资讯
详解基于VLT的新型DRAM(2017-01-01)
器作为外部系统和内存数组之间的主接口。而在读取数据时，数组数据会先被加载DDR缓存器中；进行写入作业时，所需的数据会先从外部写入缓存器中。
由于读取传统DRAM数组内容可能破坏原有数据，每一......
当前全球DRAM厂商数量不到10家，三星电子(韩)、SK海力士(韩)、美光(美)三足鼎立(2022-11-26)
球存储芯片定位而言，2021年DRAM占比全球储存市场61%的市场份额。主要原因是DRAM属于易失存储器，多用与cpu缓存和图像系统的帧缓存区，起到临时储存数据的功能，如遇断电则数据则会丢失信息，更大的缓存......
大算力时代, 如何打破内存墙(2024-03-01)
的方式来减少DRAM访问，但缓存系统存在几个显著问题：
1. 设计复杂性与成本：缓存系统的设计相对复杂，相较于同等容量的SRAM，它需要占据更大的芯片面积。这不仅增加了芯片的成本，还可能导致功耗上升。
2......
大算力时代, 如何打破内存墙(2024-03-01)
buffer架构
尽管许多AI芯片采用增大缓存的方式来减少DRAM访问，但缓存系统存在几个显著问题：
1. 设计复杂性与成本：缓存系统的设计相对复杂，相较于同等容量的SRAM，它需......
Marvell推出用于DRAM-less PCIe3.0x2 SSD的NVMe控制器(2016-10-20)
BGA封装的小尺寸SSD。88NV1160支持当今和未来各种类型的NAND闪存，LDPC纠错功能，NVMe协议和当今SSD控制器的其他各种特性，无需外部DRAM缓存，因此可减少未来SSD的BOM成本......
从TCS23，看Arm TCS的设计理念(2023-06-27)
的减少为什么重要？实现更少量的数据传输，减少外部的带宽，就意味着降低系统能耗。实现方式则是通过更多的GPU 管道来减少数据传输，减少系统级缓存，从而避免从外部存储器加载数据。
DRAM带宽......
群联展出“全球首款”无 DRAM PCIe 5.0 SSD 主控 E31T：速度(2024-06-17)
读写性能：10800 MB/s
随机读写性能：1500K IOPS
据介绍，E31T 使用无 DRAM 缓存方案，支持 HMB，可降低 15% 的电量消耗，IT之家附详细如下
群联 E31T 于去......
轻旗舰 新平替|金泰克SSD新品TP3500 SE，给你越级享受(2022-06-21)
图
无缓存 亦出色
高性能就一定会很贵？为了给用户提供高性价比固态硬盘，TP3500 SE虽然没有外置DRAM缓存，但性能表现却毫不逊色。
采用了新一代HMB（全称Host......
原厂要求涨价，带动DRAM价格连2个月上涨(2024-01-25)
将持续要求涨价。
此外，韩国存储大厂SK海力士CEO郭鲁正在美国拉斯维加斯举行的CES会场上接受媒体采访、被问到是否考虑放缓存储减产措施时，回应表示，「有可能会在Q1（2024年1-3月）变更DRAM的减......
当STM32遇到Linux = STM32MP1(2023-03-07)
、STM32CubeProgrammer 和 STM32CubeMX。此外，这款套件还配有 DRAM 接口调试工具，可以轻松配置 DRAM 子系统。
面向 Arm® Cortex®-A7 内核进行开发时，ST......
傲腾时代结束？大普微Xlenstor2 X2900P接棒！(2022-09-28)
傲腾时代结束？大普微Xlenstor2 X2900P接棒！;SCM存储级内存
在计算机体系结构中，内存架构是层级制的。从寄存器、高速缓存、DRAM内存再到硬盘，存储容量越来越大，但延......
存储器需要一场新的技术革命(2017-02-21)
耗是非常重要的。
几乎所有系统的存储需求都在变化。虽然新的存储器和存储器架构已经筹划了很长时间，但仍未被广泛采用。然而，许多业内人士认为临界点已然将近。
过去50年中，SRAM和DRAM已经......
索尼CMOS大升级，完爆竞争对手(2017-02-08)
）也遇到了瓶颈压力。
好消息是，索尼已经将相机传感器技术提升到了新的水平。在其最新披露的面向智能机的 3 层 BSI（背照式）CMOS 传感器设计中，我们发现它已经内嵌了 DRAM 缓存......
又一款PCIe 5.0 SSD推出(2024-04-03)
率是美光的芯片。其提供了14.6 GB/s的连续读取速度和12.7 GB/s的连续写入速度，相比一般的PCIe 4.0 有着翻倍的性能提升。得益于DRAM缓存和SLC缓存设计，使得的性能进一步提升，全面......
又一款PCIe 5.0 SSD推出(2024-04-03)
率是美光的芯片。其提供了14.6 GB/s的连续读取速度和12.7 GB/s的连续写入速度，相比一般的PCIe 4.0 SSD有着翻倍的性能提升。得益于DRAM缓存和SLC缓存设计，使得SSD的性......
英睿达P3 Plus 1TB上手体验：PCIe 4．0 M．2 SSD性价之选(2022-10-25 16:00)
Plus 固态硬盘新品。
其特点是采用了无 DRAM 缓存的群联（Phison）E21T 主控方案（PCIe 4.0 x4）。
搭配美光（Micron）原厂 176 层 QLC 闪存......
满血性能！天玑9400首发支持三星LPDDR5X 10.7Gbps：全球最快手机内存(2024-07-17 13:27)
绍，此次10.7Gbps运行速度的验证，使用三星的16GB LPDDR5X封装规格，基于联发科技计划于下半年发布的天玑9400旗舰移动平台进行。新款DRAM的性能提升25%左右，但功耗反而降低了25......
车载大算力需求背后：存储芯片的“背刺”？(2023-02-21)
NAND Flash两种。DRAM（动态随机存取存储器）是与CPU直接交换数据的内部存储器，常被用作缓存，处理速度较快，但一旦断电，存储的数据便会丢失；NAND 是闪存的一种，即使断电，也能......
长江存储发布PCle4.0 固态硬盘致态TiPro7000，顺序读取速度高达7400MB/s(2021-12-29)
/s，写入寿命持久，2TB高达1200 TBW。
SLC Cache智能缓存、搭配DRAM设计： 配置SLC Cache缓存，加速固态硬盘读写性能，大幅提升开机、应用程序与游戏加载速度。搭配DRAM......
长江存储致钛品牌正式更名，致态TiPro7000 PCle4.0固态硬盘新品亮相(2021-12-30)
闪存芯片接口速度高达1600MB/s，写入寿命持久，2TB高达1200 TBW。
SLC Cache智能缓存、搭配DRAM设计： 配置SLC Cache缓存，加速固态硬盘读写性能，大幅......
SK海力士1a节点14nm级DDR5产品良率达90%(2023-06-20)
SK海力士1a节点14nm级DDR5产品良率达90%;
【导读】据韩媒Korea Posts报道，SK海力士一直主导着DDR5内存颗粒市场，目前1a工艺节点（14nm）DDR5 DRAM......
分区存储助力QLC应用到嵌入式存储设备(2023-02-15)
表，比如512GB的企业级SSD需要搭载至少512MB的DRAM；而业界消费级存储设备则是出于成本考虑，一般都没有DRAM，它利用控制器小的SRAM缓存部分L2P映射表，而绝大多数L2P映射......
PIM技术在人工智能应用的前景(2021-10-26)
）处理来自片外主内存（DRAM）的数据时，常用数据会被存储在快速且高能效的缓存（L1、L2、L3）中，以提高性能和能效。但是，在处理大量数据的应用中，大部分数据需从主内存中读取，因为......
首款 PCIe 5.0 SSD 实测：读写速度超 10GB / s，但风扇噪音很(2023-02-06)
D2（双面）设计，内置了 20 毫米小风扇辅助散热，主控为群联 PS5026-E26，闪存为美光 3D TLC B58R，2TB 型号拥有 4GB DRAM 缓存。......
从全球闪存峰会FMS看佰维BIWIN：行业级定制存储方案，厚积薄发驱动多元应用市场(2022-08-27)
替代传统独立DRAM功能，可达到与有DRAM缓存方案相媲美的效果，兼顾性能与成本，性价比更佳。
优质主控芯片与精选原厂颗粒两者组合，并通过固件优化和自身算法加持，大幅提升随机读写效能——顺序......
江波龙FORESEE XP2000 PCIe 4.0 SSD多重加密功能，锁定数据安全(2022-06-13)
江波龙FORESEE XP2000 PCIe 4.0 SSD多重加密功能，锁定数据安全;
如果说2021年SSD市场是新一代PCIe 4.0 SSD的百花齐放，那么2022年则是优化后DRAM......
SK海力士官宣固态硬盘PCB01：业界最高性能！(2024-06-28)
、2TB三种容量。
据悉，这款PCB01固态硬盘不仅延续了SK海力士在HBM等超高性能DRAM领域的领先地位，更在NAND闪存解决方案方面迈出了重要一步，为面向AI的存......
SK海力士官宣固态硬盘PCB01：业界最高性能！(2024-06-28)
容量。
据悉，这款PCB01固态硬盘不仅延续了SK海力士在HBM等超高性能DRAM领域的领先地位，更在NAND闪存解决方案方面迈出了重要一步，为面向AI的存储器市场树立了新标杆。
目前，SK海力......
NAND Flash 大降价，固态硬盘取代机械硬盘指日可待(2023-03-23)
网的宣传图上我们可以看到 980 PRO 上的“大芯片”可以分成 3 类。最左侧银白色的芯片是主控芯片，是固态硬盘的控制器。中间的是 DRAM 芯片也就是内存芯片，作为固态硬盘的缓存使用。这里的原理其实和我们直接拉电脑的内存过来当缓存......
三星电子宣布推出SSD 990 EVO(2024-01-25)
，990 EVO的功率效率提高了70%。
通过使用主机内存缓冲区（HMB）技术直接链接到主机处理器的动态随机存储器（DRAM），即使采用无缓存设计，SSD也能实现性能优化。从以前的主流SSD升级......
这个PCI-E 3.0 x4主控真神了！支持NVMe(2016-09-30)
方案，支持16nm等规格的TLC。
威刚SP550用的就是它，也会拿下首发。
接下来是“SM2246XT”，目前SM2246EN的新版本，不支持DRAM缓存，会影响一点性能，但好......
针对数据写入密集型应用，佰维推出4TB大容量SSD解决方案，全盘稳定写入470MB/s(2022-07-16)
断电保护方案：产品内置电源侦测芯片实时监控供电情况，一旦发现异常立即启用断电保护模块，利用钽电容储存的电量持续供电，为 DRAM 中缓存的数据可靠地传输到闪存提供充足的时间，确保固件程序安全，进而......
西部数据推出全新磁盘架构设计 HDD容量五年后可达50TB！(2021-09-14)
中。此外，通过优化固件缩短时延，主要在减少相邻磁道干扰（ATI）刷新次数，并减少写缓存启用模式下对写缓存刷写的需求。
可靠性方面，在紧急断电（EPO）情况下，相较于将数据刷写到DRAM 的前......
测试龙芯3A6000，结论：中国最有前途的CPU(2024-03-27)
具有更快内存的3A6000相比，它具有更好的DRAM读取带宽。
尽管3A6000的DRAM读取性能平平，但它在写入方面确实有诀窍。当龙芯检测到缓存被覆盖而不依赖于其先前的内容时，它可能会避免读取访问请求。这可......
高效边缘计算解决方案：研华工业内存 SQRAM DDR5 5600 系列(2023-11-02)
& DeviceOn，可实时监控 DRAM，提供包括动态缓存速度、实时工作温度在内的有用信息，并提供高级过热警报，告知用户内存系统的运行健康状况。为了保持系统性能的稳定性，研华......
高效边缘计算解决方案:研华工业内存SQRAM DDR5 5600系列(2023-11-02)
; DeviceOn，可实时监控 DRAM，提供包括动态缓存速度、实时工作温度在内的有用信息，并提供高级过热警报，告知用户内存系统的运行健康状况。为了保持系统性能的稳定性，研华......
江波龙电子FORESEE ePOP3轻装上阵，有限空间创造无限可能(2022-03-22)
采用高性能闪存芯片，DRAM速率最高可达1600Mbps，将性能、耐用性与稳定性的平衡得恰到好处，实现1+1大于2的效果。
（主要参数）
为智能穿戴设备而生
ePOP3满足设备对于储存及缓存......
HBM3E芯片供不应求！SK海力士明年产能都被预定一空(2023-10-27)
有产量。”
此外，其还表示正在与客户就2025年的产能进行谈判。
HBM类似数据的“中转站”，就是将每一帧、每一幅图像数据保存到帧缓存区域中，等候GPU调用。
相比传统内存技术，HBM带宽......
Xilinx新型FPGA将存储器带宽提升 20 倍(2016-11-14)
网互联、8K视频和雷达等计算密集型应用所需的更高存储器带宽而打造，同时还提供CCIX IP，支持任何CCIX处理器的缓存一致性加速，满足计算加速应用要求。
赛灵思公司FPGA和SoC产品......
群联CEO：NAND市场回暖迹象显现 部分主控芯片供不应求(2023-07-10)
是一些工业用产品或高端应用，如UFS、PCIe产品，这正是市场反弹的信号。群联预计PCIe 4.0 DRAM-Less无缓存主控芯片、PCIe 5.0 DRAM-Less主控芯片，最有......
佰维推出AP423系列PCIe M.2 SSD，PC OEM存储产品线再添生力军(2022-02-14)
、NAND颗粒都提出了要求。在客户看来，只有带缓存方案才能达到性能标准。佰维研发团队回归到客户的具体应用场景，通过自研固件，使AP423系列无DRAM方案也能达到性能要求。佰维还通过BOM（物料......
存储大厂表态市场有所回温，最新市况如何？(2023-07-11)
展成为各大原厂挽回颓势的利剑。
公开资料显示，HBM是一种面向需要极高吞吐量的数据密集型应用程序的DRAM，HBM的作用类似于数据的“中转站”，就是将使用的每一帧，每一幅图像等图像数据保存到帧缓存区中，等待GPU......
清华团队发布3D DRAM存算一体架构！(2024-08-12)
满足速度和容量的需求，现代计算系统通常采取高速缓存(SRAM)、主存(DRAM)、外部存储(NAND Flash)的三级存储结构。
常见的存储系统架构及存储墙
（全球半导体观察制图）
每当......
十铨科技推出新款PCIe 5.0 SSD(2024-01-11)
DRAM和SLC缓存，支持市面上各种主流的NAND闪存颗粒，可提供2400MT/s的接口速率。该解决方案还采用了英韧科技自研的纠错码技术，容错率领先于同类产品，确保数据传输的准确性，并有效延长了NAND......
巨头公布下一代存储技术！两款企业级SSD已进入量产阶段(2022-08-06)
技术和内置的DRAM缓存，Memory-Semantic SSD在AI和ML应用程序中可以将随机读取和延迟的表现提高20倍，通过针对性的优化，非常适合越来越多需要快速处理的较小数据集。
三星......
佰维C1008系列SSD助力数据写入密集型车载应用(2022-11-18)
的实现通过备电钽电容储存的电量持续供电，为DRAM中缓存的数据可靠完整地传输到闪存提供充足的电力，确保固件程序安全，进而确保存储数据的安全。固件架构设计确保在极为有限的备电时间内，将珍......
MRAM达成新里程碑，存储产业变革要来了？(2017-08-09)
PCIe硬盘，它的重量和长度都将减半，其将用于元数据缓存和储存加速应用。Smart Modular表示，该产品单元在4K随机读写测试中能够达到1500K IOPS。
眼下，Everspin正在......
Meta 推出自研 AI 运算芯片：MTIA v1(2023-05-24)
v1 芯片在架构方面由 PE 运算单元、片上缓存、片外缓存、传输接口、控制单元等组成。
据悉，该芯片是一款于 2020 年开始设计的 ASIC 芯片，通过......
STM32系列可通过FMSC接口外扩并口SRAM(2023-08-04)
的容量达到了512K×16bit，即为8Mb，相当大的容量，可作为强大微处理器的主缓存使用，可以PIN TO PIN兼容替换IS62WV51216，VTI508NL16产品使用CMOS高性......
STM32系列可以通过FMSC接口来实现外扩并口SRAM(2023-09-18)
，VTI508NL16 SRAM芯片的容量达到了512K×16bit，即为8Mb，相当大的容量，可作为强大微处理器的主缓存使用，可以PIN TO PIN兼容替换IS62WV51216，VTI508NL16产品......
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有一系列的相关设备，例如料箱式上下输送机板机，检查输送机，PCB除尘机，料箱式NG/OK收板机，层叠式光板上板机，多功能料箱式缓存机，真空式光板上板机，料箱式转向缓存机，SPI/AOI能垂直式缓存机，后进先出垂直式缓存
;scs;;DRAM SUPPLYER
;深圳宏微电子有限公司;;深圳市宏微电子成立于2006年，主要从事电子元器件的代理分销业务，主营电源管理ic，音频功放ic，缓存sdram等。 另外我司出了销售ic 以外，也为
elpida;尔必达;;尔必达（ELPIDA）是日本最主要的DRAM半导体芯片制造厂商，主要生产DRAM颗粒，并且自己制造原产的ELPIDA内存条.Elpida在欧美市场以提供高品质的DRAM类产
;超联应用;;IC DRAM EXCHANGE SALE
;IC Trade;;dram flash wireless samsung TI cypress trading
;SZYL ELECTRONIC CO.,LTD;;几年从事SRAM DRAM FLASH
;樊琳;;dram,flash,wireless,eeprom .cypres,TI,Samsung,chip trading
;香港德胜科技;;主营NAND FLASH;DRAM;MCP;TF卡
;嘉盈;;专业精营-DRAM/Flash/Memory Card/Module - Original Brand & OEM HK