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开关电源整流滤波电路和钳位保护电路设计(2024-06-03)
％。
(2)整流二极管的一次导通过程，可视为一个“选通脉冲”，其脉冲重复频率就等于交流电网的频率(50Hz)。
(3)为降低中500kHz以下的传导噪声，有时用两只普通硅整流管(例如1N4007) 与两只快恢复二极管......
德欧泰克|SiC和硅基组件在电动汽车充电电路中的应用(2024-02-28)
充电确实是一个有价值的功能，硅碳化物器件在其效率方面发挥了重要作用。SiC提供的提高效率可以归因于其对磁性元素的影响。图1 显示基于硅的超快恢复二极管的开关损耗充电电池需要高电流，通常需要大型线圈。为了最小化体积，解决......
RS瑞森半导体-PCB LAYOUT中ESD的对策与LLC方案关键物料选型分享(2022-12-02)
D1，须选用超快恢复二极管，如Trr小于75ns，类型推荐US、ES等系列。
（三）自举二极管D4，须选用快恢复二极管，配合RSC6105S-RSC6107S时，选用Trr小于250ns，类型......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2024-06-28)
系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
碳化硅二极管典型应用包括FBPS和LLC转换器AC/DC功率因数校正（PFC）和 DC/DC超高频输出整流，适用于......
AOS 推出 95mohm 和 125mohm, 600V 快恢复体二极管aMOS5™ 超结MOSFET;
【导读】日前，集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商（AOS......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
与击穿电压相当的硅二极管相比，SiC二极管热导率高，反向电流低，反向恢复时间短。二极管反向恢复......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2024-07-01 09:46)
电容电荷低至28 nC，正向压降减小为1.35 V。此外，器件25 °C下典型反向漏电流仅为2.5 µA，因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复......
Nexperia的锗化硅 (SiGe)整流器兼具一流的高效率、热稳定性，能够节省空间(2020-05-27)
了一系列反向电压为120 V、150 V和200 V的新锗化硅(SiGe)整流器，兼具肖特基整流器的高效率与快速恢复二极管的热稳定性。
新款1-3 A SiGe整流器以汽车、通信基础设施和服务器市场为目标市场，尤其......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05)
IGBT之间自由选择。这些IGBT采用非常紧密的参数分布设计，允许多个器件安全地并联连接。此外，与竞品器件相比其热阻更低，因此能够提供更高的输出功率。这些IGBT还并联了全电流反向软快恢复二极管。这意味着它们适用于......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管(2024-07-02)
µA，因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
碳化硅二极管......
RS瑞森半导体-大功率开关电源的应用(2022-12-19)
幅度减小开关损耗的同时还可以有更高的功率密度，可广泛应用于服务器电源、大功率电源上。
瑞森半导体提供的BV为600V、 650V的超结MOS同时带有FRD完全可用于谐振电路上,具有高速快恢复二极管（FRD），短的反向恢复......
Littelfuse：光伏逆变器应用方案(2022-08-16)
组串式逆变器的系统整合模式更受市场青睐，越来越成为主流应用架构。在组串式逆变器设计中，Littelfuse的功率MOSFET、IGBT、整流二极管、快恢复二极管、栅极驱动器、TVS二极管、保险丝、压敏......
牛人剖析功率MOS，从入门到精通(2024-11-18 19:30:30)
/COMFET;
-- 高频功率器件：如MOSFET，快恢复二极管，萧特基二极管，SIT 等
(4)按额......
Vishay汽车和电动汽车解决方案亮相2024慕尼黑上海电子展(2024-07-08)
于减少元器件数量，提高功率密度的集成式半桥MOSFET
标准、肖特基，快恢复（FRED Pt® ）二极管和整流器，瞬态抑制二极管（TVS），采用紧凑型DFN封装，提高功率密度并改进热阻。此外，还有......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23 15:21)
源能效重要优值系数（FOM），相比上一代解决方案降低17%。与接近的竞品解决方案相比，二极管室温下典型反向漏电流低30%，高温下低70%。因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管......
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管(2022-11-22)
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管;奈梅亨，2022年11月22日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布，旗下......
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管(2022-11-22 13:34)
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管;不断扩大的CFP功率二极管产品组合再添新产品2022年11月22日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布，旗下......
Vishay推出新款FRED Pt® Ultrafast恢复整流器增强可靠性，提高AOI能力(2020-02-18)
扩充其Fred Pt® Ultrafast恢复整流器产品，新型整流器采用eSMP®系列SlimSMAW（DO-221AD）封装，高度低至0.9 mm。Vishay Semiconductors二极管与常见SOD......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
%。
与接近的竞品解决方案相比，二极管室温下典型反向漏电流低30%，高温下低70%。因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复......
Nexperia成功增强其CFP功率二极管的范围(2022-10-13)
了现代汽车和工业应用持续增长的需求基础半导体器件领域的高性能生产专家Nexperia今天宣布推出其快速扩展的铜夹片FlatPower (CFP)封装二极管系列的最新产品，主要应用于工业和汽车领域。此最新产品含有32个平面肖特基二极管以及8个超快速恢复整流二极管，均封......
Nexperia成功增强其CFP功率二极管的范围(2022-10-12)
系列的最新产品，主要应用于工业和汽车领域。此最新产品含有32个平面肖特基二极管以及8个超快速恢复整流二极管，均封装在CFP15B中。包含通用型号和符合AEC-Q101车规标准的带Q的器件。通过......
Vishay汽车和电动汽车解决方案亮相2024慕尼黑上海电子展(2024-07-08)
（FRED Pt® ）二极管和整流器，瞬态抑制二极管（TVS），采用紧凑型DFN封装，提高功率密度并改进热阻。此外，还有第7代超快恢复二极管（FRED Pt® Hyperfast），快速恢复......
Vishay汽车和电动汽车解决方案亮相2024慕尼黑上海电子展(2024-07-08 14:36)
基，快恢复（FRED Pt® ）二极管和整流器，瞬态抑制二极管（TVS），采用紧凑型DFN封装，提高功率密度并改进热阻。此外，还有第7代超快恢复二极管（FRED Pt® Hyperfast），快速恢复......
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管(2022-11-22)
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管;
【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布，旗下面向工业和汽车领域的铜夹片FlatPower......
斯达半导35亿定增结果出炉，14家知名机构认购(2021-11-16)
为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产，并以IGBT模块形式对外实现销售。IGBT模块的核心是IGBT芯片和快恢复二极管芯片，公司自主研发设计的IGBT芯片和快恢复二极管......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05 09:51)
非常紧密的参数分布设计，允许多个器件安全地并联连接。此外，与竞品器件相比其热阻更低，因此能够提供更高的输出功率。这些IGBT还并联了全电流反向软快恢复二极管。这意味着它们适用于逆变器,整流......
瑞能半导体亮相2022慕尼黑华南电子展(2022-11-17 09:22)
重点展示，设计的产品就包括了瑞能650V（600V）/1200V 快恢复二极管，800V/1200V/1600V标准整流二极管，1200V可控硅，650V/1200V 碳化硅二极管, 1200V......
总投资5.1亿元 捷捷微电拟投建功率半导体6英寸晶圆及器件封测生产线建设项目(2021-07-05)
及填充工艺、高压等平面终端工艺。主要产品为快恢复二极管芯片及器件，IGBT模块配套用高电压大通流整流 芯片，低电容、低残压等保护器件芯片及器件，中高电压功率集成芯片，平面可控硅芯片及其他芯片产品等。
该项......
℃温度条件下，产品的正向压降最大为1.4V，正向导通压降低，反向电流的典型值为8uA，反向电流小，系统功耗低。
5、采用TO-247-3封装，利于设计。
二次侧整流二极管通常使用FRD（快速恢复二极管......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
续流电流完全绕过 mos 管 和肖特基二极管。
这确保了 mos 管 体二极管永远不会被驱动导通，续流电流由快恢复二极管处理，快恢复二极管较少出现“击穿”问题。
七......
对标C4D40120D，1200V SiC肖特基二极管B2D40120HC1让车载充电机更高效(2023-10-24)
电压选择就可以更高，效率也就越高。
基本半导体的SiC肖特基二极管B2D40120HC1，实现了Si快恢复二极管无法实现的极短的反向恢复时间（trr接近于零），反向恢复电流≤5uA（Vr=1200V......
基于MP4021的LED照明驱动电源设计(2024-07-22)
针对LED而设计，集成PFC，功率因数很高。工作在临界导通模式，降低了开关管的开关损耗;省去光耦和相关电路，降低了成本;采用独特的开关管控制技术，对开关管和快恢复二极管的要求大大降低，与一些必须选择昂贵开关管和二极管......
安芯电子冲刺科创板IPO 募资3.95亿元投建高端功率半导体等项目(2021-09-28)
10月，主营业务为功率半导体芯片、功率器件和半导体关键材料膜状扩散源的设计制造与销售。芯片产品涵盖快速恢复二极管（FRD）芯片、外延式快速恢复二极管（FRED）芯片、瞬态抑制二极管（TVS）芯片、超高压整流二极管......
Vishay推出四款新系列200 V FRED Pt超快恢复整流器(2023-06-21)
Vishay推出四款新系列200 V FRED Pt超快恢复整流器;
【导读】美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年6月21日 — 日前，Vishay......
的方案中提到基本半导体的SiC半导体器件，可为车载电源转换系统提供最高的功率密度和耐用性，非常适合车外充电和其他户外应用。
电动车充电
如下图所示，将快速恢复二极管或肖特基二极管作为整流二极管使用。
电动......
Vishay推出新型EMIPAK 1B封装二极管和MOSFET功率模块(2022-11-24 13:42)
-ENV020F65U
六个用于输出整流的独立Ultrafast整流器
VS-ENW30S120T
全桥SiC二极管
VS-ENY050C60
全桥......
基础知识之SiC功率器件(2024-03-21)
（Si的SBD最高耐压为200V左右）。
因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结二极管（FRD:快速恢复二极管），能够明显减少恢复损耗。 有利于电源的高效率化，并且......
基础知识之二极管(2024-03-20)
顺方向电压也低，功耗也少，所以广泛用于高频整流。
台面型
结合部像富士山，这个构造的逆电压 (VR) 容易变大，多用于整流二极管。耐压容易做大，但相反与Planar形相比逆电流也变大，我公司的整流二极管......
Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3-HP汽车平面肖特基二极管(2024-02-26)
，Nexperia的肖特基整流二极管和快恢复整流二极管，但也可以扩展到双极性三体管。这显著地丰富了产品的多样性，也进一步巩固了Nexperia作为封装创新领导者的地位。可通过拥有值得信赖的供应链的半导体制造商为客户提供更广泛的器件选择。......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
体 (ms)
结或肖特基势垒。这提供了低传导压降、高开关速度和低噪声。肖特基二极管用于控制电路内电流的方向，使其仅从阳极流向阴极。当肖特基二极管处于无偏置状态时，自由电子将从
n 型半......
Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3-HP汽车平面肖特基二极管(2024-02-26)
的广泛产品组合得到了新的拓展。”
这些封装利用专有的铜夹片设计，可应对充满挑战的高效和节省空间的设计要求。如今，CFP封装可用于不同的功率二极管技术，例如，Nexperia的肖特基整流二极管和快恢复整流二极管......
通俗易懂讲解三极管(2023-10-11)
会自感产生很高的反向电动势，而续流二极管提供的续流通路，同时钳位反向电动势，防止击穿三极管。
续流二极管的选型必须是快恢复二极管或肖特基二极管，两者响应速度快。
如图5，对于某些控制信号为低电平时，可能......
放下教科书，来看下三极管的应用电路(2024-10-16 16:16:17)
钳位反向电动势，防止击穿三极管。相关
推荐：
三极管滤波是个什么鬼？TA不止会放大哦~
续流二极管的选型必须是快恢复二极管......
FRED Pt® 超快恢复整流器---1 A VS-1EAH02xM3、2 A VS-2EAH02xM3、3 A VS-3EAH02xM3和5 A VS-5EAH02xM3，这些......
MOS管驱动电路设计(2023-09-30)
断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断。
为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管，如上图所示，其中D1常用的是快恢复二极管......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05)
)和高速(H3)系列IGBT之间自由选择。这些IGBT采用非常紧密的参数分布设计，允许多个器件安全地并联连接。此外，与竞品器件相比其热阻更低，因此能够提供更高的输出功率。这些IGBT还并联了全电流反向软快恢复二极管......
Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3－HP汽车平面肖特基二极管(2024-02-26)
封装利用专有的铜夹片设计，可应对充满挑战的高效和节省空间的设计要求。如今，CFP封装可用于不同的功率二极管技术，例如，Nexperia的肖特基整流二极管和快恢复整流二极管，但也可以扩展到双极性三体管。这显......
变频器中的器件选取(2023-08-25)
单向导通的特性，多用于整流、反向隔离、电平钳位等多种场合。选取二极管，需要考虑通态电流容量、反向耐压，恢复时间等主要指标。
(1)整流二极管
当二极管用于开关电源整流时，一般需要快速二极管以减小损耗，然后......
MOS管驱动电路有几种，看完就明白了(2024-11-01 12:17:03)
栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管，如上图所示，其中D1常用的是快恢复二极管。这使关断时间减小，同时减小关断时的损耗。Rg2是防止关断的时电流过大，把电源IC给烧......
EMI总不过？老师傅给了90种整改方法，轻轻松松！(2024-10-16 23:32:18)
模电感量。
2、对于共模干扰超标可添加共模电感，选用合理的电感量来抑制；
3、也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如 FR107 一对普通整流二极管 1N4007......
相关企业
;苏州鑫港电子有限公司;;苏州鑫港二极管厂专业生产各规格二极管,包括普通整流二极管,快恢复及超快恢复二极管,产量大,质量好,价格合理. 1N4007,FR107
;济南艾赛美半导体有限责任公司;;济南艾赛美电子有限公司简介 本公司是一家专业从事生产、研发半导体器件的专业生产企业。 公司主导产品：普通整流二极管、快恢复整流二极管、超快恢复二极管、高效整流二极管
桥堆的生产基地。 公司主要产品：普通整流二极管、快恢复整流二极管、超快恢复二极管、高效整流二极管、肖特基势垒二极管、双向触发二极管、高压二极管、瞬态抑制二极管以及1-50A的整流
、快恢复二极管、高效整流二极管HER系列、超快恢复二极管、肖特基二极管、稳压二极管、开关二极管、触发二极管、瞬态抑制二极管及各类贴片二极管。我司的产品通过美国UL认证，质量
―10A的各类普通二极管、快恢复二极管、高效整流二极管、超快恢复二极管、肖特基二极管、稳压二极管、开关二极管、触发二极管、瞬态抑制二极管及各类贴片二极管。我司产品的安全性通过美国UL（E217139）认证
;深圳鸿达电子有限公司;;鸿达电子：我们目前的产品有：1-6A的普通二极管，快恢复二极管，超快恢复二极管，整流二极管，稳压管，LED发光管，在国内拥有众多合作经销商和直接电器厂商用户,而且
;深圳冰旭科技有限公司(顺德办事处);;深圳冰旭科技有限公司(顺德办事处)是肖特基二极管、普通整流二极管、高压硅堆、高压二极管(2CL...)、快恢复二极管(FR)、高效二极管(HER、UF)、整流
;深圳市美微科半导体有限公司;;公司主营产品： 整流二极管/三端稳压管/ESD保护器件/肖特基二极管; 普通快恢复整流二极管; 快普通快恢复整流二极管; 超快恢复整流二极管; 桥式整流器; 肖特基整流二极管
桥堆的生产基地。公司主要产品：普通整流二极管、快恢复整流二极管、超快恢复二极管、高效整流二极管、肖特基势垒二极管、双向触发二极管、高压二极管、瞬态抑制二极管以及1-50A的整流桥堆等，产品广泛应用于
桥、TO220双相桥、10A―100A三相桥式整流器、1A―10A 的各类普通二极管1N4001-1N4007、快恢复二极管FR101-FR107,F R201-FR207、高效整流二极管HER系列