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倍。 CCD、IOD都算上，Zen4锐龙处理器最多集成165亿个晶体管，霄龙则达到了恐怖的902亿个! Intel Sapphire Rapids第四代至强没公布有多少晶体管......
要介绍标准型CPU, 标准型支持模块扩展，还有一种经济型CPU，经济型代号为CR，不支持模块扩展，CPU上有多少端口就只能用这么多。 ......
芯片上“长”出原子级薄晶体管;近日，美国麻省理工学院一个跨学科团队开发出一种低温生长工艺，可直接在硅芯片上有效且高效地“生长”二维（2D）过渡金属二硫化物（TMD）材料层，以实现更密集的集成。这项技术可能会让芯片......
芯片上“长”出原子级薄晶体管，可大幅提高集成电路密度; 研究人员拿着一块8英寸的二硫化钼薄膜的CMOS晶圆。右边是研究人员开发的熔炉，使用不损害晶片的低温工艺在晶片上“生长”一层二硫化钼。图片......
），其中晶体管强度有一定分布，这是通过晶体管的驱动电流来衡量的”. “有一些名义上的行为和一些分布。芯片上的十亿个晶体管不可能是一样的。有些略有偏差。通常，它类似于高斯分布。对电......
栅极的宽度，也被称为栅长。 栅长越短，则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管——Intel曾经宣称将栅长从130nm减小到90nm时，晶体管所占面积将减小一半；在芯片晶体管......
三星与台积电对采用哪种技术似乎出现了分歧，但该来的终究要来，只是时间问题。 摩尔定律筋疲力尽 1965年到现在，集成电路行业一直遵循摩尔定律，经历了每18到24个月晶体管密度翻一番，芯片......
1nm节点。 据台积电称，这种趋势将持续下去，几年后，我们将看到由超过1万亿个晶体管组成的多芯片解决方案。但与此同时，单片芯片将继续变得复杂，根据台积电在IEDM上的演讲，我们将看到拥有多......
将会如期量产，预计上市时间为今年第四季度。 2nm芯片上，台积电也是顺风顺水，将会在3月份正式对外公布全新的Nanosheet / Nanowire 的晶体管架构，并采用新的材料。 即便......
与标准款相比，在核心性能上有很大的差距， 接下来，我们来分析一下，苹果A16芯片到底有多厉害?相比A15提升多少? 中央处理器的功率 对于处理器芯片，CPU 能力是人们首先关心的事情，这也......
光刻机将成为历史！麻省理工华裔研究出 2D 晶体管，轻松突破 1nm 工艺！; 众所周知，作为芯片生产过程中的最主要的设备之一，其重要性不言而喻。 先进......
这样的新科技用了十多年才得以投入生产，而长久以来EUV仍然停留在被讨论的阶段。成本因素也是一项重要考量。摩尔定律有个死对头，名为洛克定律，意为芯片制造的成本每4年便会翻倍。技术或可进一步增加集成到一个芯片上的晶体管数量，但制造这些芯片......
大。 2019年，手捧巨大芯片的Cerebras公司在Hot Chips上一鸣惊人。彼时，该公司展示的Wafer Scale Engine（WSE）拥有1.2T的晶体管，超过彼时EDA工具......
iPhone 14 Pro Max，标准款仍然使用前代A15芯片，这使得Pro机型与标准款相比，在核心性能上有很大的差距， 接下来，我们来分析一下，苹果A16芯片到底有多厉害?相比A15提升多少......
芯片 英特尔计划彻底改变为芯片上晶体管供电的互连位置，最早能在 2024 年实现。该方案被称为背面供电技术（back-side power delivery），即将供电互连网络移动到硅下方，从而从下方连接到晶体管......
1965年，英特尔的联合创始人戈登·摩尔预测，单个芯片上的晶体管数量大约每两年翻一番，而成本只会有极小的增加。该预测被称为摩尔定律，如图1所示。单个设备上的晶体管或组件越多，在单......
积电 2012 年量产 28 纳米平面工艺技术以来，1 亿个栅极（gate）单位晶体管成本实际上有所增加，并没有变得便宜。 上图表明 1 亿栅极晶体管成本并未下降 谷歌研究结果表明：“晶体管......
晶体管。刚开始学习电力电子的时候，你可能会觉得这张图有点陌生。为什么不把集电极画在上面，发射极画在下面呢？直到你明白IGBT的电流是从下往上流的，就不难解释了。 图 8. IGBT 芯片......
工业务就会超过英特尔的14nm晶体管密度，但英特尔认为其10nm密度将会明显好转。 这张幻灯片上有两件有趣的事情。 首先，它证实了Intel 将部署一个14nm ++节点，如之......
后者的 7nm 工艺就可以被应用在芯片上。 　　在衡量处理器芯片的时候，工艺制程是没有争议的重要指标，毕竟这意味着同等面积下芯片可以容纳的晶体管数量。iPhone 7 所搭载的 A10......
从一个基极到另一个发射极，决定了从集电极到发射极能流多少电流。 对于MOSFET晶体管，电压栅极和源极之间的电流决定了有多少电流能从漏极流向另一个源极。 2.1 如何打开MOSFET 下面是一个打开MOSFET的电......
机器非常准确地将微观材料沉积在表面，将晶体管图案印到硅片上，并蚀刻掉不必要的部分——所有这些都需要消耗大量电力。过滤空气中的灰尘并调节晶圆厂洁净室的温度和湿度也会消耗电力。 此外，现代晶圆厂使用各种工艺气体来清洁硅晶片的表面，并精确蚀刻这些闪闪发光的硅片上的晶体管......
集成电路上可容纳的元器件数量约18个月便会增加一倍，后在1975年将这一定律修改为单位面积芯片上的晶体管数量每两年能实现翻番。 　　这便是影响后世至今的“摩尔定律”。 　　作为半导体行业的“黄金......
上糟糕的良品率和表现，才迫使高通这样的大客户将旗舰SoC订单转投到台积电。 在未来的技术路线发展上，三星电子计划在2024年推出第二代3nm工艺技术的半导体芯片（SF3）。三星电子表示，其第二代3nm芯片的晶体管......
如何拓展到 25nm及以下领域，显示有两种途径可以实现这种目的：一是立体型结构的FinFET晶体管，另外一种是基于SOI的超薄绝缘层上硅体技术 (UTB-SOI,也就是我们常说的FDSOI晶体管技术)。 体硅......
用了整整8年才获得第一张车企订单，英伟达当前主力芯片Xavier的研发耗资达 20 亿美元。 两者使用的工艺制程不同 芯片制作时，减小芯片内部电路间距离能将较少晶体管塞到较少芯片上，使其......
. Noyce）和摩尔（R.Moore）从仙童离职后创办了我们所熟知的英特尔（Intel），这里的摩尔就是我们所熟知的摩尔定律的提出者。摩尔定律：集成电路芯片上所集成的晶体管数目，每隔 18 个月......
小成本的前提下，单个芯片上的元器件数量基本上是每一年翻一倍。并且至少在未来十年保持这个增长速度，到1975年单个芯片上将集成65,000个元器件。 上述预测即著名的，1975年，摩尔将预测修改为在接下来的10年里，集成电路上的晶体管......
于为转换器外部的一些附加电路供电，例如放大器或多路复用器。 CS552x ADC 内部的输入放大器 基础知识 电荷泵组件 图 2 显示了基本的二极管电荷泵。晶体管Q1和Q2代表CMOS反相器的输出晶体管。当逆变器的输入导致晶体管......
栅极的宽度，也被称为栅长。栅长越短，则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管——Intel曾经宣称将栅长从130nm减小到90nm时，晶体管所占面积将减小一半;在芯片晶体管......
现摩尔定律的延续：新的3D混合键合（hybrid bonding）封装技术，无缝集成芯粒；超薄2D材料，可在单个芯片上集成更多晶体管；能效和存储的新可能，以实现更高性能的计算。   英特尔组件研究团队所研发的新材料和工艺模糊了封装和芯片......
预测即著名的摩尔定律，1975年，摩尔将预测修改为在接下来的10年里，集成电路上的晶体管每两年翻一番。 过去几十年来，摩尔定律持续指引半导体行业飞速发展。 如今，随着芯片不断缩小，过小芯片影响了晶体管......
芯片巨头们已着手研发下一代CFET技术;外媒 eNewsEurope 报道，英特尔 (Intel) 和台积电将在国际电子元件会议 (IEDM) 公布垂直堆叠式 () 场效晶体管进展，使 成为......
设计人员始终领先于系统级需求。与前代产品相比，3 纳米制程技术具有多项优势。- 更高的晶体管密度： 与基于 5 纳米制程的芯片相比，使用 3 纳米制程制造的半导体器件可以在相同的面积上封装更多的晶体管。晶体管密度的增加直接提高了芯片......
设计人员始终领先于系统级需求。 与前代产品相比，3 纳米制程技术具有多项优势。 - 更高的晶体管密度： 与基于 5 纳米制程的芯片相比，使用 3 纳米制程制造的半导体器件可以在相同的面积上封装更多的晶体管。晶体管密度的增加直接提高了芯片......
键合（hybrid bonding）封装技术，无缝集成芯粒；超薄2D材料，可在单个芯片上集成更多晶体管；能效和存储的新可能，以实现更高性能的计算。 英特尔组件研究团队所研发的新材料和工艺模糊了封装和芯片......
企业在Chiplet方向上有多个落地产品、进步速度较为激进。例如台积电，其正在开发一种名为“集成芯片上系统”(SoIC)的技术，这种技术可以为客户提供使用芯片的3D设计；而AMD在Chiplet技术上深耕已久，目前......
纳米制程来进行打造生产。WSE-2是具有2.6万亿个晶体管和850000个AI优化核心的单个晶圆级芯片。相比之下，当前最大的图形处理单元只有540亿个晶体管，比WSE-2少了2.55万亿个晶体管。WSE......
。该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现4英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管。在相......
尔计划在代号为Clearwater Forest的服务器CPU中使用这些技术的组合。该公司认为该产品是一种具有数千亿个晶体管的片上系统，是其为其他客户提供代工服务的一个目标或案例。 英特尔数据中心技术总监Eric......
尔的组件研究团队展示了其在三个关键领域的创新进展，以实现摩尔定律的延续：新的3D混合键合（hybrid bonding）封装技术，无缝集成芯粒；超薄2D材料，可在单个芯片上集成更多晶体管；能效......
宜普电源转换公司（EPC）eToF™ 激光驱动器IC，助力革新激光雷达系统设计;宜普电源转换公司（EPC）宣布推出激光驱动器IC(EPC21601)，在单个芯片上集成了40 V、10 A 场效应晶体管......
电路问世 通用微电子公司使用金属氧化物半导体(MOS)工艺在一个芯片上封装比双极集成电路更多的晶体管，并建立了第一个使用该技术的计算机芯片组。 图：1966......
做可以得出以下方程式：   方程式7 从方程式4和7中，我们看到，为了增加增益，我们需要增加晶体管的长度。然而，我们也看到，这会导致带宽降低。反之亦然：减少晶体管的长度会导致带宽增加。 展望未来 我们......
在 TSMC N16 上有一个 100 亿晶体管的芯片，其中 40% 是 SRAM，60% 是逻辑晶体管，假设其芯片面积约为 255mm²，其中 45mm²(或 17.6%) 为 SRAM，而将完全相同的芯片......
断调试并确保其功能良好。经在测试芯片上采用并测试PowerVia，英特尔证实了这项技术确实能显著提高芯片的使用效率，单元利用率（cell utilization）超过90%，并有助于实现晶体管......
断调试并确保其功能良好。经在测试芯片上采用并测试PowerVia，英特尔证实了这项技术确实能显著提高芯片的使用效率，单元利用率（cell utilization）超过90%，并有助于实现晶体管......
。该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现4英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管......
导体发展的早期，戈登·摩尔便准确预测了，芯片的算力将大幅增长，而相对成本将呈指数级下降。在这篇文章中，他提出，在未来十年内，芯片上的晶体管数量将每年翻一番。1965-1975年半......
新突破 Intel研发了可垂直堆叠在晶体管之上的全新内存，并首次展示了全新的堆叠铁电电容，性能媲美传统铁电沟道电容，可用于在逻辑芯片上打造FeRAM。 Intel正在打造300毫米......

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