资讯
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
特性会更优。
作为超宽禁带半导体材料的一种，氧化镓禁带宽度达到4.9eV，超过第三代半导体材料（宽禁带半导体材料）的碳化硅（3.2eV）和氮化镓（3.39eV）。更宽的禁带宽度......
半导体器件击穿机理分析及设计注意事项(2023-09-25)
些因素相关：图[5]所示为两种掺杂浓度材料的Ec VS Xd曲线关系（其中，N1>N2）。
图[5]不同掺杂浓度Ec VS Xd曲线关系
分析该图可知：
1. 禁带宽度Eg越大，则击穿电压VB越高......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
材料氧化镓蓄势待发
从第一代半导体材料到第四代半导体材料，禁带宽度逐渐变大，从而愈发能在极端环境下使用。
△四代半导体材料及其禁带宽度......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
受到资本青睐？未来氧化镓是否能取代碳化硅？
第四代半导体材料氧化镓蓄势待发
从第一代半导体材料到第四代半导体材料，禁带宽度逐渐变大，从而愈发能在极端环境下使用。
△四代半导体材料及其禁带宽度......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
材料的代表。目前，各国的半导体企业都争先恐后布局氧化镓，氧化镓正在逐渐成为半导体材料界一颗冉冉升起的新星。
性能优越的氧化镓
氧化镓是一种超宽禁带材料，超越了目前已经商用器件的禁带宽度，达到了4.2电子......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
型半导体NiO由于禁带宽度大及可控掺杂的特点，是目前较好的选择。
该课题组基于NiO生长工艺和异质PN的前期研究基础，设计了结终端扩展结构（JTE），并优化退火工艺，成功......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
可用于制造大功率的紫外光源。
在超宽禁带半导体中，氮化铝镓（氮化铝和氮化镓的合金材料）、氧化镓、金刚石是较有代表性的几个方向。
与氧化镓、金刚石等禁带宽度相对固定的材料不同，氮化铝镓的禁带宽度......
灵感源于大自然的光合作用，掺杂空气可让有机半导体更导电(2024-05-20)
掺杂和n掺杂这点非常独特，简化了电子器件的生产设备，特别是那些同时需要p掺杂和n掺杂半导体的设备，如热电发电机。所有部件可以一次制造并同时掺杂，而不是一个一个地掺杂，这使工艺更具可扩展性。
......
2025年全球硅外延片市场规模将达109亿美元(2022-12-22)
延片是指在硅单晶衬底上外延生长一层或多层硅单晶薄膜的材料，用于制造半导体分立器件和集成电路。根据衬底片的掺杂浓度不同，分为轻掺杂衬底外延片和重掺杂衬底外延片。前者通过生长高质量的外延层，可以提高CMOS栅氧......
镓仁半导体成功研制氧化镓超薄6英寸衬底(2024-09-13)
微米。
镓仁半导体指出，氧化镓（β-Ga2O3）具有禁带宽度大、击穿场强高、Baliga品质因数大等优势，在高压、大功率、高效率、小体积电子器件方面具有巨大的应用潜力，能够......
功率半导体，未来怎么卷(2023-09-06)
镓）、金刚石等第四代半导体上。
半导体的寒冬已经持续超过一年，无论从业绩上来看，还是从投资总额上来看，还能保持向上的领域屈指可数。而宽禁带半导体（WBG）就是这样的一个领域，无论市场如何动摇，都在......
特斯拉Model3搭载SiC，宽禁带半导体迎来爆发(2023-02-01)
巨头未完成垄断，国内有条件追赶
目前来看，对第三代半导体材料SiC和GaN的研究相对成熟，和前两代半导体材料相比，SiC在禁带宽度等方面有明显优势，也更耐高温、更抗辐射，在大功率、高温、高辐......
特斯拉 Model3 搭载 SiC，宽禁带半导体迎来爆发(2023-02-02)
材料相比，SiC 在禁带宽度等方面有明显优势，也更耐高温、更抗辐射，在大功率、高温、高辐射应用场景中尤其适用。GaN 材料则更耐压、更耐热、更耐腐蚀，在发光器件中比较适用。基于性能上的明显优势，国内外相关企业都在积极发展宽禁带半导体......
无锡吴越半导体展出GaN晶体 全球首次厚度突破1厘米？(2021-12-16)
的氮化镓晶体，并与君联资本、新投集团签署A轮融资战略框架协议。
公开资料显示，第三代半导体GaN是由氮和镓组成的一种半导体材料，相比于硅材料，GaN具备决定性的优势。由于其禁带宽度大于2.2eV, 因此又被称为宽禁带半导体......
克服碳化硅制造挑战，助力未来电力电子应用(2024-10-24)
局限性变得越来越明显。
随着行业不断探索解决方案，宽禁带(WBG)材料，包括(SiC)和氮化镓(GaN)，被视为解决之道。禁带宽度描述了价带顶部和导带底部之间的能量差。硅的禁带宽度......
基础知识之LED（发光二极管)(2024-03-27)
针对代表性的特性变化进行说明。
光强
LED的Tj上升，则光通量变少。 这是因为阻碍发光的电子和空穴再结合运动增加了。
波长
与光强变化相同，温度变化引起发光波长发生变化。 主要是温度变化引起半导体的禁带宽度......
SiC 与半导体垂直整合的复兴，先进 SiC 解决方案的需求不断增长(2023-02-16)
械臂、飞行器等多个工业领域。其应用的范围也在不断地普及和深化，是一种应用 前景非常广泛、非常具有价值的材料。
第三代半导体材料禁带宽度远大于前两代。第一代和第二代半导体都是窄带隙 半导体，而从第三代半导体......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
、Vth、Rdson以及BV（击穿电压）等。
二、器件的材料对比
（一）半导体材料特性对比
禁带宽度在2.2eV以上的半导体称为宽禁带半导体（第三代半导体）。
表 4 半导体材料的特性对比
禁带宽度......
揭秘碳化硅芯片的设计和制造(2023-04-04)
计对于实现所需的击穿电压并避免因器件边缘处高电场而导致的过早击穿至关重要。
以下是SiC JTE设计的一些关键考虑因素：
1. JTE区域的宽度和掺杂：JTE区域的宽度和掺杂浓度确定器件边缘处的电场分布。较宽和重掺JTE区域......
揭秘碳化硅芯片的设计和制造(2023-04-04)
JTE设计的一些关键考虑因素： 1. JTE区域的宽度和掺杂：JTE区域的宽度和掺杂浓度确定器件边缘处的电场分布。较宽和重掺JTE区域可以减少电场并提高击穿电压。 2. JTE的锥角和深度：JTE的锥......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机(2023-07-31)
开发和销售氧化镓晶圆的日本公司。
以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，凭借耐高温、抗高压、开关速度快、效率高、节能、寿命长等特点，近年来业界热度一路飙升。然而，在宽禁带半导体材料发展势如破竹的同时，学术界和科研界不约而同地展望下一代半导体......
抢占竞争制高点？国内氧化镓功率器件研发取得重要进展(2022-08-31)
器件的最高值。
氧化镓（β-Ga2O3）是超宽禁带半导体的典型代表，禁带宽度高达（~4.8 eV），临界击穿场强高达（~8 MV/cm），是研制高耐压、大功率和高效节能半导体器件的理想半导体......
低碳化成半导体强劲增长点 吉林华微电子进入新赛道(2024-01-22)
市场增长的动力点，全球各大供应商分别推出了相关产品和解决方案。吉林华微电子抓住新的增长机遇，积极迈进“低碳”路线，努力为其发展铺就一条硬科技绿色通道。
众所周知，宽禁带半导体具有禁带宽度宽、临界击穿电场强度大、饱和......
从手机充电器到汽车充电器，氮化镓开启逆袭之路(2023-10-08)
着怎样的新思路。
先回顾 GaN 氮化镓的优势
氮化镓（GaN）是一种「宽禁带」（WBG）材料，其禁带宽度是硅的 3 倍多。禁带宽度......
电动汽车OBC分类及其大功率PFC技术分析(2024-04-19)
进展
固体的能带理论
禁带宽带（Eg）：半导体的禁带宽度与晶格原子之间的化学键相关，更强的化学键意味着电子很难从一个位置跳跃到下一个位置，因此，较大的禁带宽度的半导体......
南科大深港微电子学院在宽禁带半导体器件领域取得系列研究进展(2022-04-24)
二极管制备方法
随着新能源汽车、高铁以及一些极端环境下应用的需求增加，对应相关领域电力系统的高压高功率、抗辐射耐高温的高性能半导体电子器件越来越受到关注。氧化镓（β-Ga2O3）具有超宽禁带宽度......
新洁能拟定增募资不超14.5亿 用于第三代半导体功率器件等项目(2021-11-12)
具有禁带宽度大、击穿电场强度高、电子迁移率高、热导电率大、介电常数小和抗辐射能力强等特点，具有强大的功率处理能力、较高的开关频率、更高的电压驱动能力、更小的尺寸、更高的效率和更高速的散热能力，可满......
高压SiC MOSFET研究现状与展望(2023-02-06)
）材料器件发展成熟、使用广泛、性能可靠，然而其较小的禁带宽度、击穿电场和热导率等特性大大制约了其在高功率、高电压和高频率下的应用。SiC 作为宽禁带半导体之一，在人......
氧化镓商业化脚步临近，或将与碳化硅直接竞争(2023-09-22)
镓备受关注，被视为新一代宽禁带半导体的候选者。资料显示，相对于碳化硅，氧化镓具备超宽禁带宽度（4.2~4.9eV）、高相对介电系数、超高临界击穿场强（8MV/cm）、较短......
第四代半导体氧化镓蓄势待发！(2024-08-26)
出元件优异的高压耐受性能。
资料显示，氧化镓作为第四代半导体材料代表，具备禁带宽度大、临界击穿场强高、导通特性好（几乎是碳化硅的10倍）、材料生长成本低等优势，这些......
从原理到实例：GaN为何值得期待？(2021-11-30)
）等宽禁带材料升级，使得功率器件体积和性能均有显著提升。
那么什么是第三代半导体GaN呢？它是由氮和镓组成的一种半导体材料，由于其禁带宽度大于2.2eV, 因此又被称为宽禁带半导体材料。
功率半导体......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
传统的Si等半导体材料逐步接近物理极限，氧化镓作为新一代功率半导体材料，其禁带宽带大、击穿场强高，有望在未来功率器件领域发挥重要的作用。
另外，氧化镓半导体材料能够采用熔体法生长，未来......
专注于大尺寸SiC衬底，超芯星半导体完成亿元B轮融资(2023-01-04)
于大尺寸SiC衬底，2020年3月被江北新区重点引进，是南京市唯一的第三代半导体衬底生产企业，该公司已于2019年10月推出大尺寸碳化硅单晶产品。
碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，因其禁带宽度......
我国成功制备6英寸氧化镓单晶，第四代半导体正式“撒网”(2023-03-01)
亿元）还要大。
氧化镓的结晶形态截至目前已确认有α、β、γ、δ、ε五种。其中，β相最稳定。β-Ga2O3的禁带宽度为4.8......
完全自主产权 中国第四代半导体新突破！(2024-03-22)
自主开创的铸造法，成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。
杭州镓仁半导体，也成为国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。
据介绍，氧化......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战;
来源：内容来自半导体科技评论 ，作者温德通 ，谢谢。
随着集成电路工艺制程技术的不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时......
西安邮电大学成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片(2023-03-13)
西安邮电大学成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片;近日，西安邮电大学由电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着我校在超宽禁带半导体......
【活动预告】09.27双箭齐发---蓉矽半导体碳化硅MOSFET线上发布会(2022-09-23)
【活动预告】09.27双箭齐发---蓉矽半导体碳化硅MOSFET线上发布会;
重磅新品：碳化硅NovuSiC® MOSFET(G1)和(G2)
碳化硅作为第三代半导体材料，具有较宽的禁带宽度、高击......
摩尔定律对半导体行业的加速度已经明显放缓(2023-03-27)
了人们的视野。GaN和SiC同属于第三代高大禁带宽度的半导体材料，和第一代的Si以及第二代的GaAs等前辈相比，其在特性上优势突出。由于禁带宽度大、导热率高，GaN器件可在200℃以上的高温下工作，能够......
晶圆代工/DRAM厂商营收排名；国内再添2个百亿级项目(2024-06-17)
科学院大学教授周武课题组与山西大学教授韩拯课题组、辽宁材料实验室副研究员王汉文课题组、中山大学教授侯仰龙课题组、中国科学院金属研究所研究员李秀艳课题组等合作，提出了一种全新的基于界面耦合的p型掺杂二维半导体方法。
该方......
“终极功率半导体”获突破性进展！金刚石成下一代半导体材料(2023-01-30)
器件和集成电路的电子材料。耐高压、大射频、低成本、耐高温，多重特性助推金刚石成下一代。金刚石禁带宽度5.5eV超现有氮化镓、碳化硅等，载流子迁移率也是硅材料的3倍，同时......
铭镓半导体在氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破(2024-06-06)
铭镓半导体在氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破;据北京顺义消息，北京铭镓半导体有限公司（以下简称“铭镓半导体”）在超宽禁带半导体氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破，已领......
晶盛机电：已成功生长出8英寸碳化硅晶体(2022-09-02)
材料端的竞争力。
晶盛机电称，碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，具有高禁带宽度、高电导率、高热导率等优越物理特征，在新能源汽车、新能源发电、轨道交通、航天航空、国防......
最新议程！| 2021碳基半导体材料与器件产业发展论坛(2021-04-13)
：金刚石半导体与器件
参考话题：（不局限于如下话题）
1、金刚石半导体对大单晶材料的要求
2、P型掺杂与N型掺杂
3、超宽禁带半导体金刚石器件研究
4、碳基芯片、散热器件、3D封装
5、微纳......
钻石，颠覆传统芯片(2023-12-25)
性和使用寿命。」华为专利主要就是利用金刚石的高散热性。
第二，5.5eV 的禁带宽度。金刚石是一种超宽禁带半导体材料，其禁带宽度是 Si 的 5 倍；载流子迁移率也是 Si 材料的 3 倍，理论上金刚石的载流子迁移率比现有的宽禁带半导体......
“终极功率半导体”获突破性进展！金刚石成下一代半导体材料(2023-01-29)
成为人造卫星等所必需的构件。
半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。耐高压、大射频、低成本、耐高温，多重特性助推金刚石成下一代半导体材料。金刚石禁带宽度5.5eV超现有氮化镓、碳化硅等，载流......
很快，氮化镓电源将会是你低碳台式机电脑的标配！(2023-04-13)
调侃甚至是电源的热量能够把鸡蛋蒸熟。再有就是转换效率低而浪费能源的问题，电源中，禁带宽度决定了电子器件的电压耐压和最高工作温度。禁带宽度越大，电子器件能够承受的温度和电压越高。
那么，有没......
lm386功放通电会产生噪音的原因及处理方法解析(2024-09-03)
电压过大有可能会损坏喇叭线圈；耦合音频的交流信号。它与扬声器负载构成了一阶高通滤波器。减小该电容值，可使噪声能量冲击的幅度变小、宽度变窄；太低还会使截止频率（fc=1/（2π*RL*Cout））提高。分别......
【成电协·会员行】优秀的第三代半导体氮化镓芯片公司——氮矽科技(2022-08-11)
，又被称为宽禁带半导体，和第一代的硅（Si）以及第二代的砷化镓（GaAs）等前辈相比，其在特性上有突出的优势：由于禁带宽度大、导热率高，氮化镓器件可在200°C以上的高温下工作，能够......
氮化镓器件和集成电路先进封装技术研究中心在广东签约(2023-07-07)
电子器件及其模块的研制进程，力争快速实现产品工程化。
公开资料显示，第三代半导体氮化镓材料具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更优的抗辐照能力，使得......
相关企业
;杭州晶翔电子科技有限公司;;杭州晶翔电子科技有限公司注册于浙江省杭州高新技术开发区，主要设计、制造、销售半导体硅材料测试设备，公司和浙江大学信息电子技术研究所具有很好的合作关系，可根
;苏州康铂塑料科技有限公司;;康铂公司结合电子包装材料上、中、下游工业，及多年包装技术与经验，专业从事防静电塑料的开发、生产半导体工业上所使用导电与抗静电塑料。康铂
;深圳康高电子有限公司;;深圳市康高电子有限公司（Congo Technology）是一家专注于高科技半导体IC授权代理和经销商。主要为客户提供 音频功率放大器IC、电源管理IC、接口芯片、ESD
;飞利浦半导体广东有限公司;;飞利浦半导体（广东）有限公司是飞利浦电子集团创办的在中国的第一家独资半导体生产基地，于2000年9月1日正式投产，主要业务为半导体器件生产，产品
;北京信力时代科技有限公司;;北京信力时代科技有限公司是专业销售镁光(MICRON)存储芯片、凌特半导体（LINEAR）、德州半导体（TI）、安森美半导体（ON)）、仙童半导体(Fairchild
;上海世灏半导体有限公司;;半导体放电管,TVS二极管,M1-M7等半导体器件专业制造商！
;匹克半导体有限公司;;匹克半导体有限公司成立于2007年，本公司宗旨就是致力于发展中的中国半导体行业。本公司的主要任务是从西方引进半导体工艺设备和技术，并提供优质的售后服务。 匹克半导体有限公司采用了西方的客
. ;Micrel是一家集成电路解决方案的全球模拟，以太网和高带宽市场的领先制造商。该公司的产品包括高性能模拟，功率，先进的混合信号和射频半导体器件，高速通信，时钟管理，以太网交换机以及物理层收发器集成电路。这些
;扬州杰利半导体有限公司;;扬州杰利半导体有限公司主要由扬杰电子科技有限公司投资建立的半导体芯片制造工厂，公司成立于二零零九年五月，总设计月产能15万片4英寸半导体芯片。所用设备主要是从美国、日本
magnachip;;;MagnaChip是一家模拟及混合信号非半导体存储器专业企业
非半导体存储器是指除半导体存储器(D-RAM, Nand flash等)以外的所有半导体的统称。其中模拟半导体