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电子管功放和晶体管功放哪个音质好(2024-01-26)
电子管功放和晶体管功放哪个音质好; 电子管功放和晶体管功放哪个音质好
1.工作特点电路结构
晶体管放大器是在低电压大电流下工作，功放级的工作电压在几十伏之内，而电流达几安或数十安。电路......
电子管功放好用吗_电子管功放寿命有多久(2024-01-26)
来详细说说。
优点：
1、电子管功放输入动态范围大，转换速率快。
2、电子管功放大多是采用分立元件、手工搭线、焊接，效率低，成本高。这在发达国家尤为明显。
3、电子管功放的开环指标优于晶体管，不需......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
电路），这样两只管子就变成了并联工作了。因为电子管的栅极是上作在相对阴极为负的情况下，使得偏置电路也极为简单，此原理不能用于晶体管或运放电路中。
场效应管功放级电路原理，差分......
基于电子管构建的2x4W立体声管放大器电路(2023-05-25)
基于电子管构建的2x4W立体声管放大器电路;这种2x4W立体声管放大器电路不是使用晶体管构建的，而是使用电子管构建的。使用如图所示的电路，该放大器可以为每个通道产生4瓦的功率。众所周知，带有电管的放大器电路比使用晶体管功率......
基于晶体管的90W音频功率放大器电路图(2024-04-16)
基于晶体管的90W音频功率放大器电路图;该晶体管功率放大器电路仅使用准互补放大器配置中的四个晶体管，即可以低成本向 4 欧姆负载提供 90W 的功率。
如图所示的晶体管功放电路，除了......
45W晶体管电子管混合式功率放大器(2023-06-27)
45W晶体管电子管混合式功率放大器;EL34(6CA7)是飞利浦公司于1956年率先推出的音频功率五极电子管，当年，它的出现给音频放大器的声音质量带来了一场改良，其设计阳极耗散功率为25W(工作......
电子管功放的检修技巧_电子管功放故障排除(2024-01-26)
电子管功放的检修技巧_电子管功放故障排除; 电子管功放的检修技巧
一、通电前的测量
对于一部故障机，通过了解和观察，如不能确定故障部位和所在，不可贸然通电，应进行如下测量。
1、测量......
B类功率放大器介绍(2024-01-16)
的电源功率、负载功率、晶体管功率和功率效率与集电极电流的关系图。
图5.电感性负载A类放大器的电源功率、负载功率、晶体管功率和功率效率与集电极电流的关系。图片由Steve Arar提供
如您......
推挽式B类功率放大器的基本原理(2024-01-22)
效率。
推挽式B类功率放大器的功率术语。
图5.推挽式放大器的电源功率（PCC）、负载功率（PL）、晶体管功率（PTran）和功率效率与集电极电流（ic）的关系。
上图中使用的参数RL......
电感负载A类功率放大器简介(2024-01-04)
。
三个功率项和功率效率与集电极电流的关系图。
图5. 电源功率（蓝色）、负载功率（红色）、晶体管功率（绿色）和功率效率（青色）与集电极电流的关系图。
如预期的那样，电源提供的功率（Pcc......
详解MTK feature phone 音频功放开启关闭驱动示例(2024-09-20)
放管类型
按功放中功放管的类型不同，可以分为胆机和石机。
胆机是使用电子管的功放。
石机是使用晶体管的功放。
按功能
按功能不同，可以前置放大器（又称前级）、功率......
音频放大器分类(2022-12-15)
瞬态失真和交替失真较小。电路简单，调试方便。但效率较低，晶体管功耗大，功率的理论最大值仅有25％，且有较大的非线性失真。由于效率比较低 现在设计基本上不在再使用。
图一 A类放大器
2、B类放大器
B类放......
浅析MTK6735模块耳机通道外接功放的处理(2024-09-20)
放中功放管的类型不同，可以分为胆机和石机。
胆机是使用电子管的功放。
石机是使用晶体管的功放。
按功能
按功能不同，可以前置放大器（又称前级）、功率放大器（又称后级）与合......
双极性结型晶体管的开关损耗(2024-05-09)
将生成如图4所示的图。
LTspice计算并绘制的晶体管功耗。
图4。LTspice计算并绘制的晶体管功耗。
结果表明，该BJT开关将在开关周期的激活阶段消耗一致的56mW的功率。
BJT转换......
A类、B类、AB类、C类、D类5类功放介绍及比较(2024-09-03)
一种完全的线性放大形式的放大器。在纯甲类功率放大器工作时，晶体管的正负通道不论有或没有信号都处于常开状态，这就意味着更多的功率消耗为热量。纯甲类功率放大器在汽车音响的应用中比较少见，像意大利的Sinfoni高品质系列才有这类功率......
用晶体管驱动的电子管放大器(2023-06-27)
用晶体管驱动的电子管放大器;电子管作为音频功率输出故具有极佳的音乐表现力，而晶体管则在增益故发挥自己的独特作用，本文给出了一个晶体管驱动器及适合于推挽工作的分相器电路方案。
虽然电子管......
以色列研究：芯片中的硅或可被新材料取代(2023-07-10)
，芯片性能的提升基于晶体管的不断小型化。近年来硅晶体管的小型化速度已放缓，因为到达一定微小尺度后，晶体管功能会受到量子力学某些效应的干扰，从而影响正常运行。
这项研究发表在美国《先进功能材料》杂志......
32W混合式音频功率放大器(2023-06-27)
32W混合式音频功率放大器;本文将电子管EL34和晶体管(运放)巧妙地组合起来，结果获得了出乎意料和高性能。这个32W的功率放大器，其满功率带宽为5Hz至55kHz，在lkHz、20W时，其失......
中国科研团队在集成电路领域研究取得新进展(2024-11-05)
性能FPGA平台上进行了实验验证。
随着集成电路技术节点的不断发展，3D的晶体管结构和先进材料的使用增强了晶体管的自热效应，加速了缺陷产生，降低了驱动电流，增大了晶体管功耗，进而使得晶体管......
研究人员开发出新型 2D 晶体管，可模仿蝗虫大脑实现避障(2024-04-23)
能量)。这种轻薄廉价的晶体管功能齐全，经过重新编程后可以识别不同类型的移动物体，并能以极高的精度避开障碍物。
通常情况下，晶体管越小，其能效就越高。此研究中使用的晶体管非常简单，只会......
浅谈音频功放类型与结构(2024-09-20)
分为胆机和石机。
胆机是使用电子管的功放。
石机是使用晶体管的功放。
按功能
按功能不同，可以前置放大器（又称前级）、功率放大器（又称后级）与合并式放大器。
功率......
巧妙的过零关断电路构思--“正弦切波”交流调压设计(2024-10-17 11:45:46)
巧妙的过零关断电路构思--“正弦切波”交流调压设计;
【任务】某烘漆房因生产工艺要求，须根据环境温度调整烘漆温度，即需使加热管功率可调。加热......
如何优化隔离栅级驱动电路?(2022-12-09)
节说明了基于FOD3120稳态热阻，在TA =100℃时，最大功率是210 mW 。
输出IC的最大功率是稳态IC功率与输出功率MOSFET晶体管功耗之和。精确关系如下式（1):
输出晶体管......
功放机的混响怎么调_功放机声音小怎么维修(2024-01-26)
，而且查看有关外围元件也正常，则毛病在功放集成电路自身。
10、电子管功放无声响输出，也应先查看其电源，观看灯丝是否亮，管壳温度是否正常。若灯丝不亮，管壳很凉，应查看功放管灯丝及屏极电压正常与否。若电......
频谱仪和功率计等仪器功率测量的差异(2023-02-28)
测量的标准仪器。
•热电功率探头通过热电元件（热偶、热电堆或热敏电阻）实现功率测量。
•二极管功率探头，利用二极管的平方律（输出电压与输入电压的平方成线性正比关系），在探头匹配阻抗已知情况下，测量获取电压的平方就相当于功率......
如何破解您的 DC/DC 转换器？(2022-04-18)
提醒：如在电子器件的标称规格操作范围之外使用，质量保证将失效。如果您决定执行以下任何一种解决方案，请提前联系制造商并征得他们的同意。
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假设您有一个 SiC 晶体管......
组成开漏形式的电路有哪些特点？(2024-09-03)
简单的做逻辑操作等。push-pull是现在CMOS电路里面用得最多的输出级设计方式。
当然open drain也不是没有代价，这就是输出的驱动能力很差。输出的驱动能力很差的说法不准确，驱动能力取决于IC中的末级晶体管功率......
贸泽即日起备货安森美EliteSiC碳化硅解决方案(2023-04-12)
起备货安森美 (onsemi) EliteSiC (SiC) 系列解决方案。EliteSiC产品系列包括二极管、MOSFET、IGBT和SiC二极管功率集成模块 (PIM)，以及符合AEC-Q100标准......
150W功率放大器电路(2023-09-01)
该低压信号放大至可持续电平。在这种模式下，输出为反相放大信号。该信号为低功耗信号。 以 AB 类配置排列的两个达林顿功率晶体管可放大该信号的功率电平。 A 类模式配置的晶体管用于驱动该晶体管。
电路背后的理论：
该电......
ab类功放有什么特点(2024-09-03)
ab类功放有什么特点; ab类功放详解
A（甲）类功放对于B（乙）类功放而言，声音上有明显优点是无庸置疑的，我就从它们的工作原理来谈谈。
晶体管功率放大器是由三极管组成的，而三......
金升阳推出内置高压MOS管和高压启动的AC／DC电源控制芯片(2020-08-21)
控制芯片——SCM1738ASA。
SCM1738ASA是一款内置高压MOS 管功率开关的原边控制开关电源（PSR），采用PFM 调频技术，提供精确的恒压/恒流（CV/CC）控制环路，稳定......
Ameya360：平面MOSFET与超级结MOSFET区别(2023-03-13)
-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率与频率范围。因为接下来的几篇将谈相关的话题，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基础上，根据其特征和特性对使用区分有个初步印象。
下图表示处理各功率晶体管的功率与......
使用开关电源的胆石混合功率放大器(2023-06-27)
静态电流设置成360mA，使功放管始终工作在线性放大区，同时也可得到8W左右的甲类功率(8Ω)，作乙类输出时，最大输出功率可达140W!采用高频开关电源作整台功放的能量供给(见图2)。电子管供电选用三洋83P机芯......
基础知识之IGBT(2024-03-22)
MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。 尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。
MOSFET 是指半导体元件的结构为Metal（金属）- Oxide......
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
, MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR 饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET 驱动功率很小，开关......
石英晶体谐振器测试技巧(2024-05-06)
振动在晶片产生电荷而形成交变电流。一般来说，这种机械振动的振幅很小，而振动频率很稳定。但当外加信号源的频率与晶体的固有频率相等时，晶体便发生共振，此时晶体外电路的交变电流也最大，这个现象称为的压电谐振。因为晶体......
贸泽即日起备货安森美EliteSiC碳化硅解决方案(2023-04-12)
起备货安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解决方案。EliteSiC产品系列包括二极管、MOSFET、IGBT和SiC二极管功率集成模块 (PIM)，以及符合AEC-Q100标准......
细说Semtech SurgeSwitch保护器件(2023-08-09)
保护。而在一些工业系统中有着更长的产品寿命和在更恶劣的环境下工作的需求，因此一个好的浪涌保护方案是非常必要的。本文引用地址：多年来，行业中浪涌保护的主要选择是SMA/SMB离散TVS二极管。尽管TVS二极管功率......
理解了这几个基础电路，模电分析就不难！(2024-10-12 21:34:57)
。
这个电路不管有没有输入信号，晶体管始终处于导通状态，静态电流比较大，困此集电极损耗较大，效率不高，大约只有 35 %。这种工作状态被称为甲类工作状态。这种电路一般用在功率......
Nexperia首次推出 用于48 V汽车和其他更高电压总线电路的80 V RET(2021-01-12)
）系列。这些新的RET或“数字晶体管”提供了足够的余量，可用于48 V汽车板网（如轻度混合动力和EV汽车）和其他更高电压的电路，这些电路经常受到较大的尖峰和脉冲影响，以前的50 V器件无法处理。
通过在与晶体管......
松下Panasonic RQ-517S型收录机拆解原理解析(2023-03-21)
为了用铝片来帮助管子散热：
把一个功率管从散热铝片中取出看看，晶体管不是直接焊在电路板上的，而是通过软导线连接：
更为奇葩的是，虽然采用了高科技的电路板，但是有些零件却是搭棚焊接的，比如......
无源晶振的输出频率如何用示波器测量？(2023-02-06)
晶振是在石英晶片的两端镀上电极而成，其两管脚是无极性的。无源晶振自身无法震荡，在工作时需要搭配外围电路。在一定条件下，石英晶片会产生压电效应：晶片两端的电场与机械形变会互相转化。当外加交变电压的频率与晶......
不会设计降压转换电路？一定不要错过这一文，工作原理+设计步骤(2024-11-20 12:53:06)
损耗推导
11、开关散热注意事项
12、二极管功率损耗推导
13、二极管散热注意事项
14......
OP4177数据手册和产品信息(2024-11-11 09:18:03)
型号产品的额定工作温度范围均为−40°C至+125°C，适合要求严苛的工作环境。
这些放大器的应用包括精密二极管功率测量、电压和电流电平设置以及光学和无线传输系统中的电平检测。其它......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
Electron Mobility Transistors）：高电子迁移率晶体管。
pHEMT：伪形态高电子迁移率晶体管，“p”代表伪同态。
IGBT（Insulated Gate Bipolar......
英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V， 重新定义AI服务器电源的功率密度和效率(2024-06-25)
这一高性能MOSFET与晶体管组合，该电源可提供8千瓦以上的功率，功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。
全新MOSFET产品组合共包含10款产品：5款RDS(on) 级（11至45 mΩ）产品采用开尔文源TOLL......
一文搞懂IGBT的损耗与结温计算(2023-02-20)
一文搞懂IGBT的损耗与结温计算;与大多数功率半导体相比， 通常需要更复杂的一组计算来确定芯片温度。这是因为大多数 都采用一体式封装，同一封装中同时包含 和二极管芯片。为了......
汽车级大功率IGBT现状及未来趋势研究 (2024-07-14)
。目前，专为OBC、DC/DC 应用而开发的高速 IGBT 的开关频率可达 100 kHz 以上，性能已经达到相同规格 MOSFET 水平，如图 2 所示。
图 2 IGBT/MOSFET 耐压与开关频率对比......
背面供电再迎创新：IEDM2023英特尔放出一个“王炸”(2023-12-14 10:10)
的背面重新排布。想了解背面供电网络的价值，就需要从芯片制造开始。芯片内部的功率传输网络需要从蚀刻晶体管的第一层开始，这是芯片上最小和最复杂的层，也是最需要EUV和多重曝光等高精度工具的地方。简而言之，它是......
背面供电再迎创新：IEDM2023英特尔放出一个“王炸”(2023-12-13)
的背面重新排布。
想了解背面供电网络的价值，就需要从芯片制造开始。
芯片内部的功率传输网络需要从蚀刻晶体管的第一层开始，这是芯片上最小和最复杂的层，也是最需要EUV和多重曝光等高精度工具的地方。简而......
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新科技研发为方向，不断创新技术和创新产品； 以诚信为发展立足之道，不断加强和累积客户和朋友； 以客户满意为最终质量目标，不断完善产品性能。 公司现主要产品有无叶风扇，机械控制板和包装机械设备，Hi_Fi级电子管功率