资讯
STM32 DMA串口发送模式配置及使用简单分享(2023-01-03)
发送和单纯的串口发送方法不一样，传统的是printf()，DMA就是上面我的第二段代码的操作;
2)DMA_PeripheralInc：要DIsable，因为这个是设定外设指向下个地址，而不是数据下个地址,设为......
MT8880与AT89C51及语音电路的接口电路(2023-03-14)
决定要发送的双音频信号的频率, 因此只能向发送数据寄存器写入数据。两个收发控制寄存器占用同一个地址, 因此根据CRA 中的寄存器选择位的值决定是否对CRB 进行操作。其接口电路如图4 所示。
ISD1420......
s3c2440裸机-内存控制器(三-3、norflash编程之uboot中操作norflash)(2023-08-09)
。我们先看下这款NorFlash的手册，找到操作flash的命令表：
下面简单的举一些例子：
1）复位(reset)：
往任何一个地址写入F0即可。
2）读ID：
很多的Nor Flash可以......
s3c2440裸机-norflash3-uboot中操作norflash(2024-07-08)
先看下这款NorFlash的手册，找到操作flash的命令表：
下面简单的举一些例子：
1）复位(reset)：
往任何一个地址写入F0即可。
2）读ID：
很多的Nor Flash可以配置成位宽16bit(Word......
什么是FMSC_STM32_FMSC使用理解(2024-07-24)
接到哪一根地址线上。当CPU执行到这一条的时候，就会通过FSMC总线控制器在数据总线上进行一个地址为 Bank1_LCD_C的数据写操作，此操作自动完成CS信号，
RD信号，WR信号，以及地址总线数据......
怎么看时序图--nand flash的读操作详解(2024-06-06)
特性是 地址周期通常需要好几个，就是一个地址是分几次发送的
再给出数据手册中对应时间标号的说明
同样我们按照上面分析的步骤
1 这里是地址锁存是时序，那么我们要注意的其实就只有 ALE 为高......
对lpc2000系列微控制器片内flash编程的方法(2023-03-06)
上，我觉得这个功能不太实用，因为每次擦除的最小单位是8K，到不如直接写数据到Flash的一个地址，这个地址是在一个空扇区中，读和写都以这个地址为基址。由于编译后的代码是向下靠紧的，所以......
s3c2440裸机-nandflash编程（二. nand控制器和nand访问时序）(2023-08-02)
字或 512 字节页大小，3 或 4 个地址周期）
1：先进 NAND Flash（1K 字或 2K 字节页大小，4 或 5 个地址周期）
GPG13：NAND Flash 存储器page size......
STM32学习笔记—片内FLASH读写失败问题分析(2023-02-15)
据型号得知容量大小。
4.存储器端格式
目前STM32存储器组织结构默认为小端格式：数据的低字节保存在内存的低地址。
更多内容请查阅芯片对应的参考手册。
FLASH 选项字节
STM32内部Flash具有......
stm32f103zet6启动文件详解(2023-09-26)
］
//不难看出这些个函数都是空函数，所以什么都不会做的，我们只要 重新定义和使用这些函数就行了，还有一点就是下面的中断函数都是用的同一个地址
//都是默认的中断函数地址......
19.6 scatter文件(2024-07-30)
19.6 scatter文件;一个映像文件里可以包含多个域（region），它们在装载和运行时可以有不同的地址。这个地址可以用armlink的两个参数来确定：
ro-base 设置代码段（RO）在装......
单片机存储器一些相关知识的学习(2024-02-27)
范围就是从12个0到12个1，我们按照16进制来表示，那这个地址空间的分布就是从0000H到0FFFH，大家一定要能够理解这个空间和地址分布的一个概念就是地址实际上是对每一个单元的一个编码，只不......
OK6410 tftp下载内核、文件系统以及nand flash地址相关整理、总结(2024-09-06)
支持网络操作了，查一下源码也就是改了那几个文件，因此可以下载烧写最新版uboot。
在进行tftp的操作时最开始可能容易搞混的就是烧写内核啥的应该烧写到哪一个地址去，最开始也有点混，比如有人的博客里是tftp......
关于单片机的地址总线和数据总线(2024-07-30)
机中，程序存储器通常是ROM，数据存储器通常是RAM。这两种存储器在单片机的运行过程中起着不同的作用。内存一个地址对应一个字节还是一个存储单元？（最困惑的问题）https://www.zhihu.com......
OK6410内存及启动流程(2024-07-19)
，保存起来。 同时，发现一个很奇特现象，我输入的下载地址为50000000可是串口却显示下载到50008000这个地址去，为了试验，我分别把下载地址改为0x53000000和0x1000000，但是串口却依然显示下载地址......
MCS-51系列单片机存储器结构(2022-12-16)
MCS-51系列单片机存储器结构;由于采用改进型哈佛架构，51单片机具备独立的程序存储器ROM、数据存储器RAM，两者地址空间独立，且独立编址，如下是单片机的存储器结构图。
程序存储器ROM，用于......
51单片机学习——存储和引脚(2023-01-06)
/BV1H7411n7AYwww.bilibili.com/video/BV1H7411n7AY
2、注意
1、从上面的寻址能力来看的话，我们知道地址线是 16 根
单片机内部的程序存储器用于存储单片机工作时候的程序，单片机内部专门设置一个......
三、编写 s3c24x0 的 bootloader——重定位（一）(2024-08-26)
器的时序有关：
发出 CLE/ALE 之后，一个写信号 nWE 需要多久变为低电平，nWE 变为低电平后，CLE/ALE 又需要保存多长时间才能变为低电平。
nWE 中的低电平为 /WE 中的 twp 处位......
STM32芯片FLASH容量真如ST官方选型手册那样吗？(2024-08-29)
发现很多地方都会开支FLASH，而且有些项目占用FLASH还不小。比如：某种特定算法，加载字库，甚至放两张图片在FLASH里面。
再拿一个IAP应用编程的例子来说：一般对升级这个功能做的好一点的，会有一块区域（备份区域）与应用程序差不多大......
c51特殊功能寄存器定义及作用(2024-03-20)
。
例如：sbitP1^1=0x81;sfrSP=0x81;
它们虽然都引用了同一个地址0×81，但是对于编译器来说，这两者的含义完全不同，前者因为有sfr关键字，所以是字节地址。后者因为是sbit关键......
STM32F0单片机快速入门三: MCU启动过程(2023-03-17)
何以设置。
0x0800 0000 Flash memory
存放用户代码
0x1FFF EC00 System memory
存放 bootloader, 片内集成温度传感器的校正数据，和片内集成电压参考的校正数据......
FLASH存储器测试程序原理和几种通用的测试方法(2023-06-13)
，随机存取能力差。它们对数据的存取不是使用线性地址映射，而是通过寄存器的操作串行存取数据。
一般来说，不论哪种类型的FLASH，都有一个ID寄存器，用来读取存储器信息，可根......
单片机(MCU)如何才能不死机之对齐访问(Aligned Access)(2023-03-17)
( Word ) 变量，当起始地址能被 2 整除时是对齐的。访问字节 ( Byte ) 型变量，总是对齐的。
那么如果进行了非对齐访问呢？那就会产生一个严重错误 ( HardFault ) ！！！
大家看一下例子中的这一个......
浅析STM32 FSMC操作LCD的过程(2023-08-10)
就是想利用FSMC读写ILI9341，因此，这里需使能存储区域的写入操作。
bit11：等待时序配置。NWAIT信号指示存储器中的数据是否有效，或者在同步模式下访问FLASH时是否必须插入等待周期。该配置位决定存储器是在等待周期之前的一个......
STM32裸机编程的基础知识(3)(2023-09-25)
现在我们知道，我们必须确保固件中第 2 个 32 位值包含启动函数的地址，当 MCU 启动时，它会从 flash 读取这个地址，然后跳转到我们的启动函数。
最小固件
现在我们创建一个
main.c
文件......
十二、S3C2440 裸机 — SDRAM(2023-07-11)
是同一引脚）有效，选中SDRAM芯片
SDRAM有4个L-BANK，需要两个地址信号来选中其中一个，即BA0、BA1。
对被选中的芯片进行同一的行/列（存储单元）寻址、
找到存储单元后，被选中的芯片就要进行统一的数据......
STM32固件IAP升级实战(2023-04-03)
用来保存 Bootloader 和 Application 程序，这里有两个有两个 FLASH 起始地址 0x8000000 和 0x8003000；为什么是 0x8000000 这个地址呢？而不是其他地址......
基于LPC2104的汽车行使记录仪(2023-03-07)
，然后以此地址为参照，以这个地址的一个地址值为 Flash的起点地址，以这个地址的下一个地址值为Flash的起点地址，按顺序进行存储。Flash需要存储的数据有16路开关量信息、8路模......
STM32G47x系列MCU中双Bank的工作原理及在线升级实现(2023-10-12)
0x08040000 开始运行的，MCU 依旧是从 0x08000000 这个地址开始运行，认清这点对程序在线升级时对 Flash 的擦除与烧写特别重要。
另外基于以上地址重映射操作，在程......
工程师笔记|STM32G47x 双 Bank 模式下在线升级(2023-02-01)
是从 0x08040000 开始运行的，MCU 依旧是从 0x08000000 这个地址开始运行，认清这点对程序在线升级时对 Flash 的擦除与烧写特别重要。
另外基于以上地址重映射操作，在程......
用STM32_FLASH模拟实现EEPROM功能(2024-04-15)
( uint16_t VirtAddress, uint16_t Data )函数是我们将用到的FLASH读写函数。
这里需要注意这两个函数都有一个输入参数，这是一个虚拟地址，也就是一个将来寻找我们存储内容的地址......
STM32单片机Bootloader的实现(2023-05-25)
空间该怎么算呢？这个其实是一个进制转换的问题，我们知道，在十进制中，1KB=1024个字节，而我们计算机中的一个字节就是一个地址单元，因此只要要使用64KB*1024就可以得出有多少个（十进制）地址......
mini2440 Nor Flash工作原理分析(2023-06-07)
，用于引导扇区的闪存。原理图里面关键的引脚是：
地址引脚：22个地址引脚A0-A21（S29AL016M90TAI02只接了A0-A19,20个地址，接到S3C2440的LADDR1-LADDR20......
第3阶段——内核启动分析之创建si工程和分析stext启动内核函数(4)(2024-07-15)
处开始保存start_tag数据，
setup_memory_tags (void); //保存memory_tag数据,让内核知道内存多大 setup_commandline_tag......
扒一扒单片机串口IAP原理(2023-02-01)
现某些功能的程序），这里我们以一个点灯程序为例。最终，两份工程编译出来的可执行文件都需要烧写到芯片的FLASH中。只不过需要烧写到不同的地址，简单的示意图如下：
这里使用的STM32型号......
STM32的结构和组成(2024-08-15)
单元
DCode总线
D表示Data，即数据，这要总线是用来取数的。
DMA系统总线
用来传输数据，这个数据可以是在某个外设的数据寄存器。
被动单元
内部的闪存存储器：即FLASH，我们编写好的程序就放在这个地......
STM32内部EEPROM的使用方法(2024-07-24)
STM32内部EEPROM的使用方法;STM32内部的EEPROM其实是Flash模拟的，也就是会占用程序的存储空间，下载的程序也放在这个地方，不过L系列单独给eeprom分配的有位置，理论......
STM32存储器映射(2023-02-27)
找到他们，然后来操作他们（通过C 语言对它们进行数据的读和写）。
存储器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片厂商或用户分配，给存储器分配地址的过程就称为存储器映射。如果给存储器再分配一个地址......
EEPROM 和 flash 这样讲，早就懂了！(2024-04-26)
简化了电路，数据密度更高，降低了成本。
flash 分为 nor flash 和 nand flash：
nor flash 数据线和地址线分开，可以实现ram一样的随机寻址功能，可以读取任何一个......
ADS1.2中RO base与RW base(2023-09-06)
变量可以被初始化程序IMPORT进去。这个参数有两个意思：1，如果生成可执行bin文件烧写到flash中去，那么这个地址就是要烧到flash中的地址（一般是0x0）。这里又出现一个问题，如果使用的ARM芯片......
uboot 之uboot.lds分析(2024-07-26)
(_start)//指定函数入口点为_start。cpu/arm920t/start.S中定义。SECTIONS{//指定可执行image文件的全局入口点，通常这个地址都放在ROM(flash)0x0位置......
STM32F1_ FSMC读写外部SRAM(2023-06-13)
数位于fsmc.c文件下面；
对1M的SRAM读数据，通过串口打印出来写入的数据，每读一次，打印一次，中间有个延时，所以整个读取的过程时间比较长。
这个地址可以修改，或者选择一段来读取测试也行。希望......
嵌入式学习之Nand Flash(2024-08-30)
。通俗的说，就是光给地址不行，要先命令，再给地址，才能读到NAND的数据。而且都是在一个总线完成的。
Nand Flash的命令、地址、数据都通过I/O口发送，管脚复用，这样做做的好处是，可以......
STM32F1_ 片内FLASH编程(2023-06-08)
）。
在实际的开发中，内部FLASH存储数据也是很重要的一点，特别是一些不常修改，而且很重要的标志位，或者一些配置等，存储在内部FLASH是很常见的。但是，这个地址一定要避开程序储存的地址（我计划后期整理编程地址......
M20 中断、定时器与程序存储方式(2023-01-30)
代码的相互调用反复执行。
先在定时器寄存器中放置一个值 当这个值累加到超过寄存器能存储的最大数就触发中断，累加1实际上会消耗一定的时间，累加到特定数值就可以判断出总时间1ms，本程序64614为初......
为256KB/1024KB，SRAM容量最高为224KB，可支持外部SPI Flash扩展 (最高16 MBytes寻址能力)，并提供耐受5V电压输入的GPIO。丰富的外围资源包括：12-bit 2......
s3c2440裸机-内存控制器(一、内存控制器的原理)(2023-08-10)
内存控制器去处理。下面详细分析：
CPU只管发出一个地址，内存控制器根据该地址范围选择不同的模块，然后从模块中得到数据或者发送数据到模块中。
如下图，SDRAM、DM9000网卡、Nor Flash都接......
s3c2440裸机-内存控制器1-内存控制器的原理(2024-07-08)
内存控制器去处理。下面详细分析： CPU只管发出一个地址，内存控制器根据该地址范围选择不同的模块，然后从模块中得到数据或者发送数据到模块中。
如下图，SDRAM、DM9000网卡、Nor Flash都接......
EEPROM和Flash这样讲，我早就懂了(2023-02-01)
nor flash和nand flash
nor flash：
nor flash数据线和地址线分开，可以实现ram一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦。依然......
stm32f103 flash模拟eeprom(2024-08-19)
器的基本原理STM32F103的Flash存储器可以通过编程和擦除操作来模拟EEPROM的功能。编程操作可以将数据写入Flash存储器的某个地址，而擦除操作则可以将Flash存储器的某个地址的数据擦除为全1......
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;维特巨大数码电子;;