资讯
如何用万用表测试MOSFET(2024-04-03)
MOSFET 状况良好。
方法#2：
N 型 MOSFET：
1.连接(C)完成后，按下开关(LED ON Switch)——如果LED亮起，则IGBT是好的。否则，LED 不亮，IGBT 坏。
2......
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
引用地址：
在我们的传统印象中，电机驱动系统往往采用IGBT作为开关器件，而 作为高速器件往往与光伏和电动汽车充电等需要高频变换的应用相关联。但在特定的电机应用中，仍然具有不可比拟的优势，他们是：
1. 低电......
IGBT驱动到底是做什么的?(2023-08-21)
到底是做什么的？”
这个问题说来简单，就像《极简电力电子学》中所说：“IGBT本质上就是一个电子开关，就好比你家里墙上的开关，按一下，开关闭合，电灯亮起；再按一下，电灯熄灭。
当然，操作IGBT，不再是手，而是......
基础知识之IGBT(2024-03-22)
引用地址：
元器件的特点
除了IGBT外，元器件（晶体管领域）的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等，它们主要被用作半导体开关。 根据其分别可支持的开关速度，BIPOLAR适用于中速开关......
如何通过优化模块布局解决芯片缩小带来的电气性能挑战(2023-03-13)
引用地址：
1200V TRENCHSTOP™ IGBT 7中功率技术与以前的IGBT 4技术相比，芯片缩小了约30%。芯片放置和模块布局可以对较小的芯片的热性能产生积极的影响，但它们也会影响开关损耗。
小芯......
工业马达驱动设计中IGBT的作用(2024-08-13)
业马达驱动设计中所扮演的角色、开关和传导性如何影响 IGBT 的选择，以及了解短路耐受时间的重要性。文中以重点方式阐述为何使用 Bourns 先进的离散式 IGBT 进行设计，有助......
安森美开发IGBT FS7开关平台，性能领先，应用工业市场(2023-03-21)
安森美开发IGBT FS7开关平台，性能领先，应用工业市场;安森美开发IGBT FS7开关平台，性能领先，应用工业市场
全新1200 V器件提供领先市场的导通和开关性能
2023 年 3 月 21......
具有反向阻断功能的新型 IGBT(2023-09-06)
具有反向阻断功能的新型 IGBT;新型 已开发出来，具有反向阻断能力。各种应用都需要此功能，例如电流源逆变器、谐振电路、双向开关或矩阵转换器。本文介绍了单片芯片的技术及其运行行为，并通......
飞兆半导体推出一系列1200 V沟槽型场截止IGBT(2013-12-06)
飞兆半导体推出一系列1200 V沟槽型场截止IGBT;飞兆半导体是全球领先的高性能电源和移动半导体解决方案的提供商，其推出一系列1200 V沟槽型场截止IGBT。以硬开关工业应用为目标，如太......
IGBT在电磁炉中的应用及解决方案(2024-02-26)
IGBT在电磁炉中的应用及解决方案;分立式 IGBT 是现代基于逆变器的电磁烹饪产品的首选电源开关。随着能源成本持续上升以及消费者对更小型烹饪解决方案的需求增加，IGBT 技术......
SiC功率器件崛起，新能源汽车迎来性能革命！(2024-03-19)
能源汽车中的应用
IGBT是一种由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有驱动容易、控制简单、开关频率高、导通电压低、通态电流大、损耗小等优点。在新......
IGBT重要的动态参数解析(2024-11-11 14:18:47)
IGBT重要的动态参数解析;
IGBT是个电力开关，它的工作常态是不断开关，这时候，动态......
能实现更高的电流密度和系统可靠性的IGBT模块(2023-10-20)
能实现更高的电流密度和系统可靠性的IGBT模块;随着全球对可再生能源的日益关注以及对效率的需求，高效率，高可靠性成为功率电子产业不断前行的关键。（安世半导体）的 产品系列优化了开关......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT最主要的作用就是把高压直流变为交流，以及变频（所以用在电动车上比较多）。
02 IGBT的工作原理
忽略......
美高森美为工业应用推出了新一代大功率、高性能650V NPT IGBT(2013-08-19)
bipolar gate transistors, IGBT)产品，备有45A、70A和95A额定电流型款。美高森美全新NPT IGBT产品系列专为严苛环境工作而设计，尤其适用于太阳能逆变器、焊接机和开关......
充分利用IGBT的关键在于要知道何时、何地以及如何使用它们(2023-10-16)
和半桥拓扑结构的 开关频率通常在 20 至 50 kHz 之间。
图 2：IGBT用于焊接的全桥、半桥和双管正激拓扑结构
电磁炉
电磁炉的原理是，通过励磁线圈迫使电流在高磁导率材质的锅内循环。然后，逆变......
碳化硅如何最大限度提高可再生能源系统的效率(2023-07-06)
和住宅应用中部署功率转换系统提供了更多机会。采用碳化硅 (SiC) 等宽带隙器件，可帮助设计人员平衡四大性能指标：效率、密度、成本和可靠性。
SiC 相比传统基于 IGBT 的电源应用在可再生能源系统中的优势
SiC 电源开关......
安森美开发IGBT FS7开关平台，性能领先，应用工业市场(2023-03-21)
安森美开发IGBT FS7开关平台，性能领先，应用工业市场;2023 年 3 月 21日—领先于智能电源和智能感知技术的（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），推出一系列全新超高能效1200V......
安森美开发IGBT FS7开关平台,性能领先,应用工业市场(2023-03-23)
安森美开发IGBT FS7开关平台,性能领先,应用工业市场;领先于智能电源和智能感知技术的（onsemi），推出一系列全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管（IGBT），具备......
全新4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化(2023-12-25)
将模块并排放置简化了并联操作，这也使得模块在并联时只需要一条直流母线即可实现。
4.5 kV XHP系列还使得开发人员在设计过程中能够减少元器件的使用数量。传统的IGBT解决3电平方案有多个单IGBT开关......
全新4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化(2023-12-25)
使得模块在并联时只需要一条直流母线即可实现。
4.5 kV XHP系列还使得开发人员在设计过程中能够减少元器件的使用数量。传统的IGBT解决3电平方案有多个单IGBT开关和一个半桥二极管，而使用新器件的设计只需要两个半桥开关......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05)
庞大的产品组合中增加了IGBT，满足了市场对于高效高压开关器件不断增长的需求以及在性能和成本方面的要求。这些器件有助于提高电源转换和电机驱动应用中的功率密度，包括工业电机驱动（例如5到20 kW (20 kHz......
低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术，满足光伏应用的需求(2022-12-23)
950V IGBT和二极管的静态损耗和/或开关损耗显著降低。通过分析应用需求与功率模块设计的相互作用，本文确定了功率模块的应用结果和优化路径。得益于经优化的功率模块设计和采用950V技术，近期......
IGBT／MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计(2023-10-24)
IGBT／MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计;本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、/。栅极......
Microsemi为NPT IGBT产品系列增添多款新器件(2013-04-03)
25A、50A和70A额定电流型款。
美高森美的NPT IGBT产品系列设计用于需要大功率和高性能广大范围的工业应用，最新的器件非常适合电焊机、太阳能逆变器，以及不间断电源和开关电源。1200V产品......
如何利用 SiC 打造更好的电动车牵引逆变器(2024-07-23)
的基于低导电损耗 IGBT 与 SiC FET 的逆变器在 400 V 总线 8kHz 下运行时的导电和开关损耗的比较。IGBT 解决方案即使在 8kHz 下的开关损耗也很可观，因而在 25kHz 下就......
安森美开发IGBT FS7开关平台，性能领先，应用工业市场(2023-03-22 09:21)
安森美开发IGBT FS7开关平台，性能领先，应用工业市场;
全新1200 V器件提供领先市场的导通和开关性能领先于智能电源和智能感知技术的安森美（onsemi，美国......
干货｜IGBT和SiC 栅极驱动器基础知识(2022-12-23)
干货｜IGBT和SiC 栅极驱动器基础知识;IGBT 和 SiC 电源开关有哪些市场和应用？本文引用地址：高效的电源转换在很大程度上取决于系统中使用的功 率半导体器件。由于功率器件技术不断改进，大功......
新能源汽车电机控制器功率损耗的计算(2023-07-20)
新能源汽车电机控制器功率损耗的计算;1.简介
电机控制器的损耗涵盖以下几部分：
IGBT导通损耗
IGBT开关损耗
续流二极管导通损耗
续流二极管开关损耗
DC-link电容损耗；
Bus bar......
变频器出现漏电问题分析(2023-09-22)
磁电感应的原理，电动机的外壳就会产生感应电动势，此电动势的大小就取决于变频器IGBT的开关频率的大小，由于高性能的控制要求高的开关频率，其开关速度很快，则DV/DT偏大，同时这个感应电动势就偏大，人触......
英飞凌推出全新4.5kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器(2024-01-10)
还使得开发人员在设计过程中能够减少元器件的使用数量。传统的IGBT解决三电平方案需要多个单IGBT开关和一个半桥二极管，而使用新器件的设计只需要两个半桥开关和一个更小的半桥二极管，这对......
igbt在电动汽车上的作用(2023-09-28)
开时，可承受数百至数千伏的电压，而 IGBT在大电流电压下，也可有极高的开关速度，每秒可达一万次。作为国家战略性新兴产业，广泛应用于光伏／风电设备、新能源汽车、家电、储能、轨道交通、电网、航空......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09)
频率的需求。
东芝在其新款IGBT中引入了最新的工艺。优化的沟槽结构确保了行业领先[2]的0.35mJ（典型值）[3]的低开关损耗（关断损耗），与东......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
（Direct Bond Copper）。下面我们将对每个部分进行简要介绍。
图 4. IGBT 剖面图① 散热基板IGBT模块的底部是散热基板，主要目的是快速传递IGBT开关过程中产生的热量。由于......
门极驱动正压对功率半导体性能的影响(2024-01-30)
天我们来一起看看门极正电压对器件的影响。文章将会从导通损耗，开关损耗和短路性能来分别讨论。
对导通损耗的影响
无论是MOSFET还是IGBT，都是受门极控制的器件。在相同电流的条件下，一般门极电压用得越高，导通损耗越小。因为......
汽车级大功率IGBT现状及未来趋势研究 (2024-07-14)
控制系统是新能源汽车产业链的重要环节，电控系统的技术水平直接影响整车的性能和成本。其中，电控系统应用的核心部件——IGBT 拥有高输入阻抗、高速开关和导通损耗低等特点，在高压系统中担负着极其重要角色：
在主逆变器（Main......
碳化硅MOSFET在电动汽车热管理系统中的研究(2023-05-04)
化硅MOSFET和硅IGBT的开关损耗进行对比｡使用PLECS仿真软件建立两者的热模型,进行系统性仿真,得到效率和结温间的对比结果｡最后通过电机对拖实验得出控制器应用碳化硅MOSFET时的效率,验证......
英飞凌推出采用TO-247PLUS SMD封装的EDT2工业级分立IGBT(2023-05-18)
IGBT技术，具有最低的导通损耗和开关损耗，这可以使电动商用车的电池电压达到450Vdc。
120-200A 750V......
从硅到碳化硅，更高能效是功率器件始终的追求(2023-09-07)
压、高效率、漏电流小、驱动电流小、开关速度快等，被广泛应用于电力控制系统中。
在低碳浪潮中，IGBT受到了热捧，其不仅器件可靠性更高，并且相较于传统的MOSFET、BJT，拥有更低的漏电流，因此......
重庆万国造出自研自产 IGBT 元件，预计今年内实现量产(2022-08-12)
万国在今年年初启动 IGBT 元件项目研发，该元件具有饱和压降低，开关损耗小，电流短路能力强等特点，可用于消费电器与工业电器的动能转换。
重庆万国市场资深经理李仁果介绍，在过去 12 个月......
IGBTs给高功率带来了更多的选择(2023-07-25)
晶圆背面采用了多层金属。除了实现更高的功率密度和更高的可靠性外，这种制造工艺还能更好地权衡兼顾器件的导通性能和开关性能。
成熟可靠的产品组合和合作伙伴
600 V系列涵盖的多款中速(M3)和高速(H3)IGBT，采用......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05)
系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮。Nexperia在其庞大的产品组合中增加了IGBT，满足了市场对于高效高压开关......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
IGBT驱动电路介绍;，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有......
SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著(2024-07-24)
SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著;商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件，被广泛用于电源、电机......
满足高度紧凑型1500-V并网逆变器需求的新型ANPC功率模块(2022-12-09)
能系统的重要性也愈加凸显。
尽管IGBT和二极管等硅基器件得到广泛应用，但它们并未针对光伏应用进行优化。特别是在快速开关能力和抗宇宙射线性能方面，SiC T-MOSFET等宽带隙功率半导体技术优于现有的1200-V Si......
中国企业差在哪，国内外IGBT产业链梳理(2017-05-18)
中国企业差在哪，国内外IGBT产业链梳理;
开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制（PWM）控制IC和MOSFET......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05 09:51)
半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮。Nexperia在其庞大的产品组合中增加了IGBT，满足了市场对于高效高压开关......
全新4．5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化(2023-12-25 17:11)
使得模块在并联时只需要一条直流母线即可实现。4.5 kV XHP系列还使得开发人员在设计过程中能够减少元器件的使用数量。传统的IGBT解决3电平方案有多个单IGBT开关和一个半桥二极管，而使用新器件的设计只需要两个半桥开关......
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率(2023-03-09)
器件的需求也在增长。这催生了对于PFC电路中低损耗开关器件和更高开关频率的需求。
东芝在其新款IGBT中引入了最新的工艺。优化的沟槽结构确保了行业领先[2]的0.35mJ......
安森美推出全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管(2023-03-21)
一系列全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管（IGBT），具备业界领先的性能水平，最大程度降低导通损耗和开关损耗。这些新器件旨在提高快速开关应用能效，将主要用于能源基础设施应用，如太阳能逆变器、不间......
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IKW40N120T2 两支替代一个50A1200V2单元的模块 同样可以使用IGBT提到mos，电压600v、1200v电流6A以上硬开关频率低于100K用IGBT具有高性价比 IGBT焊机
;北京市汇通博思新技术有限公司;;我公司专业生产开关电源，整流器！ 代理销售日本三菱与富士的IGBT模块，西门康的IGBT模块。 摩托罗拉的大功率肖特基MBRU400100CTl
;北京飞扬创业电子有限公司;;我公司主要代理经销集成电路、IGBT、航空插头、接近开关、光电开关、变频器、伺服等产品。
、感应加热、医疗设备、开关电源等.在国内变频器和电焊机应用IGBT我公司占80％的市场,晶川公司2005年IGBT模块销售额在两亿左右.产品质量经过了市场的考验! 同时我公司还代理infineon
;杭州裕新电子有限公司;;二三极管、可控硅、集成电路、场效应IGBT、霍尔元件、光电开关、光敏电阻、压敏电阻、节能灯
;肖生;;主营:高频开关电源/可控硅电源线路板;三相桥/肖特基/IGBT/分流器/电镀电源变压器等电力电子电气/电器
;上海万启科技有限公司;;上海万启科技有限公司，是一家专业经营，电子半导体供应商，主要从事按钮开关、空气开关、IGBT、变频器、整流桥、接触器、可控硅、二极管、断路器、等系列产品。 公司
;中控电镀设备;;主营:高频开关电源/可控硅电源线路板;三相桥/肖特基/IGBT/分流器/电镀电源变压器等电力电子电气/电器
;海之源电力电子有限公司;;主营:高频开关电源/可控硅电源线路板;三相桥/肖特基/IGBT/分流器/电镀电源变压器等电力电子电气
;武汉森威工控设备有限公司;;PLC 变频器 IGBT 人机界面 伺服电机 数控产品 电源开关 电器元件 低压电器 控制元器件 编程电缆 嵌入式系统