【导读】在接受FT采访的时候，安森美CEO表示，公司明年的产年已经卖光了。Wolfspeed的CEO则同时指出，在他看来，SiC在未来几年的复合增长率高达14%。

根据Yole报道，电气化和高级驾驶员辅助系统 (ADAS) 将推动半导体芯片市场从 2021 年的441亿美元增长到 2027 年的807亿美元，复合年增长率 (CAGR) 达到 11.1%。

电气化将需要SiC等新型衬底，预计2027年SiC晶圆需求量将达到110万片。

碳化硅(SiC)成争夺热门

近日，意法半导体发布消息称，其将于意大利兴建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)衬底制造厂，以支持意法半导体客户对汽车及工业碳化硅组件与日俱增的需求，协助其向电气化迈进并达到更高效率。新厂预计2023年开始投产，以实现碳化硅衬底的供应在对内采购及行业供货间达到平衡。

据悉，这座新碳化硅衬底厂比邻意法半导体位于意大利卡塔尼亚(Catania)现有的碳化硅组件制造厂，未来将成为欧洲首座6吋碳化硅外延衬底的量产基地，整合生产流程中所有工序。意法半导体也致力于下一步在此开发8吋晶圆。

此计划对意法半导体推动碳化硅业务垂直整合的策略而言，是极为关键的一步。该项为期五年的投资计划涉及金额7.3亿欧元，将由意大利政府透过国家复苏暨韧性计划提供资金援助，全面完工后可新增约700个直接就业机会。意法半导体正在推动其全球制造业务的转型升级，藉由提升8吋晶圆制造产能并强化专注于宽禁带半导体业务，以支持其突破200亿美元营收的远大目标。

此外，另据了解，意法半导体先进的量产碳化硅产品STPOWER SiC，目前由位于卡塔尼亚及新加坡宏茂桥的晶圆厂进行生产，封装测试等后端制造则在中国深圳及摩洛哥的布斯库拉完成。基于上述制造实力，新碳化硅衬底厂的投资对意法半导体于2024年之前实现40%衬底来自内部采购的目标来说，无疑是一重大里程碑。

四大厂商宣布扩产SiC衬底

对SiC芯片的兴趣激增，特别是因为它们在快速充电、电池供电的电动汽车中的实用性。芯片制造商纷纷做出回应，增加碳化硅产能并开设新工厂。像CHIPS+ 法案这样的政府财政激励措施是对公司投资用于工业和汽车应用的功率半导体的额外刺激。

继今年早些时候在纽约马西开设Wolfspeed的莫霍克谷工厂后，该公司最近宣布再次扩建到附近的达勒姆工厂。新工厂位于北卡罗来纳州查塔姆县。Wolfspeed打算在现场生产200毫米SiC晶圆。

在距离达勒姆仅40英里的445英亩土地上，第一笔13亿美元的投资计划于2024年进行。到2030年，总投资可能达到50亿美元，创造1,800个新工作岗位。该设施最终将在占地445英亩的场地上占地100万平方英尺，使其成为世界上最大的SiC材料设施。

先进半导体制造的行业领导者希望通过 CHIPS+ 法案的资金支持其新成立的业务。除了获得当地政府的投资外，Wolfspeed还通过Wolfspeed捐赠学者计划获得了北卡罗来纳州农业技术州立大学的本地人才和专业知识，该计划于2020年开始，为期两年。

电车智能化对SiC的需求持续强劲

据Wolf预测，到26年SiC相关器件市场有望达到 89 亿美元，衬底市场有望达到 17亿美元，合计市场超百亿美金。2021年电动汽车销量约为400万辆，到2030年预计为2450万辆，增长6倍；据TrendForce，随着越来越多车企开始在电驱系统中导入SiC技术，预估2022年车用SiC功率元件市场规模将达到10.7亿美元，至26年将攀升至39.4 亿美元，CAGR约为29.8%。

安森美预计22年资本支出达9.35亿美元，增幅为110%，未来两年投资力度将由6%增至12%（预计22年资本开支为总营收的12%-14%），主要用于扩充300mm晶圆厂的产能（迈向12英寸是保障高毛利的方式之一，且拥有20-30年的活力）和SiC供应链环节，未来5年内的Sic产能将会是现在的1.3倍。

21年8月安森美斥资4.15亿美元现金收购SiC生产商GTAT以保障材料供应链的安全，并将于23年获得全面运营控制权。通过收购 GTAT，安森美将能够涵盖从SiC衬底到封装的所有领域。预计到22年底，其SiC收入的大部分将来自 GTAT。8月12日，安森美新罕布什尔州碳化硅工厂落成，22年年底可将SiC衬底产能同比增加五倍。此次扩张使安森美能完全控制SiC制造供应链，包括SiC粉末和石墨原料的采购、封装好的SiC器件的交付。据管理层指引，来自SiC的营收22年将同比增长两倍，到23年将达10亿美元。

安森美半导体位于新罕布什尔州哈德逊的碳化硅（SiC）工厂剪彩落成。据悉，该基地将使安森美2022年底SiC晶圆产能同比增加五倍。此次扩张使安森美能完全控制SiC制造供应链，包括SiC粉末和石墨原料的采购、封装好的SiC器件的交付。安森美电源方案部执行副总裁兼总经理Simon Keeton表示，为实现衬底产能的增长，公司已扩展到第二座大楼，并计划继续提升，为客户提供SiC晶圆。

中国厂商：奋起直追，迎头赶上

虽然从市占率来看，我国与国外大厂相比仍有较大的差距，但是近些年中国厂商也是迎头赶上，在积极研发8英寸衬底的同时，也在加大马力扩产衬底产能，并取得了不错的成绩，比如山东天岳签订了近14亿元的订单、合肥露笑也与东莞天域签订了订单合同…

2018年-2020年，山东天岳碳化硅衬底产量（各尺寸产量简单相加数）合计分别为 11,463 片、20,159 片和 47,538 片，主要用于半绝缘型碳化硅衬底的生产，2021全年山东天岳碳化硅衬底产量约6.7万片。

去年招股说明书显示，山东天岳拟将募集的25亿资金，全部投向碳化硅半导体材料项目，该项目主要用于生产6英寸导电型碳化硅衬底材料，预计在2026年100%达产，将新增碳化硅衬底材料产能约30万片/年。2021年山东天岳募投项目“碳化硅半导体材料项目”在上海临港正式开工建设，预计2022年三季度实现一期项目投产。最新消息显示，上海天岳碳化硅半导体材料项目已经成功封顶，以导电型产品为主，济南工厂部分设备向生产导电型产品转换，目前已经对部分客户形成小批量供货。

露笑科技在今年7月披露，目前公司已经到位280台长晶炉，预计7月能出产500片至1000片碳化硅衬底片，8月产出1000片至2000片，受限于一些辅料耗材进口方面的影响，预计到今年年底能实现月产能5000片，明年4月份左右能实现月产能万片。

7月9日，露笑科技披露了非公开发行情况报告书，募集资金25.67亿元，将投向第三代功率半导体（碳化硅）产业园项目、大尺寸碳化硅衬底片研发中心项目等。据证券日报报道，露笑科技相关负责人表示，目前公司募集资金已全部到位，下一阶段将全力推进产能建设，随着后端相应的切磨抛进口设备到位，预计能够在2023年实现年产20万片的产能规划。

晶盛机电在去年10月发布定增预案，拟向不超过35名（含）特定对象发行募集资金总额不超过57亿元（含本数），其中31.34亿元用于碳化硅衬底晶片生产基地项目。今年2月，晶盛机电“碳化硅衬底晶片生产项目”也落户宁夏，据央广网报道，该项目总投资50亿元，将分两期建设，一期投资总额33.6亿元，建成达产后预计年产6英寸碳化硅晶片40万片。

东尼电子在2021年4月公布的《2021年度非公开发行A股股票预案》中披露，计划对年产12万片碳化硅半导体材料项目投资4.694亿元，整个项目预计建设期36个月。9月14日，东尼电子在2022年半年度业绩说明会上表示，公司2021年度非公开发行募投项目“年产12万片碳化硅半导体材料”预计将于2023年11月达产，项目全部投产后将形成年产12万片SiC的产能。

天科合达在北京、徐州、新疆和深圳布局SiC项目，其中江苏天科合达半导体项目于2019年年底顺利建成投产，项目总投资5亿元，可实现年产4至8英寸碳化硅衬底6万片；北京项目总投资约9.5亿元，计划于今年完工投产，建成后可年产SiC衬底12万片；新疆项目总投资1亿元，预计建成后安装100台套单晶生产设备，可达到年产单晶衬底1500锭、单晶原料50吨的规模，今年5月消息预计今年6月竣工达产，不过截至稿件发表前，未有投产消息传出；深圳项目，则是于去年9月天科合达竞得深圳市第三代半导体项目用地，此外并未有过多消息传出。

据南方日报6月报道，南砂晶圆已经完成6英寸碳化硅衬底批量生产。南砂晶圆总部基地项目于去年9月封顶，总投资9亿元，用地面积36.8亩，规划建筑面积91372.47㎡，项目建成稳定运营后可年产碳化硅各类衬底片和外延片20万片。

今年3月，江苏超芯星总投资65亿元的第三代半导体碳化硅衬底关键技术研发及产业化项目签约南京，此前超芯星联合创始人袁振乾曾透露，他们三期扩产规划已经启动，规划产能30-50万片，是目前产能的15-25倍。

除了上述厂商外，烁科晶体在今年实现了国内首家8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产；合肥世纪金芯年产3万片6英寸碳化硅单晶衬底项目于今年9月9日正式投产；2021年6月国宏中能年产11万片碳化硅衬底片项目投产；科友第三代半导体产学研聚集区项目一期于8月18日投用，预计年底全部达产后可形成年产能10万片6英寸SiC衬底的生产能力；2021年9月，同光晶体年产10万片碳化硅单晶衬底项目在涞源投产；山西天成半导体预计在2022年内实现6英寸碳化硅衬底产业化…

中国台湾方面，台湾汉磊SiC 基板月产能今年将提升3倍至 3000 片、3 年内扩充至 5000 片。汉磊暨嘉晶董事长徐建华在 2021年表示，嘉晶预计将投入5,000万美元扩产，将SiC基板产能扩增7～8倍。

总结

国内厂商加速布局，发展空间巨大。国内企业也在积极研发和探索SiC器件的产业化，已经形成相对完整的SiC产业链体系，部分产业节点已有所突破。中国厂商在围绕SiC衬底生产上正在缩短与国外差距， 未来若能在6英寸和8英寸的SiC晶圆良率和成本上进一步实现突破是竞争的关键。

来源：贤集网

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