资讯
伺服驱动器故障代码_伺服驱动器参数详解(2023-04-13)
伺服驱动器故障代码_伺服驱动器参数详解; 伺服驱动器故障代码
伺服驱动器又称为“伺服控制器”、“伺服放大器”，是用来控制伺服电机的一种控制器，其作用类似于变频器作用于普通交流马达，属于......
STM32时钟系统详解(2024-01-29)
ENDP
通过这段汇编代码可以看出，程序在执行main函数之前，会先执行SystemInit函数。
2.2 SystemInit函数详解
void SystemInit......
电气工程师进阶知识汇总：电机启动的五种常见方式(2024-04-16)
改变电网频率来改变电机的转速和转矩。
⑤.软启动器启动：利用可控硅的移相调压原理来实现电动机的调压。
2.伺服电机控制接线图
3.编码器基本参数详解
4.串口RS485、RS422、RS232......
东沃汽车充电桩AC 220V雷击浪涌防护方案(2023-04-13)
2R600A(I)-N和2R3000A(I)-N，参数详情如下：
>> 压敏电阻20D471K参数：
最大通流能力6.5KA（8/20us组合波，2Ω），考虑到压敏电阻有衰减问题，该方......
东沃电子TWS无线蓝牙耳机ESD静电保护防护方案(2023-05-06)
的自恢复保险丝PPTC，在充电仓中可以有效地保护电流过大、过热的问题。有关自恢复保险丝DW-TSM010参数详情，可向东沃电子索取产品手册。
TWS无线蓝牙耳机静电保护问题，推荐客户选用东沃DW05......
STM32串口通信（usart）(2023-04-24)
了解了这些我们便可以理解上面的串口中断服务函数了。
串口中断服务函数详解（STM32F103RCT6芯片的串口1）
在usart.h文件中：
定义了一个最大200字节的u8类型......
联发科发布天玑 7350 芯片，CPU 大核 3．0 GHz(2024-07-17 13:33)
以及 MediaTek 5G UltraSave 2.0 省电技术，可大幅降低 5G 通信功耗。IT之家附参数详情：......
联发科发布天玑 7350 芯片，CPU 大核 3.0 GHz(2024-07-17)
2x2 天线三频 Wi-Fi 6E 以及 MediaTek 5G UltraSave 2.0 省电技术，可大幅降低 5G 通信功耗。IT之家附参数详情：
......
单片机STM32在开发中常用库函数详解(2022-12-26)
单片机STM32在开发中常用库函数详解; 1.GPIO初始化函数
用法：
voidGPIO_Configuration(void......
CS5210的参数详情(2024-03-12)
CS5210的参数详情; CS5210概述
Capstone CS5210 HDMI到VGA转换器结合了HDMI输入接口和模拟RGB DAC输出。支持内部LDO，节省成本，优化电路板空间。嵌入......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
方便、散热稳定等特点。它是能量转换和传输的核心装置。简单概括一下，IGBT可以说是MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT的结合体（双极结型晶体管）。即它结合了MOSFET的栅压控制晶体管（高输......
【泰克干货分享】 闪烁噪声的监测，详解用SCS参数分析仪测试1/f噪声(2023-08-29)
【泰克干货分享】 闪烁噪声的监测，详解用SCS参数分析仪测试1/f噪声;电子器件会有不同类型的噪声源，包括热噪声、白噪声和1/f噪声。1/f噪声是低频电子噪声，其电流（ISD）或功率（PSD）频谱......
【泰克干货分享】闪烁噪声的监测，详解用SCS参数分析仪测试1/f噪声(2023-08-29)
【泰克干货分享】闪烁噪声的监测，详解用SCS参数分析仪测试1/f噪声;电子器件会有不同类型的噪声源，包括热噪声、白噪声和1/f噪声。1/f噪声是低频电子噪声，其电流（ISD）或功率（PSD）频谱......
Fluke TiX870／TiX875／TiX880／TiX885／TiX1060 大师系列红外热像仪全新上市!(2023-03-16 11:31)
等多种辅助功能,轻松满足不同用户在各种环境中的多样化测试,当称之为“王者归来”。
福禄克期待和您一起“邂逅大师”。
基本产品技术指标
完整技术参数详见福禄克官网......
Boost升压电路原理及设计详解(2024-12-11 18:15:28)
Boost升压电路原理及设计详解;
Boost电路......
关于STM32库函数的代码性能对比(2022-12-07)
M2M:使用 DMA1 的通道 1，从 Flash 中传输 100 字节的数据到片内的 SRAM 中。其中包含了系统时钟的初始化和 DMA的初始化代码。
主要对比三个参数：Flash 占用量、SRAM......
SiC仿真攻略手册——详解物理和可扩展仿真模型功能！(2023-12-28)
专用技术（ MOSFET M3和IGBT FS4等）创建了一个核心模型——通过布局参数设置芯片尺寸，以获取特定的器件。
物理和可扩展仿真模型所包含的值远不止通过数据手册参数或在几乎理想的测量环境中获得的数据手册值。该模......
tiny6410 烧写uboot(2024-09-25)
:10.42.1.254:255.255.255.0:tiny6410:eth0:off'
saveenv
boot
Linux内核在启动的时候，能接收某些命令行选项或启动时参数。
内核启动参数详解......
C语言进阶之回调函数详解(2023-08-22)
C语言进阶之回调函数详解;一、函数指针在讲之前，我们需要了解函数指针。本文引用地址：我们都知道，的灵魂是指针，我们经常使用整型指针，字符串指针，结构体指针等。
int *p1;char *p2......
网格阶数详解：高阶网格生成(2022-09-22)
网格阶数详解：高阶网格生成;主要内容：• 什么是高阶网格；• 为什么网格曲线化比提升阶数更重要；• 高阶网格相比于线性网格的优势；• 如何从线性网格创建高阶网格。
图中......
详解STM32呼吸灯的PWM实现(2024-10-04 11:52:22)
详解STM32呼吸灯的PWM实现;
本文通过呼吸灯实验，演示STM32中PWM的配置与应用。
打开CubeMX软件，新建......
【干货分享】MOSFET器件的高压CV测试详解(2024-06-06)
【干货分享】MOSFET器件的高压CV测试详解;MOSFET、IGBT和BJT等半导体器件的开关速度受到元件本身的电容的影响。为了满足电路的效率，设计者需要知道这些参数。例如，设计......
MOSFET器件的高压CV测试详解(2024-06-06)
MOSFET器件的高压CV测试详解;_____本文引用地址：MOSFET、IGBT和BJT等半导体器件的开关速度受到元件本身的电容的影响。为了满足电路的效率，设计者需要知道这些参数。例如，设计......
三极管放大电路参数计算方法详解(2024-11-06 11:17:25)
三极管放大电路参数计算方法详解;
有时候去面试，偶尔会遇到一些考官喜欢考一些基础性的知识，其中三极管放大电路参数计算，是他们津津乐道的题目。在实际设计中，很少......
闪烁噪声的监测，详解用SCS参数分析仪测试1/f噪声(2023-08-30)
闪烁噪声的监测，详解用SCS参数分析仪测试1/f噪声;缓冲电路包括由电阻器、线圈、电容器等无源元件组成的电路，以及由半导体元器件组成的有源电路(*1)。在这......
STM32定时器中TIM_RepetitionCounter作用详解(2023-09-01)
STM32定时器中TIM_RepetitionCounter作用详解;在STM32中 有一个这个TIM_RepetitionCounter参数。如下，定时了0.001s,然后在中断中计数1000次......
IMX257 Linux内存空间内存分配(2024-08-15)
：
#include
void *kmalloc(size_t size, int flags);
参数详解：
size 参数
内核管理系统的物理内存，物理内存只能按页面进行分配。kmalloc 和典......
全链国产，全系覆盖，全面认证，纳芯微高边开关系列重磅发布！(2024-08-20)
、CISPR25-2021 Class 5等多种测试要求，完成 “全面认证”。
产品能力详解：
电流/通道/封装 — 灵活可选
纳芯微推出的高边开关系列提供1/2/4通道选择，导通......
DC-DC BUCK电路详解(2024-10-25 08:05:21)
DC-DC BUCK电路详解;
Boost、Buck-Boost作为直流开关电源中应用广泛的拓扑结构，属于......
基于STM32的三种库函数代码效率对比解析(2023-09-01)
的数据到片内的SRAM中。其中包含了系统时钟的初始化和DMA的初始化代码。
主要对比三个参数：Flash占用量、SRAM占用量和执行代码的效率。
Flash和SRAM的占用量可以通过查看IAR生成的*.map文件......
测土配方施肥仪的功能特点及测试项目(2023-01-13)
测土配方施肥仪的功能特点及测试项目;测土配方施肥仪【恒美HM-GT1】产品特点及参数详情，（新一代智能型，内置测土配方施肥功能，图谱诊断，二维码打印，数据上传，及测试用到的所有配件，保证......
SIMATIC S7-1500 PLC S7-SCL寻址详解(2024-01-03)
SIMATIC S7-1500 PLC S7-SCL寻址详解;寻址
寻址可分为直接寻址和间接寻址，以下分别介绍。
(1)直接寻址
直接寻址就是操作输的地址直接给出而不需要经过某种变换，图1所示......
一辆车到底需要多少芯片？33张图看懂车规级芯片分类(2024-02-16 10:25:11)
质量管理体系详解......
STM32单片机常用库函数详细介绍与程序(2024-09-03)
STM32单片机常用库函数详细介绍与程序;用STM32单片机已经很多年了，至于STM32单片机，其功能如何强大，我想不用我多说，大家都懂的。现在写一些学32的入门级的知识要点，希望对刚学32或想......
详解startup_M051.s(2024-07-30)
详解startup_M051.s;在Keil新建的所有工程中，毫无例外地都包含startup_M051.s，如图19.1-1。
图19.1-1 startup_M051.s
该文......
电路与电子技术基础课堂笔记：负反馈放大电路详解(2024-11-12 11:30:29)
电路与电子技术基础课堂笔记：负反馈放大电路详解;
反馈放大电路有很多好处，可以增加放大电路的输入电阻，使输出电流京可能稳定，保证输出电压随负载变化波动较小，减小电路元件参数......
汽车整车构造+部件详细高清图解(2024-12-09 08:10:28)
汽车整车构造+部件详细高清图解;
汽车的几个重要参数：
1、重量参数：整车自重、整备质量、总质量、轴荷......
瑞能半导体以效率优势探索，凭新一代碳化硅MOSFET定义性能新高度(2022-09-08)
SiC MOSFET产品的效率优势，详解了瑞能半导体在应用领域的建树。作为全球规模最大的半导体制造产业年度盛会之一，CISES聚焦行业发展新动态、新趋势、新产品，致力......
详解PLC与变频器通讯的详细步骤(2023-04-24)
详解PLC与变频器通讯的详细步骤;1.找一台带有RS485通讯模块的S7-1200PLC和一台V20变频器。
2.将RS485模块与V20变频器相连，接线的方法是红色线接P+，绿色线接N-。
图片......
抛负载测试，汽车24V系统怎么通过波形5a测试？(2023-09-27)
具体参数详情，详见东沃电子对应型号产品规格书。
东沃SM8S36CA，抛负载保护专用TVS管为汽车护航
TVS管厂家东沃电子有专业的EMC测试实验室，东沃电子推出的SM8S36CA，抛负......
采用FP7208升压LED驱动模块做的升压车灯方案(2023-09-06)
内部组成图
02
驱动板详解
驱动板上由LED升压驱动模块，LED降压驱动模块，以及其它组件的供电端子，本文主要介绍LED升压驱动模块。
LED升压驱动模块，使用的是FP7208 LED升压......
详解鼎阳示波器之波特图功能(2023-08-02)
详解鼎阳示波器之波特图功能;鼎阳示波器支持波特图功能。
此功能提供被测设备（DUT）的频率响应曲线，以及输出扫描参数控制和数据显示设置的接口，此时支持SAG1021I 任意......
纳芯微推出高边开关产品系列NSE34XXXS/D/Q和NSE35XXXS/D(2024-08-21)
认证”。
产品能力详解：
电流/通道......
全球80+分类芯片厂商汇总(2024-01-24 22:33:33)
MOSFET
NAND Flash......
功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？(2024-03-19)
漂移 (epi) 区形成一个npn晶体管。此npn晶体管的基极到发射极结由p掺杂区域和n掺杂源极区域形成，被前端金属短接。因此，源极金属触点是MOSFET UIS能力的关键设计和工艺参数。如果npn被激......
Nexperia建立新的特定型应用FET类别以优化性能(2020-10-22)
限度提高性能。特定型应用FET（简称ASFET）所采用的MOSFET能为特定应用提供优化的参数。通过专注于特定的应用，可实现显著的改进。
Nexperia为电池隔离、电机控制、热插拔和以太网供电(PoE......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
N(P)沟道器件，栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。
MOSFET的主要特性
通常，Power MOSFET器件参数分为静态、动态、开关特性，其中......
稳健的汽车40V 功率MOSFET提高汽车安全性(2024-07-24)
.热管理和散热效率高
7.采用稳定的SMD封装
8.抗负载突降和ESD能力优异
2.1. AEC Q101功率MOSFET的参数测量值
我们选择一些符合EPS和EPB系统......
详解大功率电源中MOSFET功耗的计算(2023-10-20)
详解大功率电源中MOSFET功耗的计算;功率是便携式设备中大功率的主要组成部分。此外，对于散热量极低的笔记本电脑来说，这些是最难确定的元件。本文给出了计算功耗以及确定其工作温度的步骤，并通......
Nexperia首创交互式数据手册，助力工程师随时随地分析MOSFET行为(2023-05-11)
Nexperia首创交互式数据手册，助力工程师随时随地分析MOSFET行为;无需人工计算，参数可随用户输入动态响应
奈梅亨，2023年5月11日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia......
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;深圳市茂和昌科技有限公司;;诚信为赢，服务到家，专业MOSFET制造商，以品质为基础，为各贸易商提供优质的服务，出售成品MOS管 晶圆，以客户为中心，定制参数，指定丝印。为客户提供OEM/ODM
开发和生产的专业厂商。公司注重技术创新、科学管理和新产品开发，在厚度传感器以及小型化、高精度、高频率晶片研发方面取得了领先国内外的成果。厚度传感器晶片应用于真空镀膜领域，通过晶体振动频率的变化为膜层厚度及质量的变化提供实时的监测数详
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