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原理 　　接通点火开关，发动机起动点火前及点火后发电机电压低于调压值时，蓄电池电压经点火开关作用在分压器两端，稳压管VS2承受反向电压。由于蓄电池电压低于调压值，反向电压低于VS2的反向击穿电压，因此......
值(如20V)，故实际可调范围为20~198V，但调至20V后，能“跳”至0V，也能使晶闸管关断。 桥式整流电路的4个元件，每只元件承受最大正向电压为220V×1.41=310V，承受反向电压......
于隔离顶部氧化层下方。因此，结点（无论如何都是 IGBT 的一部分）被正确端接，并且能够像 pn 二极管一样阻止反向电压。该措施不会改变芯片有效体积内的结构；因此可以预期，除了能够阻断反向电压之外，反向......
加控制) (2)说明： 功率 MOSFET 在门级控制下的反向导通，也可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大;它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压......
性负载与电池断开连接期间出现动态反极性或电池安装过程中出现反接时，会导致连接的模块、子系统电路遭到损坏。TPS65R01具有电池反向保护功能，可承受最大-65V的反向电压，有效......
性负载与电池断开连接期间出现动态反极性或电池安装过程中出现反接时，会导致连接的模块、子系统电路遭到损坏。TPS65R01具有电池反向保护功能，可承受最大-65V的反向电压，有效......
;10nH，减小了在开关频率下的震荡效应，因此可忽略掉吸收电容 e)产品安全性好，耐过压能力强，抗浪涌电压能力大于1.5倍的额定电压 f)没有极性，能承受反向电压 g)额定电压可达800V以上，不需......
性负载与电池断开连接期间出现动态反极性或电池安装过程中出现反接时，会导致连接的模块、子系统电路遭到损坏。 TPS65R01具有电池反向保护功能，可承受最大-65V的反向电压，有效......
-AEC1 原理图 图 3 所示为双相运行的MPQ4360-AEC1 PCB 布局示例。该方案面积约为750mm2.  图 3：双相运行MPQ4360-AEC1 器件的 PCB 布局 系统保护 电池总线有可能面临危险的反向电源电压......
功率是电机的磁场能反馈至电源。 反映在波形上，以一个周期说明情况，由于θ角的存在，电流要滞后电压一个θ角，也就是说，电压波形从0开始，电流则要滞后一个θ角，此时，电压与电流反向，电机的磁能向电源侧反馈，反映......
可以自由地以任何我们选择的方式连接端子。 技术贴士 :直流电源和电池之间的类比是不完整的。与电池不同，通用型直流电源不会接受反向充电电流。很多电源都有反向电压(二极管)保护。有些电源将输出电压......
，不同于驱动MOSFET结电容的容性负载，驱动芯片驱动变压器等感性负载时，输出承受负压和反向电流的能力有限，因而常常需要在驱动输出测进行有效保护。 需要注意的是，UCC27524-Q1等芯......
二极管 稳压二极管是一种特殊的二极管，具有稳定电压的作用，和普通二极管额差别在于，稳压二极管工作在反向击穿状态，反向电流在一定范围内变化时，稳压管两端的电压基本维持不变，从而起到稳定电压的作用。 选取......
温度的升高，逐 渐降低输出电流，既能防止温度过高烧毁电路，又能 防止突然关闭电流引起照明异常。 ◆续流二极管 注意续流二极管的额定平均电流应大于流过二极管 的平均电流。平均电流计算公式如下： 注意，二极管应具有承受反向峰值电压......
速开关，可提升车载充电机整机效率。 碳化硅肖特基二极管B1D30120HC的特点如下： 1、结温最大额定值为175℃，存储温度范围为-55~175℃，符合车载高温应用要求。 2、反向电压（重复峰值）最大......
）。浪涌抑制器可以帮助断开输出，支持可配置限流值和欠压锁定，且可使用背靠背NFET提供通常需要的反向电池保护。 对于线性稳压功率器件，例如浪涌抑制器，存在的隐患在于，在负载突降期间限制输出电压，或者......
速度低于 MOS管。 2、因为是单向的，在没有附加电路的情况下无法处理AC波形。 3、不能阻挡更高的反向电压。 4、比 BJT 和 MOS管价格更高。 5、类似于晶闸管的P-N-P-N结构，因此......
℃，存储温度范围为-55~175℃，符合高温应用要求。 2、反向电压（重复峰值）最大额定值为650V，耐压性能出色，满足车载大电压应用对二极管的要求。 3、连续正向电流最大额定值为10A，可承受......
电阻 34mΩ（典型值），支持 5.3A 最大连续电流；内部集成背靠背 FETs，可以实现反向电压的 1.8μs 快速关断响应。芯片适用于 SSD 驱动、企业......
2.7V 至 18V，导通电阻 34mΩ（典型值），支持 5.3A 最大连续电流；内部集成背靠背 FETs，可以实现反向电压的 1.8μs 快速关断响应。芯片适用于 SSD 驱动、企业......
等于U2，当U2由最大值下降时，就会出现U2＜Uc的情况，这时二极管受反向电压而截止，于是电容就向负载Rfz放电，使负载在电源的负半周内仍有电流流过，如下图所示。 因此，负半周内负载两端电压......
再冲击一下，检测被测样品是否既能承受浪涌电流的冲击，同时还要经受反向电压的考验。 另外，根据......
么发电也要弱磁呢？高速下发电的时不应该利用强磁产生比较大的iq吗？这是不行的，因为高速下如果不弱磁，反向电动势+变压器电动势+阻抗电动势可能会非常大，远远超过电源电压，产生可怕的后果，这种情况是SPO不可......
么发电也要弱磁呢？高速下发电时不应该利用强磁产生比较大的iq吗？这是不行的，因为高速下如果不弱磁，反向电动势+变压器电动势+阻抗电动势可能会非常大，远远超过电源电压，产生可怕的后果，这种情况是SPO不可......
NDSH10170A EliteSiC肖特基二极管的额定BV为1700V，在最大反向电压 (VRRM) 和重复峰值反向电压之间具有更大的容限。这些器件还使设计人员能够在高温下实现稳定的高压操作，并且......
的续流二极管的开关特性也受栅极电阻的影响，并也会限制我们选取栅极阻抗的最小值。IGBT的导通开关速度实质上只能与所用续流二极管反向恢复特性相兼容的水平。栅极电阻的减小不仅增大了IGBT的过电压应力，而且......
为了维持较高的击穿电压，将漏极放在芯片背面，整个漂移层承受电压。功率MOSFET的导通电阻，由几部分构成：源极金属接触电阻、沟道电阻、JFET电阻、漂移区电阻、漏极金属接触电阻。设计......
管正向导通的原理即是如此。 PN结反偏：PN结加反向电压，如下图： 反偏时，多子在电场作用下运动使PN结加宽，电流......
入了最新的工艺。优化的沟槽结构确保了行业领先[2]的0.35mJ（典型值）[3]的低开关损耗（关断损耗），与东芝当前产品GT50JR22相比降低了大约42%[4]。此外，新款IGBT还包含一个内置的二极管，其正向电压......
，反向恢复安全工作区（RRSOA）提高了2.2倍，从而提升了逆变器的可靠性，扩大了在开关过程中反向恢复电流和反向电压......
的电源支持。此外，HN1D05FE具有400 V额定反向电压，适用于200 V以下的电源电路，以及反向电流保护、浪涌保护等。采用的SOT-563封装是通过小尺寸实现高压特性。两个......
芝当前产品GT50JR22相比降低了大约42%[4]。此外，新款IGBT还包含一个内置的二极管，其正向电压为1.2V（典型值）[5]，比GT50JR22降低了大约43%[5]。这些改进有助于显著提高设备效率。 对于......
牺牲性能和增加复杂性。采用中心抽头整流的解决方案（图6）对于高电压输出整流级来说并不方便。与全桥整流不同的是，在全桥整流中，二极管的标准反向电压等于输出电压，而在中心抽头配置中，二极管要承受......
作为成本非常有限的项目的替代品，但要牺牲性能和增加复杂性。采用中心抽头整流的解决方案（图6）对于高电压输出整流级来说并不方便。与全桥整流不同的是，在全桥整流中，二极管的标准反向电压等于输出电压，而在中心抽头配置中，二极管要承受......
（典型值）[3]的低开关损耗（关断损耗），与东芝当前产品GT50JR22相比降低了大约42%[4]。此外，新款IGBT还包含一个内置的二极管，其正向电压为1.2V（典型值）[5]，比GT50JR22......
该段输出也出现无正向输出。通过调整反馈输出端和芯片 ITH、FREQ 及变压器 pin 9-10、12-13 的电阻值。 （1）当 Vin = 18 V 时，整流二极管两端的最大反向电压达到 102 V，RC 电路......
MAX16915数据手册和产品信息;MAX16914/MAX16915是低静态电流过压保护和电池反接保护控制器，设计用于可承受瞬态高压和故障条件的汽车系统及工业系统。这些故障条件包括抛负载、电压突降以及反向输入电压......
性保护时最容易实现的， 输入电源路径中添加一个简单的二极管。 如下图。1N4006 的额定电流为 1A，PIV（峰值反向电压）为 800V，对大部分电路来说够了，二极管会产生0.6......
通过调节FET电阻，防止电流进一步升高。器件可编程三种不同的限流模式：自动重试、连续限流和闭锁模式。SETI引脚电压与通过器件的瞬态电流成比例，由ADC读取。 MAX17608和MAX17610阻止反向电......
1700 V SiC 肖特基二极管。1700 V 的额定电压可在 VRRM 和反向重复峰值电压之间为器件提供更大的电压裕量。该系列器件具有更低的 VFM（最大正向电压）和出色的反向漏电流，有助......
可在 VRRM 和反向重复峰值电压之间为器件提供更大的电压裕量。该系列器件具有更低的 VFM（最大正向电压）和出色的反向漏电流，有助于实现在高温高压下稳定运行的设计。 图 4：安森......
V SiC 肖特基二极管。1700 V 的额定电压可在 VRRM 和反向重复峰值电压之间为器件提供更大的电压裕量。该系列器件具有更低的 VFM（最大正向电压）和出色的反向漏电流，有助......
瞬间电流往往会有过冲，这是反并联二极管换流时产生的反向恢复电流。反向恢复电流叠加在IGBT开通电流上，增加了器件的开通损耗。IGBT的反并联二极管往往是Si PiN二极管，反向恢复电流比较明显。而......
的沟槽结构确保了行业领先[2]的0.35mJ（典型值）[3]的低开关损耗（关断损耗），与东芝当前产品GT50JR22相比降低了大约42%[4]。此外，新款IGBT还包含一个内置的二极管，其正向电压......
肖特基二极管的额定BV为1700V，在最大反向电压 (VRRM) 和重复峰值反向电压之间具有更大的容限。这些器件还使设计人员能够在高温下实现稳定的高压操作，并且不会影响SiC的高效率。 无论......
效的电路。如果输入电源发生故障或短路，快速关断功能可充分抑制反向电流瞬变。此外还提供关断模式，可将静态电流降至 3.8μA。 集成式辅助升压稳压器可提供将外部 MOSFET 完全导通所需的升压电压。如果......
共封装或反并联，IGBT是单向器件，除非它是反向导通IGBT技术。因此，IGBT在共封装二极管的选择上有更多的选择，如低VF 二极管、快速恢复二极管或碳化硅SBD。无论是体二极管还是共封装二极管，都需要用于从相反的直流输入连接旁路反向电压......
限流和闭锁模式。SETI引脚上的电压与通过器件的瞬时电流成比例，可由ADC读取。 MAX17613A和MAX17613C阻塞反向电流(即从OUT流向IN的电流)，而MAX17613B允许电流反向流动。器件......
保持高电平，三极管不导通，FO为高电平;若IGBT发生短路故障，CE间电压VCE增大，导致A点电平升高，达到反向器的翻转电平，从而使F点为低，三极管导通，FO输出为低，从而产生故障信号，同时B点也......
一文详解电池充电器的反向电压保护;处理有几种众所周知的方法。最明显的方法是在电源和负载之间连接一个二极管，但是由于二极管正向电压的原因，这种做法会产生额外的功耗。虽然该方法很简洁，但是......

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日本NIEC上海英达电子有了公司
等的产品服务于大中华地区. 肖特基产品,全系列,是低于0.14V压差的VF产品.低反向电流.总体低功耗. 快恢复二极管,以具有软恢复在行业一直领先.均与各大厂商对比在反向的波形上有明显的优势.减少
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在半导体器件的研发领域一直处于国内领先水平。2000年，我司研制出大电流、高反压的肖特基与快恢复二极管，其中，肖特基势垒二极管已达到正向电流300安培以上，反向电压200V以上；快恢复二极管已达到正向电流240安培
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国独立生产半导体的厂商。产品种类超过40多种封装形式和10000多种型号。产品分为稳压二极管、肖特基、可控硅二极管、ＴＶＳ.桥式整流器等.瞬变(瞬态)抑制二极管简称TVS器件,在规定的反向应用条件下,当承受
日英电子（上海）有限公司
管整流模块,肖特基大电流模块用于电焊机,UPS等,晶闸管模块,IGBT模块.可代替富士,三社,INFINEON等公司产品.参数如下: PAT1508 二晶闸管反向并联模块800V/150A
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流300安培以上，反向电压200V以上；快恢复二极管已达到正向电流240安培以上。 伴随着公司的不断扩大与发展，公司通过了ISO9001国际质量体系认证。为顺
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深圳市必扬光电技术有限公司
路视频光端机，2路视频光端机，4路视频光端机，8路视频光端机，16路视频光端机,32路视频光端机，64路视频光端机，24路视频光端机，12路视频光端机，128路视频光端机，1路视频光端机+1路反向数据，单路
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温度传感器工作温度范围窄。为了一举解决这些问题，本公司在世界上首次开发了具有标准特性公式和标准特性表的S系列二极管和晶体管温度传感器。 这种温度传感器利用二极管正向电压和晶体管be结正向电压的温度特性工作,其正向电压
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壮大的动力。2000年，我司研制出大电流、高反压的肖特基与快恢复二极管，其中，肖特基势垒二极管已达到正向电流300安培以上，反向电压200V以上；快恢复二极管已达到正向电流240安培以上。伴随
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,锂离子电池保护，充电控制，MOSFET/IGBT驱动，78/79系列，LDO，电压参考，电压监控分立器件：功率晶体管，达林顿管，MOSFET，IGBT，小信号,整流,稳压,肖特基,调谐二极管，可控