7月2日，捷捷微电发布公告，公司董事会会议审议通过了《关于对外投资的议案》， 同意公司在全资子公司捷捷半导体有限公司（以下简称“捷捷半导体”）建设“功率半导体6英寸晶圆及器件封测生产线建设项目”，总投资5.1亿元人民币。

根据公告，功率半导体6英寸晶圆及器件封测生产线建设项目计划采用深Trench刻蚀及填充工艺、高压等平面终端工艺。主要产品为快恢复二极管芯片及器件，IGBT模块配套用高电压大通流整流 芯片，低电容、低残压等保护器件芯片及器件，中高电压功率集成芯片，平面可控硅芯片及其他芯片产品等。

该项目拟总投资 5.1 亿元人民币（分二期），其中，固定资产投入不低于总投资的80%，设备投入不低于固定资产投资的50%（包括净化成套装置）；项目由全资子公司捷捷半导体实施，资金来源于捷捷半导体自有资金；项目选址于苏锡通科技产业园井冈山6号（全资子公司捷捷半导体），占地面积约56亩（现有地块）。

捷捷微电在公告中表示，公司此次对外投资是公司的战略需要，继续深耕功率半导体产业应用领域，进一步拓展公司产品结构符合产业结构之需要，提升公司产能与市场份额，有利于提升公司功率半导体进口替代能力和持续经营能力、综合实力及竞争力，有利于维护公司和全体股东的利益。

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