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SMU数字源表如何测试三极管IV特性曲线(2023-03-15)
曲线表示基极电流IB一定时，三极管输出电压VCE与输出电流IC之间的关系曲线。根据输出特性曲线，三极管的工作状态分为三个区域。截止区：它包括IB=0及IB〈0（即IB与原方向相反）的一组工作曲线。当IB......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
和关断时间tOFF给出的，根据这些参数可估算出IGBT的开关频率，一般可达30～40kHz。在变频器中，实际使用的载波频率大多在15kHz以下。
05 IGBT的静态特性曲线
IGBT静态特性曲线包括转移特性曲线和输出特性......
SiC MOSFET的短沟道效应(2023-03-29)
，Infineon-沟槽,M1-沟槽,M2-平面
DIBL效应和栅极电荷
由于上述的DIBL效应，与IGBT相比，SiC MOSFET的输出特性看起来有所不同。在相同VGS条件下，器件......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
采用光纤的通讯方式，极大缩减了同步误差，可低于30ns。
2 MOSFET输出特性测试(ID=f(VDS))
MOS管的输出特性可以分为三个区:截止区、恒流区、可变电阻区。当MOSFET工作在开关状态时，随着......
谈谈SiC MOSFET的短路能力(2024-02-02)
提高而上升。随着CE电压进一步提升，反型层沟道被夹断，器件电流相对保持稳定，不再随CE电压上升而上升，我们称之为退出饱和区。在IGBT的输出特性曲线上，我们能看到明显的退饱和现象。
（关于IGBT退饱和特性......
变频器和IGBT的基础知识(2024-05-30)
极与发射极之间加反向电压或不加电压时，MOSFET内的沟道消失，晶体管无基极电流，IGBT关断。
2.IGBT的基本特性与主要参数
IGBT的转移特性和输出特性
（a) 转移特性 （b) 输出特性
1）IGBT......
SiC MOSFET 器件特性知多少？(2023-10-18)
。跨导 gm 是漏极电流变化量与栅极电压变化量之比，它定义了 MOSFET 的输出-输入增益，也就是对于给定的 VGS，I-V 输出特性曲线的斜率。
图 1.SiC MOSFET 输出特性
硅......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
应用中存在哪些宽带隙优势？
我们已经解释过，WBG半导体支持采用固有快速MOSFET结构，适合非常高的阻断电压。对于谐振模式下的直流-直流转换器，这一点尤为实用。输出特性图（图3a）给出......
门极驱动正压对功率半导体性能的影响(2024-01-30)
从器件的规格书中很容易得到这个结论，如图1的a、b分别是一个IGBT器件IKW40N120CS7的输出特性曲线。在相同的IC电流下，门极电压越高，对应的输出线越陡，VCE饱和压降越小。但是......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
栅双极晶体管）将 BJT 和 MOSFET 的最佳部分集成到单个晶体管中。它取了MOSFET（Insulated Gate）的输入特性（高输入阻抗）和BJT（Bipolar nature）的输出特性。
11......
双向双极结技术的力量(2023-04-07)
表明击穿电压为 1,280 V。发射极-发射极饱和电压和电流增益 (β) 也分别确定为 0.6–0.8 V 和 7。该图显示了三个基射极电压 (V BE )值的输出特性。该器件需要大约 1 V 的基......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
物传感器或生物场效应管，它们被广泛用于各种应用：如生物研究，即时诊断，环境应用，以及食品安全。
生物场效应管将生物响应转换为分析物，并将其转换为可以使用直流I-V技术轻松测量的电信号。输出特性......
讨论下电动汽车的发电模式(2023-07-10)
要越过这个电压，才能形成电流，所以，二极管的输出特性曲线，在小电流情况下特别吃亏，即使电流接近0，VF还是有那么多。
如图，在电流接近0A的时候，MOSFET的VSD几乎为0（Vsd≤I×Rdson），而二......
家电电机驱动应用——SiC功率器件带来更高能效和功率密度(2023-06-30)
：驱动板测试车和IM105-M6Q1B框图
通态输出特性
本小节探讨了IM105-M6Q1B在两种栅极偏置电压（15 V和18 V）下的典型输出特性。在小......
家电电机驱动应用——SiC功率器件带来更高能效和功率密度(2023-06-30)
英飞凌CoolSiCTM技术的优点，都集成在一个小型表面贴装器件（SMD）封装中。
图1：驱动板测试车和IM105-M6Q1B框图
通态输出特性
本小节探讨了IM105-M6Q1B在两种栅极偏置电压（15 V和......
三极管从原理到应用，从参数到特性，从入门到精通(2025-01-15 11:17:28)
种半导体电子器件，也是电子工程中最基本的元件之一。它有三个区域，分别是P型半导体，N型半导体和P型半导体，从而形成PNP型晶体三极管或者NPN型晶体三极管。
......
可编程逻辑控制器故障排除(2024-02-26)
）之外，您还必须检查每个区域是否存在特定故障，如下所述。处理器模块处理器执行错误检查并将状态信息发送到通常位于处理器模块正面的指示器。CPU 包含三个 LED 灯：RUN、FLT 和 BATT，如图1......
干货｜IGBT和SiC 栅极驱动器基础知识(2022-12-23)
极电流减小，因此当 VGS 较小时，开关损耗将增加， 从而使开关速度更慢：
导通损耗对于系统性能而言至关重要，并且高度依赖 于 VGS。如图 19 所示，当栅极电压降低时，IGBT 和 SiC MOSFET 的输出特性......
使用FPGA实现自适应全阵列局部调光解决方案(2023-08-18)
光或迎面而来的大灯）的眩光会影响显示器的可见度。局部调光算法可最大程度地减少眩光并提高可视度。
一些制造商正在采用基于傅里叶级数的LCD优化方案，这是一种使用傅里叶级数分析原理来优化显示器输出的技术。这种方法涉及分析目标信号的输出特性......
使用FPGA实现自适应全阵列局部调光解决方案(2023-08-18)
光会影响显示器的可见度。局部调光算法可最大程度地减少眩光并提高可视度。
一些制造商正在采用基于傅里叶级数的LCD优化方案，这是一种使用傅里叶级数分析原理来优化显示器输出的技术。这种方法涉及分析目标信号的输出特性......
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
由于随着器件压降上升，双极性器件IGBT开始导通，由于电导调制效应，电子注入激发更多的空穴，电流迅速上升，输出特性的斜率更陡。对应电机工况，在轻载条件下，SiC MOSFET具有更低的导通损耗。重载或加速条件下，SiC......
电驱动系统的大三电与小三电分别是什么(2024-06-26)
三大总成部件：
驱动电机总成
控制器总成
传动总成
新能源汽车的电驱动系统在高温、高湿、振动的复杂工作环境下，基于实时响应的软件算法，高频精确地控制电力电子元器件的功率输出特性，实现对驱动电机的控制，最终......
新能源汽车大小三电都是啥？(2024-11-18 08:16:26)
总成
新能源汽车的电驱动系统在高温、高湿、振动的复杂工作环境下，基于实时响应的软件算法，高频精确地控制电力电子元器件的功率输出特性，实现对驱动电机的控制，最终......
光伏逆变器系统设计从系统目标到解决方案，一次性讲透(2024-06-07)
硅 MOSFET 的输出特性更像可变电阻，没有饱和区，这意味着普通的去饱和检测原理行不通。作为解决方案之一，通常使用电流传感器来检测过流，或使用温度传感器来检测异常温度。
NCP51561 碳化硅（SiC）隔离......
STM32微控制器的工作原理和应用 STM32微控制器的命名规则(2024-08-19)
容量、RAM容量、外设接口数量和种类等信息。这些信息可以帮助用户选择最适合自己需求的微控制器产品。
总之，STM32微控制器的命名规则非常清晰明了，通过产品线名称、产品型号和产品特性三个......
使用FPGA实现自适应全阵列局部调光解决方案(2023-08-18)
光会影响显示器的可见度。局部调光算法可最大程度地减少眩光并提高可视度。
一些制造商正在采用基于傅里叶级数的LCD优化方案，这是一种使用傅里叶级数分析原理来优化显示器输出的技术。这种方法涉及分析目标信号的输出特性......
强势扩张第4代SiC，罗姆2023年量产8英寸碳化硅衬底(2023-02-27)
罗姆优良的技术能够实现单个元件尺寸的增加，目前的主流从2015年开始都是25平方毫米最大的规格，到2024年其会实现50平方毫米的产品，用以实现支持更高电流输出的需求。
第4代碳化硅产品优势
2021年罗......
了解PTC热敏电阻及PTC热敏电阻的主要特性(2023-08-28)
热敏电阻器引出端的电压与达到热平衡的稳态条件下的电流之间的关系。
PTC热敏电阻伏安特性大致可分为三个区域：在0-VK之间的区域称为线性区，此区域的电压和电流之间的线性变化不大，称为不动作区。在VK~Vmax之间的区域称为跃变区，此时由于PTC热敏......
东芝推出适用于电机控制的Arm® Cortex®-M4微控制器(2024-03-26)
就能通过内存交换法[3]实现固件转换，支持从一个区域读取指令，同时将更新的代码并行编程到另一个区域。
M4K组器件集成UART、TSPI和I2C作为通用通信接口。闪存、RAM、ADC和时......
功率放大器在超声电机正反向运动中的应用(2024-06-06)
振动轨迹的超声电机的工作原理的可行性
测试设备：函数信号发生器，ATA-4051功率放大器，激光位移传感器，激光转速计。
实验内容：用单路特殊激励信号（由频率比为1:2两个正弦波形叠加而成）驱动弯弯复合超声电机，测试其驱动足的运动轨迹和样机基本输出特性......
PWM控制型IGBT的EMI机理与抑制优化设计方法探讨(2024-04-30)
PWM控制型IGBT的EMI机理与抑制优化设计方法探讨;1. 运行过程中的dv/dt特性分析
（1）波形边沿叠加特性
驱动器类IGBT控制方式，特别是变频器类，有无PG V/f 控制、带PG V/f......
CS5212替代瑞昱RTD2166_DP转VGA方案|低成本替代RTD2166方案(2023-10-12)
.VGA：输出接口特性三重8位DAC（数模转换器）,时钟高达210 MHz,支持高达1920x1200x60,1920x1440x60（缩减消隐）,2048x152x60（缩减消隐）和......
CS5212_DP转VGA低成本替代RTD2166方案(2024-03-05)
数字输入，速度为RBR（1.62-Gbps）/HBR（2.7-Gbps）符合VESA DisplayPort v1.1内置高性能自适应均衡器支持1兆赫辅助通道支持HPD
2.VGA：输出接口特性三重8位DAC......
适用于三相电机驱动的智能功率模块设计实用指南(2024-05-06)
流链路引脚。
◎ 这些引脚是变频器的直流负电源引脚（电源接地）。
◎ 这些引脚连接到每相的低边IGBT发射极。
◎ 这些引脚用于连接一个或三个分流电阻器进行电流感测。
引脚：U、V、W
◎ 变频器电源输出......
汽车通信--EE架构演变(2024-05-16)
代Zonal区域控制架构，也是区域划分，不过主要按照物理位置进行分类，特斯拉Model 3是最早采取这个架构的汽车，分为前车身，左车身，右车身三个区域，对应布置三个区域控制器ZCU负责安装区域内的装置，所有......
晶体管特性图示仪,晶体管特性图示仪是什么意思(2023-01-12)
种偏转作用共17挡的旋钮开关，用来选择图示仪x轴所代表的变量及其倍率。在测试小功率晶体管的输出特性曲线时，该旋钮置VCE的有关挡。测量输入特性曲线时，该旋钮置VBE的有关挡。 (2)“电流／度”旋钮......
东芝推出适用于电机控制的Arm Cortex-M4微控制器(2024-03-26)
品在两个独立的512 KB区域中实现了1 MB代码闪存。这样就能通过内存交换法[3]实现固件转换，支持从一个区域读取指令，同时将更新的代码并行编程到另一个区域。
M4K组器件集成UART、TSPI和I2C作为......
【e研】浅析成都“专精特新”企业现状(2022-11-17)
成都超过10家专新特精企业的区县
剩下17个区县区域“专新特精”企业数量均在10家以下，其中排名靠前的是成华、新都和温江，余下区县的数量都没超过5家，锦江和大邑暂时没有企业上榜。
图4.2 成都......
改进的检测算法：用于高分辨率光学遥感图像目标检测(2024-04-29)
转目标检测方法，通过解决目标方向的随机化问题，提高遥感图像中目标检测的准确性。
新算法研究
目前的大多数YOLO系列检测头都是基于FPN和PAFPN的输出特性，其中基于FPN的网络，如YOLOv3及其......
STM32——粗谈基础知识(2023-04-06)
STM32——粗谈基础知识;对于STM32来说，首先我们从其精密性、可靠性以及安全性三个方面来进行说明：
精密性：与单片机的外设基本相同，除了其包含了7个DMA（直接存储器访问）通道。每个......
变频器速度不稳定是什么原因_两个不同的变频器怎么同速(2023-04-26)
定期维护和保养。
两个不同的变频器怎么同速
要让两个不同的变频器同步运行，需要进行以下步骤：
选择相同的变频器型号和参数，以确保两个变频器具有相同的控制逻辑和输出特性。
根据......
NEC 图像数据挖掘技术：从 100 万人中抓小偷只需 10 秒(2016-11-04)
这样表示。
Yuichi Nakamura 是 NEC 绿色平台研究实验室总经理。他表示，该技术可以帮电脑辨识可疑行为。“有些人会未经许可频繁出入一个区域，这样的人就非常可疑。你可以用我们的技术发现这些人，这种......
这种新材料终成半导体功率器件主流(2016-11-14)
所示。
若以长远来看，IGBT和单极SiC开关之间的基础差异，将日益受到瞩目。其中主要的两大差异为：一是线性无阈值的输出特性IV曲线，二是整合本体二极体与同步整流选项的能力。依据以上特性，装置......
汽车级大功率IGBT现状及未来趋势研究 (2024-07-14)
散电压特别是在高压大电流的应用场合，所以 IGBT 的损耗要比 MOSFET 低。
图 4 IGBT 的导通压降 Vce 与 Vgate 关系
IGBT 的输出特性如图 4 所示，如果 Gate 电压不够大，那么......
变频空调器的主要器件--模块(2022-11-28)
方式。
(3)压缩机变频模块的好坏检测方法如下图 所示是压缩机变频功率模块的正常测试数据。变频模块U、V、w三个输出端对电源正(P)、负(N)端均呈现二极管特性，即正向导通，反向截止(这个......
满足高度紧凑型1500-V并网逆变器需求的新型ANPC功率模块(2022-12-09)
了关于这一点的详细分析。
由于结构的对称性，仅给出了T1、T3和D1、D3的损耗。导通损耗可按以下公式计算：
然后计算T1和T3的导通损耗，并归一化为T1和T3之和。为简化分析，IGBT的V-I输出特性与FWD相同。从图3......
双运放电流源的基本操作(2024-01-03)
许狭窄的 p+ 到 p+ 间距尺寸，从而有效屏蔽下部氧化物角。静态性能——象限操作MOSFET 静态输出特性的关键参数是总电阻 R DS(ON)。CoolSiC? MOSFET 的典型导通电阻是在室温下且 V......
什么是汽车线束 汽车线束的特性要求(2023-05-11)
耐温等级为 90℃的导线；发动机舱线束可选择耐温等级为 180℃的导线；横穿上述两 个区域的导线应选用耐温等级同时满足两个区域温度要求的导线。
耐磨性：导线......
89c51单片机的复位电路，89c51复位电路图详解(2023-03-23)
电源开关或电源插头分-合过程中引起的抖动而影响复位。
图1所示的RC复位电路可以实现上述基本功能，图3为其输入-输出特性。但解决不了电源毛刺（A点）和电源缓慢下降（电池电压不足）等问题 而且调整 RC常数......
N1913A EPM系列单通道功率计的技术指标与功能特性(2023-04-23)
）
更多的测量通道数：多达三个通道，使用可选的 USB 主机端口可连接另外两个 U2000 系列功率传感器
利用可选的外部触发输入/触发输出特性自动进行频率/功率扫描测量
......
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转速：3000 rpm 五、瞬间最高转速：5000 rpm 六、每秒最大功率：56 KW/s 七、转子惯量：3＊10-5Kg-m2 八、环境温度：0~40℃ 九、保存温度：-20~70℃ 十、马达输出特性 十一
器、计算机、手机、家用电器、通讯产品、灯饰产品、各类仪器及各类电子。属于私营企业公司，光颉科技利用薄膜制程的高精密特性及厚膜制程的成本优势，开发出特性极佳且独特的精密型电阻， 超低阻值电阻，拥有
;长沙长远焊接设备有限公司;;长沙长源焊接设备有限公司有一支国内最早从事IGBT逆变焊机研究的科研队伍。专业研发、生产、销售IGBT逆变弧焊机。在全球资源日趋缺乏的环境下，我们将利用IGBT逆变
;深圳协泰科技;;AMC7135IC新方案，以350mA恒定电流输出推动1W的高功率LED,恒流动IC稳定亮度，不容易死灯增加电池总输出功率的效果。其超低压差、低静态电流特性更延长了LED寿命
;上海威柏电子有限公司工业及新能源市场部;;上海威柏电子有限公司是香港威柏电子在上海的办事处，主要服务中国长三角地区及华东区域客户，为客户提供电力电子核心功率器件，致力于中国长三角地区及华东区域
;东莞长淞电子科技有限公司;;东莞市长淞电子科技有限公司 立足于中国并在亚太地区多个区域设立分公司。身为专业的半导体及电子零件通路商，CHARETEC的产品应用遍及航空工业、光伏新能源、个人
服的功用是为现场工作人员接触到现场有害化学物和空气中存在的有害气体、尘埃、烟、雾等提供阻隔防护作用。 根据毒源类型和环境状况，化学事故现场会分成热区、温区和冷区，在每个区域内所需要的防护是不同的，一个区域内使用的防护服不能够到其他区域
;益明科技有限公司;;品牌IIROBOT 我爱机器人型号E18-D80NK 种类光学材料聚合物 材料物理性质半导体制作工艺集成 输出信号数字型防护等级1 分辨率3 - 80CM 电气特性：U
主要特征： 体积小，功率大 种类多，品种齐全，1W~40W 良好的负载特性和动态指标，完全满足MCU供电要求 宽电压输入 输入/输出完全电气隔离 良好的EMC特性，减少了EMI
;成都弘威电子技术有限公司;;成都弘威电子技术有限公司（www.hoowair.com）是一家专业化的电子元器件供应商，以最大限度满足各个区域的客户，对产品售前、售后提供技术支持。具有