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HMC740数据手册和产品信息;HMC740是一款InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC SMT放大器，工作频率范围为0.05至3 GHz。 该放大器采用业界标准SOT89封装，可用......
HMC478数据手册和产品信息;HMC478器件为SiGe、异质结双极性晶体管(HBT)、增益模块MMIC、SMT放大器，工作频率范围为dc至4 GHz。 这些放大器可用作可级联50 Ω RF......
HMC584数据手册和产品信息;HMC584LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC584LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输......
HMC533数据手册和产品信息;HMC533LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC533LP4(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可提......
HMC453QS16G数据手册和产品信息;HMC453QS16G(E)是一款高动态范围GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)、1.6瓦特MMIC功率放大器，在0.4至2.2 GHz的频......
HMC475数据手册和产品信息;HMC475ST89(E)是一款InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC SMT放大器，工作频率范围为DC至4.5 GHz。 采用业界标准SOT89封装......
Transistor）：绝缘栅双极型晶体管，IGBT是由MOS和PN两个基本单元构成。 HBT（Heterojunction Bipolar Transistor）：异质结双极晶体管。 Triacs......
语：BiCMOS       双极互补金属氧化物半导体HBT          异质结双极型晶体管mmW          毫米波PDK          工艺设计套件RF           射频SiGe......
昂东芯的核心技术力量，也是未来发展不可缺少的主要技术支柱。  截至目前，汪耀祖率领的技术团队已经为立昂东芯开发了6款高集成的铟镓磷异质结双极型晶体管（InGaP HBT），7款亚微米至深亚微米砷化镓赝高电子迁移率晶体管......
领域首次报道的高温击穿特性。 ▲图1.结终端扩展NiO/β-Ga2O3异质结二极管（a）截面示意图和器件关键制造细节，（b）与已报道的氧化镓肖特基二极管及异质结二极管的性能比较 02增强型氧化镓场效应晶体管......
和现代电子时代诞生了。他们的晶体管使用掺杂的锗，金箔触点用小弹簧推到表面。 这种点接触器件制造难度大，成品率低。因此，到 1948 年底，Schockley 设计了双极结型晶体管，消除......
企业的。”华晟首席科学家王文静在获奖感言中提到，“这次的优胜奖是对我们异质结双面组件垂直安装解决方案的高度认可。华晟异质结的超高双面率为组件的垂直安装应用场景带来了显著优势，这一差异化特性将为异质结......
基础知识之IGBT;什么是(绝缘栅双极晶体管)？ 是　“Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。 被归类为元器件晶体管领域。本文......
阅此博客文章。Nexperia为使用双极结型晶体管的工程师提供BJT应用手册，这是一本由工程师编写、供工程师阅读的实用、全面且最新的参考资料。这让设计工程师能够更好地了解双极晶体管、其基本原理、热性能考量和应用见解。要了......
阅此博客文章。Nexperia为使用双极结型晶体管的工程师提供BJT应用手册，这是一本由工程师编写、供工程师阅读的实用、全面且最新的参考资料。这让设计工程师能够更好地了解双极晶体管、其基本原理、热性能考量和应用见解。要了......
Diodes公司的双极晶体管采用 3．3mm x 3．3mm 封装并提供更高的功率密度;Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商，产品......
“浙江大学集成电路学院”介绍，浙江大学集成电路学院俞滨教授、徐杨教授、张亦舒研究员合作团队，提出了一种全二维材料范德瓦尔斯异质结构（vdW）的晶体管，整合多种工作机制实现协同配合，利用功能材料（MoS2......
东芝推出两款采用SC-63封装的双极晶体管TTA2097/TTC5886A; 【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）现已推出两款采用SC-63封装（东芝别名：新PW......
功率。不要使用小型扬声器来尝试此放大器电路，因为放大器会被它损坏。 作为最终电平放大器，通常使用双极晶体管代替MOSFET作为双极晶体管，在特定情况下比高压MOSFET更耐久。本文所用的晶体管......
。LTspice®具有电路图捕获和波形查看器功能，可以提前确认和验证电路是否按设计预期工作。此前罗姆已经陆续提供了双极晶体管、二极管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率......
。LTspice®具有电路图捕获和波形查看器功能，可以提前确认和验证电路是否按设计预期工作。此前罗姆已经陆续提供了双极晶体管、二极管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率......
了支持电路仿真工具*1 LTspice® 的SPICE模型*2阵容。LTspice®具有电路图捕获和波形查看器功能，可以提前确认和验证电路是否按设计预期工作。此前罗姆已经陆续提供了双极晶体管、二极管和MOSFET*3......
低VCEsat技术的更多技术信息，请参阅此博客文章。  Nexperia为使用双极结型晶体管的工程师提供BJT应用手册，这是一本由工程师编写、供工程师阅读的实用、全面且最新的参考资料。这让设计工程师能够更好地了解双极晶体管......
请问一下IGBT是如何实现电路控制的？;绝缘栅双极晶体管（英语：Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT），是半导体器件的一种，主要用于新能源电动汽车、及电......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解;IGBT （绝缘栅双极晶体管）作为一种功率半导体器件，广泛应用于轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。具有节能、安装方便、维护......
10瓦晶体管音频放大器电路分享;这款 10 瓦晶体管音频放大器电路采用常规双极晶体管元件，具有 10 瓦功率输出。为了良好运行，该放大器电路需要高达30 VDC的20VDC电压。 10瓦晶体管......
  北京大学彭海琳教授研究团队实现了世界首例二维半导体鳍片/高κ栅氧化物异质结阵列的外延生长及其三维架构的异质集成，并研制了高性能二维鳍式场效应晶体管。该工......
东芝推出有助于减轻环境负荷的双极晶体管; 【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）现已推出两款双极晶体管“TTA2060”和“TTC5712”（采用SC-62封装：东芝......
ST最新的双极功率晶体管媲美MOSFET的能效且具备紧凑封装;意法半导体的3STL2540提供双极晶体管的成本优势和硅面积使用效率，同时兼具同级MOSFET的能效，为设......
电子很容易就由旁边的夹层注入，从而在晶体管中由发射极经过基极到集极的电流可以大大提高，晶体管的放大倍率（beta）也为之增加；同时基极的厚度可以减小，其掺杂浓度可以增加，因而基区渡越时间减小，于是异质结......
万片/月的产能。2018年1月，公司完成了整体搬迁，进一步扩大工厂和产能规模，增添了一条2万片/月的6英寸晶圆生产线，已成功开发并量产VDMOS、低正向的沟槽肖特基等产品。  目前，新顺微电子开发和生产了包括高反压双极晶体管......
人员精心构建出直径仅为6纳米的垂直纳米线异质结构，使得晶体管更加小巧精致。 经过严格的测试验证，这款新型晶体管在状态切换方面展现出了卓越的性能，其速度之快、效率之高令人瞩目。与同类隧穿晶体管相比，其性......
东芝推出12款双极晶体管产品，有助于节省电路板空间; 【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）扩大了产品线，推出12款双极晶体管产品，用于功率器件栅极驱动电路、消费......
IR宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列;IR宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，并提供多种封装选择。坚固可靠的全新IRxx46xx 器件......
会损失热能并限制信号传输速度，从而降低性能。韩国浦项科技大学与俄罗斯圣彼得堡国立信息技术、机械学与光学研究型大学共同开发出一种纳米激子晶体管，该晶体管使用基于异质结构的半导体中的层内和层间激子，克服了现有晶体管......
院士团队研制出一种新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半导体异质结二极管。该结构通过异质结空穴超注入效应，实现了兼具超高耐压和极低导通电阻的氧化镓功率二极管，功率优值高达13.2GW/cm2，是截......
IR推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列;IR推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，针对工业电机驱动及不间断电源 (UPS) 应用......
变频器的30个基础知识（一）;1.什么是变频器整流器（转换器）？ 整流器（转换器）是变频器主电源中的三个主要部分之一。输入的交流电通过转换器部分，被整流为直流电压。转换器部分由二极管、可控硅整流器组成或者连接全波桥的绝缘栅双极晶体管......
变频器的30个基础知识（之一）;1.什么是变频器整流器（转换器）？ 整流器（转换器）是变频器主电源中的三个主要部分之一。输入的交流电通过转换器部分，被整流为直流电压。转换器部分由二极管、可控硅整流器组成或者连接全波桥的绝缘栅双极晶体管......
且最新的参考资料。这让设计工程师能够更好地了解双极晶体管、其基本原理、热性能考量和应用见解。 关于Nexperia......
国家纳米科学中心的戴庆研究团队与合作者在纳米尺度光电互联领域研究取得了新突破。相关研究成果北京时间2月10日在国际学术期刊《科学》在线发表。 在这项研究中，科研人员构筑了石墨烯和氧化钼范德华材料的异质结构，实现了一种新型的电调控光子晶体管，并且进一步展示了该晶体管......
了使用NPN双极晶体管的电源循环事件期间的波形。如CH1所示，在WDI信号中未检测到任何变化，这意味着系统处于不活动状态。经过超时时长后，CH2中的WDO信号置为低电平，在此期间，高端输入开关Q1断开。因此......
更多看门狗超时事件发生。NPN双极结型晶体管返回活动状态，使高端MOSFET可以保持导通状态，确保微处理器或负载的电源不间断。图7显示了使用NPN双极晶体管的电源循环事件期间的波形。如CH1所示，在......
电容-去耦 　　功率级： 　　1. BC548 NPN双极晶体管 　　2. BC558 PNP双极晶体管 　　关于晶体管选择的快速说明 - 任何具有高增益（300 及以上）和稍大电流（50mA......
半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮。Nexperia在其......
团队的新方法以硒化铟的质子化为基础，从而产生多种铁电相。研究人员将这种铁电材料纳入了一个由硅支撑的堆叠异质结构组成的晶体管中进行评估。 他们在异质结构上层叠了一层硒化铟薄膜，异质结......
企业，深圳深爱半导体股份有限公司（下称“深爱半导体”）也在现场展示了旗下高压MOSFET产品-Planar MOS、高压MOSFET产品-Super junction、中低压MOSFET产品、大功率双极晶体管......
决方案使用两个符合汽车标准的MJD31C大功率100 V 3 A NPN双极晶体管，但对于需要更精密线性稳压器的应用，则可用增益更高的MJD31CH-Q替代MJD31CA。 这些......
的电流给外部 MOSFET 或双极晶体管，以驱动 LED 灯条。LED 驱动电流由一个外部电阻配置，具有 4% 的参考电压准确度以及出色的温度稳定性。不仅如此，AL5815 与 AL5816 装置......
MOSFET（场效应晶体管）和BJT（Bipolar Junction Transistor，双极晶体管）的结合体，因此既有MOSFET的优势，也有BJT的优势。综合而言，IGBT的优势包括高电流、高电......

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