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分析了最流行的自举电路解决方案；包括寄生参数，自举电阻和电容对浮动电源充电的影响。 01 高速栅极驱动电路 自举栅极驱动技术 本节重点讲在不同开关模式的功率转换应用中，功率型MOSFET和IGBT对自举式栅极驱动电......
充电，使其达到最终的导通电压 VGS(ON)，或者驱动电路使栅极放电到最终的关断电压 VGS(OFF)。为了实现两个栅极电压电平之间的转换，栅极驱动器、栅极电阻和功率器件之间的环路中会产生一些功耗。 如今......
MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性能的栅极驱动器。在这篇文章中，我们讨论了SiC MOSFET器件的特点以及它们对栅极驱动电......
限制了可以注入 CISS 的栅极驱动电流。高性能 SiC 栅极驱动电路需要提供极低的输出阻抗，这样驱动器就不会因为已经很高的 RGI 而成为限制因素。这使得设计人员可以通过增加或减少外部栅极电阻......
流。 栅极驱动器用于导通和关断功率器件。为此，栅极驱动器对功率器件的栅极充电，使其达到最终的导通电压 VGS(ON)，或者驱动电路使栅极放电到最终的关断电压 VGS(OFF......
所需的电流量也会增加。在某些情况下，这可能导致 VREG 紫紫紫 故障。当采用大 MOSFET 和高 PWM 频率时，建议在 VREG 引脚上使用较大电容以帮助避免这些故障。 栅极驱动电阻 MP653x......
布线接近对称且等距，二是允许使用更大、更高电流的功率开关节点铜触点。 最好将 HS 和 LS 返回平面分配至第 2 层，并将它们直接放置在栅极驱动电阻和走线下方，这样有助于减少栅极驱动......
电机状态的反馈，并发送信号来调节电机的扭矩、位置和速度。栅极驱动器将来自 MCU 的信号放大，以驱动电机的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。   图 1：基本电机控制方框图 您可以使用 BJT......
和 VDDL 旁路电容以及 VBST 电容、电阻和二极管应尽可能靠近各自的引脚。 3. 将 DT 电阻直接放在 DT 和 SGND 引脚之间。 4. HO和LO、拉电流和灌电流栅极驱动电阻......
率半导体开关之间的外部组件处（例如外部栅极电阻器上）损失的功率。在以下示例中，我们将讨论使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能栅极驱动器）的 IGBT 栅极驱动器设计。本设计指南也适用于 MOSFET......
。恒流驱动提供相同的开关网络（电机相位绕组）转换时间，但节省了串联栅极电阻的成本，且驱动电路更小。无需串联栅极电阻器也有助于防止自导通。有关更多详细信息，请参见下面的图 2。然而，恒流栅极驱动......
。恒流驱动提供相同的开关网络(电机相位绕组)转换时间，但节省了串联栅极电阻的成本，且驱动电路更小。无需串联栅极电阻器也有助于防止自导通。有关更多详细信息，请参见下面的图 2。 然而，恒流栅极驱动......
MOSFET 通常在导通状态下需要 + 20 V 栅极驱动电压 (VDD)，以提供最低的导通电阻。由于栅极导通阈值可以小于 2 V，为了实现最佳的开关可靠性，SiC MOSFET 驱动器通常在关断阶段摆动至负栅极......
东芝推出带有嵌入式微控制器的SmartMCD™系列栅极驱动IC;东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，开始批量出货带有嵌入式微控制器（MCU）的SmartMCD™系列栅极驱动IC[1......
不打算使用 0Ω 栅极电阻器，则必须切断布线并重新设计电路板以获得所需性能。 请记住，我们仅使用根据安全通用指南计算的起始栅极驱动电流。这是一个一阶公式，与实际系统中看到的不完全匹配，但目......
APEC 2024上宣布推出了该款栅极驱动器。除了提供大的拉电流和灌电流之外，100V栅极驱动器还提供 0.6Ω 上拉电阻和 0.2Ω 下拉电阻，以适应 FET 的开启和关闭速率。该 IC 集成了一对驱动......
)。ADI在APEC 2024上宣布推出了该款栅极驱动器。 除了提供大的拉电流和灌电流之外，100V栅极驱动器还提供 0.6Ω 上拉电阻和 0.2Ω 下拉电阻，以适应 FET 的开启和关闭速率。该......
摘要（800V 总线，540A 负载电流，从左到右依次为最高到最低栅极驱动） 缓解过冲 图 6 的波形展示了可变栅极驱动强度对 SiC 过冲的影响，因为 UCC5880-Q1 栅极驱动电阻和驱动......
电源电压高达1200V。 STGAP2SiCS能够产生高达26V的栅极驱动电压，将欠压锁定(UVLO)阈压提高到15.5V，满足SiC MOSFET开关管正常导通要求。如果电源电压低引起驱动电压太低，UVLO保护......
电源电压高达1200V。 STGAP2SiCS能够产生高达26V的栅极驱动电压，将欠压锁定(UVLO)阈压提高到15.5V，满足SiC MOSFET开关管正常导通要求。如果电源电压低引起驱动电压太低，UVLO保护......
管应用需要大约 +15V 的正栅极驱动电压和大约 -4V 的负栅极关断电压才能以最低的开关损耗达到最佳性能（图 1）。 您查看制造商的规格书之后，发现具有这种特殊非对称输出电压组合的隔离 DC/DC 转换......
满足此需求，新产品通过将微控制器集成到栅极驱动IC中，助力缩小ECU器件尺寸，并通过使用矢量控制使电机更安静。 基于TB9M003FG的参考设计“使用SmartMCD™的汽车车身电子电机驱动电......
路，它通过电平位移电路连接驱动电路与器件接地参考控制信号。自举电容器 CBST、图腾柱双极驱动器和常规栅极电阻器都可作为电平位移电路。此外，一些驱动芯片已内置自举电路，可直......
路整体寄生效应的影响（图1a）。 图1a：栅极驱动电路元件 为了避免同时导通/关断，需要认真选择栅极电阻解决方案，如高功率厚膜片式电阻、薄膜 MELF 或高功率背接触电阻。这类......
东芝推出带有嵌入式微控制器的SmartMCD 系列栅极驱动IC;系列首款产品可实现3相直流无刷电机的无感控制东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始批量出货带有嵌入式微控制器（MCU......
NXP为采埃孚下一代SiC MOSFET提供驱动;NXP提供一系列隔离栅极驱动器 IC，用于控制采埃孚下一代电动汽车 (EV) 牵引逆变器核心的碳化硅 (SiC) 电源开关，该逆......
东芝推出带有嵌入式微控制器的SmartMCD™系列栅极驱动IC; 【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，开始批量出货带有嵌入式微控制器（MCU）的SmartMCD™系列栅极驱动......
显示了所提出电路的电路图，它主要是监测漏源电压以获得 V sense。然后使用比较器将V sense与参考电压 V ref进行比较；如果 V sense大于 V ref，则故障信号被拉高。栅极驱动电......
流，应使用施加的 栅极驱动电压和栅极电阻： 栅极电阻器控制器件的瞬态电压 (dv/dt) 和瞬态电流 (di/dt) 的速度，以限制开关噪声和开关损耗。对于功率 器件，上升时间、下降......
. 寄生导通现象 如何选择合适的 VGS(OP) 与硅通常使用10V和IGBT通常使用15V作为栅极驱动电压不同，碳化硅MOSFET由制造商根据不同的VGS(OP)条件或根据每个产品进行推荐。这可......
需要对功率开关技术（如GaN和SiC）和新的拓扑结构进行创新，而且需要进一步优化栅极驱动IC。功率半导体的工作频率从数百kHz到MHz不等，再加上快速开关瞬态，这对栅极驱动电路提出了新的挑战，它必......
需谨慎应用，为了充分发挥该技术的潜在优势，外部驱动电路必须与 GaN 器件匹配显得极为重要。对于给予正确的闸极驱动方式来实现最佳性能和可靠性。本文着眼于这些问题，给出一个驱动器方案，解决......
%和≥90%。 现代栅极驱动器 IC 通过电压转换速率控制方法（瞬态电压）尽快打开和关闭 SiC FET，最大限度地减少时间分量（dt），减少导通和关断能量，从而降低总体开关损耗。这种控制和改变栅极驱动电......
的通道传播延迟和匹配为严格的工业和大家电应用提供了高可靠性设计。 表 4. 低侧栅极驱动器选型表 电机驱动方案  方案 1 步进电机驱动器 KP83130 是一款具有 1.5A 峰值驱动电流和 0.8A......
的载流子必须在器件从导通状态切换到关断状态时消除。这可通过以下两种方法实现：一是通过栅极驱动电流消除电荷，二是通过电子-空穴重组过程。双极性器件的这种固有特点会造成显著的功率损失，从而降低开关性能。因此，单极......
-漏极电容器将会提高栅极-漏极总电容，并延长低边功率 MOSFET的开关时间；增加MOSFET栅极电阻并引入不对称栅极驱动电路可以让开关的上升斜率与下降斜率均等；优化......
-漏极电容器将会提高栅极-漏极总电容，并延长低边功率 MOSFET的开关时间；增加MOSFET栅极电阻并引入不对称栅极驱动电路可以让开关的上升斜率与下降斜率均等；优化......
关时间；增加MOSFET栅极电阻并引入不对称栅极驱动电路可以让开关的上升斜率与下降斜率均等；优化输入滤波器的电容值有助于进一步减少在这一频段的电磁辐射。 3.1 额外的栅极-漏极电容器 通过......
于无刷直流（BLDC）电机应用的智能栅极驱动器IC。它集成了三个半桥智能栅极驱动器，能够驱动多达三个N沟道MOSFET桥，支持4.5V至60V的桥电压。每个栅极驱动器支持高达1A的拉电流和2A的灌电流驱动电......
应施加一个合适的正向偏置电压。 这种简单衬底驱动电流镜的缺陷是输入输出电流呈非线性，这是由于在栅极驱动电流镜中输出晶体管M4工作在饱和状态[4].为了解决这个问题，使用了一种替代配置，如图1(c)。晶体管M7被作......
完美。 2、MOS驱动波形略微震荡 描述：肉眼可见这也是方波，上升沿和下降沿都比较陡峭，开关速度比较快，管子损耗小，只是管子有略微的震荡。 解决手段：适度加大栅极驱动电阻。 3、MOS驱动......
电压 推荐的工作栅极驱动电压，是通过考虑性能（如 RDS（ON）、开关损耗（EON、EOFF）、体二极管的正向压降（VF）及其反向恢复损耗（EREC））和可靠性，特别是栅极氧化层质量来确定的。 如表2所示......
际设计过程中，栅极驱动器与GaN FET之间距离要尽可能短，栅极回路也要尽可能小，以避免振铃产生；如果振铃不可避免，则应选择使振铃最小的栅极电阻。HD1001的VDD脚应接一0.1uF~1uF的旁......
如何优化隔离栅级驱动电路?; 栅极驱动光电耦合器FOD31xx系列的功能是用作电源缓冲器，来控制功率MOSFET或IGBT的栅极。它为MOSFET 或 IGBT 的栅极......
生电感的组合会导致在交换节点上发生高频振铃。这种振铃会发出可能干扰车内其他部件的高频噪声。 如图2和图3所示，调整外施电压的转换速率有助于减少振铃引起的干扰。在离散系统中，调节栅极驱动电阻会改变电压的转换速率。但必须手动更改电阻......
具有更高的栅极电荷。因此，栅极驱动电路必须具有足够高的峰值驱动电流，以快速地为栅极电容充电、放电。功率MOSFET也需要较高的栅源电压，以保证有效开启。DS39xx系列控制器内置的栅极驱动电路不能直接驱动......
的外部时钟同步。 IU5708D包括一个7.5V栅极驱动电源，此电源适合于驱动很多类型的MOSFET,同步整流针对高电流应用而启用高效率，而且无损耗电感器DCR进一步提升了效率，是灵......
至 18V 栅极驱动电源，直接用于驱动较低的 NFET。下部驱动 （LD） 栅极驱动输出在 VGS 和电机接地之间摆幅。 下部和上部驱动器是独立的，尽管它们通常一起使用以形成半桥。如果......
）NXH010P120MNF1 SiC模块和NCP51561隔离式双通道栅极驱动器的5KW工业电源方案。本文引用地址： 图示1-大联大世平基于onsemi SiC模块的5KW工业电源方案的展示板图 工业......
于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NXH010P120MNF1 SiC模块和NCP51561隔离式双通道栅极驱动器的5KW工业电源方案。   图示1-大联......

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