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的研究团队已经开发出了仅采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的氮化镓(GaN)半导体远程同质外延技术。 外延技术,即在半导体制造中将半导体材料生长成对齐良好的薄膜,对于半导体制造至关重要。使用外延技术进行的GaN远程......
率半导体的发展路径中,功率半导体从结构、制程、技术、工艺、集成化、材料等各方面进行了全面提升,其演进的主要方向为更高的功率密度,更小的体积,更低的成本及损耗。特别是材料迭代方面,从硅Si材料逐渐向氮化镓(GaN......
日的集邦咨询化合物半导体新应用前瞻分析会现场,华灿光电副总裁王江波围绕《新应用下氮化镓技术的发展和挑战》主题,分析了GaN材料和器件的应用及市场趋势,并在媒体群访中透露了公司在GaN器件......
SiC和GaN的供应链考量;过去几十年里,硅(Si)基技术一直在主导着半导体行业。然而,最近几年,市场上出现了向更先进材料转变的迹象,如向氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)转变。如今,GaN和SiC......
车用GaN需求攀升,国内企业有望抢占先机!; 【导读】凭借优异的材料特性,SiC元件正加速导入汽车、再生能源、电源PFC等领域,而GaN元件亦在终端设备的快速充电领域大放异彩;此外,在汽......
业务。 △图片来源:IVWorks公告截图 GaN外延晶片是一种在晶片上包含多层堆叠的III-N化合物半导体薄膜的材料。它用于高速充电器、电动汽车(EV)电源转换和国防雷达。根据......
宽禁带功率半导体的竞争格局及趋势分析;SiC、GaN在功率半导体中扮演不同角色 宽禁带半导体在国内也被称为“第三代半导体”,目前以SiC、GaN材料半导体器件为代表,适用于光电子、功率电子、射频......
GaN的里程碑:晶圆向300mm过渡;氮化镓(GaN)作为一种高性能半导体材料,因其在高频、高功率、高温和高压环境下的卓越性能而备受关注。随着对高性能电子器件需求的不断增长,GaN技术......
石衬底主要生产蓝绿光,砷化镓衬底主要生产红黄光。GaN-LED材料体系主要分为三种:GaN-on-Sapphire、GaN-on-SiC、GaN-on-Si。 GaN-on-Sapphire是最......
这家晶圆龙头代工厂拟在硅基GaN上生产8英寸元件!;据韩媒报道,韩国东部高科株式会社(Dongbu HiTek Co., Ltd.)计划在硅基GaN(将GaN材料薄膜沉积在硅晶圆上)上生产8英寸......
韩媒:DB HiTek将采用碳基GaN技术改进8英寸半导体工艺;据韩媒etNews报道,韩国晶圆代工厂商DB HiTek通过在硅晶圆片上制作由氮化镓材料制成的薄膜来生产半导体晶圆。该技......
上,这造成了高缺陷密度和固有的质量控制挑战。 GaN和蓝宝石衬底非常昂贵,虽然硅衬底的成本低于蓝宝石,但将器件层与硅衬底分离却极为困难。 京瓷在其位于京都的先进材料......
车用GaN需求攀升,国内企业有望抢占先机!;在材料特性的支持下,车用GaN元件的竞争优势将日益显著 凭借优异的材料特性,SiC元件正加速导入汽车、再生能源、电源PFC等领域,而GaN元件......
12英寸氮化镓,新辅助?;第三代半导体材料氮化镓,传来新消息:日本半导体材料大厂信越化学为氮化镓外延生长带来了有力辅助。 2024年9月3日,信越化学宣布研制出一种用于GaN(氮化镓)外延......
期一宣布,将限制对半导体制造至关重要的镓和锗相关材料的出口。这些法规包括了氮化镓 (GaN) 晶圆材料。 作为高压 GaN 功率半导体制造商,Transphorm 依靠三甲基镓 (TMGa) 生产......
)半导体材料有限公司,主要从事第三代半导体氮化镓(GaN)外延材料的研发、设计、制造和销售,致力于为客户提供大尺寸、高性能GaN外延解决方案与材料产品,覆盖GaN功率与微波器件应用。 赛微......
、III-V类和II-VI类化合物半导体材料都具有宽带隙。这些材料通常用于光子学、发光二极管和激光器,只有少数适用于更广泛的半导体应用。其中,碳化硅(SiC) 和氮化镓(GaN) 是两......
GaN(氮化镓)掀起的半导体产业革命!; 版权声明:本文转载自泰科天润,如您觉得不合适,请与我们联系,谢谢! GaN材料的生长是在高温下,通过 TMGa分解出的 Ga(金属镓 )与......
电子领域,GaN和SiC取代硅基电子器件,正是由于它们在这些方面比硅材料性质更大的优势。 GaN 和 SiC 都属于所谓的宽带隙半导体,带隙越宽,原子之间的键越牢固,击穿电压就越高。GaN 的带......
功率半导体市场持续成长,哪个领域最具爆发力?;功率半导体市场持续成长,GaN最具爆发力 全球电力设备数量与规格不断提升,带动功率半导体需求持续成长,且在第三类半导体材料导入下,整体......
其性能可以置于不断发展的精密工艺控制之下,可谓是“最有料”的材料。在不久的将来,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料的应用,无论是在军用领域还是在民用市场,都是......
球市占率领先的GaN(氮化镓)单晶衬底厂商,致力于大直径GaN(氮化镓)衬底的早期量产,为拓展化合物半导体材料业务,合并将在全公司范围内进行,以进......
意法半导体和空客达成合作,SiC和GaN将登上飞机;根据外媒消息,空客已同意与意法半导体签署了一项协议,旨在探索宽禁带半导体材料对飞机电气化的好处,双方将专注于开发适用于空客航空航天应用的SiC和......
镓应用不断扩大 氮化镓(GaN)是第三代半导体的主要代表材料之一,凭借宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强等特性优势,氮化镓可以满足各种应用场景对高效率、低能耗、高性价比的要求,可广泛应用于LED、激光......
一步扩大了英飞凌在功率半导体领域的领先优势,并将大幅缩短新产品上市周期。 氮化镓应用不断扩大 氮化镓(GaN)是第三代半导体的主要代表材料之一,凭借宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强等特性优势,氮化......
交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元。此次收购将为瑞萨提供GaN(功率半导体的下一代关键材料)的内部技术,从而扩展其在电动汽车、计算(数据中心、人工智能、基础设施)、可再生能源、工业电源,以及......
Systems一方面体现了GaN在汽车、数据中心、工业等应用领域的未来发展前景,另一方面也预示着产业链竞争或将进入整合阶段。据财联社主题库显示,相关上市公司中:赛微电子GaN业务团队在材料......
Systems一方面体现了GaN在汽车、数据中心、工业等应用领域的未来发展前景,另一方面也预示着产业链竞争或将进入整合阶段。 据财联社主题库显示,相关上市公司中: 赛微电子GaN业务团队在材料......
和电机的用电量占全世界用电量的一大半,为实现无碳社会,如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键,SiC (Silicon Carbide:碳化硅)和GaN等新材料......
招聘网信息,瀚镓半导体由上海集成电路材料研究院支撑孵化,专注于GaN晶体材料制造技术及相关设备、应用技术的开发,进行GaN自支撑晶圆制造关键技术中试研发与产业化。 封面图片来源:拍信网......
的氮化镓晶体,并与君联资本、新投集团签署A轮融资战略框架协议。 公开资料显示,第三代半导体GaN是由氮和镓组成的一种半导体材料,相比于硅材料GaN具备决定性的优势。由于其禁带宽度大于2.2eV, 因此又被称为宽禁带半导体材料......
多个氮化镓企业受资本热捧!晶湛半导体获歌尔微电子加持;3月3日,氮化镓(GaN)外延材料供应商苏州晶湛半导体有限公司(以下简称“晶湛半导体”)宣布,公司于近日完成B+轮数亿元战略融资。 本轮......
GaN竞赛中,罗姆如何取得领先优势?;SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)作为第三代半导体材料两大代表,在市场应用中愈发具备自己的特色。许多公司为了布局更全的产线,发挥二者的专长,均采用“Si+SiC......
GaN竞赛中,罗姆如何取得领先优势?;作者: 付斌SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)作为第三代半导体材料两大代表,在市场应用中愈发具备自己的特色。许多公司为了布局更全的产线,发挥二者的专长,均采......
收购将为瑞萨提供GaN(功率半导体的下一代关键材料)的内部技术,从而扩展其在电动汽车、计算(数据中心、人工智能、基础设施)、可再生能源、工业电源以及快速充电器/适配器等快速增长市场的业务范围。作为......
了氮化物异质异构单晶外延的可行性,提出了氮化物位错控制新思路,拓展了氮化物在高温热电领域的应用。相关成果分别以Continuous Single-Crystalline GaN Film Grown on WS2......
各地的第三代半导体项目正如雨后春笋般签约、开工。 而近日,山西原平、上海、辽宁大连、以及湖南怀化等地也陆续迎来了新的第三代半导体项目。 山西阿斯卡新材料公司拟在原平建10条GaN产线 8月10日,山西省投资项目在线审批监管平台审核通过了山西阿斯卡新材料科技有限公司第三代半导体新材料......
领域提供了高性能、高性价比的纯国产GaN材料、器件与应用技术解决方案。 聚能创芯和聚能晶源为赛微电子旗下子公司,旨在联合打造全球领先的从设计、外延,到芯片制造和器件应用的GaN功率......
的外延生长设备市场的增长趋势 资料来源于Yole Développement 在半导体衬底材料方面,氮化镓(GaN材料是继硅衬底之后的主要外延市场,预计到2026年,GaN的市场规模将达到4.02亿美元,2026年,碳化......
去十二个月的成交量加权平均价格溢价约56%,较过去六个月的成交量加权平均价格溢价约78%。此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元。此次收购将为瑞萨提供GaN(功率半导体的下一代关键材料)的内部技术,从而......
的技术挑战安世 安世(Nexperia)认为,宽禁带功率器件正朝着大规模使用的方向发展,特别是在汽车行业(尤其是电动汽车领域)。 尽管宽禁带材料正变得越来越成熟,但在实现高质量和扩大SiC 和GaN 晶圆......
放大器和前端模块产品组合,该公司表示将为无线基础设施、军事和卫星通信应用开发新的GaN器件产品线并实现商业化.... 从本质看,三代半魅力何在? 第一代半导体材料以Si(硅)、Ge......
三星加码氮化镓功率半导体;根据韩媒报道,9月2日,三星电子在第二季度引入了少量用于大规模生产GaN功率半导体的设备。 GaN是下一代功率半导体材料,具有比硅更好的热性能、压力......
:Yasuhiko Saitoh)已确定QST® (Qromis Substrate Technology)基板*1是实现高性能、高能效GaN(氮化镓)功率器件的社会化应用的必备材料,该公......
而言,在GaN外延片方面,赛微电子已建成的6-8英寸GaN外延材料制造项目(一期)的产能为1万片/年,目前已签订千万级销售合同并根据商业条款安排生产及交付。GaN器件设计方面,赛微......
获得Transphorm股东的批准、监管部门的许可和其他惯例成交条件的满足。 瑞萨表示,此次收购将为瑞萨提供GaN(功率半导体的下一代关键材料)的内部技术,从而扩展其在电动汽车、计算(数据中心、人工......
硅)和GaN(氮化镓)的竞争格局、发展趋势以及供应商情况做过解读,本文则再谈谈SiC、GaN的产业化进度。 作为产业化最快的第三代半导体材料,SiC和GaN近两年来的表现突出——2021年,SiC功率......
GaN 作为碳中和的基石,对高效电力系统的需求正在不断增加。为了应对这一趋势,相关产业正在向以碳化硅(SiC)和GaN为代表的宽禁带(WBG)材料过渡。这些先进材料......
步实现小型化和低成本化。 车用GaN元件的竞争优势将日益显著 凭借优异的材料特性,SiC元件正加速导入汽车、再生能源、电源PFC等领域,而GaN元件......
日本新技术将GaN材料成本降90%;据日经中文网,日本最大的半导体晶圆企业信越化学工业和从事ATM及通信设备的OKI开发出了以低成本制造使用氮化镓(GaN)的功率半导体材料的技术。制造......

相关企业

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;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装,材料采用氮化镓(GaN),结构为电解出型,封装形式为直插型,型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号,形状有圆头,椭圆,草帽,钢盔,方形
用先进的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,专业研发GaN和AlGaInP材料生产的各波长和高亮度的LED磊芯片和芯片。芯片系列主要有红、黄、蓝(30-100mcd)、绿(100-250mcd)等,◎Vf很稳定◎波长
恢复损耗,提高EMI正常在5%个DB左右.具有很低的Vf电压. GaN产品,GaN的二极管具有0反向恢复时间.是代替SIC产品的理想材料,且价格比SIC低许多.适合高频工作.可达800KHZ. 模块
;成都雷电微力科技有限公司;;公司专注于设计、研发、测试和销售基于先进 GaAs、GaN、HBT 、PHEMT 、BICOM、LTCC、MCM等工艺技术的微波及数模混合SOC集成电路产品,以无
先进的有机金属汽相沉积(MOCVD)技术,研究以ALGaInP和GaN材料生产不同波长和亮度的超高亮度LED磊晶片和芯片.公司内部核心技术全部由日本和美国组成.我们的宗旨是:以客户的需要为依据,不断改进,务求
分析和元件研发等方面的精英,并采用先进的有机金属相沉积(MOCVD)技术,研究以AIGaInP和GaN材料生产不同波长和亮度的超高亮度LED磊晶片和芯片。同时,亦斥资引进各种精密测量仪器,为每
全套引进国际先进设备与技术的LED器件生产线、片式LED器件生产线及GaP液相外延、GaN气相外延外延片生产线,南昌国家办导体照明工程产业和基地核心企业。
高级工程师8人,中级职称31人。拥有全套引进国际先进设备与技术的LED器件生产线、片式LED器件生产线及GaP液相外延、GaN气相外延外延片生产线。拥有具有自主知识产权外延片、片式LED器件的生产技术!