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2亿美元，安世半导体德国基地扩产;6月27日，半导体制造商Nexperia（安世半导体）宣布，计划投资2亿美元（约合人民币14.5亿元）开发碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等下一代宽带隙半导体......
宽带隙技术发展现状 不断演变的宽带隙半导体技术; 简介 几乎所有采用电气控制、通信、电力、驱动和传感的技术系统都已实现了电气化以及电气连接。从20世纪50年代开始，硅(Si) 一直......
功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时，栅极电阻选型注意事项;本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势，以及如何权衡利弊。主要......
其空间映射到分割的样品上，确定每个样品中FA和MA阳离子的比例。 第三，带隙自动表征工具通过将反射光谱转换为Tauc曲线，并使用递归分割和迭代拟合算法在Tauc峰值之间找到最佳拟合线性回归线来计算每个样品的直接带隙。最后......
上海微系统所在Nature Electronics报道新型碳基二维半导体材料基本物性研究重大进展;以石墨烯为代表的碳基二维材料自发现以来受到了广泛关注。然而，石墨烯的零带隙半导体......
是激发电子使之从束缚状态释放到自由状态以进行导电所需的最小能量（表 1）。 表 1：区分宽带隙半导体（如 GaN 和 SiC）与硅半导体的关键属性摘要。（表格来源：Art Pini） 用宽带隙半导体制造的器件相比传统半导体材料（如硅）具有......
获得了领先的应用技术知识并据此开发出让我们的客户和终端用户更加满意的全新和改进型充电与放电系统。我们期待与英飞凌一起进一步开发基于氮化镓和碳化硅（SiC）的功率解决方案，推动可再生能源和电动汽车的发展。” 由碳化硅和氮化镓制成的宽带隙半导体......
新一代化合物半导体有望在2027年大规模生产？;2月20日，据日刊工业新闻报道，电子元器件厂商Qualtec将于2027年开始大规模生产超宽带隙半导体材料二氧化锗 (GeO2) 晶圆。 据了......
新一代化合物半导体有望在2027年大规模生产？;2月20日，据日刊工业新闻报道，电子元器件厂商Qualtec将于2027年开始大规模生产超宽带隙半导体材料二氧化锗 (GeO2) 晶圆。本文......
面临的技术挑战 在制造方面，充分发挥宽带隙半导体的潜力面临接二连三的挑战，其中包括提高晶圆良率，降低缺陷率和成本，以及通过严格的测试验证芯片的长期可靠性。设计人员必须仔细评估寄生参数和热特性，同时......
于混合动力飞机和全电动城市飞行器。 据悉，双方已经对探索宽带隙半导体材料对飞机的好处进行了全面的评估，SiC/ 等有助于开发更小、更轻、更高效的高性能电子器件和系统，特别是在需要高功率、高频或高温操作的应用中。 此次......
极性器件的优势较大（实现了开关权衡），宽带隙半导体也是一种可以尽量减少不利影响的替代性技术解决方案。图1重点介绍了宽价带的优势（粒子不能占据这个带区）。“宽带隙”材料的主要优点在于，在阻断模式下可成为较好的隔离器（更接......
致力于开发200mm晶圆。此外，意法半导体表示，正在改变其全球制造业务，增加300mm制造能力，并重点关注宽带隙半导体，以支持其2000亿美元以上的收入目标。 据了解，意法半导体大批量STPOWER碳化......
的禁带意味着更高的激发要求，即电子和空穴更难以形成，这 也导致了宽带隙半导体在不需要工作时可以保持类似绝缘体的特性，这也使得其具 有更好的稳定性，宽禁带同时也有助于提高击穿电场强度，进而......
的高需求是由于硅基功率器件接近其物理极限，特别是对于高速或大功率应用，宽带隙半导体代表了当前替代品中最有前途的选项，而SiC在材料特性和供应链成熟度方面都处于最前沿。此外，电动汽车、充电基础设施、绿色......
） •数字控制拓扑和宽带隙半导体 •厚度：65mm，带盖子（1.5U） •优化了传导水冷底板的设计 •5年保......
予EcoVadis金奖，在其行业内被评为前5%的公司之一，重申了其积极推动行业变革的承诺。 此外，Nexperia通过引入行业领先的宽带隙半导体、能量采集器件，以及对其功率半导体的持续投资，提高......
电压为180-528VAC •高达94%的效率 •最多可10台并联使用（31.5kW） •数字控制拓扑和宽带隙半导体 •厚度：65mm，带盖子（1.5U） •优化了传导水冷底板的设计 •5年保......
断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等各种工业应用中越来越受欢迎。这也进一步证明了Nexperia与三菱电机公司(MELCO)之间成功的战略合作伙伴关系，两家公司联手将SiC宽带隙半导体......
得该技术甚至可以在高工作温度下使用。 宽带隙参数 宽带隙半导体的带隙比硅或砷化镓 (GaAs) 等普通半导体宽得多。这自然会转化为更大的击穿电场，并转......
的客户面临的挑战是提供安全可靠的电源电子设计，这些设计融合了高能量密度电池、高效电机、智能电源逆变器和宽带隙半导体等新技术，以实现高功率和高性能，从而推动行业电气化并满足不断增长的能源需求，为世界提供动力。”  泰克......
（1.61 英寸）（含外盖），符合 1U 高度 • 效率⾼达 94% • 最多可并联 10 台（31.5kW），有功电流共享 • 采用数字控制拓扑及宽带隙半导体 • 内置 12V/1A 辅助电源，用于......
Onsemi：使用SIC等功率器件为碳中和做出的贡献; 为可再生能源提供动力以创造更美好的明天，因此，不仅是 GaN 和 SiC 等宽带隙半导体，还有围绕电力电子、智能电网、微电网、宏观......
也把国内外新的行业标准与测试方法带给客户。在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙半导体技术方面，泰克为工程师提供了强大的功率分析仪和软件，轻松解决测试难题。泰克致力于成为智能汽车测试的领跑者，聚焦智能座舱、自动......
电池电压的升高，对于转换器更高功率密度，更 低开关损耗的要求，宽带隙半导体器件，例如SiC和 GaN，将扮演越来越重要的角色。功率转换系统还可 以帮助电池组更好地管理分布式发电系统中的功率 波动，并使......
设计融合了高能量密度电池、高效电机、智能电源逆变器和宽带隙半导体等新技术，以实现高功率和高性能，从而推动行业电气化并满足不断增长的能源需求，为世界提供动力。”泰克科技总裁 Chris Bohn 表示：“许多......
的客户面临的挑战是提供安全可靠的电源电子设计，这些设计融合了高能量密度电池、高效电机、智能电源逆变器和宽带隙半导体等新技术，以实现高功率和高性能，从而推动行业电气化并满足不断增长的能源需求，为世界提供动力。” 泰克科技总裁Chris......
期这样做的努力产生了不一致的结果。边缘位错、三角缺陷和其他问题减缓了 SiC 作为半导体的商业化，尽管它有许多潜在的应用，但它的使用仍然相对较少。 但是，是什么让 SiC 成为如此有效的半导体呢?作为一种宽带隙半导体......
4月，Coherent曾宣布，其基于CHIPS法案Coherent获得1500万美元的资金，用于加速下一代宽带隙和超宽带隙半导体（分别为碳化硅和单晶金刚石）的商业化。Coherent表示，由于......
进的测试方案，同时也把国内外新的行业标准与测试方法带给客户。在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙半导体技术方面，泰克为工程师提供了强大的功率分析仪和软件，轻松解决测试难题。泰克......
也把国内外新的行业标准与测试方法带给客户。在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙半导体技术方面，泰克为工程师提供了强大的功率分析仪和软件，轻松解决测试难题。泰克......
不断将自身产品与新的测试需求相结合，为客户提供更全面、更高效、更先进的测试方案，同时也把国内外新的行业标准与测试方法带给客户。在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙半导体技术方面，泰克......
为增益介质可用于制造激光器；这可通过泵送的方式使电流通过结，在原子进入较低能带时引起光子共振发射，从而产生相干激光束输出来实现。半导体激光器基于直接带隙材料（如GaAs 和InP），与间接带隙材料（硅）相比......
，符合AEC-Q200标准。特性和应用主要应用• 快速开关电源转换器和逆变器• 适合汽车、可再生能源和工业驱动应用主要特点和优势• 通过直流偏置效应增加了电容，具有更高的额定电压• 适合SiC和GaN等宽带隙半导体......
硅（SiC）是一种宽带隙半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和迁移率等优点。相比于硅基IGBT，碳化硅功率器件具有更低的导通电阻和更高的开关频率，能够显著提升新能源汽车的性能和能效。 电机......
讨论宽带隙半导体背后的技术、市场前景和机遇; GaN Systems 销售和营销副总裁 Larry Spaziani 在接受 记者采访时 谈到了宽带隙半导体背后的技术、市场前景和机遇。 记者......
元素的各类晶体材料具有优良的热电和制冷效应，是长期以来热电制冷器件领域的重要技术方向，具有广阔的应用前景。 在制备方面，锑化物窄带隙半导体与砷化镓、磷化铟等III-V族体系的结构特性、制备......
在应对这些挑战方面取得了重大进展。在批量生产、外延生长和器件制造方面取得的进步稳步降低了成本，并提高了氮化镓和碳化硅器件的质量。此外，随着规模经济的实现，GaN/SiC与Si的价格差距有望缩小，未来宽带隙半导体......
的智慧出行测试解决方案。 碳索未来，为打造一个绿色、清洁的产业生态而创新。 我们生活在一个不断变化的世界中，对有限的能源资源的管理已变得更加重要。 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙半导体技术的进步使清洁、可再......
越多地使用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）材料来替代硅（Si）以提高效率。乐泰ABP 8068TI可适用于传统硅和新一代宽带隙半导体以及其它功率分立器件。这款导热为165 W/m-K的超......
）和氮化镓（GaN）材料来替代硅（Si）以提高效率。乐泰ABP 8068TI可适用于传统硅和新一代宽带隙半导体以及其它功率分立器件。这款导热为165 W/m-K的超......
、高效的智慧出行测试解决方案。 碳索未来，为打造一个绿色、清洁的产业生态而创新。 我们生活在一个不断变化的世界中，对有限的能源资源的管理已变得更加重要。 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙半导体......
的智慧出行测试解决方案。碳索未来，为打造一个绿色、清洁的产业生态而创新。我们生活在一个不断变化的世界中，对有限的能源资源的管理已变得更加重要。 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙半导体技术的进步使清洁、可再......
限的能源资源的管理已变得更加重要。 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙半导体技术的进步使清洁、可再生和可靠的能源生态系统得以发展，同时也为工程师带来了新的挑战。电源产品整体评价，效率......
逆变器到电驱动单元中在电动汽车设计中具有显著的优势，不仅可以提高效率 、降低热损失 、使单元更加紧凑，还可以提高产品的兼容性和灵活性 ，为汽车制造商提供了更多的选择 。 -宽带隙半导体的使用- 与硅 IGBT......
电子领域，GaN和SiC取代硅基电子器件，正是由于它们在这些方面比硅材料性质更大的优势。 GaN 和 SiC 都属于所谓的宽带隙半导体，带隙越宽，原子之间的键越牢固，击穿电压就越高。GaN 的带隙......
少具有两个通道的示波器来分离共模和差模噪声分量的简单方法，这使得优化共模和差分噪声成为可能。 - 模式滤波器组件分开，从而为设计输入滤波器提供更准确的数据。 和宽带隙半导体......
氮化镓 (GaN) 带来电源管理变革的 3 大原因; 作为提供不间断连接的关键，许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密度。 氮化镓技术，通常称为 GaN，是一种宽带隙半导体......
技术来提高能效和功率密度。 氮化镓技术，通常称为 GaN，是一种宽带隙半导体材料，越来越多地用于高电压应用。这些应用需要具有更大功率密度、更高能效、更高开关频率、更出色热管理和更小尺寸的电源。除了数据中心，这些......
宽带隙之战才刚刚开始，SiC和GaN谁更有优势？; 【导读】从2001年左右开始，化合物半导体氮化镓引发了一场照明革命，从某些方面来看，这是人类历史上最快的技术变革。根据......

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