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天线内置毫米波雷达极具成本、尺寸与性能优势，或降维打击超声波和红外方案(2023-01-08)
天线内置毫米波雷达极具成本、尺寸与性能优势，或降维打击超声波和红外方案;
随着集成度的提高，雷达模块成本不断下降，相比砷化镓工艺雷达，硅锗工艺雷达成本能下降一半，而加......
半导体贵族砷化镓，蠢蠢欲动(2024-09-29)
政府将购买Coherent旗下位于英国达勒姆郡NewtonAycliffe的化合物半导体制造工厂，以巩固本土化合物半导体供应链。
英国，将收获一座砷化镓工厂
当地时间9月27日，材料、网络......
高通PA杀入供应链，大补贴抢市场吓慌Skyworks(2017-08-02)
代的多模功率放大器（MMPA）已经全部放弃了原先的CMOS工艺，转向了性能稳定的砷化镓工艺，比如QPA5460。不考虑在市场上和竞争厂家产品博弈的因素，至少......
帕诺新能源与睿成微电子合资项目落户常熟，二期规划封测产线建设(2022-06-22)
方案开发。池州新闻此前消息显示，睿成微电子建成该市首条QFN高端封测生产线，设计出具有自主知识产权的基于砷化镓工艺的射频功率放大器（RFPA）系列芯片。
封面图片来源：拍信网......
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺(2024-04-10 14:07)
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺;EDICON CHINA 2024 （电子设计创新大会）于4月9日-10日在北京会议中心正式举行，暌违三年有余，作为......
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺(2024-04-10)
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺;EDICON CHINA 2024 （电子设计创新大会）于4月9日-10日在北京会议中心正式举行，暌违三年有余，作为......
巨光东来第三代砷化镓太阳能电池项目签约天津(2024-10-31 14:17)
声、耐高温、抗辐照等集成电路领域。砷化镓具有更高电子迁移率、低能耗、抗高温、抗辐射、高发光效率等诸多优势，应用场景非常广泛。砷化镓经过多年的发展，工艺不断成熟，应用领域越来越多，从LED、MiniLED......
5G推动射频革命，中国厂商需奋起直追(2017-08-01)
也能完美契合微基站的需求。
目前针对3G/HSPA和LTE基站市场的PA（功放）主要有LDMOS和砷化镓两种类型。
其中，LDMOS制造工艺结合了BPT和砷化镓工艺。与标准MOS工艺不同的是，在器......
光电子先导院亮相第25届中国国际光电博览会(2024-09-11)
激光器、VCSEL阵列激光器工艺、IPD集成无源器件等工艺。
在这届中国光博会中，光电子先导院携砷化镓基VCSEL单孔晶圆、砷化镓基VCSEL阵列晶圆、砷化镓IPD（集成无源器件）晶圆......
东部高科拟于2023年开发8英寸碳化硅功率半导体工艺(2022-10-08)
平台开发。
报道称，东部高科目前正同步推进碳化硅和氮化镓工艺研发，氮化镓的8英寸工艺开发已经铺开，计划在2-3年内完成，而碳化硅方面，该公司目前正开展6英寸工艺研发。
报道还透露，东部......
丰田合成开发出8英寸氮化镓单晶晶圆(2025-01-10)
丰田合成在此前制造6英寸氮化镓单晶晶圆基础上，又一次实现氮化镓单晶晶圆尺寸突破。
据悉，与使用采用硅基氮化镓工艺的横向晶体管相比，采用氮化镓单晶构建垂直晶体管可提供更高密度的功率器件，可用于8英寸......
格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目完成竣工验收(2025-01-14)
格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目完成竣工验收;据珠海建安消息，近日，格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目顺利通过竣工验收。
消息称，格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目总投资33.87亿元，被认......
解读射频前端，5G的必争之地(2016-12-26)
物半导体细分应用及说明
化合物射频器件应用器件工艺分布图
化合物射频器件应用相关信息
（2）工艺独特，产业链自成体系
化合物半导体工艺独特，需要专门的制造产线。 普通硅工艺集成电路和砷化镓/氮化镓......
格创·华芯砷化镓晶圆生产基地设备进机(2024-08-06)
代工厂，预计今年11月竣工验收并工艺通线、2025年上半年实现大规模量产。
格创·华芯砷化镓晶圆生产基地被认证为广东省重点项目、珠海市产业立柱项目。该项目于2023年7月正......
中金岭南韶关冶炼厂成功自主合成砷化镓多晶(2023-06-09)
中金岭南韶关冶炼厂成功自主合成砷化镓多晶;据广东国资消息，近日，广晟集团控股上市公司中金岭南所属韶关冶炼厂在稀贵金属绿色回收与提取实验室半导体衬底材料中试团队的努力下，韶冶厂成功自主合成第一炉砷化镓......
博世创业投资公司投资致能科技，加速第三代半导体布局(2022-09-14)
功率器件，在现有基础上全面提升氮化镓工作电压、导电能力、开关频率等关键性能参数，助力实现更高效的功率管理系统。根据市场研究机构Yole Développement最新报告，全球......
又贵又强的砷化镓电池 未来能便宜点吗(2024-04-10)
太阳能电池制造技术，尤其是三结砷化镓电池，它是集物理设计、工艺实施、设备、测试于一体的综合技术。
既然贵主要是体现在制备上，则我们就有信心回答前文提出的问题了：
砷化镓太阳能电池的价格未来必然会变得便宜，便宜......
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？(2017-08-01)
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？;
来源：内容来自GaN世界 ，作者 Barry Manz， Mouser Electronics 谢谢。
氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓......
广东省重点项目：华芯微电子第一片6寸晶圆成功下线(2024-11-20)
广东省重点项目：华芯微电子第一片6寸晶圆成功下线;
11月19日消息，据珠海高新区公众号，近日珠海华芯微电子有限公司首条6寸砷化镓晶圆生产线正式调通，并成功生产出第一片6寸2um砷化镓HBT晶圆......
全磊光电化合物半导体外延片项目在厦门开工(2025-01-15)
国内还有多个化合物半导体项目刷新进度。
·芯辰半导体
12月16日，芯辰半导体外延设备已投产，覆盖砷化镓（GaAs）及磷化铟（InP）光芯片四元化合物全材料体系。此外，相关外延片已获客户长期合作订单，其中砷化镓......
2020年度化合物半导体产业十大热点事件(2021-01-19)
%；瀚天天成，认缴出资977.2万元。
5、全球最大氮化镓工厂进入量产阶段
2020年9月，英诺赛科苏州第三代半导体基地举行设备搬入仪式。这意......
国内两条芯片生产线新进展(2024-11-20 11:06:14)
，国内两条芯片生产线传来新进展：广东华芯微电子首条6寸砷化镓晶圆生产线正式调通；陕西芯业时代8英寸特色工艺......
突破！西安高校团队从 8 英寸硅片制备出氧化镓外延片~(2023-03-17)
在工业产业化方面具有较高的价值和优势。
根据西安邮电大学介绍，该新型半导体器件与材料重点实验室拥有大约 30
余人，具备完整的氧化镓工艺实验线及超净工艺间，主要研究超宽禁带氧化镓......
60亿，第三代半导体氮化镓项目落地福州(2021-11-22)
第三代半导体的材料、外延、封测、器件、设备等行业上下游，实现产业集聚，推动产业升级。
该项目将购置20台至30台MOCVD设备，建设全球领先的8英寸氮化镓工厂，结合上下游的衬底、封测、设备等，成为国内领先的氮化镓......
拟上科创板！砷化镓衬底厂商通美晶体已进行上市辅导(2021-06-07)
拟上科创板！砷化镓衬底厂商通美晶体已进行上市辅导;6月6日，据北京监管局披露，海通证券发布关于北京通美晶体技术股份有限公司（简称“通美晶体”）首次......
三安集成携射频前端整合解决方案首次亮相MWC巴塞罗那展(2024-03-01 09:10)
业务为射频前端芯片制造，细分为砷化镓射频代工、滤波器、先进应用封装三条产品线。在被喻为5G-A商用元年的2024年，网络连接的数字化、智能化进一步深入发展，对射频前端芯片制造的标准提出了更高的要求。三安......
三安集成携射频前端整合解决方案首次亮相MWC巴塞罗那展(2024-02-29)
集成现已成为三安光电旗下专注射频前端整合解决方案的公司，主营业务为射频前端芯片制造，细分为砷化镓射频代工、滤波器、先进应用封装三条产品线。在被喻为5G-A商用元年的2024年，网络连接的数字化、智能化进一步深入发展，对射......
三安集成携射频前端整合解决方案首次亮相MWC巴塞罗那展(2024-03-05)
远未来做好芯片制造服务。”
三安集成的砷化镓射频HBT、pHEMT工艺全面支持客户在在Sub-3G和Sub-6GHz等4/5G频段的设计需求。基于自研LT衬底专利工艺，三安......
34亿！华芯珠海砷化镓晶圆生产基地项目竣工(2025-01-13)
34亿！华芯珠海砷化镓晶圆生产基地项目竣工;1月9日，据珠海建安消息，由珠海建安承建的格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目近日通过竣工验收。
据悉，由华芯微电子主导的格创·华芯砷化镓......
射频从业者必看，全球最大的砷化镓晶圆代工龙头解读(2017-02-08)
射频从业者必看，全球最大的砷化镓晶圆代工龙头解读;
版权声明：本文内容整理自网络，如您觉得不合适，请与我们联系，谢谢。
2010 年起因为从2G 进入3G 时代(2010~2013......
35亿元，山东菏泽砷化镓半导体晶片项目开工(2024-02-29)
35亿元，山东菏泽砷化镓半导体晶片项目开工;菏泽市牡丹区吴店镇消息显示，2月26日，吴店镇举办2024年春季吴店镇省重点项目建设现场推进会暨砷化镓半导体晶片项目开工奠基仪式。
据悉，菏泽市牡丹区砷化镓......
激励核心技术团队 立昂微1元转让立昂东芯9%股权(2021-02-09)
人都有其自身的技术特长，主要涵盖基体材料、制造工艺技术、工业工程和品质管理等领域，在工艺整合、控制工艺参数、提高产率、可靠性和产品质量管理上有着丰富的实践经验。
公告指出，立昂东芯是一家专业从事砷化镓......
总投资60亿元的先进化合物半导体项目落户江苏宜兴(2022-03-16)
科技先进化合物半导体材料及元器件项目总投资60亿元。
项目建成后，将应用以砷化镓为主，包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料，开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器，以及......
60亿元德融科技先进化合物半导体材料及元器件项目落户宜兴(2022-03-15)
正式落户宜兴经济技术开发区。
据悉，该项目总投资60亿元，项目建成后，将应用以砷化镓为主，包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料，开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器，以及......
贸泽开售Qorvo QPA1724 Ku/K波段GaN功率放大器为卫星通信提供优化解决方案(2022-09-13)
），小信号增益为25dB，功率附加效率为27%。该器件采用Qorvo的0.15μm碳化硅基氮化镓工艺 (QGaN15)，并且提供完全匹配至50Ω的DC接地I/O端口，其输入和输出端口均带有片上DC阻断......
长光华芯拟投资10亿元新建先进化合物半导体光电子平台项目，计划2023年开工(2022-12-28)
化合物半导体光电子平台项目将形成年产1亿颗芯片、500万器件的能力，具备氮化镓、砷化镓、磷化铟等激光器和探测器芯片的产线建设及器件封装能力，具备其他高功率半导体激光器芯片等功率芯片研发、封测能力（包括6-8寸器......
3家半导体厂商正式闯关科创板(2022-01-11)
电信、AT&T等国内外知名运营商网络中，已成为国内领先的光芯片供应商。
北京通美：规划实现新产品8英寸砷化镓衬底量产
招股说明书显示，北京通美此次拟募集资金11.67亿元，扣除发行费用后将按轻重缓急顺序投资砷化镓......
纳斯达克上市之后，纳微半导体有哪些重点布局？(2021-11-02)
功率芯片的发明以及2015年首个氮化镓工业芯片工艺设计工具包的发明……这些发明不止是代表纳微的行业地位的力证，也展现了纳微产品性能和竞争优势。
查莹杰自豪地说：“纳微是全球首家在7年内从初创做到上市，且企......
摩尔定律对半导体行业的加速度已经明显放缓(2023-03-27)
都表现出了相当的渗透力。1.GaN在5G方面的应用射频氮化镓技术是5G的绝配，基站功放使用氮化镓。氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）是射频应用中常用的半导体材料。与砷化镓和磷化铟等高频工艺......
Skyworks对中国高度依赖背后，国产射频的危与机(2016-12-28)
技术的发展，成本较低的RF SOI工艺在天线开关，低噪声放大器等模块中逐渐取代了砷化镓工艺。在天线开关和天线调谐器中，RF MEMS也有机会进一步取代RF SOI成为新的主流。对于......
总投资超100亿，多个化合物半导体项目签约浙江台州(2021-07-29)
端制造业和顶尖人才领衔项目签约，总投资额达227亿元，其中包括锗硅、砷化镓第三代半导体和化合物半导体衬底片制造两个半导体项目，两大项目合计投资达105亿元。
锗硅、砷化镓第三代半导体项目
项目......
华为哈勃持股23.91%，年产能15万片的化合物半导体项目投产(2022-04-25)
科技关联方供应有保障
资料显示，鑫耀半导体成立于2013年，是云南锗业旗下控股子公司，主要负责化合物半导体材料砷化镓晶片（衬底）、磷化铟晶片（衬底）的研发和生产，产品被广泛应用于垂直腔面发射激光器（VCSEL......
英国格拉斯哥大学将由砷化镓制成的微型半导体打印到柔性表面(2022-07-19)
英国格拉斯哥大学将由砷化镓制成的微型半导体打印到柔性表面;据科技日报7月17日报道，英国格拉斯哥大学科学家找到一种新方法，可以将由砷化镓制成的微型半导体打印到柔性塑料表面，所得......
HMC554A-DIE数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:11)
HMC554A-DIE数据手册和产品信息;HMC554ACHIPS 是一款通用型双平衡混频器，可用作 10 GHz 至 20 GHz 的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓 (GaAs) 金属......
三安光电半年报披露与ST合资等重大项目进展(2023-08-08)
个百分点。
（1）、射频前端：
砷化镓射频产能为 15,000 片/月，能够为客户提供高品质的 HBT、pHEMT 等先进工艺芯片 代工服务，可覆盖频段已延伸至 Ka 频段，客户......
陕西光电子先导院携“新质生产力”成果亮相慕尼黑上海光博会(2024-03-20)
主平台工艺的开发外，陕西光电子先导院在2023年还同步进行砷化镓IPD无源器件和GaN HEMT共性基础工艺平台开发。截至2023年末，已完成了基础工艺的开发，并经过多轮流片验证，工艺......
年产4万片！碳化硅基氮化镓晶圆厂，出货(2024-08-14)
司拥有了全面实施规模扩张战略的资本，并显著提高了新一代碳化硅基氮化镓工程外延片的生产能力。与此同时，SweGaN还致力于通过新的研发计划继续创新，并深化与供应商和客户的合作关系，以建......
拟投资不低于100亿元，这家化合物半导体厂商推动新项目落地(2021-09-23)
资已超过25亿，是国内首家提供6吋砷化镓/氮化镓半导体集成电路晶圆制造的芯片制造企业，已完成包括砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）及磷化铟（InP）在内的6大类工艺......
GaN将成PA主流技术，这家公司恐成最大赢家(2017-07-27)
回程网络等相关组件，同一时段CAGR各为12.5%、5.3%。 再者，鉴于效能较高、体积较小且稳定性较佳，砷化镓(GaAs)、GaN等固态技术将在国防应用上逐渐取代真空管，提供RF功率组件更多发展机会。 Yole预期......
现金流短缺，半导体生产商BelGaN申请破产(2024-08-02)
3月，BelGaN还宣布他们的“BEL1 650V eGaN 平台”已获得多个主要客户的订单并准备批量生产，并计划扩大其氮化镓工厂。
然而，尽管BelGaN在氮化镓技术上取得了进展，并在......
相关企业
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs
信的生产厂家及军工等领域的科研院所。公司主要同美国、欧洲、韩国、台湾的著名微波、毫米波、光电子零部件生产厂家合作，为国内广大生产企业及科研院所提供超优性价比及最稳定、快捷的供货保证。 公司主营：微波、毫米波（砷化镓场效应管、砷化镓
and passive components and unique in our ability to provide integrated solutions.;TriQuint 半导体公司采用砷化镓
指定为Fujitsu富士通量子器件的光及微波器件的亚太区授权代理商,专业代理激光器及砷化镓(GaAs)功率放大器(PA). 雅加科技有限公司专业代理日Eudyna微波器件,可应用于无线通讯、微波通讯、卫星通讯、卫星
业务为专业代理各光纤产品及各种计算机配件和接口设备. 2000年11月被指定为Fujitsu富士通量子器件的光及微波器件的亚太区授权代理商,专业代理激光器及砷化镓(GaAs)功率放大器(PA).我们亦经销各知名品牌的系列产品,例如: MOT
善的配套设施和优良的生产环境，致力于高科技产品的规模化生产。 主导产品有砷化镓霍尔元件及其衍生产品、锑化铟霍尔元件、GPS传感器、光电器件等，其中砷化镓霍尔元件拥有自主知识产权、获得
Asahikasei SDC MELEXIS等。 经营品种有：电源管理IC，马达驱动IC，砷化镓霍尔元件，锑化铟霍尔元件，双极型霍尔IC，光电器件。 我们的产品广泛应用于微型电机、DC-FAN、开关
务范围包括：磁敏、光电、新型元器件、传感器的研发和销售。 公司引进了国际先进的半导体技术，匹配全套芯片和后道封装生产设备，以完善的配套设施和优良的生产环境，致力于高科技产品的规模化生产。 主导产品有砷化镓
电力电子器件、特种高可靠器件、砷化镓集成电路、光电集成电路、微波混合封装集成电路、微波模块和小整机、半导体材料、半导体封装和半导体工艺设备。产业公司的产品包括：微波介质陶瓷与器件（DR）、PTC正温
精密加工、光学镀膜和检验分析的设备和技术力量，拥有大批量生产应用于红外的砷化镓激光晶体材料、高功率激光镜片、F-θ扫描镜、扩束境、专业切割镜、高效反射镜的系列化生产线，可向