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首个中红外波长超级反射镜制成，反射率高达99.99923%(2023-12-08)
造出中红外超级反射镜，研究团队结合传统薄膜涂层技术与新型半导体材料和方法，开发出一种新涂层工艺。为此，他们先研制出直径为25毫米的硅基板，然后让高反射半导体晶体结构在10厘米的砷化镓晶片上生长，接着......
射频从业者必看，全球最大的砷化镓晶圆代工龙头解读(2017-02-08)
射频从业者必看，全球最大的砷化镓晶圆代工龙头解读;
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2010 年起因为从2G 进入3G 时代(2010~2013......
半导体贵族砷化镓，蠢蠢欲动(2024-09-29)
用于制作LED；半绝缘砷化镓则应用到微电子领域，单晶生长方法有VGF、VB、液封直拉法（LEC），单晶尺寸有Φ4”和Φ6”，主要用于制作射频(RF)功率器件。此外，砷化镓还有另一种模拟生长工艺方法，是通过计算机来实现砷化镓的晶体......
格创·华芯砷化镓晶圆生产基地设备进机(2024-08-06)
格创·华芯砷化镓晶圆生产基地设备进机;据珠海高新区消息，8月3日上午，格创·华芯半导体园区落成暨设备进机仪式举行。
格创·华芯半导体园区总投资33.87亿元，是格......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
化硅（SiC）以外，其他所有新兴宽带隙半导体必须生长在另一种材料盘中，比如氮化镓通常依靠复杂的工艺在硅、碳化硅、蓝宝石基底上生长，由于基底的晶体结构明显不同于氮化镓的晶体结构，这种差异会造成基底和氮化镓......
GaN将成PA主流技术，这家公司恐成最大赢家(2017-07-27)
序数为 31。镓在自然界中不存在游离态，而是锌和铝生产过程中的副产品。
GaN 化合物由镓原子和氮原子排列构成，最常见的是纤锌矿晶体结构。纤锌矿晶体结构（如下图所示）呈六方形，通过两个晶格常数（图中......
华为哈勃持股23.91%，年产能15万片的化合物半导体项目投产(2022-04-25)
科技关联方供应有保障
资料显示，鑫耀半导体成立于2013年，是云南锗业旗下控股子公司，主要负责化合物半导体材料砷化镓晶片（衬底）、磷化铟晶片（衬底）的研发和生产，产品被广泛应用于垂直腔面发射激光器（VCSEL......
国内两条芯片生产线新进展(2024-11-20 11:06:14)
，国内两条芯片生产线传来新进展：广东华芯微电子首条6寸砷化镓晶圆生产线正式调通；陕西芯业时代8英寸特色工艺半导体项目举办钢结构......
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？(2017-08-01)
不超过1.5 W /毫米)，现在一个非常简单的器件就可以有高达
图4：Cree的碳化硅HEMT可提供比硅和砷化镓晶体管更大的功率密度和更宽的带宽。带宽的系列范围从10 Mhz通过18Ghz......
总投资超100亿，多个化合物半导体项目签约浙江台州(2021-07-29)
万片4英寸砷化镓晶片和年产100万片6英寸砷化镓晶片的生产线，达产后预计可实现年销售收入8亿元。
值得一提的是，近两个月来，多个化合物半导体项目签约落户椒江。除了最新签约的这几个项目之外，今年6月......
广东省重点项目：华芯微电子第一片6寸晶圆成功下线(2024-11-20)
广东省重点项目：华芯微电子第一片6寸晶圆成功下线;
11月19日消息，据珠海高新区公众号，近日珠海华芯微电子有限公司首条6寸砷化镓晶圆生产线正式调通，并成功生产出第一片6寸2um砷化镓HBT晶圆......
国内首批！铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破(2023-03-13 14:40)
单晶衬底生长技术公司之一。
铭镓半导体工作人员在做相关试验。
北京铭镓半导体有限公司创始人、董事长陈政委向记者介绍，稳态氧化镓晶体为单斜结构，存在（100）和（001）两个解理面，主面（001）晶体......
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破！(2022-12-09)
晶片RMS：0.490nm（Source：铭镓半导体）
晶片的摇摆曲线半高宽：72arcsec（Source：铭镓半导体）
稳态氧化镓晶体为单斜结构，存在（100）和（001）两个......
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体(2024-08-02)
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体;作为一种新兴的超宽禁带半导体材料，氧化镓具备大禁带宽度（4.8eV）、高临界击穿场强（8MV/cm）和良好的导通特性，与碳化硅和氮化镓相比，氧化镓......
电子新材料产业园项目封顶，将新建20余条第三代半导体材料应用等生产线(2023-08-15)
电子新材料产业园项目封顶，将新建20余条第三代半导体材料应用等生产线;据渭滨宣传消息，近日，姜谭经开区电子新材料产业园项目研发大楼主体结构封顶，标志着项目进入二次结构、装饰装修阶段。
电子......
Transphorm 最新技术白皮书： 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比;氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明......
EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管(2023-02-07)
和低电感电机驱动器。
作为增强型氮化镓 (eGaN®) FET 和 IC 的全球领导者，宜普电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm......
汽车电驱龙头纬湃科技与GaN系统公司达成战略合作，加快氮化镓技术发展(2021-11-27)
科技介绍称，GaN系统公司是业界领先且备受好评的氮化镓功率晶体管开发商，其产品已经涉足汽车领域。然而，氮化镓晶体管在汽车应用中仍有很大的潜力，相比硅晶体管它的体积更小，性能更高效、使用更经济。
图片......
Transphorm 最新技术白皮书：常闭耗尽型(D－Mode)与增强型(E－Mode) 氮化镓晶体管的优势对比(2023-10-19 11:17)
Transphorm 最新技术白皮书：常闭耗尽型(D－Mode)与增强型(E－Mode) 氮化镓晶体管的优势对比;氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明了如何利用其Normally......
Transphorm 最新技术白皮书： 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比;氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明......
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统 以实现更先进的自主式系统(2023-02-07)
电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm 封装内提供 75 A 脉冲电流的EPC2252，比硅MOSFET更小......
Transphorm 最新技术白皮书：常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比;
加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 10 月 19 日 –氮化镓......
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统(2023-02-07 11:58)
电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm 封装内提供 75 A 脉冲电流的EPC2252，比硅MOSFET更小......
采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统(2023-02-07)
(eGaN®) FET 和 IC 的全球领导者，宜普电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm......
中电四公司公布常州承芯二期机电等一批项目重要进展(2022-10-21)
前完成洁净室正压送风节点。该项目建设内容为6英寸砷化镓晶圆代工、年产13.5亿颗射频滤波器。
封面图片来源：拍信网......
史上最全第三代半导体产业发展介绍(2017-07-27)
长Ⅲ族氮化物外延层及器件结构的理想衬底，其优点包括：与GaN有很小的晶格失配和热膨胀系数失配；化学性质相容；晶体结构相同，不出现层错层；同样有极化表面；由于有很高的稳定性并且没有其它元素存在，很少......
日本大厂，布局汽车GaN器件，但高成本仍是障碍(2024-10-21)
业务开发部门负责人Kenji Fujito说：“氮化镓能否得到广泛应用，关键在于电动汽车是否采用它。”为此，需要开发大直径基板。
氮化镓半导体器件是通过在基板上生长氮化镓晶体......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机(2023-07-31)
加码？
业界资料显示，目前氧化镓市场主要由两家日本厂商NCT和Flosfia垄断。NCT业界闻名，其由日本国立通信院NICT与田村制作所Tamura联合成立2012年，NICT发表了首个单晶β-氧化镓晶体......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
，导通电阻10.4mΩ·cm2。此外，通过调节N离子注入浓度，器件的击穿电压可达到534V，为目前电流阻挡层型氧化镓MOSFET器件最高值，功率品质因数超过了硅单极器件的理论极限。两项工作为氧化镓晶体管找到了新的技术路线和结构......
QPT正在彻底改变氮化镓电力电子技术(2023-05-24)
人兼CEO Rob Gwynne和qGaN模块
氮化镓晶体管对下一代电力电子的重要性在于其能够在超高频率下工作，以实现开启和关闭。缓慢的转换会浪费能源，因为在晶体管既不开启也不关闭的开关时间内，它要......
QPT正在彻底改变氮化镓电力电子技术(2023-05-25 09:17)
人兼CEO Rob Gwynne和qGaN模块
氮化镓晶体管对下一代电力电子的重要性在于其能够在超高频率下工作，以实现开启和关闭。缓慢的转换会浪费能源，因为在晶体管既不开启也不关闭的开关时间内，它要......
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用(2024-11-20)
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用;据镓仁半导体官微消息，镓仁半导体氧化镓二期工厂近日正式启用。新工厂在晶体生长、晶圆加工和外延生长等关键环节引入了先进的产业化设备，预计将显著提升产能，以满足全球市场对氧化镓晶......
中国研发再突破！15亿美元的氧化镓市场如何引发多国博弈？(2022-05-12)
实验室和宇航局；德国的莱布尼茨晶体生长研究所、以及法国圣戈班等都已加入氧化镓材料及器件研发的浪潮中。
专家看好未来发展，10年后或直接与SiC器件竞争
尽管主流技术路线生长的氧化镓晶体......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
热场设计出发，成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制，将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展。
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国内氧化镓......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
热场设计出发，成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制，将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展。
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国内氧化镓......
英诺赛科敲钟上市！(2024-12-31)
更小的器件尺寸。
在制造方面，氮化镓（GaN）晶体可以在各种衬底上生长，包括蓝宝石、碳化硅（SiC）和硅（Si）。在硅上生长氮化镓外延层（GaN-on-Si）可以使用现有的硅半导体设备，而且可采用低成本、大直......
Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势(2023-10-16)
Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势;常闭耗尽型 (D-Mode) 与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管本质优势对比之简短指南
氮化镓......
Intel公布目标：2030年实现单芯片集成1万亿个晶体管(2022-12-05)
新突破
Intel研发了可垂直堆叠在晶体管之上的全新内存，并首次展示了全新的堆叠铁电电容，性能媲美传统铁电沟道电容，可用于在逻辑芯片上打造FeRAM。
Intel正在打造300毫米直径的硅上氮化镓晶......
旗下联颖产能爆满、拟增资扩产，联电切入第三代半导体有成(2021-11-15)
季获利有望比前几季亮眼，带动营运稳定发展。
联颖成立于2010年，为联电新投资事业群的一员，提供6英寸砷化镓晶圆代工服务，生产CMOS制程的二极管、MOSFET以及滤波器等，终端产品可应用于手机无线通讯、无线......
全新MASTERGAN1，让GaN晶体管更具说服力和直观性(2024-12-11 10:52)
全新MASTERGAN1，让GaN晶体管更具说服力和直观性;前不久意法半导体发布了全新MASTERGAN1产品，它同时集成了半桥驱动器和两个增强模式氮化镓（GaN）晶体管， 类似的竞争产品仅仅只包含单个氮化镓晶体......
HMC554A-DIE数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:11)
HMC554A-DIE数据手册和产品信息;HMC554ACHIPS 是一款通用型双平衡混频器，可用作 10 GHz 至 20 GHz 的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓 (GaAs) 金属半导体场效应晶体......
山西新政：走出一条具有山西特色的半导体及集成电路产业发展之路(2021-06-22)
做强材料产业。发挥我省资源和能源优势，紧跟市场需求，引进技术领先的知名企业，发展大硅片晶圆等第一代半导体材料产业，聚焦低缺陷砷化镓晶体材料、高纯半绝缘碳化硅单晶衬底材料、氮化镓材料等第二/三代......
Transphorm GaN技术引领氮化镓革命(2024-06-26 17:08)
Transphorm GaN技术引领氮化镓革命;长期以来，宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管争论高下——常闭耗尽型 （D-mode）和增强型（E-mode）氮化镓。在设计电路时，人们......
12英寸氮化镓，新辅助？(2024-09-10)
是由镓（原子序数31）和氮（原子序数7）结合而来的化合物，是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。这里的禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量。而氮化镓的禁带宽度为3.4eV，是硅的3倍多......
拟上科创板！砷化镓衬底厂商通美晶体已进行上市辅导(2021-06-07)
拟上科创板！砷化镓衬底厂商通美晶体已进行上市辅导;6月6日，据北京监管局披露，海通证券发布关于北京通美晶体技术股份有限公司（简称“通美晶体”）首次......
Intel展示全新3D晶体管：氮化镓都用上了(2023-12-12)
毫米晶圆上集成硅晶体管、氮化镓晶体管，且性能良好。
这为实现300毫米硅基氮化镓(GaN-on-silicon)晶圆开辟一条可行的路径。
今年，Intel在硅和氮化镓......
3家半导体厂商正式闯关科创板(2022-01-11)
半导体材料项目、以及补充流动资金。
据披露，砷化镓半导体材料项目分为砷化镓（晶体）半导体材料项目和砷化镓（晶片）半导体材料项目两个子项目，产品主要为2、3、4、5、6、8英寸砷化镓......
半导体行业阵痛期，库存调整周期拉长，市场何时回温?(2022-11-05)
第四季营收恐进一步滑落。
而在应用领域较窄的砷化镓晶圆厂方面，产能利用率却早已滑落至冰点，早在今年5月，集微网就曾在《PA成去库存“重灾区”，持续扩产之下，砷化镓代工产能已供过于求》一文......
解读射频前端，5G的必争之地(2016-12-26)
+ Duplexer）、 PAM（ 多 PA 模组）等多种复合功能的 PA 芯片类型。
手机结构示意图
RF 前端细分结构示意图
（2）砷化镓占据 PA 主流，氮化镓......
重点研发“卡脖子”项目，同济大学氧化镓材料项目签约江苏无锡(2023-06-21)
重点实施“氧化镓晶体制造、装备和工艺技术”“蓝宝石晶体制造、装备和工艺技术”和“磁光晶体制造、装备和工艺技术”等“卡脖子”项目的研发与产业化，建设“人工晶体生长”“精密光学加工”“检测装备与技术”等公......
相关企业
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs
段各种脉冲功率合成器、分配器：一分八、八合一、一分四、四合一、一分二、二合一等产品。2、代理产品： 三菱功放模块；三菱场效应功率管；三菱MGF系列砷化镓晶体管； 东芝2SC，2SK系列大小功率三极管；霍尔
粉系列由发光材料技术世界领先的美国光电技术研究所提供美国先进技术独家授权生产；销售方面直接面对客户，减少中间的代理商环节。 高质量荧光粉的晶体结构是近似球型的，鸿顺荧光粉运用先进、独特的专利生产工艺合成出的晶体是市场上最近似球型的结构。 鸿顺
精密加工、光学镀膜和检验分析的设备和技术力量，拥有大批量生产应用于红外的砷化镓激光晶体材料、高功率激光镜片、F-θ扫描镜、扩束境、专业切割镜、高效反射镜的系列化生产线，可向
信的生产厂家及军工等领域的科研院所。公司主要同美国、欧洲、韩国、台湾的著名微波、毫米波、光电子零部件生产厂家合作，为国内广大生产企业及科研院所提供超优性价比及最稳定、快捷的供货保证。 公司主营：微波、毫米波（砷化镓场效应管、砷化镓
and passive components and unique in our ability to provide integrated solutions.;TriQuint 半导体公司采用砷化镓
指定为Fujitsu富士通量子器件的光及微波器件的亚太区授权代理商,专业代理激光器及砷化镓(GaAs)功率放大器(PA). 雅加科技有限公司专业代理日Eudyna微波器件,可应用于无线通讯、微波通讯、卫星通讯、卫星
、蓝宝石、光学玻璃、表玻璃、手机玻璃、半导体硅片、石英晶体片、压电陶瓷、砷化镓、铌酸锂、钼片、活塞环、以及剃须刀等金属、非金属材料的双面、单面研磨抛光。 公司于2007年6月获
业务为专业代理各光纤产品及各种计算机配件和接口设备. 2000年11月被指定为Fujitsu富士通量子器件的光及微波器件的亚太区授权代理商,专业代理激光器及砷化镓(GaAs)功率放大器(PA).我们亦经销各知名品牌的系列产品,例如: MOT
善的配套设施和优良的生产环境，致力于高科技产品的规模化生产。 主导产品有砷化镓霍尔元件及其衍生产品、锑化铟霍尔元件、GPS传感器、光电器件等，其中砷化镓霍尔元件拥有自主知识产权、获得