葫芦电子社区-电子元器件库存搜索引擎，为您网罗全球厂商代理商库存

  • 首页
  • 氮化镓是半导体材料

资讯

，发展至以氧化镓为代表的第四代半导体材料。氧化镓是什么？为何受到资本青睐？未来氧化镓是否能取代碳化硅？ 第四代半导体材料氧化镓......
和销售的科技型企业。 为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代材料，发展至以氧化镓为代表的第四代半导体材料。氧化镓是什么？为何......
”），一家开发和销售氧化镓晶圆的日本公司。 以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，凭借耐高温、抗高......
领域的领先企业能够联合起来，为氮化镓材料相关的增长市场共同开发产品，这一点可喜可贺。我期待着与 IQE 共同走向成功，并将这种关系发展到涵盖广泛的半导体材料领域。”关于氮化镓氮化镓是一种宽能隙半导体材料......
产品和高频设备的核心设备。 公开资料显示，氮化镓是第三代半导体材料的代表之一，具备易散热，体积小，损耗小，功率大等诸多优点，被业内寄予厚望。可被应用于光电、功率和射频等多个领域，同时能满足高功率密度、低能耗、高频......
共服务平台，建立院士工作站，挂牌“同济大学人工晶体研究院”等项目内容。 氧化镓是提升集成电路产业市场竞争力、实现产业跨越式技术进步的重要材料，正在逐渐成为半导体材料界一颗冉冉升起的新星，市场......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争;然而，在宽禁带半导体材料发展势如破竹的同时，学术界和科研界不约而同地展望下一代半导体材料——氧化镓（Ga2O3），并将其视为“替代碳化硅和氮化镓”的新一代半导体材料......
外延片，标志着在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。 据悉，该研究成果出自西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队。 陈海峰教授表示，氧化镓是一种超宽禁带半导体材料......
大概率会引起下游产品价格变动。 以金属镓为例，目前我国金属镓的消费领域包括半导体和光电材料、太阳能电池、合金、医疗器械、磁性材料等。在半导体材料领域，金属镓是砷化镓、氮化镓的重要原料之一。 国金......
，除了碳化硅，就是近几年声名鹊起，后来者居上的“氮化镓”了。 氮化镓作为第三代半导体材料的前沿代表，与前代半导体材料相比，多项指标有显著提升。氮化镓是......
亿美元 氮化镓是第三代半导体核心材料之一，具备开关频率高、禁带宽度大、更低的导通电阻等优势，这种材料通常应用于LED（照明、显示）、射频通讯与高频功率器件领域，手机快充是氮化镓......
晶圆的日本公司。 以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，凭借耐高温、抗高压、开关速度快、效率高、节能、寿命长等特点，近年来业界热度一路飙升。然而，在宽禁带半导体材料发展势如破竹的同时，学术界和科研界不约而同地展望下一代半导体材料......
技术来提高能效和功率密度。 氮化镓技术，通常称为 GaN，是一种宽带隙半导体材料，越来越多地用于高电压应用。这些应用需要具有更大功率密度、更高能效、更高开关频率、更出色热管理和更小尺寸的电源。除了数据中心，这些......
从手机充电器到汽车充电器，氮化镓开启逆袭之路; 【导读】如今的消费类电源市场，要说「几乎人手一个氮化镓快充充电器」并不过分吧？从 2018 年前后开始，氮化镓快充充电器进入国内市场，随后便开启了第三代半导体材料......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄;随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段，对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。走向产业化的锑化物，以及国内外高度关注的氧化镓、金刚石、氮化......
。 这里要特别说明一下氮化镓GaN材料。 镓是地球上存在的一种贵金属材料，大约排名第十左右，中国储量全球第一。作为三代半导体材料当家花旦的氮化镓,近二十年来，由于LED照明产业的发展推动，已成为三代半导体材料中的核心材料......
为芯冠科技的第三大股东，持股比例为19.84%。 图片来源：天眼查截图 芯冠科技成立于2016年，公司采用整合设计与制造（IDM）的商业模式，主要从事第三代半导体硅基氮化镓外延材料......
12英寸氮化镓，新辅助？;第三代半导体材料氮化镓，传来新消息：日本半导体材料大厂信越化学为氮化镓外延生长带来了有力辅助。 2024年9月3日，信越化学宣布研制出一种用于GaN（氮化镓）外延......
结构不同决定的部分特性。此外，对氮化镓功率器件的外延工艺以及功率器件的工艺进行描述，加深对氮化镓功率器件的工艺技术理解。在理解氮化镓功率器件结构和工艺的基础上，对不同半导体材料的特性、不同衬底材料的氮化镓HEMT进行......
种类繁多，碳化硅与氮化镓是代表产品，目前二者在消费电子与电动汽车的应用备受关注。 近年印度积极推动芯片组装和本地化生产，旨在成为全球半导体市场的重要参与者。业界指出，印度......
氮化镓 (GaN) 带来电源管理变革的 3 大原因; 作为提供不间断连接的关键，许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密度。 氮化镓技术，通常称为 GaN，是一种宽带隙半导体材料......
国内市场处于应用产品发展初期，尚无成熟的氮化镓外延和功率芯片产品，严重依赖国外进口，国产化意义重大。 报道称，芯生代是一家专注硅（Si）基氮化镓（GaN）等第三代半导体材料及功率芯片研发生产一体化的企业。氮化镓......
杂的块状单晶。 具体而言，氧化镓是一种多变的半导体材料，它有六种不同的晶相，其中最稳定的是β相。β相氧化镓可以通过熔融法生长出大尺寸的单晶衬底，这对......
，台亚半导体举行股东会，会议通过了将8英寸GaN（氮化镓）事业群分割的计划。分割后，6英寸氮化镓产线继续保留在台亚，产线同时生产感测组件，且生产6英寸氮化镓是为子公司冠亚或其他厂商代工；8英寸氮化镓......
其性能可以置于不断发展的精密工艺控制之下，可谓是“最有料”的材料。在不久的将来，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料的应用，无论是在军用领域还是在民用市场，都是......
应用不断扩大 氮化镓（GaN）是第三代半导体的主要代表材料之一，凭借宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强等特性优势，氮化镓可以满足各种应用场景对高效率、低能耗、高性......
研究上取得重要进展。 据陈海峰教授介绍，氧化镓是一种超宽禁带半导体材料，具有优异的耐高压与日盲紫外光响应特性，在功率器件和光电领域应用潜力巨大。硅上氧化镓异质外延有利于硅电路与氧化镓......
2022 年第四季度）。因此，氮化镓连同硅和碳化硅一起，配合混合反激（Hybrid Flyback）和多级实施等新型拓扑结构，正逐渐成为制造功率半导体的关键材料。2022 年 2 月，英飞凌宣布投资 20......
渗透率依然低的原因，并不是很多人所认为的氮化镓器件规模仍然不足，导致成本均摊困难。因为规模是结果而并非原因，本质问题出现在产业效率上。 只有从第一性原理出发，搞清楚氮化物半导体的材料......
收购将进一步增强英飞凌在功率系统领域的领导地位。英飞凌同时拥有硅、碳化硅和氮化镓三种主要的功率半导体技术。” 氮化镓系统公司首席执行官 Jim Witham 表示：“氮化镓系统公司的团队很高兴能与英飞凌合作，实现优势互补，为客......
，百川街西，南荡田巷北，总建筑面积23443.27平方米。项目聚焦第三代半导体材料——氮化镓外延片的研发生产，预期项目建成后，将成为国内规模最大的氮化镓电力电子材料和微显示材料生产基地。 据苏......
是目前在投融资市场较为活跃的四家公司—— 北京镓族科技是国内入局比较早的一家公司，注册成立于2017年年底，是国内首家、国际第二家专业从事氧化镓半导体材料开发及应用产业化的高科技公司，是北......
资金将主要用于产品研发以及产品销售等方面。 氮矽科技成立于2019年，公司主要研发基于第三代半导体材料氮化镓（GaN）的芯片，专注于氮化镓功率器件及其驱动芯片的设计研发、销售及方案提供。目前，氮矽科技的功率氮化镓产品已批量出货，主要......
格芯获3500万美元资金补贴，加速制造下一代氮化镓芯片;近日，格芯（GlobalFoundries）宣布已获得美国提供的3500万美元联邦资金，以加速其位于佛蒙特州Essex Junction的工厂在硅半导体上制造差异化氮化镓......
，《复合半导体市场监测》 I 2022 年第四季度）。因此，氮化镓连同硅和碳化硅一起，配合混合反激（Hybrid Flyback）和多级实施等新型拓扑结构，正逐渐成为制造功率半导体的关键材料。2022 年......
来源：Yole，《复合半导体市场监测》 I 2022 年第四季度）。因此，氮化镓连同硅和碳化硅一起，配合混合反激（Hybrid Flyback）和多级实施等新型拓扑结构，正逐渐成为制造功率半导体的关键材料......
被业内顶级客户用于6/8英寸SiC晶圆外延材料生长。 AIXTRON是半导体产业领先的沉积设备供应商，其产品在全球范围内被广泛的客户用于生产基于化合物或有机半导体材料的电子和光电应用的高性能组件。 这些......
领域的领先优势，并将大幅缩短新产品上市周期。 氮化镓应用不断扩大 氮化镓（GaN）是第三代半导体的主要代表材料之一，凭借宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强等特性优势，氮化镓......
又一家氮化镓企业被合并，10年内营收提升至15亿;近日，为了扩大化合物半导体材料业务，住友化学宣布与全资子公司Sciox合并，并将于今年10月1日起生效，将其并入公司的IT相关......
拟在苏州工业园区自建厂房和办公楼，进行半导体材料—氮化镓外延片的产业化生产，预计年产氮化镓外延片24万片，其中，6英寸和8英寸氮化镓外延片年产能均为12万片，用于......
应用不断扩大 氮化镓（GaN）是第三代半导体的主要代表材料之一，凭借宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强等特性优势，氮化镓可以满足各种应用场景对高效率、低能耗、高性价比的要求，可广泛应用于LED、激光......
。有着禁带宽度大、高击穿电场、高电子饱和漂移速率、良好的耐温特性等特点。 据悉，无锡吴越半导体有限公司成立于2019年，是无锡先导集成电路装备材料产业园首个落户的项目，公司专注于氮化镓......
辉煌。” 氮化镓是一种宽禁带材料，功率密度更大、效率更高而尺寸更小，尤其是在高频开关应用中能够发挥重要作用。凭借低能耗和小型化的优势，氮化镓器件的适用范围极广。据市场分析机构预测，氮化镓......
。 格芯佛蒙特州半导体制造工厂表示，继续朝着大规模生产用于航空航天和国防、蜂窝通信、工业物联网和汽车的下一代氮化镓芯片迈进。 格芯总裁兼CEO Thomas Caulfield表示：“硅基氮化镓是......
成为人造卫星等所必需的构件。 半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。耐高压、大射频、低成本、耐高温，多重特性助推金刚石成下一代半导体材料。金刚石禁带宽度5.5eV超现有氮化镓、碳化硅等，载流子迁移率也是硅材料......
是中国科大首次以第一作者单位在IEEE IEDM上发表论文。 2 第四代半导体“呼啸而来” 近年来，以碳化硅、氮化镓为主的第三代半导体材料市场需求爆发，成功赢得了各大厂商的青睐。而与此同时，第四代半导体材料......
是中国科大首次以第一作者单位在IEEE IEDM上发表论文。 2 第四代半导体“呼啸而来” 近年来，以碳化硅、氮化镓为主的第三代半导体材料市场需求爆发，成功赢得了各大厂商的青睐。而与此同时，第四代半导体材料......
度增长，达到约 20 亿美元（资料来源：Yole，Power SiC and GaN Compound Semiconductor Market Monitor Q4 2023）。氮化镓是一种宽禁带半导体，具有......
投入10亿元，用地86亩，达产后年产能24万片。 据悉，镓谷半导体成立于2022年，致力于第三代半导体材料GaN外延的研发与生产，产品包括硅基氮化镓、碳化硅基氮化镓、蓝宝石基氮化镓，主要......
Ventures)组成的一个财团的交易。 委员会给出的解析是他们考虑到飞利浦这笔交易，会涉及到一种知道的人不多，但却越来越重要的氮化镓半导体材料。尽管这不像硅一样，是常见的材料，但氮化镓......

相关企业

epc
manufacturing in Taiwan. ; EPC设计，开发，市场，销售基于氮化镓的电源管理设备，采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换，利用优越的半导体材料，EPC是率先推出增强型氮化镓
有研半导体材料股份有限公司
;有研半导体材料股份有限公司;;成立于1999年3月12日，是北京有色金属研究总院独家发起，以募集方式设立的股份有限公司。公司前身是半导体材料国家工程研究中心。公司于 1999年3月19日在
武汉联创力科技有限公司
能光滑表面缺陷分析仪；        5、微型光纤光谱仪、中红外光谱仪、积分球及系统、光谱仪附件； 6、半导体材料，氮化镓外延片、裸片，二维半导体材料等；
天津市环欧半导体材料有限公司
;天津市环欧半导体材料有限公司;;天津市环欧半导体材料技术有限公司是从事半导体材料硅单晶、硅片的生产企业。拥有40余年的生产历史和专业经验，形成了以直拉硅单晶、区熔硅单晶、直拉硅片、区熔
峨眉半导体材料研究所
;峨眉半导体材料研究所;;
开化晶朝电子有限公司
;开化晶朝电子有限公司;;开化晶朝电子有限公司是半导体材料、2英寸、3英寸、4英寸、5英寸、100、111、硅棒等产品专业生产加工的私营有限责任公司,公司总部设在浙江开化,开化
城大科技有限公司
;城大科技有限公司;;主营半导体材料、开发工具、烧录工具
深圳市华晶微科技发展有限公司
;深圳市华晶微科技发展有限公司;;半导体材料及其产品的开发和销售
江门市唯是半导体科技有限公司
;江门市唯是半导体科技有限公司;;生产LCD
科理集创科技有限公司
;科理集创科技有限公司;;致力于开发先进的半导体技术应用于无线智能通讯的应用领域，启动和承担各类以半导体材料为起点的创新工程。