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器件与半导体元器件工程技术研究中心”顺利通过认定。 资料显示，美浦森半导体成立于2014年，是国内专业从事硅与碳化硅器件研发、生产和销售的半导体公司，其在深圳、上海设有研发中心。此次......
项重要步骤就是采用SiC开关。 崩溃场强度超出10倍碳化硅多项特性胜出 为了了解硅和碳化硅解决方案之间的差异，必须明确指出：碳化硅装置属于所谓的宽带隙半导体。硅与SiC材料......
市场规模节节攀升，第三代半导体成收购的热门赛道;以碳化硅与氮化镓为代表的第三代半导体市场正如火如荼地发展着，而“围墙”之外的企业亦对此赛道十分看重。近日，中瓷电子资产重组重新恢复审核，其对......
市场规模节节攀升，第三代半导体成收购的热门赛道;以碳化硅与氮化镓为代表的市场正如火如荼地发展着，而“围墙”之外的企业亦对此赛道十分看重。近日，中瓷电子资产重组重新恢复审核，其对......
器件可有效提高光伏发电转换效率，光伏逆变器的转换效率可从硅基的96%提升至SiC MOSFET的99%以上，能量损耗降低50%，设备循环寿命提升50倍。这使得光伏逆变器拥有更大替换碳化硅的动力。伴随......
全球功率系统领域的半导体领导者，英飞凌在第三代半导体如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）领域持续布局，通过技术创新、产能扩张及市场应用拓展，为光储、智能家居、新能源汽车等低碳化......
全球功率系统领域的半导体领导者，英飞凌在第三代半导体如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）领域持续布局，通过技术创新、产能扩张及市场应用拓展，为光储、智能家居、新能源汽车等低碳化......
碳化硅与氮化镓的未来将怎样共存？;氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 半导体现已量产并迅速扩大市场份额。 据市场研究公司 Yole 称，到 2027 年底，GaN 和 SiC 器件......
碳化硅与氮化镓的未来将怎样共存？;氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 半导体现已量产并迅速扩大市场份额。 据市场研究公司 Yole 称，到 2027 年底，GaN 和 SiC 器件......
新能源电驱系统关键技术及发展趋势;　　第三代半导体材料可以满足现代社会对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等新要求，且体积小、污染少、运行损耗，正逐步成为发展的重心。 　　当前主流的第3三代半导体材料为碳化硅与氮化硅......
自身实力要过硬，还要有外部竞争激励才能稳步前行！ Si、SiC、GaN的差异与比较 随着硅材料的瓶颈日益突出，以碳化硅和氮化镓为主的第三代半导体逐步受到行业青睐。对于三者的区别比较，陈清源认为，可以......
碳化硅/氮化镓元件开始商用，电子产业迎来大革命; 来源：内容来自新电子 ，谢谢。 随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效电晶体(MOSFET)等元件上，电力......
(SiC)创造大量需求。然而，当碳化硅乘着节能减碳的浪潮，一跃成为功率电子的当红炸子鸡之际，在中、低功率应用具备优势的氮化镓(GaN)也紧追在后。研究机构预期，碳化硅与氮化镓将自2020年起，在中......
器件组合，Si-MOSFET, 可控硅与功率二极管，IGBT 等功率分立器件，以及各类型功率模块如双极性功率模块，碳化硅模块，IGBT模块。丰富的产品系列能覆盖光伏储能，工业......
极听取客户的建议来对产品性能进行有针对性的优化，为自身产品的升级与创新带来了积极效应。 技术迭代步履不停 树立高效功率器件新标准本届慕尼黑上海电子展，瑞能半导体展出了包括碳化硅器件组合，Si-MOSFET, 可控硅与......
，电子饱和漂移速率是硅的2倍，临界击穿场强更是硅的10倍。在硅基半导体器件性能已经进入瓶颈期时，碳化硅材料的优异特性让它成为了下一代功率半导体器件的理想原材料。 图1  4H型碳化硅与......
研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。 氧化镓能否与碳化硅竞争？ 目前以碳化硅为代表的第三代半导体材料发展风头正劲，全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示，第三代半导体包括碳化硅与氮化镓，整体产值又以碳化硅......
研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。 氧化镓能否与碳化硅竞争？ 目前以碳化硅为代表的第三代半导体材料发展风头正劲，全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示，第三代半导体包括碳化硅与......
上看，虽然SiC MOSFET市场规模相对还不太大，但增长速度足够快。 面对市场竞争日益激烈的SiC MOSFET市场，英飞凌电源与传感系统事业部大中华区开关电源应用高级市场经理陈清源表示：“我更愿意把碳化硅......
在于它们的颜色和透明度。氮掺杂单晶碳化硅 4H-SiC 的独特之处在于几乎透明，据我所知其颜色接近橄榄石。明显的区别在于，多晶碳化硅是黑色且不透明的，如图 6 所示。当被......
有效降低开关损耗、提高极限工作温度、提升系统效率，目前全球已有超过 20 家汽车厂商在车载充电系统中使用碳化硅功率器件；碳化硅器件应用于新能源汽车充电桩，可以减小充电桩体积，提高充电速度。SiC 在新......
马斯克看衰的车规级SiC，到底前景如何？;前言：碳化硅上车现在主要面临两大问题：一是昂贵，二是供应短缺。特斯拉减少使用碳化硅的比例，笔者认为更多还是从节省成本的角度考虑。碳化硅市场大有前景，但国......
共14家！8英寸碳化硅衬底企业进度一览;当下，电动汽车渗透率不断增高，同时整车电气架构向800V高压方向演进，这一趋势推动了市场对SiC器件的需求。其中，SiC衬底作为成本最高、技术......
特斯拉虚晃一枪，碳化硅高速迈进;被称为“未来十年黄金赛道”的碳化硅行业近日又随着华为发布SiC电驱平台再被关注，在近期特斯拉大幅减少碳化硅使用风暴下，业界在一次次的探讨中，逐步廓清了碳化硅......
特斯拉虚晃一枪，碳化硅高速迈进;被称为“未来十年黄金赛道”的碳化硅行业近日又随着华为发布SiC电驱平台再被关注，在近期特斯拉大幅减少碳化硅使用风暴下，业界在一次次的探讨中，逐步廓清了碳化硅......
未实现批量商用的企业。 国产SiC衬底/外延玩家 目前，无论是碳化硅衬底还是外延，主流尺寸都是4英寸和6英寸。资料显示，当衬底/外延从6英寸扩大到8英寸时，可切割出的碳化硅芯片数量有望从448颗增加到845颗。当前......
尽有”、一应俱全。 单就碳化硅的使用量而言，据某车企分析，小米SU7的SiC MOSFET用量非常多，“主驱、车载电源、热管理和充电网络都搭载了碳化硅芯片”。单电机版本约为64颗，其中主驱约36颗，OBC约......
咨询此前的数据统计，2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元，年成长41.4%，预计2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元。 在广阔的市场前景推动下，全球各大碳化硅......
2022年国内新立项/签约SiC项目汇总;2022年，碳化硅赛道好不热闹。 国际上，Wolfspeed启动了全球首个8英寸SiC晶圆厂；II-VI正式更名为Coherent，其1200V......
）碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂，预计2025年开始量产。 碳化硅尺寸越大，单位芯片成本越低，故6英寸向8英寸转型升级是技术发展的必然趋势。业界人士称，预计从2026年至2027年开始，现在......
 Wolfspeed 的战略合作将确保碳化硅（SiC）半导体技术的供应，并成为下一代路虎∙揽胜、路虎∙发现、路虎∙卫士、捷豹汽车电动化的重要组成部分• 下一代电动汽车逆变器通过采用碳化硅（SiC）技术......
头部企业出于对供应稳定的考虑，还会通过收购等手段布局衬底制造。比如罗姆在2009年收购了德国SiC衬底和外延片供应商SiCrystal，ST在2019年收购了碳化硅衬底厂商Norstel等。而早在2017年，在《比亚迪汽车工业有限公司碳化硅......
碳化硅MOSFET在新能源行业有怎样的应用和发展;1、碳化硅场效应管SiC-MOSFET 在碳化硅电力电子器件的研究中，SiC-MOSFET是最受关注的器件。在Si材料接近理论性能极限的今天，SiC......
一步提升电动汽车动力性能，全球各大车企已将目光锁定在新一代SiC（碳化硅）功率元件，并陆续推出了多款搭载相应产品的高性能车型。随着越来越多车企开始在电驱系统中导入SiC技术，预估2022年车用SiC功率......
，Coherent宣布了两个重大消息，分别为推出其8英寸碳化硅外延晶圆（SiC epi-wafers）和以2000万英镑（约1.85亿人民币）出售英国晶圆厂。 Coherent官微消息显示，将其......
包括汽车、太阳能、储能等应用领域纷纷加大碳化硅应用，鉴于SiC材料的优越特性，行业客户对SiC发展前景充满信心，全球主要的SiC厂商如英飞凌、ST和安森美等都在大举扩产建能。在2023年半......
8英寸时代：国产碳化硅衬底如何升级？;当下，新能源汽车、5G通讯、光伏、储能等下游领域迸射出的强烈需求，正驱动着碳化硅（SiC）产业在高速发展，与此同时多方纷纷加强研发力度，旨在突破技术壁垒，抢占......
意法半导体 ST在全球整体的SiC业务中（从晶圆到器件甚至延伸至衬底）均占据着较大的竞争优势。受纯电动汽车（BEV）应用的推动，碳化硅功率器件行业保持强劲增长，而ST长期以来在SiC功率......
湖南一8英寸碳化硅项目设备入场;近日，三安半导体在两方部署的碳化硅项目均刷新进度：湖南与重庆两地工厂的设备搬入完成，这2条8英寸SiC线即将迎来投产，合计产能96万片。 据称......
需求量将达到110万片。 碳化硅(SiC)成争夺热门 近日，意法半导体发布消息称，其将于意大利兴建一座整合式碳化硅......
电机碳化硅技术指标是什么 碳化硅国家技术标准介绍;电机碳化硅技术指标是什么 碳化硅国家技术标准介绍 以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视，并在多个领域得到广泛的应用，并且......
法半导体新签协议，扩大碳化硅衬底供应；世纪金芯与日本某客户签订了SiC衬底片订单；创微微电子中标碳化硅设备订单；羲和未来科技与英飞凌签订一份合作伙伴备忘录，后者将为前者提供SiC等功率半导体器件；全球......
意法半导体第3代SiC碳化硅功率模块，这品牌用上了？;现代-起亚集团的 E-GMP 纯电平台以 800V 高电压架构、高功率充电备受肯定，原先 E-GMP 平台在后马达 Inverter 逆变......
亿美元的产能扩充计划。 近年来，在新能源汽车、5G、太阳能、光伏等应用领域的强势带动下，碳化硅市场需求呈现出井喷式增长的态势。据TrendForce集邦咨询此前的数据统计，2023年整体SiC功率......
揭秘碳化硅芯片的设计和制造;揭秘碳化硅芯片的设计和制造 众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅......
以国际大厂发展脚步最快，规划在2022~2024年导入量产阶段；许多后进业者亦将由4吋直接转至8吋SiC晶圆生产，欲以弯道超车方式取得在SiC产业一席之地。 资料显示，碳化硅......
厂 根据规划，该合资工厂全部建设总额预计约达32亿美元（约合人民币228.32亿元），主要从事碳化硅外延、芯片生产。项目在取得各项手续批复后开始建设，将采用ST的SiC专利......
功率器件行业保持强劲增长，而ST长期以来在SiC功率器件的研发方面投入了大量资源，在推动碳化硅功率器件市场快速发展的同时，也确立了ST在器......
120亿+15亿，国内2个8英寸碳化硅项目迎来新进展;近日，士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目在海沧正式开工。 该项目总投资120亿元，建设一条以SiC-MOSEFET为主......
轨道列车与电动汽车抢碳化硅“分配权”，碳化硅引领电源驱动行业大变革; 【导读】碳化硅在轨道交通领域越来越”抢手“。2个月前，西安一SiC地铁线路将开展装车和试验；近日，又有2列SiC列车......

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出一批公司。这些公司的战略计划，培养和支持，将突破碳化硅（SiC）技术和研究到产品的商业电力和能源市场。公司形成战略协同、垂直整合价值链的SiC技术。在这种结构中，SiC技术
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