MOS管是金属氧化物半导体场效应晶体管或金属绝缘体半导体。MOS的源极和漏极由重掺杂半导体材料制成，而栅极由金属或多晶硅制成。MOSFET在数字电路中用作开关，在模拟电路中用作放大器。高功率MOS管可在亚马逊、速卖通和沃尔玛购买。CenryKay的大功率DC 5V-36V MOS管场效应MOSFET触发开关驱动模块PWM调节电子开关控制板由铝制成。AliExpress销售高功率600W MOS管FET触发驱动模块PWM控制高/低电平触发开关DC 4V-60V 5V 12V 24V。
延伸阅读
资讯
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
开、关性能变坏。
所示代换不同型号的MOS管，要考虑到其输入电容这一参数，例如有一款42寸液晶电视的背光高压板损坏，经过检查是内部的大功率MOS管损坏。
因为无原型号的代换，就选用了一个，电压、电流......
电机驱动之PWM互补输出死区时间设定(2024-07-19)
色圈内的波形，高低电平相反，我们把这种波形称为互补PWM波形。
图1
二、添加死区原因
上图1红圈里的互补PWM输出会造成问题的，首先，半导体器件内部都有结电容的，列如MOS管，MOS管导通，需要......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽......
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法(2024-06-10)
Q1的栅极以防止其过压击穿，显然MOS管Q1的栅源电压Vgs必须高于稳压管D1的最大反向击穿电压。一般MOS管的栅源电压Vgs为20V，推荐12V的稳压二极管。
其中Pout为DC/DC电源的最大输出功率......
STM32的GPIO电路原理详解(2023-06-15)
的二极管导通;当引脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS......
STM32的GPIO电路原理(2023-01-09)
脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N......
详解STM32单片机GPIO的工作原理(2024-04-15)
的二极管导通；当引脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P......
电机驱动电路的两种设计方案解析(2023-01-12)
!
方案二
大功率 MOS 管组成电机驱动电路
由于本人对这一部分的研究还不过深入，以下内容主要参考了“337实验室团队”对大功率MOS管组成的电机驱动电路的分析与设计。
用这个方法电路非常简单，控制......
STM32的八种GPIO工作方式详解(2023-06-09)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和......
STM32的GPIO工作方式与基本结构(2023-07-19)
器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模......
STM32的GPIO工作原理(2023-03-07)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组......
三相直流无刷电机驱动电路图解(2023-04-25)
是IRF540NN沟道MOS管，D2、C3组成上桥自举电路，R3，R13为MOS管基极限流电阻。R15为驱动采样功率电阻，大负载时可以更换大功率电阻，防止电流过大烧毁电阻。R9、R10为单......
功率IC设计厂商“天狼芯”获数千万人民币A轮融资(2021-01-07)
，200W）的开发, 以及全集成式的GaN方案的研发。针对于SiC领域，天狼芯目前可提供应用于大功率密度场景，如新能源汽车、充电桩的MOS以及二极管产品，已完成650V/1200V的SiC二极......
STM32的GPIO工作原理详解(2023-05-19)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N......
STM32的GPIO介绍及电路图讲解(2023-07-19)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N......
STM32 GPIO工作原理详解(2023-03-20)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO......
STM32的GPIO详细介绍(2023-06-25)
的二极管导通；当引脚电压低于 VSS 时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
果漏源极不加保护电路，同样有可能因为器件开关瞬间电流的突变而产生漏极尖峰电压，进而损坏MOS管，功率管开关速度越快，产生的过电压也就越高。为了防止器件损坏，通常采用齐纳二极管钳位(图中D901)和RC缓冲......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效......
亦商亦儒 躬身入局半导体江湖——专访深圳市萨科微半导体有限公司总经理宋仕强(2022-05-14)
、中压低压MOS、超结场效应管COOLMOS、可控硅桥堆，还有大功率的IGBT管，还有应用在军工和高端工业品市场的碳化硅场效应SiC MOS管等产品。目前可用于工业军工产品有：碳化硅SiC二极管、碳化......
安建半导体获1.8亿元B轮融资，用于MOS和IGBT全系列产品开发等(2022-03-25)
安建半导体获1.8亿元B轮融资，用于MOS和IGBT全系列产品开发等;据投资界消息，半导体功率器件厂商安建半导体已于近日获1.8亿元B轮融资，募集资金将主要用于高、低压MOS和IGBT全系......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
数含义是mos可以持续承受的电流值，在设计中，产品的实际通过电流值应远小于该值，至少应小于1/3以下，例：该mos管的使用持续电流应小于50A。
b. **PD（mos管的最大耗散功率）**：该参......
直流电动机的工作原理简述 直流电机工作原理图 直流电机有几种类型(2024-07-12)
机、压缩机、轧钢机以及小型、微型仪器设备或者充当控制元件。其中三相同步电动机是其主体。此外，还可以当调相机使用，向电网输送电感性或者电容性无功功率。
Chapter 03
H桥电路分析
以MOS管搭......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
NMOS和PMOS详解;一、简介本文引用地址：MOS管，是的缩写。金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。
一般主板上使用最多的是增强型MOS管，NMOS最多，一般多用在信号控制上，其次是PMOS，多用......
常用的锂电池充电IC芯片(2023-02-24)
值8.4V 充电电流600毫安 单灯指示 线性SOP8
FS4059A 5V输入充8.4V芯片 充电1A 单灯指示 双节内置MOS管 SOP8
FS4062A 5V输入充8.4V芯片 充电4A 单灯......
HT3163 宽电压3V-18V供电、AB/D类切换40W单声道音频功放IC应用方案(2023-07-10)
满足更宽泛电压应用、更大功率的F类音频功放芯片，则一直处于空白。
深圳市永阜康科技有限公司针对带收音功能的户外蓝牙音箱、车载音频系统的应用痛点，推广一款无需散热器贴片ESOP-10简易封装、内置防破音AB类/D......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
使用程序配合硬件电路去实现。
如下图所示，使用4个功率管（可以为MOS管或者IGBT）搭建成桥式电路，在桥臂中心引出两根导线，连接到电机的供电引脚上。
当使用单片机控制Q2,Q3导通，Q1,Q4截止时。电流经过过电源正极，经过......
输入冲击电流抑制电路设计(2023-08-09)
正常工作时的损耗。
优缺点分析：
（3）方案三：串入MOS管
该方案是在输入回路串入MOS管（需外加控制电路），利用MOS的可变电阻区进行电流抑制，适用小功率输入冲击电流抑制。
工作......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
，下管PNP开启，驱动MOS管关闭。
3）双端变压器耦合栅极驱动
双端变压器耦合栅极驱动电路可同时驱动两个MOS管，多用于高功率半桥和全桥转换器中，其电路结构如图。在第一个周期内OUTA 开启，给变......
HT3163 宽电压3V-18V供电、AB/D类切换40W单声道音频功放IC应用方案(2023-07-10)
满足更宽泛电压应用、更大功率的F类音频功放芯片，则一直处于空白。
深圳市永阜康科技有限公司针对带收音功能的户外蓝牙音箱、车载音频系统的应用痛点，推广一款无需散热器贴片ESOP-10简易封装、内置防破音AB类/D类切......
HT3163宽电压3V-18V供电、AB/D类切换40W单声道音频功放IC应用方案(2024-07-09)
满足更宽泛电压应用、更大功率的F类音频功放芯片，则一直处于空白。
深圳市永阜康科技有限公司针对带收音功能的户外蓝牙音箱、车载音频系统的应用痛点，推广一款无需散热器贴片ESOP-10简易封装、内置防破音AB类/D类切......
采用STM32F103VBT6处理器实现水下无线能量传输系统的设计(2024-05-29)
在MOS管发热损耗较少的情况下，实现大功率的能量传输。MOS管的开关驱动电路由IR公司的驱动芯片与门级关断钳位电路组成。IR2110是IR公司推出的带自举的低成本驱动芯片，广泛应用在各种MOS管与IGBT......
基于C8051F920单片机在太阳能充电系统中的设计(2024-01-31)
保护电路可以防止将天空中闪电、雷击引入控制器而造成损坏。PWM充电控制电路将对蓄电池充电， MCU输出的PWM信号用于驱动大功率MOS管，控制充电电压的大小，以免造成对蓄电池的损坏。
2．2 电子......
如何构建脉宽调制信号发生器？看这一文(2024-06-25)
调制信号通常用于控制伺服系统、LED和等模拟设备。
一、脉宽调制的工作原理
在脉冲宽度调制中，高频电脉冲序列被发送到设备为其供电，脉冲可由驱动晶体管或功率MOS管生成。
脉冲......
STM32的GPIO功能框图讲解(2023-02-23)
驱动要么电机不转，要么导致芯片烧坏，必须要加大功率及隔离电路驱动。
2. P-MOS 管和N-MOS 管
GPIO 引脚线路经过两个保护二极管后，向上流向“输入模式”结构，向下流向“输出模式”结构。先看......
一种基于铝基板的加热台设计与实现(2023-03-10)
上。
2.2.4 加热驱动电路
加热驱动电路选用的是下桥驱动，选用N 沟道的MOS，MOS管打开即可开始加热，因为本文设计功率为24 V200 W，所以需要选用合理的MOS 管，以防止炸管，为考......
供需趋稳，MOSFET国产替代的机会在哪里？(2020-03-16)
供需趋稳，MOSFET国产替代的机会在哪里？;金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET，又称MOS管)是功率半导体器件的主体之一。由于其具有输入阻抗高、驱动功率低、开关速度快、无二次击穿、安全......
数明半导体推出高效节能的电机驱动芯片SLM8837(2024-07-03)
出可以并联使用，轻松应对更大功率输出的半桥负载，扩展性强。
四、节能设计
通过 nSleep 管脚控制，SLM8837 可进入睡眠模式，关闭......
浪涌电流是什么意思？如何抑制浪涌电流？4种浪涌电流抑制电路(2024-06-24)
导通损耗低，使用方便。优点是零件少，缺点是有功率损耗。下面介绍有源和无源浪涌电流限制电路。
1、有源浪涌电流限制电路(P-MOS管)
下图为使用P沟道MOS管的浪涌电流限制电路。P沟道的导通步长与N沟道......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用......
260亿美元功率器件市场，宋仕强跨界创业谈萨科微成长史(2021-12-08)
科微来说相关技术的平移就好，碳化硅MOS管在太阳能光伏、逆变器、充电桩、车载充电器、电动摩托，大功率无线充电有很大的市场前景，这些市场的要求比新能源汽车稍低但市场空间很大。还有......
基于比较器的过压保护电路设计方案（完整版）(2024-06-17)
阻尼二极管正极端连漏极（D），二极管负极连源极（S），要使MOS不至于无控导通，源极（S）必须接电源Us的正极。
图3.以MOSFET为受控开关
2. 控制MOS管
比较器的输入电阻极高，对电......
RS瑞森半导体在PC电源上的应用(2023-02-14)
开关MOS管关断时，MOS管会承受两倍于输入电压的应力，因此在该类拓扑应用中推荐瑞森半导体800V、900V的超高压MOS管，以应对电压变化带来的冲击。
双管正激，它是非常稳定的拓扑结构，工作......
无刷直流电机的电流换向电路 无刷直流电机的三相全桥驱动电路(2023-03-20)
六个N沟道的MOSFET管(Q1～Q6)做功率输出元件，工作时输出电流可达数十安。为便于描述，该电路有以下默认约定：Q1/Q2/Q3称做驱动桥的“上臂”，Q4/Q5/Q6称做“下臂”。
图中R1......
森国科推出电机驱动专用的高集成、高性能IPM智能功率模块(2024-01-02 11:25)
特点• 开关频率10kHz以上• 三相500V快恢复功率MOS管，内置保护功能栅极驱动• 内置自举二极管• 独立的负直流端便于三相变频器电流检测的应用 • 完全兼容 3.3V 和 5V 的 MCU 的接......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
动电路详解
1、简介
在学习此部分之前，需要先掌握基础H桥驱动的工作原理，具体可参看此篇博客：电机驱动芯片（H桥、直流电机驱动方式）
自行搭建的H桥驱动电路一般都包括两个部分：半桥/全桥驱动芯片和MOS管......
汽车DC 24V系统过抛负载测试解决保护方案(2023-07-19)
管厂家东沃电子推出的一款新产品。东沃汽车24V系统过抛负载测试解决保护方案图（小尺寸SMD8S36CA）如下所示：
针对汽车DC 24V电源系统抛负载测试，东沃电子推出大功率更小封装TVS管：SMD8S36CA，用于汽车DC......
汽车DC 24V系统过抛负载测试解决保护方案(2023-07-19)
管厂家东沃电子推出的一款新产品。东沃汽车24V系统过抛负载测试解决保护方案图（小尺寸SMD8S36CA）如下所示：
针对汽车DC 24V电源系统抛负载测试，东沃电子推出大功率更小封装TVS管：SMD8S36CA，用于汽车DC......
MOS管驱动电流估算(2024-04-02)
要注意的是要用Qg来计算开启关断速度，而不是用栅极电容来计算。
下面讲讲MOS管开通过程
开始给MOS管Cgs充电，当电压升到5V时，Id流过一定的电流。继续充电，Id越来越大，但还没完全导通。当Id......
相关企业
;深圳市惠利电子科技有限公司;;深圳市惠利电子科技有限公司生产，销售的血氧管、小功率LED、光敏管、发射管、接收管、NEC二极管、日本住友接插件、日本森木MOS管、大功率LED畅销消费者市场，在消
;嘉美电子;;际整流器公司（IOR）.VISHAY.FAIRCHILD是全球领先的功率管理技术领导企业。IR .VISHAY .FAIRCHILD的模拟和混合信号集成电路、集成功率系统和功率MOS管
;深圳市顺颀威科技有限公司;;深圳市顺颀威科技是一家代理商，主要代理台产MOS管，大功率二、三极管和键盘IC。本公司与TM、AT、强茂、益龙及巨盛有多年的合作关系，保证了产品供货的及时性和品质的可靠性。
;台湾强茂电子有限公司;;台湾强茂集团为台湾上市公司，主要从事半导体二三极管、MOS管，TVS管,大功率肖特基二极管，特殊整流，电源管理IC等高技术产品的研制、开发和生产，公司
;强茂电子;;台湾强茂集团为台湾上市公司，主要从事半导体二三极管、MOS管，TVS管,大功率肖特基二极管，特殊整流，电源管理IC等高技术产品的研制、开发和生产，公司
;龙鑫电子有限公司;;我公司主要从事半导体二三极管、MOS管，TVS管,大功率肖特基二极管，特殊整流，电源管理IC等高技术产品的研制、开发和生产，公司
极管系列、场效应三极管系列、IGBT三极管系列、MOS管，稳压管畅销消费者市场，在消费者当中享有较高的地位，公司与多家零售商和代理商建立了长期稳定的合作关系。华星电子商行经销的大功率三极管、电磁炉专用功率
;深圳威铨电子（台湾强茂）电子有限公司;;台湾强茂集团为台湾上市公司，主要从事半导体二三极管、MOS管，TVS管,大功率肖特基二极管，特殊整流，电源管理IC等高技术产品的研制、开发和生产，公司
;中宝电子（香港）有限公司;;发现号科技有限公司主要为强茂一级代理 强茂股份有限公司强茂集团为台湾上市公司，主要从事半导体二三极管、MOS管，TVS管,大功率肖特基二极管，特殊整流，高技
;杭州基科电子;;模块电源、三端稳压器、开关电源、晶振系列、IC电源、电源滤波器、军工电源、功率MOS管