资讯

很快,氮化镓电源将会是你低碳台式机电脑的标配!; 正所谓干的多,吃的也多。 其实电脑的高功耗,正是因为电脑的高性能需要更多能量的持续供应,尽管电源有“体积过大”、“发热过烫”、“转换......
合作伙伴奖”。 英飞凌和群光电能 英飞凌凭借其用于笔记本电脑、电竞、服务器与储存设备等信息通信技术(ICT)应用的氮化镓(GaN)电源供应器解决方案,被评为群光电能的首席氮化镓......
: TGAN)与伟诠电子 (Weltrend Semiconductor Inc.,TWSE: 2436)今天宣布双方合作推出首款系统级封装(SiP)的氮化镓电源......
两家公司不断突破创新界限,进一步巩固了双方在节能型电源解决方案的领先地位。目前,群电的大瓦数笔记本电脑电源供应器采用氮化镓的比例已超过20%,且该比例仍在迅速上升中。 英飞凌科技电源......
供应器系统设计上的卓越能力相结合,帮助两家公司不断突破创新界限,进一步巩固了双方在节能型电源解决方案的领先地位。目前,群电的大瓦数笔记本电脑电源供应器采用氮化镓的比例已超过20%,且该比例仍在迅速上升中。 英飞凌科技电源......
山发布”曾介绍,东科半导体超高频氮化镓电源管理芯片项目总投资12.25亿元,主要建设标准GMP洁净厂房、办公楼、研发楼等,新增2条氮化镓超高频AC/DC电源管理芯片封装线、2条氮化镓......
宣布双方合作推出首款系统级封装(SiP)的氮化镓电源控制芯片。 伟诠电子是用于适配器USB PD的控制器IC的全球领导者之一,新推出的WT7162RHUG24A电源转换器控制芯片,设计用于为智能手机、平板电脑......
规格下功率密度和效率达到业内先进水平; ●   选用一块双面板,加工简单,为客户提供低成本设计方案; ●   开拓大功率氮化镓电源应用在适配器市场中的应用。 方案规格: ●   尺寸:158mm×60.5mm×20mm; ●   效率......
规格下功率密度和效率达到业内先进水平; 选用一块双面板,加工简单,为客户提供低成本设计方案; 开拓大功率氮化镓电源应用在适配器市场中的应用。 方案规格: 尺寸:158mm×60.5mm×20mm; 效率:95.72......
Transphorm携手Allegro MicroSystems提升大功率应用中氮化镓电源系统性能;专为大功率应用而设计的隔离式栅极驱动器,有助于加速氮化镓半导体在数据中心、可再......
Transphorm携手Allegro MicroSystems提升大功率应用中氮化镓电源系统性能;专为大功率应用而设计的隔离式栅极驱动器,有助于加速氮化镓半导体在数据中心、可再生能源和电动汽车领域的应用全球领先的氮化镓......
​Transphorm携手Allegro MicroSystems提升大功率应用中氮化镓电源系统性能;专为大功率应用而设计的隔离式栅极驱动器,有助于加速氮化镓半导体在数据中心、可再......
名企招聘|中国第一家氮化镓电子材料与器件工厂—能讯半导体; 苏州能讯高能半导体有限公司—中国氮化镓电子材料与器件产业的先行者 ,是由获得中国第一批“千人计划”支持......
楼、研发楼等,新增2条氮化镓超高频AC/DC电源管理芯片封装线、2条氮化镓应用模组封装线,年产1亿只超高频AC/DC电源管理芯片,5000万只氮化镓电源模组。2021年8月13日,马鞍......
转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)与伟诠电子 (Weltrend Semiconductor Inc.,TWSE: 2436)今天宣布双方合作推出首款系统级封装(SiP)的氮化镓电源......
达克股票代码: NVTS)成立于2014年,是氮化镓功率芯片的行业领导者。氮化镓功率芯片将氮化镓电源与驱动、控制和保护集成在一起,为移动设备、消费产品、企业、电动汽车和新能源市场提供充电更快、功率......
宣布双方合作推出首款系统级封装(SiP)的氮化镓电源控制芯片。 电子是用于适配器USB PD的控制器IC的全球领导者之一,新推出的WT7162RHUG24A电源转换器控制芯片,设计用于为智能手机、平板电脑、笔记本电脑......
项目迎来最新进展,包括百思特达半导体氮化镓项目、博康(嘉兴)半导体氮化镓项目、仙芈智造新型智能功率模组(IPM)研发生产基地项目、中国电科射频集成电路产业化项目、东科半导体超高频氮化镓电源......
电科射频集成电路产业化项目、东科半导体超高频氮化镓电源管理芯片项目等。 百思特达半导体GaN外延片项目试生产 近日,据盘锦日报消息,辽宁百思特达半导体旗下氮化镓项目获得新进展——2英寸&4英寸......
Transphorm推出参考设计组合,加快USB-C PD氮化镓电源适配器的开发;SuperGaN®技术的差异化优势电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET,具有设计简单、可靠......
Transphorm推出参考设计组合,加快USB-C PD氮化镓电源适配器的开发;SuperGaN®技术的差异化优势电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET,具有设计简单、可靠......
Transphorm推出参考设计组合,加快USB-C PD氮化镓电源适配器的开发;SuperGaN®技术的差异化优势电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET,具有设计简单、可靠......
名企招聘|能讯半导体2017最新招聘信息; 苏州能讯高能半导体有限公司是中国氮化镓电子材料与器件产业的先行者,是由获得中国第一批“千人计划”支持的海外归国人员创办的高新技术企业。公司......
于传统有线充电桩,无线充电只需在脚踏板底部安装接收器即可使用无线充电,非常方便,而充电过程电动自行车不会与电源直接连接,可避免意外触电,或短路引发火灾等情况,安全性大幅提升。 而且基于氮化镓......
的深圳办事处将负责加强当地客户支持、销售和市场营销工作,另外,该办事处将作为当地支持客户开发氮化镓电源系统的应用实验室,并同时支持全球研发工作。深圳办事处将由Transphorm现任......
技术优势: Ÿ 同等规格下功率密度和效率达到业内先进水平; Ÿ 选用一块双面板,加工简单,为客户提供低成本设计方案; Ÿ 开拓大功率氮化镓电源......
规格下功率密度和效率达到业内先进水平; 选用一块双面板,加工简单,为客户提供低成本设计方案; 开拓大功率氮化镓电源应用在适配器市场中的应用。 方案规格: 尺寸:158mm×60.5mm×20mm; 效率:95.72%@230Vac; 功率......
-IN-BI-LLC-300W-RD设计采用TP65H150G4PS 150 mOhm SuperGaN® FET以及稳固的TO-220封装,为高性能、高效率的能量采集和分配电池充电系统供电。新电路板显著展示了氮化镓电源......
半导体透露,本次B+轮战略融资将主要用于公司总部和研发中心建设,项目达产后晶湛半导体将建成国际一流、国内首屈一指的氮化镓电力电子、射频电子以及微显示材料研发生产基地,推动公司进入新的发展阶段。 已向......
, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布在中国深圳开设新的办事处。作为一家外商独资企业(WFOE),Transphorm的深圳办事处将负责加强当地客户支持、销售和市场营销工作,另外,该办事处将作为当地支持客户开发氮化镓电源......
晶湛半导体总部大楼奠基;据苏州工业园区发布消息,12月2日,晶湛半导体总部大楼建设项目奠基仪式在苏州举行。 据悉,该项目位于纳米城E地块,总建筑面积23443.27平方米,建成后将成为国内规模最大的氮化镓电......
鞍山市政府消息,目前该项目已步入施工收尾阶段,预计3月底竣工交付。 微信公众号“马鞍山发布”曾介绍,东科半导体超高频氮化镓电源管理芯片项目总投资12.25亿元,主要建设标准GMP洁净厂房、办公楼、研发......
具有以下特点: ● 微型逆变器采用全新氮化镓电源、多组MPPT输入,峰值转换效率高达96.7%,还具有高温不降载,60℃下长期满载输出等优势,主要聚焦光伏领域尤其是高效户用及小型工商业光伏场景; ● 第三代氮化镓分容水冷一体机采用高压直流母线技术与氮化镓并联电源......
,百川街西,南荡田巷北,总建筑面积23443.27平方米。项目聚焦第三代半导体材料——氮化镓外延片的研发生产,预期项目建成后,将成为国内规模最大的氮化镓电力电子材料和微显示材料生产基地。 据苏......
得苏州工业园区行政审批局核发的江苏省投资项目备案证,预计2021年11月开工建设,2023年2月完成建筑施工,建设周期约18个月。 资料显示,晶湛半导体成立于2012年,主要从事氮化镓电子材料和光电材料的研发。官网......
平台及测试分析平台。 根据此前资料,广州第三代半导体创新中心建设项目于2020年底签约落地广州黄埔,将聚焦大尺寸氮化镓材料外延生长、氮化镓微波毫米波器件与集成电路、氮化镓电......
能低碳新理念融入从PC定义设计到回收循环的全生命周期 4 大关键环节,带来 14 项突破与创新,在为 PC 产业链创造全新增长机会的同时,也赋予用户自然环保的生活方式,携手共创地球美好未来。   图中右一为英特尔公司中国区技术部总经理高宇正在展示传统电源和全新氮化镓电源......
有新兴汽车和工业应用所需的多功能性和易用性。我们相信,V22TG D3GAN 将帮助制造商加速电动汽车的普及。"关于 VisIC Technologies Ltd:VisIC Technologies 是一家全球领先的电动汽车用氮化镓电......
略融资将主要用于晶湛半导体总部和研发中心建设,项目达产后晶湛半导体将建成国际一流、国内首屈一指的氮化镓电力电子、射频电子以及微显示材料研发生产基地,推动晶湛半导体进入新的发展阶段。 2021年11月,苏州工业园区管理委员会披露,晶湛......
共创地球美好未来。 图中右一为英特尔公司中国区技术部总经理高宇正在展示传统电源和全新氮化镓电源的对比:全新电源解决方案能够将传统电源体积降低 70%,能效达到92%,相较于传统电源氮化镓电源......
引用地址: 图中右一为英特尔公司中国区技术部总经理高宇正在展示传统电源和全新氮化镓电源的对比:全新电源解决方案能够将传统电源体积降低 70%,能效达到92%,相较于传统电源氮化镓电源更是能减少 90......
制造和运输过程中的二氧化碳排放。每出货一个氮化镓电源IC都可以净减少4公斤的二氧化碳。这就是为什么像电动汽车先驱Brua这样的公司会公开表示,他们将从SiC转向GaN,作为进一步减小充电器尺寸和重量的关键因素,同时......
性和多功能性设定了新标准。   VisIC Technologies Ltd 是一家先进氮化镓 (GaN) 电力电子解决方案的全球领先企业,怀着激动的心情推出备受期待的电源封装 V22TG......
确保机身坚固耐用之外,也让整台笔电更加轻薄;而首次亮相的AORUS 16则是电竞市场上首批导入高效、节能且轻巧的氮化镓电源的电竞笔电,不但展现了技嘉对电源效率提升的贡献,同时体现了其对创新的承诺。 各产......
确保机身坚固耐用之外,也让整台笔电更加轻薄;而首次亮相的AORUS 16则是电竞市场上首批导入高效、节能且轻巧的氮化镓电源的电竞笔电,不但展现了技嘉对电源效率提升的贡献,同时体现了其对创新的承诺。各产......
更快的开关速度及卓越的输入和输出品质因数(Figures of Merit),氮化镓实现电源设计上的优势,带来超越钛金级的能效表现,并大幅提高功率密度。 氮化镓电晶体为电源设备带来更高的效率水准,效率......
设计上的优势,带来超越钛金级的能效表现,并大幅提高功率密度。 氮化镓电晶体为电源设备带来更高的效率水准,效率提高代表能源损耗减少,设备也能减少过热情形。举例来说,在典型数据中心架构中,基于氮化镓设计的电源......
道,禹创半导体的Micro/Mini LED、AMOLED驱动IC以及氮化镓电源管理芯片的研发亦在积极推动中。 封面图片来源:拍信网......
预计它将成为碳化硅市场增长的主要驱动力。氮化镓设备最近进入了高端智能手机的高功率快速充电器,而这个大容量的消费市场主要推动了氮化镓电源设备市场在未来五(5)年的增长。 记者:GaN/SiC的未来会是什么?你认......
关频率只能比普通硅器件提升2-3倍,功率密度的提升也相对有限。虽然友商的分立式氮化镓电源适配器或电源解决方案的功率密度比传统硅要高,但是也没有达到1W/cc。 第三,纳微半导体的氮化镓......

相关企业

manufacturing in Taiwan. ; EPC设计,开发,市场,销售基于氮化镓的电源管理设备,采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换,利用优越的半导体材料,EPC是率先推出增强型氮化镓
;广州市裕镓电子科技有限公司;;公司
;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装,材料采用氮化镓(GaN),结构为电解出型,封装形式为直插型,型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号,形状有圆头,椭圆,草帽,钢盔,方形
兆龙; 【氮化镓】: 英诺赛科、GaN systems; 【单片机】: GA (格安电子)、HK (航顺芯片)、RENESAS 分销IR、ON、ST、NXP、INFINEON、CREE等半导体电子元器j件。
(GaAs)、氮化镓 (GaN)、声表面波 (SAW) 和体声波 (BAW)技术设计、开发和生产先进的高性能射频解决方案,满足全球客户需求。我们是市场领导者,专门为移动设备,3G和4G蜂窝基站,WLAN
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始,在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓(GaAs
;璨圆光电深圳市场部;;璨圆光电股份有限公司是一家LED芯片专业生产厂家,提供以氮化镓(GaN)为材质的超高亮度蓝、绿、紫光等LED晶粒!目前产品波长范围可达385nm-560nm;可应
子体 (PDP)显示荧光粉、氮化镓基白光二级管光源材料,新型太阳能光源等新型环保节能产品的研发生产。
;深圳市希奇电子科技有限公司;;希奇电子科技有限公司是一家以台湾LED芯片为龙头,集LED芯片及成品销售、服务于一体的专业团队。提供以氮化镓(GaN)为材质的超高亮度蓝、绿、白、紫外光等LED晶粒
度四元晶粒(C系列)、金属基板倒装晶粒(MS)、氮化镓晶粒(AllnGaN)、覆晶晶粒(Flip chip); K*on:红外芯片(940nm)、高速红外芯片(850nm,875nm,880nm) 用过