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从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
足维修人员需求。
01
什么是MOS管
MOS管即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型，因此，MOS管有时被称为绝缘栅场效应管，在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。
1......
硬件工程师的哲学人生~(2024-10-17 22:45:34)
你爱一个男生，非常笃定的话就和他结婚吧，男生的爱情就像绝缘栅场效应管，一般不可以测，所以，你千万别用你的闺蜜好友啥的来试他，男生的防线就如模电老师形容那管子一样，一测试就坏，而且，就算坏了，你还......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
的，所以NMOS又被称为绝缘栅型场效应管。
当栅极G和源极S之间不加任何电压，即VGS=0时，由于漏极和源极两个N+型区之间隔有P型衬底，相当于两个背靠背连接的PN结，它们......
电路与人生，这样来理解电路(2024-10-20 12:02:30)
你爱一个男人，就和他结婚吧，男人的爱情就像绝缘栅场效应管，一般不可以测，所以，你千万别用你的闺蜜好友啥的来试他，男人的防线就如模电老师形容那管子一样，一测试就坏，而且，就算坏了，你还......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
在成本上将比SiC和GaN等材料更具优势。
目前，氧化镓材料面临一个重要的难点：难以实现氧化镓的p型掺杂，这导致氧化镓场效应晶体管面临着增强型模式难以实现和功率品质因数难以提升等问题。氧化镓垂直场效应......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、G2管脚的顺序。
（5）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小
对ＶＭＯＳ Ｎ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、 G2管脚的顺序。
４、用测反向电阻值的变化判断跨导的大小
对ＶＭＯＳＮ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极Ｓ、黑表笔接漏极Ｄ，这就......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、 G2管脚的顺序。
４、用测反向电阻值的变化判断跨导的大小
对ＶＭＯＳＮ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
本不高。
缺点：一旦接反需要更换保险丝，操作比较麻烦。
3、正接反接都可正常工作的电路
优点：输入端无论怎样接，电路都可以正常工作。
缺点：存在两个二极管的压降，适用于小电流电路。
4、N沟道增强型场效应管......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
于小电流电路。
04
N沟道增强型场效应管......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管，可兼容替代尼克森PKC26BB。
PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点
■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ......
重庆万国造出自研自产 IGBT 元件，预计今年内实现量产(2022-08-12)
Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
频信号加到共射极三极管VT1的基极，经放大后，由集电极输出并直接送到VT2的发射级，经VT2放大后，由视频信号VT2的集电极输出，送往显像管的阴极。
2、绝缘栅型场效应管......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
要在栅极加合适的电压才能工作，下面说明其工作原理：
增强型NMOS管工作原理
电源E1通过R1加到场效应管D, S极，电源E2通过开关S加到G, S极。
当开关S断开时，栅极无电压，由于衬底是P型......
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效应管......
什么是SMT分立器件？有哪些类型？内部结构是怎样的？(2024-10-28 11:57:14)
形短引脚，对称分布在长边的两侧，引脚中宽度偏大一点的是集电极，这类封装常见双栅场效应管及高频晶体管。
小功率管额定功率为100～300 mW，电流为10～700 mA......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
CHAO
在大部分的教材里都会告诉你长长的一段话：
全称金属氧化半导体场效应晶体管，英文名Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，属于绝缘栅极场效......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究;由于半导体生物传感器的低成本、迅速反应、检测准确等优点，对于此类传感器的研究和开发进行了大量投入。特别是基于场效应晶体管 (FET) 的生物传感器或生物场效应管......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体三极管是电流放大系数（贝塔β）当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。
3、场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
三极管是电流放大系数（贝塔β）当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。
3、场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产生电流；而三......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。
3、场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产生电流；而三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此场效应管......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用;
一、分类
MOSFET是集成电路中带有绝缘层的栅型场效应管，主要分为N沟道和P沟道两大类。其中N沟道MOS管电路中BEEP引脚......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
件利用先进的散热能力来支持更大的汽车电流。40V器件采用热增强L-TOGLTM封装，能够承受更大电流，且导通电阻更低。
客户现可通过Farnell（欧洲、中东和非洲地区）、Newark（北美地区）和e络盟（亚太区）购买全新场效应管系列和其他东芝半导体产品。
......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;
中国上海，2023年11月16日—安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布新增250多种东芝（Toshiba）产品......
日本电产理德推出半导体高速检测装置“NATS-1000”(2022-12-23)
-MOSFET（Silicon Carbide：碳化硅 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：金属-氧化物半导体场效应管）等小型模块。由此，使该......
双面散热汽车IGBT器件热测试评估方式创新(2023-03-06)
Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有（Metal-Oxide......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17 15:24)
有器件相比，该二极管可将反向恢复电荷(Qrr)降低约74%（达到34nC的典型值）。
• XPQR3004PB功率场效应管：该器件利用先进的散热能力来支持更大的汽车电流。40V器件采用热增强L-TOGLTM......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
有器件相比，该二极管可将反向恢复电荷(Qrr)降低约74%（达到34nC的典型值）。
XPQR3004PB功率场效应管：该器件利用先进的散热能力来支持更大的汽车电流。40V器件采用热增强L-TOGLTM封装......
伺服系统构成及其工作原理(2024-06-03)
%以上。IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点，用于......
车规级IGBT有多重要？(2024-03-11)
双极型晶体管，它由绝缘栅型场效应管和双极型三极管两个部分组成，其兼具MOSFET输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度快和BJT通态电流大、导通压降低、损耗小等优点，是功......
日本电产理德推出半导体高速检测装置“NATS-1000”(2022-12-23)
加灵活地支持SiC-MOSFET（Silicon Carbide：碳化硅 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：金属-氧化物半导体场效应管......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
放大管采用双极型FET场效应管，此线路每声道为4对，并联使用，降低输出阻尼系数。此线路输出功率为50W，欣赏大动态音乐足够。每声道为4对时，如果配对比较困难，可采用2对，配对误差要求在3％以内。各管要用云母绝缘......
简述8051单片机结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管（FET）。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出：“控制”信号为1，硬件自动使转接开关MUX打向上面，接通......
8051单片机的结构与原理(2024-01-15)
态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管（FET）。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出：“控制”信号为1，硬件自动使转接开关MUX打向上面，接通......
关于8051单片机基础结构解析与工作原理及电路结构(2024-02-03)
据输出锁存器。
2个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2。
2个场效应管（FET）。
多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线
输出：“控制”信号为1，硬件......
详解：8051单片机的结构与原理(2023-03-28)
。
2个场效应管（FET）。多路开关、反相器、与门各1个。
P0口工作原理——用作复用的地址/数据总线输出：“控制”信号为1，硬件自动使转接开关MUX打向上面，接通反相器的输出，同时使“与门”开启......
日本电产理德推出半导体高速检测装置“NATS-1000”(2022-12-23)
硅 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：金属-氧化物半导体场效应管）等小型模块。由此，使该检测装置可支持如电机、EV用变频器、高速......
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区(2017-07-31)
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区;英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻（RDS(on)）与平......
可控硅控制器工作原理(2024-01-22)
结构的双极型晶体管称为普通双极性晶体三极管简称普通双极管。
(2)场效应管
场效应管的内部含有许多由导电材料构成的栅源和漏源两个电极形成的空间电荷层而构成具有放大能力的器件叫场效应晶体管，也叫绝缘栅......
【51单片机】I/O口(2024-07-26)
~ P3：内置上拉电阻的双向I/O口，各端口缓冲器可接收、输出4个TTL门电路。
P0 ~ P3做输入端时必须将P0 ~ P3口先置1。使内部场效应管截止，从而不影响输入电平。
P0 ~ P3均可......
8051单片机基本操作(2024-01-15)
总线送来的信号无法通过与门；另一方面控制电子开关，让电子开关与锁存器的 端接通，此时若给写锁存器端CP送入写脉冲信号，内部总线送来的数据就可以通过D端进入锁存器，并从Q和非Q端输出，如果D端输入1，则非Q端输出0，该0使场效应管......
igbt在电动汽车上的作用(2023-09-28)
igbt在电动汽车上的作用; igbt在电动汽车上的作用
IGBT是一种由控制电路控制、是否导电的半导体；由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成......
请问一下IGBT是如何实现电路控制的？(2024-06-14)
请问一下IGBT是如何实现电路控制的？;绝缘栅双极晶体管（英语：Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT），是半导体器件的一种，主要用于新能源电动汽车、及电......
使用电机驱动器IC实施的PCB设计(2024-08-30)
使用电机驱动器IC实施的PCB设计;直流电机驱动电路的设计目标
在直流电机驱动电路的设计中，主要考虑以下几点：
功能：电机是单向还是双向转动?需不需要调速?对于单向的电机驱动，只要用一个大功率三极管或场效应管......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
必看！IGBT基础知识汇总！;
01 是什么？本文引用地址：
，绝缘栅双极型，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
级的输出端和输入端连接在一起，在第二级中补偿电容实际作为密勒电容使用。
通过提供足够的栅源电压值使场效应管导通，衬底驱动MOS晶体管即以耗尽型器件的原理工作，通过施加在衬底端的输入电压调制流经晶体管的电流，完成......
小型化工业级AC/DC电源供应器(2022-09-01)
出过电压（锁存模式）的全面保护。 TAD50 系列允许工作海拔高达 5000m，并具有 3kVac/1 分钟的增强型绝缘和过压类别 OVC III。内建的 EMC 滤波器符合
EN 55032......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
领域首次报道的高温击穿特性。
▲图1.结终端扩展NiO/β-Ga2O3异质结二极管（a）截面示意图和器件关键制造细节，（b）与已报道的氧化镓肖特基二极管及异质结二极管的性能比较
02增强型氧化镓场效应......
MOSFET开关损耗简介(2024-04-30)
）。
栅极电荷损失
所有MOSFET都有一层绝缘层，可以防止电流流过栅极端子——这也是它们与其他类型场效应晶体管的区别所在。然而，严格地说，这种绝缘只能阻挡稳态电流。如图3所示，MOSFET的绝缘栅......
相关企业
们共同为电子界携手创造美好繁荣的未来. 专营贴片：微波高中低频三极管,MOS,GaAs,FET,增强型场效应,双栅场效应管,结形场效应管.高频IC电路,CMOS逻辑电路. VCO,CATV,FM,AM,肖特基,变容二极管,PIN,RF
;深圳市福田区华达创谊电子;;深圳市华达创谊电子科技是一家专业从事军工通讯家电医疗设备电子测量信息技术应用电子元件经销商。 经营范围:贴片IC、增强型IC、二（三）极管、单（双）向可控硅、场效应管
;深圳市亿骏捷电子科技有限公司;;深圳市亿骏捷电子科技有限公司 本公司为一般纳税人企业,可开13％增值税发票！ 主要经销的产品有全新原装进口正品MOSFET场效应管、二三极管、单双向可控硅、肖特
；GT60N321等；场效应管TO-3P：2SK1317；2SK2225；2SK1020；2SK2652；2SK2690-01；IGBT驱动片：EXB841；M57962AL等，有着型号全，品种多的元器件库存，并与
.MOS场效应晶体管系列：结型场效应管.低噪声场效应管.高频场效应管.开关场效应管.高输入阻抗场效应管.双栅场效应管.高压场效应管.MOS耗尽型场效应管.CS系列场效应管. 进口晶圆，完全替代IR
;嵘威科技有限公司;;万代AOS的场效应管mosfet，IGBT，东芝Toshiba的场效应管mosfet，光耦TLP系列。
;深圳市正瑞恩电子有限公司;;〈MOS、FET场效应管〉、三端稳压、肖特基、开关管、高频、整流、快恢复、变容管、稳压管、升压IC、降压IC、复位IC、〉、封装： SOD-523、SOT-523
器.双栅场效应管.高频微波管.微波高频模块系列．SMD.钽电容.电容.电阻。二.三级管.变容管系列.等配套元器件。 祥兴电子以“重信誉.高质量.优质服务”为宗旨，以“守信.保质.薄利”为原则；公司
传感IC、光照探测器、红外数据头、光纤收发头、镭射激光管、发光二极管等。 B 传感器件系列：气敏传感器, 温度传感器、霍尔传感器、人体感应器、X射线传感器、倾斜传感器等。 C 高频场效应系列：双栅场效应管
;结型场效应管 蒋德平;;深圳市六度丰电子有限公司位于广东 深圳市龙岗区，主场效应管中环(环鑫品牌HX)\(韩国WISDOM) (国宇GF)与二三极管等。公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经