资讯
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算;**1. 关于的极限参数说明：**本文引用地址：
在以上图中，我们需要持续关注的参数主要有：
a. **ID（持续漏极电流）**：该参数......
MOS管子又炸，分享几种常见的MOS管驱动波形的判断(2024-10-16 11:40:39)
MOS管子又炸，分享几种常见的MOS管驱动波形的判断;
回忆起多年前做大功率电源产品的一段经历，那段时间主要调试MOS管的参数，一不小心就炸机，老板......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用......
谈谈几种常用的MOSFET驱动电路(2024-04-22)
谈谈几种常用的MOSFET驱动电路;一、MOS管驱动简述
因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。的驱动常根据电源IC和的参数选择合适的电路。在使用MOSFET设计开关电源时，大部......
电动车窗开关中MOS管的应用解析(2024-08-16)
用MOSFET参数时，需要注意其性能要求稍高，且马达的反峰电压会对MOS管产生影响，需要MOS管有一定的耐压能力。采用MOS管参数为：Vds=60V;Id（Tc=25℃）=55A;Id（Tc=100......
MOS管驱动电流估算(2024-04-02)
MOS管驱动电流估算;例：FDH45N50F如下参数：本文引用地址：
有人可能会这样计算：
开通电流
带入数据得
关断电流
带入数据得
于是乎得出这样的结论，驱动......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
■ 低栅极电荷
■ 低反向传输电容
■ 开关速度快
■ 提升了dv/dt能力
SVGP069R5NSA 14a 60v mos管参数
SVGP069R5NSA采用sop-8封装，具有14A......
MOS管驱动电路有几种，看完就明白了(2024-11-01 12:17:03)
MOS管驱动电路有几种，看完就明白了;
MOS管因......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
压控型，导通由G和S极之间压差决定。
对NMOS来说，Vg-Vs>Vgs(th)，即G极和S极的压差大于一定值，MOS管会导通，但是也不能大太多，否则烧坏MOS管，开启电压和其他参数......
锂电池充电及保护电路(2024-05-06)
锂电池、M1 MOS管和 M2 MOS管内部下面的二极管组成一个放电回路。
两个重要参数不得不提，其一是锂电池的放电电压，其二是锂电池的放电电流，它们是锂电池保护电路的核心。
浏览DW01芯片......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
个是Rdson上，第四个是Cgs。
封装比较简单，它指的就是一个MOS管这个外形和尺寸的种类也有很多。一般来说封装越大，它能承受的电流也就越大。为了搞明白另外三个参数呢，我们先要来介绍一下NMOS的等......
几种常用的驱动电路！(2024-12-20 15:49:48)
几种常用的驱动电路！;
MOS管因为其导通内阻低，开关......
瑞森半导体（REASUNOS）诚邀参加2023慕尼黑上海电子展(2023-07-11)
，
为全球客户提供功率半导体整体解决方案。公司产品涵盖SiC碳化硅MOS、SiC碳化硅二极管、硅基平面MOS、超结MOS、中低压MOS、LED驱动IC、电机驱动IC和系列ESD&TVS静电......
MOS驱动好不好，波形一看就知道(2024-03-01)
MOS驱动好不好，波形一看就知道;如何从的驱动波形来判断驱动好不好，到底是哪里出了问题？本文分享几种常见的驱动波形。本文引用地址：
基础知识
一般认为三极管是电流驱动型，所以驱动三极管，要在......
电源防反接电路笔记(2024-11-11 14:18:47)
体二极管也是有最大电流限制的，这个电流就是MOS管手册中的MOS管电流参数。
3.防反接电路原理
3.1.电源正反接电路分析
电源正常接：电流从S经二极管流向D......
基于比较器的过压保护电路设计方案（完整版）(2024-06-17)
电压（Vds，此设计为36V）、漏极持续电流Id。在本设计中，假设电源最大输出电流为100mA（举例而已，其它电流下的设计方法类似），为方便计算又不失可靠性，所有参数的降额系数取0.7~0.8，则所选MOS的参数......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
寄生电阻上产生的压降大于开启电压时，会使MOS打开。所以在使用前需要根据实际情况计算相关参数，以保证在各类工况下都不出来MOS误打开的情况。这里面又分三种情况：
（1）可以看到通过Cgs和Cgd两个......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
管不同。
MOS 管导通时两端能产生的压降不过数十毫伏，共地连接的比较器需要精心设计输入电压偏置电路，使共模输入电压保持在比较器的工作参数范围内。这个附加的偏置电路也会增加噪声和漂移，影响......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用;
一、分类
MOSFET是集成电路中带有绝缘层的栅型场效应管，主要分为N沟道和P沟道两大类。其中N沟道MOS管电路中BEEP引脚......
广东省SiC功率器件与半导体元器件工程技术研究中心通过认定(2024-05-03)
通过验证的深圳研究中心，主要负责产品的设计验证、参数测试、可靠性验证、系统分析、失效分析等。
目前，美浦森半导体的产品包括中大功率场效应管（低压到高压全系列产品，Trench MOS/SGT MOS/Super......
运放 + MOS管构成的恒流电路分析及实用环境器件参数选择(2024-11-13 11:08:40)
运放 + MOS管构成的恒流电路分析及实用环境器件参数选择;
这里使用的
运放是 LM358
mos管是2N6755 (Nmos)
想让......
功率MOS体二极管参数分析(2024-12-07 19:11:23)
功率MOS体二极管参数分析;
体二极管的作用
MOS的体二极管能够让感性负载电流在MOS处于“关断”状态时绕开MOS。因此，它在同步整流
和续......
摊牌了，MOS管的真面目！(2025-01-01 18:07:51)
摊牌了，MOS管的......
欧亿光电推出1x4/1x8机械式光开关(2023-01-18)
：
· 光路保护
· 光路通道切换
参数规格
主要参数......
几种常用的防反接电路(2024-06-05)
几种常用的防反接电路;1、二极管防反接
本文引用地址：
二极管防反
描述：采用二极管进行保护，电路简单，成本低，占用空间少，但是二极管PN结在导通时，会存在一定的压降，一般在0.5V左右（主要根据选型的二极管参数......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
构示意图：
解释1：沟道
上面图中，下边的p型中间一个窄长条就是沟道，使得左右两块P型极连在一起，因此mos管导通后是电阻特性，因此它的一个重要参数就是导通电阻，选用mos管必须清楚这个参数......
MOS管驱动电路设计(2023-09-30)
MOS管驱动电路设计;因为其导通内阻低，开关速度快，因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个，其的就很关键。下面分享几种常用的。本文引用地址：电源IC直接
电源IC直接驱动是最简单的驱动方式，应该注意几个参数以及这些参数......
RS瑞森半导体超结MOS在适配器上的应用(2023-08-15)
RS瑞森半导体超结MOS在适配器上的应用;一、超结MOS在电源适配器的作用
电源适配器（Power adapter）被广泛应用于日常生活中常见的电器电源中，如笔记本充电器、电动车充电器等。但由......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
组成栅源寄生电容泄放回路，栅极二极管提供一个低阻抗MOS管关断路径，加快MOS管关断。（电路中元件参数看根据实际PCB进行调整）
半桥驱动电路，当MOS管栅源电压高于阈值电压时MOS管开始导通，IRF3710的阈......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
挽输出模式很是类似。只是输出的高低电平的来源，不是让CPU直接写输出数据寄存器，取而代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。）
什么是推挽结构和推挽电路？
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS......
STM32中GPIO工作原理详解(2024-10-26 11:28:55)
相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽电路是两个参数......
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法(2024-06-10)
向导通压降，Vplt为产生Iinrush冲击电流时的栅源电压。Vplt可以在MOS管供应商所提供的产品资料里找到。
3.2.3 MOS管选择
以下参数对于有源冲击电流限制电路的MOS管选择非常重要：
1......
STM32的GPIO电路原理详解(2023-06-15)
与分析
什么是推挽结构和推挽电路?
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽电路是两个参数......
STM32的GPIO电路原理(2023-01-09)
代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
总结与分析
什么是推挽结构和推挽电路？
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低......
详解STM32单片机GPIO的工作原理(2024-04-15)
代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
1、什么是推挽结构和推挽电路？
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低......
这位大牛记录下了电路设计的全过程(2024-04-24)
一步设计反激变换器
1.Step1：初始化系统参数
------输入电压范围：Vinmin_AC 及Vinmax_AC
------电网频率：fline（国内为50Hz）
------输出功率：（等于......
MOS管在汽车LED 中的应用方案(2024-07-09)
作为开关电路完成高效电能转换时，用线性电路抑制电路纹波，得到有源纹波补偿Buck电路，实现可靠性高、寿命长的LED驱动。
电路的设计参数如下：
LED驱动电压电路中MOS管的选择
有效选择适合的MOSFET可降......
STM32的八种GPIO工作方式详解(2023-06-09)
相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET，以推挽方式存在于电路中，各负......
STM32的GPIO工作方式与基本结构(2023-07-19)
输出的高低电平的来源，不是让CPU直接写输出数据寄存器，取而代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
总结与分析
什么是推挽结构和推挽电路?
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分......
STM32的GPIO工作原理(2023-03-07)
是推挽结构和推挽电路？
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。
推挽电路是两个参数......
高速吹风筒方案硬件电路特点【高速风筒PCBA】(2024-02-21)
往往成为核心竞争要素。尤其在电子产品领域，同质化严重，价格战几乎成为唯一的生存策略。
高速吹风筒市场发展至今，也不例外。初始时，PCB板的成本高昂，但现在已降至十多元，各元器件的成本被不断压缩，甚至包括MOS管参数......
数字功放中的限幅压限电路分析(2024-04-29)
么我们说话或者唱歌没有明显感觉到声音变小了呢？那是因为我们研发早就设计了参数，做了充分的实验，尽可能保证不影响用户的正常使用。
2、基础知识
本文主要讲解数字功放中的限幅压限。一起回顾一下功放的基本原理。
首先将模拟音频信号转换为可驱动MOS......
STM32-GPIO详解(2024-07-17)
输入输出
模拟输入输出模式中，双MOS管结构被关闭，施密特触发器停用，上/下拉也被禁止，其他外设通过模拟通道进行输入输出。
通过GPIO寄存器写入不同的参数，就可以改变GPIO的用用模式。再GPIO外设......
MOS管热阻的测量方法(2023-04-06)
MOS管热阻的测量方法;预备知识
1、首先，明确两个概念：
稳态热阻：两处测量点温差△T，单位时间内通过散热面的能量为Pd，热阻RΘ=△T/Pd，单位℃/W。它是一个反映了散热体散热性能的参数。热阻......
SW与电感之间的铺铜面积越大越好吗？(2024-06-20)
SW与电感之间的铺铜面积越大越好吗？;开关电源是以功率MOS为核心的电能变换器，除了芯片自身的参数会对电能质量产生较大影响外，PCB的设计也是非常重要。本文引用地址：
今天，我们将以简单的Buck......
电机驱动芯片A4950及H桥电路分析(2023-08-15)
NMOS管构成，形如H型，故名为H桥电路。通过控制4个MOS管的导通与截止达到对中间电机的不同控制效果。NMOS管的栅极为高电平时导通，低电平时截止。
2. H桥工作模式
正转模式
当Q1、Q4的栅......
“国产芯片”瑞森半导体（REASUNOS）将亮相2023慕尼黑上海电子展(2023-07-11)
，其中硅基功率器件包括平面高压MOS，超结MOS，Trench低压MOS和SGT低压MOS,
产品涵盖20V-1500V全耐压段，可以满足各种不同应用场景;以平面高压MOS为例，目前......
STM32的GPIO工作原理详解(2023-05-19)
代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
总结与分析
1、什么是推挽结构和推挽电路？
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导......
STM32的GPIO介绍及电路图讲解(2023-07-19)
代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
总结与分析
1、什么是推挽结构和推挽电路?
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低......
STM32 GPIO工作原理详解(2023-03-20)
输出的高低电平的来源，不是让CPU直接写输出数据寄存器，取而代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
什么是推挽结构和推挽电路？
推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分......
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;深圳市茂和昌科技有限公司;;诚信为赢，服务到家，专业MOSFET制造商，以品质为基础，为各贸易商提供优质的服务，出售成品MOS管 晶圆，以客户为中心，定制参数，指定丝印。为客户提供OEM/ODM
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极管 MOS场效应管 稳压管 本公司的所有产品都经专业仪器严格测试 参数一致 质量保证 货源稳定 交货及时
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，运算放大器，线性稳压器，IGBT,Super MOSFETs,高压MOS，中压MOS，低压MOS，整流二极管，快恢复整流器，高效整流器，超快回复整流器，FRD，肖特基二极管，稳压二极管，瞬态
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