资讯
9月即将量产，东芝纯碳化硅产品提上日程(2021-09-15)
里面有多颗小晶圆，所有的门极通过该弹簧连接到PCB板上，汇总后通过旁边的端口引出，用于整个器件的门极控制。在外部来看，该器件就是一个门极控制，但实际上它的内部有42颗IGBT芯片。）
PPI压接式封装的IEGT可以......
从硅到碳化硅，更高能效是功率器件始终的追求(2023-09-07)
能增效更进一步
从产业发展现状来看，目前硅是制造芯片和半导体器件最广泛的原材料，绝大多数的器件都是基于硅材料制造。不过，由于硅材料本身的限制，因此相关器件在高频和高功率应用方面愈发乏力，以SiC（）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件则是一个......
5大重要技巧让您利用 SiC 实现高能效电力电子产品！(2023-02-20)
时，拥有一个不仅可以供应产品，还能提供设计解决方案、信息和帮助的供应商会很有益。(onsemi)就是这种供应商，它是半导体器件的全方位服务供应商，具备完整的内部端到端供应链的优势。......
功率模块IPM、IGBT及车用功率器件(2024-04-29)
Transistor Module）是一种集成了多个IGBT芯片、驱动电路、保护电路等功能的模块化电子元件。它是一种用于高功率电力电子设备中的半导体器件，常用于高压、高电流的交流/直流变换器、逆变......
常用的功率元器件大全(2023-02-06)
晶闸管
MCT的等效电路图
MCT 是一种新型MOS 与双极复合型器件。如上图所示。MCT是将 MOSFET 的高阻抗、低驱动图 MCT 的功率、快开关速度的特性与晶闸管的高压、大电......
变频器和IGBT的基础知识(2024-05-30)
构和基本工作原理
绝缘门极晶体管IGBT也称绝缘栅极双极型晶体管，是一种新发展起来的复合型电力电子器件。
由于它结合了MOSFET和GTR的特点，既具有输入阻抗高、速度快、热稳......
JAE推出用于伺服电机的低背防水复合塑料外壳连接器(2022-11-23)
可根据用途选择（图4）。
本产品有助于伺服电机的低背化，由于它是一款可减少电缆的复合连接器，因此特别适用于需要使用制动器的机器人伺服电机。JN13系列......
罗姆持续发力碳化硅 第4代产品优势突出(2023-02-22 10:15)
也表示，罗姆可以把碳化硅器件的成本继续持续的降低，显然这也利好碳化硅应用市场的扩大。罗姆始终将产品质量放在第一位，了解该公司的人都知道，他们一直在执行垂直统合型的生产体制，包括碳化硅。产业......
OBC PFC车规功率器件结温波动与功率循环寿命分析(2023-11-01)
测试结果的影响
以上，我们介绍了功率器件(IGBT模块)可靠性的基础。针对OBC应用中的单管(Si或SiC)器件，上述思路同样适应，只是相应的器件PC曲线稍有差异，再增......
igbt在电动汽车上的作用(2023-09-28)
igbt在电动汽车上的作用; igbt在电动汽车上的作用
IGBT是一种由控制电路控制、是否导电的半导体；由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件......
高速风筒IPM方案推荐(2024-03-19)
+安规电容的方式，方式不同，成本略有些区别，但目的都是一个，为了符合安规要求。
一：IPM器件的作用
IPM及Intelligent Powr Module，智能功率模块。它不仅把功率开关器件......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
原理都一样。
(四)IGBT
IGBT是MOS和BJT的复合器件，到底是怎么复合的，往下看。从结构上看，IGBT与功率MOS的结构非常类似，在背面增加P......
储能逆变器带动哪电力电子器件？(2024-10-18 17:33:25)
需求量，未来对于布局储能市场的半导体器件企业是一个大机会。
1.IGBT
IGBT在储能领域的
主要......
功率超200KW的充电器将创造价值179亿美元的电动汽车直流充电系统市场(2023-01-09)
的功能需求让 IGBT 和 MOSFET 成最受欢迎的器件
报告分析，电动汽车直流充电器的主要趋势是充电器最大电压从500V提高到1,000V，以减轻800V电池汽车的充电压力，以及将功率提高到200kW以上......
技术文章:SiC Traction模块的可靠性基石AQG324(2023-07-10)
基于最佳实践和卓越需求的行业指南。它是汽车功率模块的一个基本标准，也就是说是个门槛，只有完成了根据它的测试规范设计的测试计划才能得到广大的车厂认可。所以满足AQG324只是一个基本的要求。由于它是一个......
门极驱动正压对功率半导体性能的影响(2024-01-30)
的规格书中很容易得到这个结论，如图1的a、b分别是一个IGBT器件IKW40N120CS7的输出特性曲线。在相同的IC电流下，门极电压越高，对应的输出线越陡，VCE饱和压降越小。但是......
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
它更适合电机驱动应用？
首先，从开关特性角度看，功率器件开关损耗分为开通损耗和关断损耗。
关断损耗
IGBT是双极性器件，导通时电子和空穴共同参与导电，但关断时由于空穴，只能通过复合逐渐消失，从而......
ROHM 推出SiC功率器件，为Midnite Solar解决设计难题(2021-02-08)
二极管结合起来，但碳化硅是一个如此好的解决方案，而且ROHM的器件不需要任何重大的设计改变，所以它是一个明显的选择。"
Midnite太阳能公司在其新的太阳能产品系列中纳入了ROHM的60mΩ RDS......
ROHM 推出SiC功率器件，为Midnite Solar解决设计难题(2021-02-08)
二极管结合起来，但碳化硅是一个如此好的解决方案，而且ROHM的器件不需要任何重大的设计改变，所以它是一个明显的选择。"
Midnite太阳能公司在其新的太阳能产品系列中纳入了ROHM的60mΩ RDS......
干货分享丨太厉害了，终于有人能把IGBT讲得明明白白！(2024-10-21 17:53:55)
栅双极型晶体管）
，是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通......
闪耀光储充重镇，2023慕尼黑华南电子展盛大开幕！(2023-10-31 09:20)
推出了拥有自主专利的顶部散热封装——T2PAK，T2PAK封装体的尺寸加大，能够应用于更高功率操作的器件。传统的封装体，其漏极端直接焊接在PCB板上，导热特性不够理想，采用新型的顶部散热封装形式，能够......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
甚至超过1000个不同类型的芯片。这远远超过了传统的燃油车。汽车的芯片种类主要包括主控芯MCU、存储芯片、传感器类器件、
IGBT功率类芯片
、其次......
功率循环VS功率循环(2024-06-13)
种是具有相同额定功率的压接型功率半导体模块，如图1、图2 所示。
图1 焊接键合型功率半导体
图2 压接型IGBT
预期使用寿命主要由（PC）进行验证。半导......
应对 PCS 创新，德州仪器全方位保驾护航(2024-01-12)
助力可再生能源系统的发展，以及德州仪器在解决 发展痛点上的产品及方案。
详解
在可再生能源系统中，PCS（功率变换系统）是一个重要的组成部分，其位于电网或光伏面板与储能电池包之间，负责交流/直流......
请问一下IGBT是如何实现电路控制的？(2024-06-14)
晶体管结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的高电流单栅控制特性及双极性晶体管的低饱和电压的能力，在单一的IGBT器件里，会透过把一个隔离的场效应晶体管（FET）结合，作为其控制输入，并以......
英飞凌推出2300 V隔离EiceDRIVER™ 2L-SRC 紧凑型栅极驱动器(2021-06-08)
SRC是Slew Rate Control的英文首字母缩写，就是电压转换速率控制的意思，简称压摆率控制。
无论是IGBT还是MOSFET，都是常工作在开关状态的器件。从开到关，或者......
还在为物联网电源设计犯愁？试试这个方法！(2023-01-19)
法拉的电容器也会有 1 个房间那么大。然而，材料和表面技术方面的研究带来了新的结构和制造技术，并最终形成了被称为超级电容器的器件，它在一个与其他基本无源器件......
ADA4410-6数据手册和产品信息(2024-11-11 09:21:01)
视频信号进行滤波。ADA4410-6具有0.11%差分增益和0.25°差分相位，堪称任何复合视频(CV)应用的理想之选。
ADA4410-6提供增益和输出失调电压调整功能。利用一个逻辑引脚，可以选择×2或×4的器件......
比亚迪半导体最新推出SOT-227封装产品(2023-03-07)
损耗、芯片尺寸、模块体积。越来越多的器件开始追求精细化，对元器件体积的要求也更加严格，SOT-227封装就是一个典型例子。
SOT-227封装介于单管和模块之间，M4螺丝......
储能系统的关键零部件——IGBT介绍(2024-10-08 17:04:04)
%。
IGBT在储能领域的主要作用就是变压、变频、交变转换等，是储能应用中不可缺少的器件。
图：IGBT模块......
一文搞懂IGBT的损耗与结温计算(2023-02-20)
测量这些损耗通常需要使用示波器，通过电压和电流探针监视器件运行期间的波形。测量能量需要用到数学函数。确定一个开关周期的总能量后，将其除以开关周期时间便可得到功耗。
图 1. TO−247 封装，显示了 IGBT 芯片（左）和二......
IGBT如何进行可靠性测试？(2024-01-17)
时间内的稳定性和漏电流可指出结表面的稳定性。因此，它是器件质量和可靠性的良好指标。
对于IGBT，电压施加在集电极和发射极之间，栅极与发射极短接。ICES、V(BR)CES、IGES、VGE(th......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
转换效率和功率密度是设计成功的关键。本文引用地址：
为了满足这些要求，开关模式电源系统的设计者需要从使用传统的硅 (Si) 基金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 转为使用其它器件，因为硅器件......
Gartner发布2024年中国数据、分析和人工智能技术成熟度曲线(2024-09-26 11:03)
具有颠覆性或较高影响力的创新技术可能会实现主流采用。其中AI相关的创新包括复合型AI、决策智能、国产AI芯⽚、LLM和多模态GenAI。Gartner研究总监闫斌表示：“到2027年，超过60%的企业机构将把AI素养......
常见三相PFC结构的优缺点分析，一文get√(2023-12-28)
开关。这是一种效率上的优势，可以弥补额定为1200V的器件的不足。它也是一个 两电平拓扑结构。所以，调制是直接的。如今，一些额定电压为900V的器件也可用于此拓扑结构。那些 900 V 器件......
国产IGBT渗透率显著提升，产业链23家企业将受益！(2020-01-09)
的接受度显著提高，这是我们国产功率器件的一个巨大突破，意味着本土的器件制造技术正在逐渐成熟。”胡强自豪地说道，“相信不久之后，我国IGBT产业能在电网、汽车电子等各个高阶领域逐步实现国产替代！”
关键：客户......
提高 xEV 牵引逆变器系统的安全性(2022-12-08)
用于检测此类故障的最常见保护电路称为去饱和 (desat)
保护，它可以集成在栅极驱动器中。显示了一个典型的去饱和电路的实现，该电路监控开关的通态电压(IGBT 中的集电极-发射极电压 [V CE......
缺货或持续至明年上半年，IGBT后，谁能成车用半导体厂商下一个风口？(2023-03-28)
根本买不到”。
IGBT又称绝缘栅双极性晶体管，是一种三端半导体开关器件，由BJT和MOS管组合而成，也可以看作BJT和MOS管的融合体，具有MOS的输入特性和BJT管的输出特性。IGBT在电......
新能源汽车加速爆发，功率器件迎来增长新契机(2023-06-06)
等芯片完成功能实现，使得中高端车型单车MOSFET用量可增至400个以上。
有数据统计，到2026年，全球车规级MOSFET市场规模预计为30亿美元，年复合增速达12.25%。
IGBT——车规级功率器件......
SiC、GaN未来五年内的市场应用趋势如何？(2021-11-17)
三种主要的功率技术，它们可以完全做到以客户需求为导向。对这类公司而言，在不同阶段平衡对不同功率器件的投入，是一个非常重要的工作。
英飞凌科技汽车电子事业部大中华区高级总监、动力......
关于T3Ster热阻测试仪的优势分析(2023-03-08)
生基于测试的简化热模型
热学仿真模型的建立与验证(包括材料属性的验证） 建立模型: 一个可靠的、标准的器件热模型对于预测器件在各种散热条件下的结温，设计性能优异的散热模组是必须的。 建立一个......
MXD1812数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:21)
降至低于预设的阈值时，这些电路产生一个复位信号，该复位信号在V CC 升高超过复位阈值以后还能继续保持至少100ms。当通过外部按钮开关将输出短暂下拉至地后，MXD1813/MAX1818也可......
MXD1818数据手册和产品信息(2024-11-11 09:21:07)
降至低于预设的阈值时，这些电路产生一个复位信号，该复位信号在V CC 升高超过复位阈值以后还能继续保持至少100ms。当通过外部按钮开关将输出短暂下拉至地后，MXD1813/MAX1818也可......
强势扩张第4代SiC，罗姆2023年量产8英寸碳化硅衬底(2023-02-27)
公司技术中心副总经理周劲在近日举办的媒体交流会上透露。
2023年量产8英寸碳化硅衬底
2009年，罗姆通过把全球排名前列的碳化硅衬底供应商SiCrystal纳入集团旗下，完成了IDM垂直统合型的生产体制。
碳化......
首轮融资数亿元，又一家功率半导体器件厂商获资本青睐(2022-03-30)
平面工艺等先进工艺，是生产单芯片工作电压从5V-600V的业内最齐全的器件制造商，在同类工艺比较中，里阳半导体相对同行产品低压漏电流更低，高压浪涌承受能力更强，且平面和台面芯片均可承受150℃结温并且拥有生产175......
2023年整体SiC功率元件市场产值达22.8亿美元(2023-03-17)
会通过具有更高集成度的更先进的系统设计来扩展 SiC 衬底的性能。虽然单一技术不太可能将 SiC 减少 75%，但封装、冷却（即双面和液体冷却）和沟槽器件结构方面的各种进步可以实现更紧凑、性能更好的器件。特斯......
如何在大功率应用中减少损耗、提高能效并扩大温度范围(2023-10-07)
？电动汽车需要扩充电池容量才能增加续航里程。在这种趋势下，为了缩短充电时间，电池电压被提高到 800 V。因此，电动汽车设计人员需要能够耐受更高电压，同时又能减少电力损耗和重量的器件......
谈谈SiC MOSFET的短路能力(2024-02-02)
相关的目标应用要求，目前的短路能力最高为2μs。我们的CoolSiC™ MOSFET是第一个在数据表中保证短路耐受时间的器件。
TO247 3pin 封装的IMW120R030M1H中，关于......
PCB散热的10种方法(2024-11-29 21:09:41)
)
，它是按PCB板上发热器件的位置和高低而定制的专用散热器或是在一个大的平板散热器上抠出不同的元件高低位置。将散热罩整体扣在元件面上，与每......
碳化硅市场快速崛起，IDM和代工厂加快布局，产业链打响“最后的战役”(2023-01-24)
，即使是SiC的优势领域——功率器件当中，SiC也不是一家独大，硅基IGBT也并非不能用。虽然硅材料在高温、高压性能上先天不足，但海外龙头凭借着极强的技术优势，能够将硅基IGBT的性能做到和SiC......
相关企业
新一代MOSFET,IGBT是未来大能量变换与运动控制中最关键的器件，而世界上功率器件的牌子很多，以MOSFET为例，有华晶，士兰微，IR ,ST ,ON，英飞凌，等各大品牌，如何采购到高性价比的元件，是客
;深圳市芯达尔微电子有限公司;;芯达尔微电子成立于2019年,是一家新型的半导体元器件经销商,我们秉乘全球市场发展趋势,通过资源整合,以及合作伙伴的紧密合作,与世
;深圳市千威亚有限公司;;深圳市千威亚科技有限公司 公司成立于2007年，是中国最专业的焊机功率器件提供商。专业代理日本RENESAS的IGBT单管,美国IPS的场效应管（MOSFET）、快恢
;宜宾金宏电子厂;;复合型电磁波吸收材料，广泛用于雷达技术、航空航天航海技术、微波通讯技术及电子对抗、电磁兼容领域中作吸波屏蔽，消振和抗电磁干扰。我厂研制并生产的复合型电磁波吸收材料，采用
;宜宾市金宏电子厂;;复合型电磁波吸收材料，广泛用于雷达技术、航空航天航海技术、微波通讯技术及电子对抗、电磁兼容领域中作吸波屏蔽，消振和抗电磁干扰。我厂研制并生产的复合型电磁波吸收材料，采用
;天和电子有限公司;;我司成立于1995年，同多家生产商合股直接参与生产二极管、三极管、晶体振荡器、电阻等电子元器件；同时 公司直销、代理、外销国内外几十家名牌厂家的器件；是一家集生产、销售
;秦皇岛同力达塑材有限公司;;秦皇岛同力达铝塑型材有限公司是一家专业生产铝塑复合型材的厂家，铝塑复合型材集铝合金和塑钢各自的优点，即铝合金的外形美观、强度高、耐腐蚀，耐老化，以及
;成泰电子;;本公司专业代理销售IC，二极管，三极管，MOS管，可控硅，晶闸管，品牌FUSE,温度保护器件等，同时代客寻找较杂的器件，及代客消化库存材料， 公司入货渠道广泛，常备现货，货品纯正，有丰富的元器件
;常州顺邦减速机有限公司;;国茂减速机集团有限公司（以下简称国茂集团）是一个综合型的国家级民营企业集团，创建于1993年，总部位于国际花园城市――江苏省常州市武进区。国茂集团始终以“持续发展，争创
;深圳市红蕃茄电子有限公司;;深圳市红蕃茄电子有限公司是一家集无叶风扇、电子烟的设计、加工、制造、销售为一体的综合型的电子产品生产厂家。 自2004年成...