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ZVD 的控制方法所需的硬件，该方法使算法能够计算开关时序参数，以同时实现 ZVS 和低 THD。 资料来源：德州仪器 求解 GaN FET 谐振跃迁的 ZVS 状态平面电压 (VDS) 将为您提供此设计的算法......
基于TAE32F5300主控芯片的1KW GaN图腾柱PFC+LLC数字控制电源方案;泰为推出的基于TAE32F5300芯片的1KW图腾柱PFC+LLC电源方案，其中功率管使用了GaNext (镓未......
和准谐振 (QR) 反激式拓扑，引入了能够简化开关操作并节省电能的新一代关断算法。   这款控制器能够让缩减尺寸，同时提高额定输出功率。500kHz的最高开关频率允许使用小尺寸的电磁元件，当使用 GaN......
MOSFET 或 GaN 晶体管，避免复杂的计算过程。 SRK1004 适用于非互补性有源钳位、谐振和准谐振 (QR) 反激式拓扑，引入了能够简化开关操作并节省电能的新一代关断算法。 这款......
器和NCP58921 GaN器件的500W服务器电源方案。本文引用地址：  图示1-友尚基于产品的500W服务器电源方案的展示板图   近年来，公有云、私有云市场的快速增长以及数据中心大量的建设，对服......
）NCP1681控制器和NCP58921 GaN器件的500W服务器电源方案。   图示1-大联大友尚基于onsemi产品的500W服务器电源方案的展示板图 近年来，公有云、私有......
挑战已经推动了氮化镓 (GaN) 在高压电源设计中的广泛应用，原因在于 GaN 具有两大优势： 提高功率密度。GaN 的开关频率较高，使设计人员能够使用体积更小的无源器件（如电感器和电容器），从而缩小电路板的尺寸。 提升......
挑战已经推动了(GaN)在高压电源设计中的广泛应用，原因在于GaN具有两大优势： ●   提高功率密度。GaN的开关频率较高，使设计人员能够使用体积更小的无源器件（如电感器和电容器），从而缩小电路板的尺寸。 ●   提升......
）NCP1681控制器和NCP58921 GaN器件的500W服务器电源方案。 2022年12月21日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗......
GaN技术：挑战和未来展望;氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙半导体，其在多种电力电子应用中的应用正在不断增长。这是由于这种材料的特殊性能，在功率密度、耐高温和在高开关频率下工作方面优于硅 (Si......
人工智能时代的关键技术核心之一，AI芯片针对数据处理、智能算法加速、高速训练推理等人工智能计算需求，可构建共性的新型算力基础设施。目前主流的AI芯片主要有图形处理器（GPU），广泛使用在深度学习算法领域；现场......
仪器则主要通过几个方面应对高压系统的挑战。 1. 氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等第三代半导体能够实现高效的功率转换，减少功率损耗，从而提高高压系统的效率。 2. 用于高压系统的传感和监测技术可帮助工程师准确测量电压，从而......
能微控制器设计的事实标准。NXP的最新MCX N系列微控制器，基于双核Arm Cortex-M33，进一步推动了这一趋势，其首次将神经处理单元（NPU）带入微控制器级别。这不仅为机器学习（ML）算法......
意法半导体推出灵活多变的同步整流控制器，提高硅基或氮化镓功率转换器能效; 【导读】意法半导体 SRK1004 同步整流控制器降低采用硅基或 GaN 晶体管的功率转换器的设计难度，提高......
整流控制器降低采用硅基或 GaN 晶体管的功率转换器的设计难度，提高转换能效，目标应用包括工业电源、便携式设备充电器和 AC/DC适配器。 SRK1004的检测输入能够承受高达190V 的电压，可以......
整流控制器降低采用硅基或 GaN 晶体管的功率转换器的设计难度，提高转换能效，目标应用包括工业电源、便携式设备充电器和 AC/DC适配器。 SRK1004的检测输入能够承受高达190V 的电压，可以......
）NCP1681控制器和NCP58921 GaN器件的500W服务器电源方案。 图示1-大联大友尚基于onsemi产品的500W服务器电源方案的展示板图 近年来，公有云、私有......
者需要的是功率器件更高耐压以及更高的转换效率，第三代宽禁带半导体功率器件将会是很好的选择。而且随着第三代半导体开关频率的提高，需要更复杂的电源拓扑和控制算法，因此对于实时控制器的需求也进一步提高。 提到......
电子及工业等领域。 氮矽科技 核心技术：高速氮化镓栅极驱动的分离式技术 主要产品：栅极驱动器、单管GaN FET、集成式GaN IC 目标市场：快充头、无线快充、新能源汽车OBC、通信电源等。 英诺赛科 核心......
控制器和微处理器支持图像实时推理和分类，极大地增强了机器人对周围环境的感知能力。 移动机器人与机器视觉 GaN器件产生的超快脉冲为激光雷达带来了更迅速、分辨率更高的3D深度映射能力。伴随着同步定位与映射(SLAM)算法的不断进步，机器......
涉及多个应用的微电网解决方案采用了意法半导体的先进技术，包括市场先进的各种STM32 MCU产品和突破性的宽禁带功率技术，例如，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），以及电能计量和电力线通信（PLC）控制......
涉及多个应用的微电网解决方案采用了意法半导体的先进技术，包括市场先进的各种STM32 MCU产品和突破性的宽禁带功率技术，例如，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），以及电能计量和电力线通信（PLC）控制器。值得一提的是，ST的......
涉及多个应用的微电网解决方案采用了意法半导体的先进技术，包括市场先进的各种STM32 MCU产品和突破性的宽禁带功率技术，例如，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），以及电能计量和电力线通信（PLC）控制器。值得......
市场先进的各种STM32 MCU产品和突破性的宽禁带功率技术，例如，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），以及电能计量和电力线通信（PLC）控制器。值得一提的是，ST的GaN功率分立器件以及MasterGaN和......
和突破性的宽禁带功率技术，例如，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），以及电能计量和电力线通信（PLC）控制器。值得一提的是，ST的GaN功率分立器件以及MasterGaN和Sti2GaN系统封装器件，有望......
储能系统安全可靠。基于碳化硅 (SiC) 和氮化镓(GaN) 材料的紧凑型电源开关，以及实时控制 MCU， 有助于确保双向转换器的适用性，使其可以与各种直 流储能单元一起工作。如下页图 2所示。  随着......
覆盖面更广。不过"SiC和GaN究竟孰优孰劣目前下结论还为时尚早，如果长期来看，硅基GaN在成本方面的下降空间会更大。"德州仪器华北区技术支持经理付杨表示。 为了解决电动汽车的充电焦虑问题，更快......
有多种解决方案，例如功率因数校正（PFC），以优化每个负载点电网的有功功耗。 氮化镓改进性能和成本 氮化镓（GaN）是一种具有宽带隙的半导体，其开关速度比硅元件快20倍，并且......
的尺寸、热管理和功耗将会成为设计实施的主要瓶颈，需要在相应元器件技术的创新。功率放大器体系架构向GaN转变随着越来越多的微型蜂窝小区和远程蜂窝小区的部署，对功率调节和存储系统的需求会逐渐增加，以便......
制器和微处理器中添加神经处理单元，GaN器件实现突破以及新兴电池化学材料的应用，正将移动机器人推向更高的能效、智能化和自主性。 同时，视觉系统的升级、SLAM算法的精进以及无线连接技术的进步，都极......
机器人产业正迅猛发展。微控制器和微处理器中添加神经处理单元，GaN器件实现突破以及新兴电池化学材料的应用，正将移动机器人推向更高的能效、智能化和自主性。 同时，视觉系统的升级、SLAM算法的精进以及无线连接技术的进步，都极......
是电机控制单元的核心组件，负责执行复杂的算法、监测传感器数据、调整电机参数并与其他车辆系统通信。以下是MCU在电动汽车电机控制中的作用： 1. 高性能计算：电动汽车电机控制需要进行实时计算和控制。MCU提供......
）和氮化镓（GaN），这可以提高性能并进一步降低整个系统的BOM成本。  与所有英飞凌 MCU 一样，英飞凌 PSOC 控制系列由 ModusToolbox 软件开发生态系统支持，该生......
化镓（GaN），这可以提高性能并进一步降低整个系统的BOM成本。与所有英飞凌 MCU 一样，英飞凌 PSOC 控制系列由 ModusToolbox 软件开发生态系统支持，该生......
商密切合作进行优化，以减轻设计负担，提供出色的宽带宽性能。该算法在4G和5G用例中得到了全面的测试和验证，包括氮化镓(GaN)在内的多种PA技术类型。此外，ZiF射频架构可以简化RF滤波和信号链组件，降低RU成本，缩短不同频段和功率要求的产品开发时间。......
商密切合作进行优化，以减轻设计负担，提供出色的宽带宽性能。该算法在4G和5G用例中得到了全面的测试和验证，包括氮化镓(GaN)在内的多种PA技术类型。此外，ZiF射频架构可以简化RF滤波和信号链组件，降低RU成本，缩短不同频段和功率要求的产品开发时间。......
代半导体，指的是以SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）为代表的宽禁带化合物半导体。和Si（硅）相比，SiC和GaN在禁带宽度、热导率等物理特性上具备明显优势，故而更适用于高压、高温和高频场景，主要......
GaN格局，开年大变;要说最近几年功率器件哪个方向最火热，一定是第三代半导体。昨日，瑞萨宣布3.39亿美元收购Transphorm，进军氮化镓（GaN）领域，引燃整个芯片圈。   近期，GaN领域......
届深圳半导体产业技术高峰会及第二届人工智能——算力/算法/存储大会暨展示会，四场热门盛会齐聚一堂，聚焦半导体细分领域：汽车半导体、IGBT、Al算力、算法、存储、电源及储能、Mini/Micro-LED等各......
布自己的人工智能研究报告。不到一个月的时间，苹果就兑现了承诺。近日，苹果发布了第一份关于人工智能的学术论文。 这篇报告阐述了一项新技术，即如何通过计算机生成图像而非真实图像来训练一种算法的图像识别能力。 苹果......
全球GaN最新应用进展！;自2018年10月25日，Anker发布全球首款GaN充电器，将GaN正式引入消费电子领域以来，短短几年间，各大GaN厂商纷纷涉足相关产品。当前，GaN消费......
GaN竞赛中，罗姆如何取得领先优势？;SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）作为第三代半导体材料两大代表，在市场应用中愈发具备自己的特色。许多公司为了布局更全的产线，发挥二者的专长，均采用“Si+SiC......
GaN竞赛中，罗姆如何取得领先优势？;作者: 付斌SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）作为第三代半导体材料两大代表，在市场应用中愈发具备自己的特色。许多公司为了布局更全的产线，发挥二者的专长，均采......
Navitas 在 GaN 半导体领域的设计之旅; Navitas Semiconductor 是一家主要的氮化镓 (GaN) 供应商，在拉斯维加斯举行的 CES 2023 上展......
GaN衬底研发获新突破！;近日，北京大学与中镓半导体、波兰国家高压实验室开展了合作，使用乙烯气源制备出了世界最高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬底。 实验使用乙烯气源制备了半绝缘GaN衬底，并对......
韩国硅晶圆厂新签代工协议，发力8英寸GaN功率半导体;据韩媒报道，9月22日，东部高科（DB Hitech）与韩国半导体公司A-pro Semicon宣布签署了一项开发GaN功率......
英诺赛科Q1收入达1.5亿，同比增长3倍！;4月14日，英诺赛科官方消息披露，央视二套正点财经栏目上个月聚焦消费电子市场动态，重点报道了GaN氮化镓快充，对GaN材料的应用与普及进行了介绍，并采......
两家厂商达成跨国合作，聚集GaN射频市场;GaN市场虽不如SiC市场火热，但今年以来行业内动作也不少，既反映了GaN市场格局处于调整期的事实，也透露出GaN厂商在各应用市场稳步前行的信号。目前，相关......
英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术， 推动行业变革; 凭借这一突破性的 300 mm GaN技术，英飞凌将推动GaN市场快速增长 利用现有的大规模300 mm硅制造设施，英飞......
英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革; •凭借这一突破性的 300 mm GaN技术，英飞凌将推动GaN市场快速增长 •利用现有的大规模300 mm......

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