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s3c2440的内存管理机制(2024-07-23)
=64Mbyte。
A0-A12是地址线：行地址、列地址复用，行地址使用A0-A12（13条），列地址使用A0-A8（9条）。
BA0-BA1是bank选择引脚。(bank选择与行地址(row......
8051单片机的GPIO(2024-07-25)
：常作系统数据或低8位地址复用口，第二功能：用于系统扩展
P1：常作通用I/O口使用
P2：常作系统高8位地址，第二功能：用于系统扩展
P3：常用第二功能
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3. P2......
SK海力士研发全球最快内存：超越DDR5-4800 80％！(2022-12-09)
平了条的最高纪录—— 芝奇刚刚发售DDR5-8000。本文引用地址：这种新由联合Intel、瑞萨共同研发，面向服务器领域。
MCR全称“ Multiplexer Combined Ranks ”，多路复用......
80C51的复位技术盘点(2023-08-23)
reset)和非法地址复位(IAR，illegal address reset)。
软件陷阱技术及其改良方法
软件陷阱(software trap)是一种捕捉程序“跑飞”的编程方法。通常......
澜起科技成功送样DDR5第二子代MRCD和MDB套片(2025-01-24 10:28)
颗粒的数据信号。通过采用MRCD和MDB套片，并结合双倍数据传输和时分复用技术，MRDIMM能在标准速率下同时跨两个阵列进行数据传输，从而实现双倍的数据传输速率。
作为......
为提高单片机开发系统稳定性和可扩展性的C8051F 单片机实验系统设计(2024-03-04)
数据存储器接口EMIF 可配置到低I/O 端口P0～P3， 也可配置到高I/O 端口P4～P7。而且，既可以配置为数据、地址复用方式，也可以配置为非复用方式。若要节省端口I/O，可采用数据、地址复用方式，能节省8......
如何在下一代智能手机的设计中节约空间？本文提供一个思路(2023-01-06)
的使用区域同样如此。
尤其是 5G 新无线电 (NR) 频段需要更多的天线功能，这一状况愈发明显。所幸，设计人员可以使用新的组件和应用技术来应对空间受限的挑战。使用天线复用......
8051单片机基本操作(2024-01-15)
准双向口
地址总线输出准双向口
地址/数据总线口的三态双向
P0 ~ P3口都有各自的用法：
P0：常作系统数据或低8位地址复用口，第二功能：用于系统扩展
P1：常作通用I/O口使用
P2：常作系统高8位地址......
教你如何轻松写单片机的指针(2024-05-06)
value2 = 1;
int *p;
int main（void）
{
uart_init（115200）;
delay_init（）;
p=&value;//把变量value的地址复......
存储器和数字芯片测试的基本测试技术(2023-06-07)
线上输入（行列地址复用）。他们分别通过RAS和CAS信号来锁存。
2.需要在固定的时间间隔内对芯片进行刷新。
3.DRAM能够进行页操作。因此需要保持行地址不变而改变列地址（或者......
51单片机应用中5个常见问题总结(2023-08-30)
端口这么做的目的是考虑P0口肩负读写数据和地址复用，这个关系要仔细看懂cpu时序图。因此，P0口要加合适的上拉电阻，绝不要加下拉电阻。上拉电阻的选择要看外部负载情况。
4：P1-3口如何输入输出
从上......
解读 5G 八大关键技术(2020-09-02)
解读 5G 八大关键技术; 不是一次革命， 是 4G 的延续，我相信 在核心网部分不会有太大的变动，5G 的关键技术集中在无线部分。本文引用地址：在进入主题之前，我觉得首先应该弄清楚一个问题：为什......
是德科技推出新一代矢量信号发生器，面向密集型、宽带多通道应用(2023-10-20)
于密集型宽带多通道应用
随着无线通信和雷达等应用技术的不断演进，要求使用MIMO、波束成形、多路复用等复杂的调制方案实现更高的频率覆盖，以最大程度地提高数据吞吐量。而测试这些应用需要用到信号发生器，以便......
台积电2纳米惊爆大弱点？三星抢订单(2023-12-18)
还是得向台积电看齐学习。即使如此，三星也打算透过低价策略抢市，与台积电做出差别。本文引用地址：综合外媒报导，三星虽在3纳米就开始使用技术，量产时间也比台积电早数个月，但在良率与技术上无法获得客户青睐，苹果......
是德科技推出新一代矢量信号发生器,面向密集型、宽带多通道应用(2023-09-26)
为密集型宽带多通道应用提供多路独立复杂信号。
随着无线通信和雷达等应用技术的不断演进，要求使用MIMO、波束成形、多路复用等复杂的调制方案实现更高的频率覆盖，以最大程度地提高数据吞吐量。而测......
码分多址(2022-12-01)
、跳频(FH)扩频技术和跳时(TH)扩频技术等几种基本类型，其中直接序列扩频技术和跳频扩频技术用得比较多，此外由这几种常用的基本扩频技术构成的混合系统也经常被采用 。
码分多址复用......
s3c2440 SDRAM(2024-08-21)
所用的 A0~A12。没错，在SDRAM中，行地址与列地址线是复用的。列地址复用了A0~A8，共9根（可表示512列）。那么，读/写的命令是怎么发出的呢？其实......
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功(2022-12-22)
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功;宣布，已成功开发出其首款采用（nm）级工艺技术打造的16 Gb ，并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。本文引用地址：首款级
高级副总裁兼产品与技术......
消息称三星将发布超高速32Gb DDR5内存芯片(2024-02-05)
内存（将在高密度内存和接口会议上亮相），这家韩国科技巨头还将发布一款超高速 DDR5 。这款大容量 DRAM 采用 12 纳米 (nm) 级工艺技术开发，在相同封装尺寸下提供两倍于 16Gb......
S3C2440存储系统-SDRAM驱动(2024-08-21)
。
行地址确定之后，就要对列地址进行寻址了。但是，地址线仍然是行地址所用的 A0~A12。没错，在SDRAM中，行地址与列地址线是复用的。列地址复用了A0~A8，共9根（可表示512列）。那么，读/写的......
美光推出 1β DDR5 DRAM：7200 MT/s、性能比前代提升 50%(2023-10-11)
DDR5 。本文引用地址：
演示的 1β DDR5 DRAM 目前已经开始向数据中心和 PC 用户提供，峰值速度可以达到 7200 MT/s。
这款新型 DDR5 采用先进的 high-k CMOS......
mini2440的SDRAM分析(2024-08-01)
位机），CPU的取指，执行，存储都是通过地址进行的，因此它可以用来做内存。
RAM按照硬件设计的不同，随机存储器又分为DRAM（Dynamic RAM)动态随机存储器和SRAM（Static......
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品(2023-09-03)
继2023年5月开始量产级16Gb
之后取得的又一成就，这巩固了在开发下一代DRAM内存技术领域中的地位，并开启了大容量内存时代的新篇章。 本文引用地址：三星级32Gb DDR5 DRAM（1）
"在三......
S3C2440 SDRAM驱动配置编程(2024-06-06)
行有效的同时也是相应 L-Bank有效，所以行有效也可称为L-Bank有效。
行地址确定之后，就要对列地址进行寻址了。但是，地址线仍然是行地址所用的 A0~A12。没错，在SDRAM中，行地址与列地址线是复用的。列地址复用......
采用时钟复用技术提高可测性设计的故障覆盖率(2023-06-13)
采用时钟复用技术提高可测性设计的故障覆盖率;引 言
基于扫描路径法的可测性设计技术是可测性设计（DFT）技术的一个重要的方法，这种方法能够从芯片外部设定电路中各个触发器的状态，并通......
台积电3纳米差点背锅！iPhone15发热祸首是一零件(2023-10-04)
的漏洞与第三方应用程序（APP）交互作用下所导致。此外，有业内人士爆料，罪魁祸首恐怕是规格升级的DRAM（动态随机存取内存）造成运行庞大负担。本文引用地址：知名科技爆料者Revegnus在社群软件X（原名......
SK 海力士开发 1anm DDR5 DRAM，兼容第四代英特尔至强可扩展处理器(2023-01-13)
了近期上市的全新第四代 Xeon 服务器处理器（代号为 Sapphire Rapids）兼容认证。本文引用地址：
SK 表示，采用 EUV（极紫外线）技术的 1a 纳米 DRAM 产品......
瑞萨率先推出第二代面向服务器的DDR5 MRDIMM 完整内存接口芯片组解决方案(2024-11-20 14:02)
新芯片组解决方案，体现了瑞萨在这一市场领域的卓越地位。”瑞萨RRG50120第二代MRCD用于MRDIMM，缓冲主机控制器与DRAM之间的命令/地址（CA）总线、芯片选择和时钟。与第一代产品相比，其功......
1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续(2023-10-07)
1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续;尽管由于经济逆风、高通货膨胀影响，产业身处下行周期，但大厂对于先进技术的竞赛仍在继续。本文引用地址：对芯片而言，先进......
比特率、波特率与频谱带宽关系，你知道多少？(2024-04-10)
实现了双通道传输，因此可使得信号的比特率提升了一倍。
（信号调制的更详细说明可参考微信公共号“鲜枣课堂”的文章“关于光通信的最强进阶科普”。）
显然加入多路复用技术后，比特率Rb和波特率Rs关系......
SK海力士全球最高速LPDDR5T移动DRAM与高通完成性能验证(2023-10-25)
平台（Snapdragon®8
Gen 3 Mobile Platform）的业内首次认证。本文引用地址： SK hynix
*LPDDR（低功耗双倍数据速率）：是用于智能手机和平板电脑等移动端产品的DRAM规格......
瑞萨推出第二代面向服务器的DDR5 MRDIMM 完整内存接口芯片组解决方案(2024-11-21)
MRDIMM的最新芯片组解决方案，体现了瑞萨在这一市场领域的卓越地位。”
瑞萨RRG50120第二代MRCD用于MRDIMM，缓冲主机控制器与DRAM之间的命令/地址......
群联展出“全球首款”无 DRAM PCIe 5.0 SSD 主控 E31T：速度(2024-06-17)
群联展出“全球首款”无 DRAM PCIe 5.0 SSD 主控 E31T：速度;IT之家 6 月 17 日消息，群联于上展示了主流消费级 PCIe 5.0 主控 E31T。本文引用地址：
群联......
美光积极准备EUV技术，争取与三星及SK海力士竞争(2020-12-24)
美光积极准备EUV技术，争取与三星及SK海力士竞争;根据韩国媒体《Etnews》报导指出，目前全球3大DRAM存储器中尚未明确表示采用EUV极紫外光刻机的美商美光（Micron），因日......
Vishay推出新款全集成超小型接近传感器，待机电流低至5 μA(2024-01-25)
低这些应用的成本，VCNL36828P智能双I2C从机地址可连接两个接近传感器，无需采用多路复用器。
器件可编程中断功能便于设计人员设定中断阈值上下限，从而减少与微控制器连续通信。VCNL36828P......
拜登政府恐对中国大陆封锁最强GAA技术(2024-06-13)
之，美国将防堵大陆取得先进芯片，扩大受管制的范围。本文引用地址： 美国财经媒体引述知情人士消息报导，拜登政府考虑新一波的半导体限制措施，以避免大陆能够提升技术，进而增强军事能力，有可能限制大陆取得技术......
DDR5和LPDDR6最新标准公布(2024-07-23)
现灵活的最终用户带宽配置
利用标准DDR5 DIMM组件（包括DRAM、DIMM外形尺寸和引脚分布、SPD、PMIC和TS）以方便采用
利用RCD/DB逻辑......
美光推高速内存 效能增5成(2023-10-20)
数据库等。本文引用地址：推出的16Gb 内存，以其领先1β制程节点技术，美光1β DRAM的内建系统功能速率可达7,200MT／s，相较于前一代产品，效能可提升50％，每瓦效能功耗可降低33％。
全新1β......
CNC步进电机控制5 -FPGA运动控制器(2024-01-17)
CNC步进电机控制5 -FPGA运动控制器;
设计
以下是框图（显示三个轴）：本文引用地址：
（ ）
USB-2 数据在 FIFO 中缓冲，然后进入多路复用器。 由于数据是“打包”的，因此需要解复用......
5分钟了解单片机数据、地址、控制总线结构！(2023-01-13)
、地址总线
51 系列单片机的地址总线为16 位。
为了节约芯片引脚，采用P0 口复用方式，除了作为数据总线外，在ALE 信号时序匹配下，通过外置的数据锁存器，在总线访问前半周期从P0口送出低8位地址......
DS12C887电子万年历设计与制作详解(2023-07-21)
～AD7：复用地址数据总线，该总线采用分时复用技术，在总线周期的前半部分，出现在AD0～AD7上的是地址信息，可用以选通DS12C887内的RAM，总线周期的后半部分出现在AD0～AD7上的......
传三星计划2024年将量产第九代V-NAND闪存(2023-10-18)
降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。本文引用地址：目前，存储产业处于缓速复苏阶段，大厂们正在追求存储先进技术的研发。从当前进度来看，NAND Flash的堆叠竞赛已经突破200层大关：SK海力士已至321层，美光232层......
增速13.9%，中国人工智能核心产业规模达5784亿(2024-06-24)
元。本文引用地址：当前，我国高度重视发展，积极推动互联网、大数据、人工智能和实体经济深度融合，培育壮大智能产业。
6月20日，在天津举行的2024世界智能产业博览会上，《新一......
蓝光智能科技选用SABIC ULTEM™树脂开发集成式单模WDM模块，助力提高数据中心容量(2023-05-11)
水平，尤其是采用先进、低能耗技术来推广快速、可靠、大容量通信技术的应用。”
先进光学技术的显著优势
波分复用是提高光纤性能的一项关键技术。它通......
DS8007A数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:08)
DS8007A数据手册和产品信息;DS8007A多协议双智能卡接口是一款汽车级、低成本双智能卡读卡器接口，满足所有ISO 7816、EMV™和GSM11-11的要求。通过其8位并行总线和专用地址......
美光推出基于1β技术的DDR5内存,速率高达7,200MT/s(2023-10-19)
版本的 DDR5内存。1β DDR5 DRAM在系统内的速率高达7,200 MT/s，现已面向数据中心及PC市场的所有客户出货。基于1β节点的DDR5内存采用先进的High-K CMOS器件工艺、四相时钟和时钟同步技术......
1γ DRAM、321 层 NAND: 主流厂商新一轮装备竞赛已拉开帷幕(2023-10-10)
等 巨头正积极备战 1γ 技术。本文引用地址：
图源：SK 海力士
目前全球最先进的 DRAM 工艺发展到了第五代，美光将其称为 1β DRAM，而三星将其称为 1b DRAM。
美光于去年 10......
业界最快：SK 海力士开发出数据传输速率达 8Gbps 的服务器 DDR5 内存(2022-12-08)
合并阵列双列直插内存模组样品，这是目前业界最快的服务器 产品。该产品的最低数据传输速率也高达 8Gbps，较之目前 DDR5 产品 4.8Gbps 提高了 80% 以上。本文引用地址：官方称，该 MCR DIMM 产品采用......
WD Blue与创作者｜KurTips:做有温度的设计教程,帮助更多人追寻热忱(2023-10-16)
自媒体频道KurTips里每一期设计教程的标准开头，如果不是熟悉他的观众，或许会以为自己误点入一个旅行Vlog，而熟悉他的老朋友们早已了解这开头数十秒的只言碎语，是正式进入“课堂”前轻松的休息和闲谈。本文引用地址......
三星组建HBM产能质量提升团队，加速AI推理芯片Mach-2开发(2024-04-02)
三星组建HBM产能质量提升团队，加速AI推理芯片Mach-2开发;三星组建了由DRAM产品与技术负责人Hwang Sang-joon领导内存产能与质量提升团队。本文引用地址：
据外媒报道，近日，三星......
相关企业
;香港通纳科技有限公司;;通纳科技代理经销全球各名牌厂家之产品。 主营产品: MAXIM产品, 主要涉及应用于放大器，比较器，模拟开关,多路复用器，汽车电子，电源和电池管理等方面的芯片. TI产品
;潍坊三益盐化有限公司;;利用地下丰富的卤水资源生产出品质优良的工业及业务用原盐，由于采用了目前国内比较先进的加工干燥技术，使我们能够满足广大客户对较高质量用盐的需求，产品远销日本，并且得到用户的认可
;晶诚(郑州)科技有限公司;;公司名称:晶诚(郑州)科技有限公司 注册资本：美元 伍千万元整 公司类型：外商投资的有限责任公司（台港澳法人独资） 公司地址：河南
;某某视得清电子技术有限责任公司;;北京视得清电子技术某某某某公司（www.tongke2345.net）成立于8888年，主要产品： 视频抗干扰系列，小型复用系列，大型复用系列，视频光端机，硬盘
Storage Flash Memory）、利基型动态随机存取内存（Specialty DRAM）及移动随机存取内存（Mobile DRAM），运用技术自主之优势及谨慎规划的产能策略，建立极具弹性的生产体系，并发
器 波分复用 分差复用器 保偏 瞄准仪 衰减器 滤波器 法拉第旋转镜 供应: LC光纤连接器,ST 光纤连接器, Patch Cord SC光纤连接器,Patch Cord MTRJ光纤连接器,FC
;北京拓瑞（TORRY）光通信;;我们公司的主要产品有：波分复用器（WDM，CWDM，DWDM）（4波波分复用器，8波波分复用器，16波波分复用器，32波波分复用器，1310nm，1550nm波分复用
;北京拓瑞光通信;;我们公司的主要产品有：波分复用器（WDM，CWDM，DWDM）（4波波分复用器，8波波分复用器，16波波分复用器，32波波分复用器，1310nm，1550nm波分复用
;无限光通讯（深圳）有限公司;;我公司的光无源器件产品种类丰富，有单多模耦合器、齿形盒耦合器、光准直器、波分复用器、粗波分复用器、密波分复用器、上下行波分复用器、隔离器、自由空间隔离器、环形器、机械
;山东艾富莱;;承接中央空调工程和空调主机和摸端和空调配件,我公司生产的别墅用机组分水水和水风的，有全热回收，可以供热水，节约用电；新型的水温空调适合农村，采用地下水，夏天可以保持22度，耗电