。同时,整个芯片还考虑了无消相干子空间,无论......
编解码和调制解调芯片性能如何,主要有调制精度、衰耗、调制带宽、偏振隔离度、纠缠制备效率等几个需要重点关注的关键指标。国光量子自主研发的量子编解码和调制解调芯片,集成了铌酸锂、硅光、铟镓砷和金属氯化物工艺,可以......
率提升用于银辅助低温工艺的柔性和串联应用的薄膜太阳能电池。 基于铜铟镓二硒(CIGS)的双面薄膜太阳能电池可以从正面和背面收集太阳能,因此可能比传统太阳能电池产生更多的太阳能。然而,到目前为止,它们......
与敏感度均低于量子探测器。 量子探测器由锑化铟(insb)、铟镓砷(ingaas)、硅化铂(ptsi)、碲镉汞(hgcdte或mct)和量子阱红外探测器(qwip)上分层的砷化镓/砷化铝镓等材料制成。量子......
目方法米尼和他的同事们建造的微处理器是标志性的MOS 6502。今天,这款芯片是一件博物馆展品,但在70年代,它是第一台苹果、康柏和任天堂电脑的驱动器。该团队在硅基底(使用非晶态铟镓锌氧化物)和基板上(使用......
研制的SPAD系列以及日本滨松公司的系列产品。图3为滨松公司生产的硅APD、铟镓砷APD、硅APD阵列系列样图及其光谱响应曲线图。硅APD在弱光检测中具有高速、高灵敏度特点,主要工作在波长为400......
事高端显示技术产品研发。 鸿海集团董事长郭台铭(右)介绍堺显示器的功能 SDP表示,新的十点五代产线还将导入氧化铟镓锌(IGZO)技术,预计2019年开始量产,生产大尺寸8K超高......
的激光剥离成为可能。通过在LED晶圆接合后进行热固化,可以防止芯片倾斜和开裂。对于容易出现裂缝的Mini LED芯片以及氮化铟镓(InGaN)和四元系统的红色Micro LED芯片,可以......
的激光剥离成为可能。通过在LED晶圆接合后进行热固化,可以防止芯片倾斜和开裂。对于容易出现裂缝的Mini LED芯片以及氮化铟镓(InGaN)和四元系统的红色Micro LED芯片,可以......
表与中科院微电子研究所合作开发的3D DRAM技术,并进行各种相关演示。 报道称,华为与中科院方面开发了基于铟镓锌氧IGZO-FET(由 In、Ga、Zn、O 组成的透明氧化物)材料的CAA(Channel-All......
,并筹集项目资金。Phlux计划成为“激光雷达(LiDAR)中的英伟达(Nvidia)”。 据麦姆斯咨询报道,Phlux于2024年1月推出新开发的Aura系列1550 nm铟镓砷(InGaAs)雪崩......
和织物等材料的可见性。 SWIR Vision Systems 的薄膜胶体量子点光电二极管阵列技术。图片由 SWIR Vision Systems 提供 SWIR 技术因其所基于的铟镓......
,905纳米激光雷达探测器通常使用硅技术,硅更容易获得且价格相对便宜。然而,硅在波长超过1,000纳米时就会停止吸收光线,激光雷达制造商将只得使用诸如砷化铟镓(InGaAs)等其他材料。InGaAs被视......
上发表与中科院微电子研究所合作开发的3D DRAM技术,并进行各种相关演示。 报道称,华为与中科院方面开发了基于铟镓锌氧IGZO-FET(由 In、Ga、Zn、O 组成的透明氧化物)材料的CAA......
的半导体需求和价值量也随之水涨船高。 IDTechEx 指出,在激光雷达(LiDAR)领域上,砷化铟镓(InGaAs)、氮化镓(GaN)等非硅系芯片需求将加速,另一方面,随着高性能需求,车用芯片也将进一步无晶圆厂(Fabless)化、对晶......
感度高,因为其涉及雪崩过程产生乘数因子,从给定数量的反射光子中产生更多的电子输出。 成本仍然是一个主要考虑因素 迄今为止,APD的制造常会用到铟镓砷(InGaAs)工艺。Phlux Technology......
电二极管寄生电阻。该寄生电阻代表零偏置p-n光电二极管结。光电二极管的材料(及其光学范围)是硅(190nm - 1100nm),锗(400nm -1700nm),砷化铟镓(800nm - 2600nm),硫化......

相关企业

)、SiPM(硅光电倍增管),铟镓砷APD(InGaAs)、雪崩二极管(APD)、脉冲激光二极管(PGA/PGEW系列)、光电二极管阵列、PIN快速光电二极管、四象限探测器及各种红外热释电、热电堆探测器等。
产品在ISO9001:2000质量保证的基础上,生产AlGaInP(铝镓铟磷)四元的红光、黄光、黄绿光和InGaN(铟镓氮)的蓝光、绿光等标准芯片、功率型芯片及SMD支架、蓝宝石衬底。目前
封装形式(TO-18,TO-5,TO-3,C-Mount,尾纤型,插拔式)和各种用途(通信,泵浦,医疗和美容,显示,激光印刷等)的半导体激光器;2.各类波长的光电探测器,包括铟镓砷(InGaAs)和硅(Si
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;镇江金岳矽钢片厂;;本厂专业加工硅钢片,所用材料及价格为: 《1》厚度0.5MM冷轧无取向新片:宝钢,武钢产,牌号470,价格7500/吨,牌号600,价格7000/吨, 《2》厚度0.35MM
;镇江市丹徒区谷阳润宇矽钢片厂;;本厂专业加工硅钢片,所用材料及价格为: 《1》厚度0.5MM冷轧无取向新片:宝钢,武钢产,牌号470,价格7500/吨,牌号600,价格7000/吨, 《2》厚度
;深圳市富士盛微电子有限公司;;只上传自己公司现货IC库存,只做全新原装正品,实单可报接受价格,!只上传自己公司现货IC库存,只做全新原装正品,实单可报接受价格,!只上传自己公司现货IC库存,只做
贝州通风空调设备有限公司的一个下设机构,主要销售武城、德州各厂家的空调及通风设备。我中心本着:最低的价格,最好的质量,来赢得广大的客户。我中心为了降低产品的价格,把每个产品的价格公布于网上,这样使每件产品的价格更加的透明(网页