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功率半导体将在实现下世代电动车对尺寸微缩、轻量及高效率的要求上，扮演关键角色。GaN Systems 拥有完整且高质量车规等级氮化镓功率晶体管产品组合，而安世博能源科技已在电力电子领域深耕多年，两间公司将协力彻底运用氮化镓优势，开创......
功率晶体管产品组合，而安世博能源科技已在电力电子领域深耕多年，两间公司将协力彻底运用氮化镓优势，开创更多应用机会。此次策略合作将聚焦于优化电动车效率及功率密度的拓朴优化、先进集成电源模块设计、及高......
功率半导体将在实现下世代电动车对尺寸微缩、轻量及高效率的要求上，扮演关键角色。GaN Systems 拥有完整且高质量车规等级氮化镓功率晶体管产品组合，而安世博能源科技已在电力电子领域深耕多年，两间公司将协力彻底运用氮化镓优势，开创......
，2030年达到15.42亿美元，达到碳化硅的40%，氮化镓的1.56倍。 氧化镓器件在光电子领域同样具备优势......
着怎样的新思路。 先回顾 GaN 氮化镓的优势 氮化镓（GaN）是一种「宽禁带」（WBG）材料，其禁带宽度是硅的 3 倍多。禁带......
​Transphorm 最新技术白皮书： 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比;氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明......
英诺赛科推出高性价比120W氮化镓方案，采用TO封装，效率达94.6%; 【导读】随着终端产品对氮化镓的加速应用，氮化镓市场规模进一步扩大。相较于硅，氮化镓高频率、小体积的优势......
Transphorm 最新技术白皮书：常闭耗尽型(D－Mode)与增强型(E－Mode) 氮化镓晶体管的优势对比;氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明了如何利用其Normally......
Transphorm 最新技术白皮书： 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比;氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明......
还介绍了PI氮化镓产品的特点及优势。 目前随着消费类氮化镓供应商越来越多，PI正在努力扩展氮化镓在工业和汽车中的应用，尽量避免陷入内卷的红海中。实际上，目前PI已有超过一半以上氮化镓......
Transphorm 最新技术白皮书：常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比; 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 10 月 19 日 –氮化镓......
全球客户在能源效率及尺寸微缩上突破瓶颈。• 以业界领先的质量因子 (figures of merit) 强化GaN Systems作为全球氮化镓功率器件首选供货商的领导角色。• 实现具有绝对优势的开关及传导损耗，进一步验证氮化镓......
产研：车规级氮化镓普及面临哪些难点？;前言：车规级氮化镓的普及目前还处于非常前期的阶段，国产厂商正在加速布局，但后续前景非常看好。 从消费级到车规级，氮化镓（GaN）技术有何优势？ 作为......
产品线的不二之选。Transphorm的器件在系统设计中更容易使用，且具备优越的性能，有利于我们的产品继续发挥传统优势。” 另一项氮化镓行业首创 Transphorm的功......
线的不二之选。Transphorm的器件在系统设计中更容易使用，且具备优越的性能，有利于我们的产品继续发挥传统优势。” 另一项氮化镓行业首创 Transphorm的功......
名氮化镓技术专家和超过350个氮化镓技术专利族，这进一步扩大了英飞凌在功率半导体领域的领先优势，并将大幅缩短新产品上市周期。英飞凌和GaN Systems在知识产权、对应用的深刻理解以及成熟的客户项目规划方面优势......
全球客户在能源效率及尺寸微缩上突破瓶颈。 • 以业界领先的质量因子 (figures of merit) 强化GaN Systems作为全球氮化镓功率器件首选供货商的领导角色。 • 实现具有绝对优势......
优化内部参数和驱动，可以充分发挥出氮化镓的优势，用户无需考虑额外的布局布线问题，同时也可以确保产品一致性。”杨斐解释道。 LMG2100产品功能图 根据TI给出的数据，相比于传统硅，采用集成驱动的氮化镓......
新兴市场加速渗透，氮化镓产业链存在哪些挑战？;以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体被视为后摩尔时代材料创新的关键角色，凭借高温、高耐压及承受大电流等多方面显著优势，氮化镓......
企业需求全部依赖进口。 近年来，格恩半导体集中优势资源力量，凭借在化合物半导体、尤其是氮化镓材料领域丰富的研发和生产经验，攻克了一系列技术难点，成为国内首家可以规模量产氮化镓激光芯片的企业。目前，格恩半导体已具备覆盖氮化镓......
该合同，NSTXL将委托Transphorm生产先进的氮化镓外延片。公司能够有机会为该项目做出贡献，彰显出Transphorm在先进氮化镓材料领域的知识产权、知识和专长，以及其MOCVD制造基础设施的优势......
亿美元 氮化镓是第三代半导体核心材料之一，具备开关频率高、禁带宽度大、更低的导通电阻等优势，这种材料通常应用于LED（照明、显示）、射频通讯与高频功率器件领域，手机快充是氮化镓......
SuperGaN® 技术是一种共源共栅（cascode）结构的常闭耗尽型（normally-off d-mode）氮化镓平台。该平台特点使得SuperGaN 具备了增强型（e-mode）氮化镓所不能比拟的优势......
』的最新白皮书。该技术文献科普了共源共栅 (常闭) d-mode平台固有的优势。重要的是，该文章还解释了e-mode平台为实现常闭型解决方案，从根本上 (物理层面) 削弱了诸多氮化镓自身的性能优势......
件在系统设计中更容易使用，且具备优越的性能，有利于我们的产品继续发挥传统优势。” 另一项氮化镓行业首创 Transphorm的功率器件适用于极为广泛的电源应用领域、并满足各种功率级的功率转换要求——从45W至......
件在系统设计中更容易使用，且具备优越的性能，有利于我们的产品继续发挥传统优势。”另一项氮化镓行业首创Transphorm的功率器件适用于极为广泛的电源应用领域、并满足各种功率级的功率转换要求——从45W至......
收购将进一步增强英飞凌在功率系统领域的领导地位。英飞凌同时拥有硅、碳化硅和氮化镓三种主要的功率半导体技术。” 氮化镓系统公司首席执行官 Jim Witham 表示：“氮化镓系统公司的团队很高兴能与英飞凌合作，实现优势互补，为客......
圆和大量射频硅代工厂。因此，它很快就会以价格为竞争优势对抗现有硅和砷化镓技术，理所当然会威胁它们根深蒂固的市场。 碳化硅衬底氮化镓： 这是射频氮化镓的“高端”版本，SiC衬底氮化镓可以提供最高功率级别的氮化镓......
收购将进一步增强英飞凌在功率系统领域的领导地位。英飞凌同时拥有硅、碳化硅和氮化镓三种主要的功率技术。” 氮化镓系统公司首席执行官 Jim Witham 表示：“氮化镓系统公司的团队很高兴能与英飞凌合作，实现优势......
满足汽车中的不同电压和功率等级，PI已先后推出包括750V、900V硅功率开关以及1700V碳化硅产品，而900V氮化镓的推出，更是将功率提升至100W。 900V氮化镓的优势 最新的氮化镓......
系统公司首席执行官 Jim Witham 表示：“氮化镓系统公司的团队很高兴能与英飞凌合作，实现优势互补，为客户提供高度差异化的产品。凭借双方在卓越解决方案领域的专业知识和技术专长，我们将充分发挥氮化镓技术的潜力。氮化镓......
系统公司的团队很高兴能与英飞凌合作，实现优势互补，为客户提供高度差异化的产品。凭借双方在卓越解决方案领域的专业知识和技术专长，我们将充分发挥氮化镓技术的潜力。氮化镓......
功率器件首选供货商，致力于协助客户创造市场差异化，巩固竞争优势。  「我们的主要客户已认可第四代氮化镓平台的优势。该平台充分体现 GaN Systems 致力于突破产品性能，实现......
英飞凌完成收购氮化镓系统公司(GaN Systems),成为领先的氮化镓龙头企业;英飞凌科技股份公司近日宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems，以下同）。这家......
，英飞凌共有450名氮化镓技术专家和超过350个氮化镓技术专利族，这进一步扩大了英飞凌在功率半导体领域的领先优势，并将大幅缩短新产品上市周期。英飞凌和 GaN Systems 在知识产权、对应用的深刻理解以及成熟的客户项目规划方面优势......
系统公司首席执行官 Jim Witham 表示：“氮化镓系统公司的团队很高兴能与英飞凌合作，实现优势互补，为客户提供高度差异化的产品。凭借双方在卓越解决方案领域的专业知识和技术专长，我们将充分发挥氮化镓......
如今大火的宽禁带半导体而言，目前普遍认知是氮化镓适合中低压而碳化硅的耐压更强，同时氮化镓的成本优势显著大于碳化硅，而通过1700V氮化镓，PI再次证明了“鱼与熊掌”可以二者兼得。更高电压具有多项好处，随着......
半导体产品的全球领先企业Transphorm发布了《Normally-off D-mode 氮化镓晶体管的根本优势》的最新白皮书。其中，介绍了normally-off D-mode GaN平台的几个关键优势，包括......
第二部分：氮化镓在中大功率应用中的挑战及应对措施 镓未来作为紧凑级联型氮化镓器件国内领先的供应商，其氮化镓晶圆良率超过95%，结合本地化供应链和资源整合优势，性价比突出。相对于增强型氮化镓来说，镓未来紧凑级联型氮化镓的主要优势......
和电动汽车领域。纳微半导体在这些市场中具备独有的优势——凭借先进的系统设计中心，影响客户的系统架构选择。由此，无论在下一代功率半导体中选择氮化镓还是碳化硅，我们都将具备最大化系统优势......
Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势;常闭耗尽型 (D-Mode) 与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管本质优势对比之简短指南 氮化镓......
，预计2026年将达到7万片/月，这给了客户足够的信心与保障。 英诺赛科(珠海)科技有限公司高级副总裁孙毅 “GaN、SiC和Si器件的竞争主要在集中在高压650V及以上领域。”孙毅表示，氮化镓的优势......
凌将于2024年11月在慕尼黑举办的电子展（electronica）上向公众展示首批12英寸氮化镓晶圆。 英飞凌表示，12英寸氮化镓技术的一大优势是可以利用现有的12英寸硅晶圆制造设备，这是因为氮化镓......
恢复电荷和动态电阻，从而效率优于硅、碳化硅和其他氮化镓产品。SuperGaN 平台的优势与 TOLT 封装更好的散热性及系统组装灵活性相结合，为寻求推出具有更高功率密度和效率、总体......
的高性能 650 V 常闭型 d-mode 氮化镓平台，该平台具有更低的栅极电荷、输出电容、交叉损耗、反向恢复电荷和动态电阻，从而效率优于硅、碳化硅和其他氮化镓产品。SuperGaN 平台的优势......
条线月产能预估达2,000片。据了解，目前8英寸氮化镓业务已接到客户订单。 本次投资案通过以后，冠亚将借助母公司台亚半导体的外延技术和研发资源，进一步整合上下游产业链，加强中国台湾地区在化合物半导体外延技术及相关高功率元件开发领域的竞争优势......
Transphorm推出参考设计组合，加快USB－C PD氮化镓电源适配器的开发;SuperGaN®技术的差异化优势电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET，具有设计简单、可靠性高和性能强劲的优势......
Transphorm推出参考设计组合，加快USB－C PD氮化镓电源适配器的开发;SuperGaN®技术的差异化优势电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET，具有设计简单、可靠性高和性能强劲的优势......
Transphorm推出参考设计组合，加快USB－C PD氮化镓电源适配器的开发;SuperGaN®技术的差异化优势电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET，具有设计简单、可靠性高和性能强劲的优势......
电池用量越来越大，从以前的两千毫安时左右，到现在的五千毫安时。电池变大了，相应的充电时间也会变长。氮化镓的优势是，能提升充电器的功率，让消费者在很短的时间内把手机电池充满。同时，随着电子设备的种类越来越多，未来......

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度四元晶粒（C系列）、金属基板倒装晶粒（MS）、氮化镓晶粒（AllnGaN）、覆晶晶粒（Flip chip）； K＊on：红外芯片（940nm）、高速红外芯片（850nm,875nm,880nm） 用过