MOS管是金属氧化物半导体场效应晶体管或金属绝缘体半导体。MOS的源极和漏极由重掺杂半导体材料制成，而栅极由金属或多晶硅制成。MOSFET在数字电路中用作开关，在模拟电路中用作放大器。高功率MOS管可在亚马逊、速卖通和沃尔玛购买。CenryKay的大功率DC 5V-36V MOS管场效应MOSFET触发开关驱动模块PWM调节电子开关控制板由铝制成。AliExpress销售高功率600W MOS管FET触发驱动模块PWM控制高/低电平触发开关DC 4V-60V 5V 12V 24V。
延伸阅读
资讯
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽......
STM32的GPIO电路原理(2023-01-09)
脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N......
STM32的GPIO电路原理详解(2023-06-15)
的二极管导通;当引脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
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详解STM32单片机GPIO的工作原理(2024-04-15)
的二极管导通；当引脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
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电机驱动电路的两种设计方案解析(2023-01-12)
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方案二
大功率 MOS 管组成电机驱动电路
由于本人对这一部分的研究还不过深入，以下内容主要参考了“337实验室团队”对大功率MOS管组成的电机驱动电路的分析与设计。
用这个方法电路非常简单，控制......
STM32的GPIO工作原理(2023-03-07)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组......
STM32的八种GPIO工作方式详解(2023-06-09)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和......
STM32的GPIO工作方式与基本结构(2023-07-19)
器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模......
三相直流无刷电机驱动电路图解(2023-04-25)
是IRF540NN沟道MOS管，D2、C3组成上桥自举电路，R3，R13为MOS管基极限流电阻。R15为驱动采样功率电阻，大负载时可以更换大功率电阻，防止电流过大烧毁电阻。R9、R10为单......
功率IC设计厂商“天狼芯”获数千万人民币A轮融资(2021-01-07)
，200W）的开发, 以及全集成式的GaN方案的研发。针对于SiC领域，天狼芯目前可提供应用于大功率密度场景，如新能源汽车、充电桩的MOS以及二极管产品，已完成650V/1200V的SiC二极......
STM32 GPIO工作原理详解(2023-03-20)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO......
STM32的GPIO详细介绍(2023-06-25)
的二极管导通；当引脚电压低于 VSS 时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P......
STM32的GPIO工作原理详解(2023-05-19)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N......
STM32的GPIO介绍及电路图讲解(2023-07-19)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
果漏源极不加保护电路，同样有可能因为器件开关瞬间电流的突变而产生漏极尖峰电压，进而损坏MOS管，功率管开关速度越快，产生的过电压也就越高。为了防止器件损坏，通常采用齐纳二极管钳位(图中D901)和RC缓冲......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效......
亦商亦儒 躬身入局半导体江湖——专访深圳市萨科微半导体有限公司总经理宋仕强(2022-05-14)
、中压低压MOS、超结场效应管COOLMOS、可控硅桥堆，还有大功率的IGBT管，还有应用在军工和高端工业品市场的碳化硅场效应SiC MOS管等产品。目前可用于工业军工产品有：碳化硅SiC二极管、碳化......
安建半导体获1.8亿元B轮融资，用于MOS和IGBT全系列产品开发等(2022-03-25)
安建半导体获1.8亿元B轮融资，用于MOS和IGBT全系列产品开发等;据投资界消息，半导体功率器件厂商安建半导体已于近日获1.8亿元B轮融资，募集资金将主要用于高、低压MOS和IGBT全系......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
数含义是mos可以持续承受的电流值，在设计中，产品的实际通过电流值应远小于该值，至少应小于1/3以下，例：该mos管的使用持续电流应小于50A。
b. **PD（mos管的最大耗散功率）**：该参......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
NMOS和PMOS详解;一、简介本文引用地址：MOS管，是的缩写。金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect......
常用的锂电池充电IC芯片(2023-02-24)
值8.4V 充电电流600毫安 单灯指示 线性SOP8
FS4059A 5V输入充8.4V芯片 充电1A 单灯指示 双节内置MOS管 SOP8
FS4062A 5V输入充8.4V芯片 充电4A 单灯......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。
一般主板上使用最多的是增强型MOS管，NMOS最多，一般多用在信号控制上，其次是PMOS，多用......
HT3163 宽电压3V-18V供电、AB/D类切换40W单声道音频功放IC应用方案(2023-07-10)
满足更宽泛电压应用、更大功率的F类音频功放芯片，则一直处于空白。
深圳市永阜康科技有限公司针对带收音功能的户外蓝牙音箱、车载音频系统的应用痛点，推广一款无需散热器贴片ESOP-10简易封装、内置防破音AB类/D......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
使用程序配合硬件电路去实现。
如下图所示，使用4个功率管（可以为MOS管或者IGBT）搭建成桥式电路，在桥臂中心引出两根导线，连接到电机的供电引脚上。
当使用单片机控制Q2,Q3导通，Q1,Q4截止时。电流经过过电源正极，经过......
输入冲击电流抑制电路设计(2023-08-09)
正常工作时的损耗。
优缺点分析：
（3）方案三：串入MOS管
该方案是在输入回路串入MOS管（需外加控制电路），利用MOS的可变电阻区进行电流抑制，适用小功率输入冲击电流抑制。
工作......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
，下管PNP开启，驱动MOS管关闭。
3）双端变压器耦合栅极驱动
双端变压器耦合栅极驱动电路可同时驱动两个MOS管，多用于高功率半桥和全桥转换器中，其电路结构如图。在第一个周期内OUTA 开启，给变......
HT3163 宽电压3V-18V供电、AB/D类切换40W单声道音频功放IC应用方案(2023-07-10)
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基于C8051F920单片机在太阳能充电系统中的设计(2024-01-31)
保护电路可以防止将天空中闪电、雷击引入控制器而造成损坏。PWM充电控制电路将对蓄电池充电， MCU输出的PWM信号用于驱动大功率MOS管，控制充电电压的大小，以免造成对蓄电池的损坏。
2．2 电子......
STM32的GPIO功能框图讲解(2023-02-23)
驱动要么电机不转，要么导致芯片烧坏，必须要加大功率及隔离电路驱动。
2. P-MOS 管和N-MOS 管
GPIO 引脚线路经过两个保护二极管后，向上流向“输入模式”结构，向下流向“输出模式”结构。先看......
一种基于铝基板的加热台设计与实现(2023-03-10)
上。
2.2.4 加热驱动电路
加热驱动电路选用的是下桥驱动，选用N 沟道的MOS，MOS管打开即可开始加热，因为本文设计功率为24 V200 W，所以需要选用合理的MOS 管，以防止炸管，为考......
供需趋稳，MOSFET国产替代的机会在哪里？(2020-03-16)
供需趋稳，MOSFET国产替代的机会在哪里？;金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET，又称MOS管)是功率半导体器件的主体之一。由于其具有输入阻抗高、驱动功率低、开关速度快、无二次击穿、安全......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用......
260亿美元功率器件市场，宋仕强跨界创业谈萨科微成长史(2021-12-08)
科微来说相关技术的平移就好，碳化硅MOS管在太阳能光伏、逆变器、充电桩、车载充电器、电动摩托，大功率无线充电有很大的市场前景，这些市场的要求比新能源汽车稍低但市场空间很大。还有......
RS瑞森半导体在PC电源上的应用(2023-02-14)
开关MOS管关断时，MOS管会承受两倍于输入电压的应力，因此在该类拓扑应用中推荐瑞森半导体800V、900V的超高压MOS管，以应对电压变化带来的冲击。
双管正激，它是非常稳定的拓扑结构，工作......
无刷直流电机的电流换向电路 无刷直流电机的三相全桥驱动电路(2023-03-20)
六个N沟道的MOSFET管(Q1～Q6)做功率输出元件，工作时输出电流可达数十安。为便于描述，该电路有以下默认约定：Q1/Q2/Q3称做驱动桥的“上臂”，Q4/Q5/Q6称做“下臂”。
图中R1......
森国科推出电机驱动专用的高集成、高性能IPM智能功率模块(2024-01-02 11:25)
特点• 开关频率10kHz以上• 三相500V快恢复功率MOS管，内置保护功能栅极驱动• 内置自举二极管• 独立的负直流端便于三相变频器电流检测的应用 • 完全兼容 3.3V 和 5V 的 MCU 的接......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
动电路详解
1、简介
在学习此部分之前，需要先掌握基础H桥驱动的工作原理，具体可参看此篇博客：电机驱动芯片（H桥、直流电机驱动方式）
自行搭建的H桥驱动电路一般都包括两个部分：半桥/全桥驱动芯片和MOS管......
汽车DC 24V系统过抛负载测试解决保护方案(2023-07-19)
管厂家东沃电子推出的一款新产品。东沃汽车24V系统过抛负载测试解决保护方案图（小尺寸SMD8S36CA）如下所示：
针对汽车DC 24V电源系统抛负载测试，东沃电子推出大功率更小封装TVS管：SMD8S36CA，用于汽车DC......
汽车DC 24V系统过抛负载测试解决保护方案(2023-07-19)
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针对汽车DC 24V电源系统抛负载测试，东沃电子推出大功率更小封装TVS管：SMD8S36CA，用于汽车DC......
MOS管驱动电流估算(2024-04-02)
要注意的是要用Qg来计算开启关断速度，而不是用栅极电容来计算。
下面讲讲MOS管开通过程
开始给MOS管Cgs充电，当电压升到5V时，Id流过一定的电流。继续充电，Id越来越大，但还没完全导通。当Id......
从华强北贸易商到设计原厂，萨科微“国产替代”发展秘笈(2022-04-06)
大学技术带头人Leon教授决定合作，将其主研的碳化硅MOS管（SiC MOS和SiC SBD管）推广到中国市场的新能源汽车上。
萨科微始终坚持在碳化硅功率器件行业埋头苦干，并逐渐引入清华大学和海归的高级半导体人才，成为......
单片机硬件电路的设计方案和心得(2023-02-01)
顿晶体管，小伙伴们一般常用于步进电机驱动，其实可以用于电机调速，大功率开关电路，驱动继电器，驱动功率比较大的LED光源，利用PWM来调节亮度哦。 R6、R7、R8电阻： 用于限流，防止ULN2001损坏，导致......
过流保护的电路方案——限制的电流1A是怎么来的？(2024-02-26)
有一个P沟道的MOS管，它是作为一种功率开关，控制输出的电压VOUT。也就是说，NCP380芯片，本质上可以把它看成一个MOS管。当MOS管导通，5V电压就可以输出；当MOS管关闭，5V电压......
RS瑞森半导体-大功率开关电源的应用(2022-12-19)
密度，可广泛应用于服务器电源、大功率电源上。
瑞森半导体提供的BV为600V、 650V的超结MOS同时带有FRD完全可用于谐振电路上,具有高速快恢复二极管（FRD），短的......
矽力杰集成功率级DrMOS方案(2023-02-20)
矽力杰集成功率级DrMOS方案;伴随着CPU, GPU等的性能进步和制程发展，主板的供电设计也迎来了更多的挑战，大电流、高效率、空间占用小、动态响应快、保护更智能的需求使得传统的采用分立MOS的方......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管;我们把单片机的一个IO口接到这个的gate端口，就可以控制这个灯泡的亮灭了。当然别忘了供电。当这个单片机的IO口输出为高的时候，NMOS就等......
利用P87LPC767单片机和LM317实现24V/5A太阳能控制器电路的设计(2023-04-13)
能电池的输出伏安特性曲线是进行系统分析的最重要的技术数据之一。从图1 中可以看出，太阳能电池的伏安特性具有强烈的非线性。
在光伏系统中，负载的匹配特性决定了系统的工作特性和太阳电池的有效利用率。要想在太阳电池供电系统中得到最大功率......
IU5706 12V升36V大功率同步升压控制器IC解决方案(2023-08-09)
IU5706 12V升36V大功率同步升压控制器IC解决方案;引言本文引用地址：在许多应用场合，都需要将低电压升至适合用电设备使用的较高电压。在输出功率60W以内，工程会选用内置MOS的升......
IU5706 12V升36V大功率同步升压控制器IC解决方案(2023-08-09)
IU5706 12V升36V大功率同步升压控制器IC解决方案;引言
在许多应用场合，都需要将低电压升至适合用电设备使用的较高电压。在输出功率60W以内，工程会选用内置MOS的升压芯片，集成......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
看出这是一个负反馈的过程。所以Cgd也叫反馈电容。
2. 米勒电容在MOS开通过程中带来的问题
1. dv/dt 限制
当MOS管 DS两端电压迅速上升的时，通过Cgd所产生电流在MOS管GS两端......
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;深圳市惠利电子科技有限公司;;深圳市惠利电子科技有限公司生产，销售的血氧管、小功率LED、光敏管、发射管、接收管、NEC二极管、日本住友接插件、日本森木MOS管、大功率LED畅销消费者市场，在消
;嘉美电子;;际整流器公司（IOR）.VISHAY.FAIRCHILD是全球领先的功率管理技术领导企业。IR .VISHAY .FAIRCHILD的模拟和混合信号集成电路、集成功率系统和功率MOS管
;深圳市顺颀威科技有限公司;;深圳市顺颀威科技是一家代理商，主要代理台产MOS管，大功率二、三极管和键盘IC。本公司与TM、AT、强茂、益龙及巨盛有多年的合作关系，保证了产品供货的及时性和品质的可靠性。
;台湾强茂电子有限公司;;台湾强茂集团为台湾上市公司，主要从事半导体二三极管、MOS管，TVS管,大功率肖特基二极管，特殊整流，电源管理IC等高技术产品的研制、开发和生产，公司
;强茂电子;;台湾强茂集团为台湾上市公司，主要从事半导体二三极管、MOS管，TVS管,大功率肖特基二极管，特殊整流，电源管理IC等高技术产品的研制、开发和生产，公司
;龙鑫电子有限公司;;我公司主要从事半导体二三极管、MOS管，TVS管,大功率肖特基二极管，特殊整流，电源管理IC等高技术产品的研制、开发和生产，公司
极管系列、场效应三极管系列、IGBT三极管系列、MOS管，稳压管畅销消费者市场，在消费者当中享有较高的地位，公司与多家零售商和代理商建立了长期稳定的合作关系。华星电子商行经销的大功率三极管、电磁炉专用功率
;深圳威铨电子（台湾强茂）电子有限公司;;台湾强茂集团为台湾上市公司，主要从事半导体二三极管、MOS管，TVS管,大功率肖特基二极管，特殊整流，电源管理IC等高技术产品的研制、开发和生产，公司
;中宝电子（香港）有限公司;;发现号科技有限公司主要为强茂一级代理 强茂股份有限公司强茂集团为台湾上市公司，主要从事半导体二三极管、MOS管，TVS管,大功率肖特基二极管，特殊整流，高技
;杭州基科电子;;模块电源、三端稳压器、开关电源、晶振系列、IC电源、电源滤波器、军工电源、功率MOS管