资讯
广西大学团队制备出芯片产业关键原材料7N高纯镓(2023-08-07)
出核心技术“标准晶种制备工艺”“冷热循环结晶技术”“高纯镓一体化提纯设备”，分别针对性地解决了高纯镓生产中所面临的产品纯度低、生产周期长、工艺流程复杂三大痛点难题，制备出的高纯镓经国际权威机构检测认证，纯度......
8051单片机由什么组成 8051单片机有多少管脚(2024-03-12)
更低的功耗和更高的可靠性。现在市面上的8051单片机多数采用的是CMOS工艺，其制造工艺技术已经相当成熟。
8051单片机的工艺指的是制造该芯片的工艺流程和技术。一般来说，芯片的工艺流程是一个复杂的、多步骤的过程，需要经过多次的掩膜制备......
中国实现芯片制造关键技术首次突破：一年内投入应用(2024-09-03)
的开关性能和更高的晶圆密度，一直被视为半导体技术的前沿。
然而，由于碳化硅材料的高硬度和制备过程中的复杂性，沟槽型碳化硅MOSFET芯片的制造工艺一直是一个难题。
技术总监黄润华指出，碳化......
国内首创 洛阳牡丹壳造出钠电材料(2023-11-30 09:30)
质前驱体原料含氧量比较高。不仅碳结构稳定，而且不需要预氧化，同时省去了酸洗、除杂等环节，缩短了工艺流程，降低了生产成本。”
在近日举行的洛阳市科创成果直通车偃师专场活动上，王芳围绕“钠离......
我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术(2024-09-03)
第三代半导体技术创新中心（南京）组织核心研发团队和全线配合团队，历时 4 年，不断尝试新工艺，最终建立全新工艺流程，突破“挖坑”难、稳、准等难点，成功制造出沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片。
较平面型提升导通性能 30......
8英寸碳化硅衬底材料装备开发及产业化工艺研究项目顺利通过中期验收(2023-12-15)
龙江省科学院原院长郭春景研究员为组长的评审专家组认为，圆满完成了计划任务书2023年度阶段任务，成功获得了8英寸单晶生长的新技术和新工艺，建立了衬底生产的工艺流程，制定了相关工艺流程的作业指导书，一致......
半大马士革集成中引入空气间隙结构面临的挑战(2023-12-18)
假设。
流程模拟
使用SEMulator3D对3nm后段方案的半大马士革空气间隙工艺流程进行模拟。图1展示了关键的工艺步骤，其中包括M1钌刻蚀步骤、随后的空气间隙闭合、完全......
半大马士革集成中引入空气间隙结构面临的挑战(2023-12-18)
SEMulator3D对3nm后段方案的半大马士革空气间隙工艺流程进行模拟。图1展示了关键的工艺步骤，其中包括M1钌刻蚀步骤、随后的空气间隙闭合、完全自对准通孔图形化、完全自对准通孔/M2金属化、以及......
科友半导体重大科技专项中期验收通过验收(2023-12-13)
阶段验收评审会。
专家组认为，科友半导体圆满完成了计划任务书2023年度阶段任务，成功获得了8英寸碳化硅单晶生长的新技术和新工艺，建立了碳化硅衬底生产的工艺流程，制定了相关工艺流程的作业指导书，一致......
国内首条！中国芯片“点亮”！(2024-09-26)
研究院院长金贤敏表示，中试平台不仅能加速技术迭代的飞轮效应，促进工艺流程的持续优化和产品创新能力的提升，还将以前所未有的速度触摸到科技前沿的“天区”，破解......
完全自主产权 中国第四代半导体新突破！(2024-03-22)
贵金属Ir的用量及损耗相比其他方法大幅减少，成本显著降低;
第二，铸造法简单可控，其工艺流程短、效率高、尺寸易放大;
第三，铸造法拥有完全自主知识产权，中国和美国专利已授权，为突......
5nm手机芯片功耗过高，先进制程只是噱头?(2021-02-10)
是泄漏电流导致的静态功耗增加。
为提高芯片的性能，就需要把电子开关对电流通断的控制能力提高，以加快开关的速度。这意味着，开关要在更小尺寸的情况下通过更大的电流。开关的尺寸越小，对制备工艺......
国内6英寸铸造法氧化镓单晶研制获得成功(2024-03-21)
以下显著优势：第一，铸造法成本低，由于贵金属Ir的用量及损耗相比其他方法大幅减少，成本显著降低；第二，铸造法简单可控，其工艺流程短、效率高、尺寸易放大；第三，铸造法拥有完全自主知识产权，中国......
武汉光谷实验室攻克成像芯片新技术(2024-03-07)
波段高度可定制化，探测波段不受衬底吸收影响；可大面积加工，兼容12寸CMOS晶圆制备工艺 ，同时成本极低。
消息称，光谷实验室团队通过4年时间，全力攻关量子点技术，通过低温的溶液法制备工艺，实现可与硅基芯片一体化集成的量子点短波红外成像芯片......
天府储能招聘启事(2024-03-14)
自动化机械设计工程师
职责：
1、负责自动化项目的机械方案设计、技术评审、仿真模拟、材料选型、图纸输出、BOM表输出。
2、工艺流程梳理、方案技术可行性分析、机构设计的风险评估及成本控制。
3......
镓仁半导体新突破：6英寸铸造法氧化镓单晶产业化(2024-03-25 14:52)
量及损耗相比其他方法大幅减少，成本显著降低；第二，铸造法简单可控，其工艺流程短、效率高、尺寸易放大；第三，铸造法拥有完全自主知识产权，中国和美国专利已授权，为突破国外技术垄断，实现国产化替代奠定坚实基础。
......
可批量制造！我国高性能光子芯片领域取得突破(2024-05-09)
在某些方面比铌酸锂更具优势。”论文共同通讯作者、中国科学院上海微系统所研究员欧欣说，更重要的是，硅基钽酸锂异质晶圆的制备工艺与绝缘体上硅晶圆制备工艺更加接近，因此钽酸锂薄膜可实现低成本和规模化制造，具有......
陕西光电子先导院先进光子器件工程创新平台在西安全面启用(2023-03-31)
院所提供外延生长、光刻、刻蚀、薄膜制备、清洗、减薄、抛光、划片等芯片制造全流程服务。
据悉，2015年10月，陕西省科技厅、西安高新技术开发区与中国科学院西安光机所联合发起成立了陕西光电子先导院。陕西......
5nm手机芯片功耗过高 先进制程只是噱头？(2021-02-03)
5nm手机芯片功耗过高 先进制程只是噱头？;功耗是芯片制造工艺演进时备受关注的指标之一。比起7nm工艺节点，5nm工艺可以使产品性能提高15％，晶体管密度最多提高1.8倍。三星猎户座1080、华为......
全球首片！我国8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆下线(2024-03-04)
航天等领域均发挥着重要作用。但铌酸锂材料脆性大，大尺寸铌酸锂晶圆制备工艺困难，铌酸锂微纳加工制备工艺也一直被视为挑战。
目前，业界对薄膜铌酸锂的研发还主要集中在3寸、4寸、6寸晶圆的制备及片上微纳加工工艺......
半导体先进陶瓷材料研究所落户江苏泰兴高新区(2023-08-15)
国家重点实验室。研究所将围绕半导体关键陶瓷部件、高导热陶瓷基板、半导体陶瓷粉体等方向，建设半导体先进陶瓷材料的粉体研发、工艺成型处理、烧结加工、性能测试公共技术服务平台，开展产业共性与关键技术研发，以及陶瓷制备新工艺流程......
年产10万方！美淼储能液流电池电解液生产基地落地！(2024-08-02 10:00)
常州市溧阳南渡镇新材料工业区，总占地面积为100亩，建筑面积近3万平，主要建设年产10万方全钒液流电池电解液生产线。
设备设施
本生产基地以高纯钒为原料，根据美淼储能自研技术，采用短流程电解液制备工艺......
全球首片 8 寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在我国下线(2024-03-04)
酸锂材料脆性大，大尺寸铌酸锂晶圆制备工艺困难，铌酸锂微纳加工制备工艺也一直被视为挑战。目前，业界对薄膜铌酸锂的研发还主要集中在 3 寸、4 寸、6 寸晶圆的制备及片上微纳加工工艺上。
九峰山实验室工艺......
山东淄博新增微系统IDM及产业集群项目，微系统扬声器生产线计划Q4量产(2022-08-12)
目在新科实业专利授权及技术团队的加持下，悠声联合惠友资本，与高新区管委会合作，打造全球第一家掌握微系统扬声器全环节的IDM厂商，结合高新区现有微系统产线与悠声的自有设备组合，共同打造完整工艺流程......
2022年国内十大科技新闻：清华大学集成电路学院研究成果入选(2023-02-14)
通过在石墨烯表面沉积金属铝并自然氧化的方式，完成了对石墨烯垂直方向电场的屏蔽。再使用原子层沉积的二氧化铪作为栅极介质、化学气相沉积的单层二维二硫化钼薄膜作为沟道。具体器件结构、工艺流程、完成实物图如下所示：
△亚1纳米栅长晶体管器件工艺流程......
我国攻克短波红外成像芯片新技术，成本降至传统方式百分之一(2024-03-07)
造价极其昂贵，使得短波红外相机均价高达 25 万元，严重制约着市场增长。
光谷实验室团队通过 4 年时间，全力攻关量子点技术，通过低温的溶液法制备工艺，实现可与硅基芯片一体化集成的量子点短波红外成像芯片......
有望颠覆市场！我国攻克短波红外成像芯片新技术，成本降至传统方式百分之一(2024-03-07)
造价极其昂贵，使得短波红外相机均价高达 25 万元，严重制约着市场增长。
光谷实验室团队通过 4 年时间，全力攻关量子点技术，通过低温的溶液法制备工艺，实现可与硅基芯片一体化集成的量子点短波芯片，其探测波段范围远超传统铟镓砷芯片......
国产离子注入机未来可期，半导体设备潜力股思锐智能落子布局！(2023-08-16)
国产化的优选赛道。
亟待国产化，离子注入机市场前景广阔
“离子注入是集成电路制造中主要的掺杂技术，也是最基础的制备工艺。离子注入机的国产化率约为3%，尤其是高能机，难度高，且国产化率最低，市场......
使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺(2023-10-23)
使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺;SEMulator3D®虚拟制造平台可以展示下一代半大马士革工艺流程，并使用新掩膜版研究后段器件集成的工艺假设和挑战
作者：半导体工艺......
使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺(2023-10-23)
使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺;本文引用地址：
● 介绍
随着技术推进到及更先进节点，将会遇到新的难题，比如需要降低金属间距和支持新的工艺流程。为了强化电阻电容性能、减小......
FAD2500点胶设备数据采集快速实现方法(2023-01-19)
焊接的基础，对于金丝键合等工艺质量具有重要影响。典型微波组件生产工艺流程图如图1 所示，其中自动点胶是重要工艺之一。
作为一款市面上成熟的货架产品，其点胶性能优异，设备运行稳定，大量......
实现小批量生产，电科材料成功研制出8英寸碳化硅晶体(2022-03-04)
有覆盖SiC粉料制备、单晶生长和晶片加工等的整套生产线，其中单晶生长设备有600台。
核心技术方面，烁科晶体掌握了SiC生产装备制造、高纯SiC粉料制备工艺、N型SiC单晶衬底和高纯半绝缘SiC单晶衬底的制备工艺......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
3、器件制造流程
下图是蓝宝石衬底耗尽型氮化镓HEMT器件制造的简化流程，硅基衬底的氮化镓HEMT器件工艺流程类似。
第一步是第一张光罩，是做平台型的隔离蚀刻；第二步，第二......
深圳国际半导体展直击：30+三代半厂商亮相！(2023-05-19)
晶体
作为国内SiC衬底领先厂商，烁科晶体此次重磅展示了6/8英寸的导电N型和半绝缘型SiC衬底。
烁科晶体在国内率先突破8英寸导电N型SiC单晶衬底制备工艺技术，并已......
常见PLC自动程序的流程编写(2024-08-06)
内连续增加，直至最后一条未导通步序指令，而由步序号触发的其它程序则未被执行。调试时容易漏掉此种情况。
第三种：GRAPH（顺序功能流程图语言，也称SFC） 这种方法跟我们的设备工艺流程图非常相似，也是......
PLC自动程序编程方法(2024-08-22)
号在一个PLC周期内连续增加，直至最后一条未导通步序指令，而由步序号触发的其它程序则未被执行。调试时容易漏掉此种情况。
第三种：GRAPH（顺序功能流程图语言，也称SFC）
这种方法跟我们的设备工艺流程......
PLC自动步序编程的7种方法(2024-09-02)
）
这种方法跟我们的设备工艺流程图非常相似，也是最直观的一种程序，第一步干什么，什么条件又开始干第二步，看上去非常清楚。虽然程序表面看上去非常清楚明了，但编写项目程序实际的操作过程并不简单，要熟......
1nm制程集成电路新赛道准备就绪！(2024-07-18)
打造集成电路领域的未来科学与技术战略高地。
据北京科技大学介绍，双方将共同建设“二维材料与器件集成技术联合研发中心”“8英寸二维半导体晶圆制造与集成创新中心”等高水平研发平台，重点开展二维半导体材料与器件的规模化制备工艺和芯片......
江苏产研院/长三角国创中心等牵头设立，半导体先进陶瓷材料研究所揭牌(2023-08-15)
半导体先进陶瓷材料的粉体研发、工艺成型处理、烧结加工、性能测试公共技术服务平台，开展产业共性与关键技术研发，以及陶瓷制备新工艺流程开发与优化。
封面图片来源：拍信网......
中国芯片，再突破！(2024-05-09)
研团队与合作者研究证明单晶钽酸锂薄膜同样具有优异的电光转换特性，且在双折射、透明窗口范围、抗光折变、频率梳产生等方面相比铌酸锂更具优势。此外，硅基钽酸锂异质晶圆（LTOI）的制备工艺与绝缘体上的硅（SOI）更加接近，因此......
顺络面向智能穿戴推出MPHM160809系列功率电感(2023-08-16)
现高转换效率和强的续航能力。顺络这次推出的新品MPHM系列不仅在电性能上能满足TWS耳机对功率电感的要求，其独特的制备工艺......
复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
节点下实现了器件集成密度翻倍，并获得了卓越的电学性能。
据介绍，复旦大学研究团队将新型二维原子晶体引入传统的硅基芯片制造流程，实现了晶圆级异质CFET技术。相比于硅材料，二维......
复享光学首次提出薄膜神经网络 3D NAND多层薄膜量测获突破(2022-12-05)
是3D NAND的前道工序。由于层间应力的存在，工艺完成后的实际层厚与设计值相比会存在较大的偏差，因此多层膜的不均匀性对芯片生产的良率构成了严峻的挑战。
3D NAND 制备工艺......
金升阳推出车规级定压推挽控制芯片(2023-06-09)
金升阳推出车规级定压推挽控制芯片;
【导读】为满足汽车行业需求，金升阳推出车规级定压推挽控制芯片SCM1212BTA-Q。该产品采用我司自主技术研发，符合AEC-Q100标准且采用汽车级工艺流程......
7家半导体企业IPO最新进展！(2024-02-24)
，是一家中国少数具备从晶体成长、衬底成型到外延生长全流程生产能力的半导体硅外延片一体化制造商，产品主要用于制备功率器件和模拟芯片等，被广泛应用于汽车、工业、通讯、办公等领域。2022年，公司......
北科大携手新紫光，打造面向1nm制程集成电路新赛道(2024-07-19 09:20)
水平研发平台，重点开展二维半导体材料与器件的规模化制备工艺和芯片设计制造等方面的产学研合作，在二维半导体材料制备、关键装备研发、集成制造工艺技术等方面协同攻关，共同......
怎样设计SMT(表面组装)工艺流程？(2024-10-14 15:29:45)
怎样设计SMT(表面组装)工艺流程？;
表面组装印制电路板组件（Print Circiut Board Assembly，PCBA）的焊接，主要有再流焊接和波峰焊接两种工艺，它们......
突破！复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
大规模三维异质集成互补场效应晶体管。在相同的工艺节点下实现了器件集成密度翻倍，并获得了卓越的电学性能。
据介绍，复旦大学研究团队将新型二维原子晶体引入传统的硅基芯片制造流程，实现了晶圆级异质CFET技术。相比于硅材料，二维......
应用材料公司推出全新Ioniq™ PVD系统助力解决二维微缩下布线电阻难题(2022-05-27)
（IMS™），可将表面制备、PVD和CVD工艺同时集中到同一个高真空系统中
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芯片制造商正在利用光刻领域的先进技术将芯片制程缩小至3纳米及以下节点。但随着互连线变细，电阻......
华为公布全新芯片制造技术专利！(2023-11-29)
华为公布全新芯片制造技术专利！;
业内消息，日前公布了和哈工大联合申请的全新专利，本次新专利技术将可能颠覆传统芯片制造工艺，为未来电子产品的性能和功耗带来更革命性进展。
据悉，该专利由华为和哈尔滨工业大学联合申请并应用于芯片制......
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;远东金属表面处理材料有限公司;;远东金属表面处理材料有限公司主营：电镀材料，电镀原材料，电镀添加剂，电镀光亮剂,电解剥离剂,电镀化工，电镀化工材料，电镀化工原材料，电镀技术，电镀工艺，电镀工艺流程
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位服务于客户！的经营理念，竭诚为您服务。公司注册时间1997年，注册资金1000万，现有员工100多人。我们郑重声明：金龙矿山选矿专家还为您提供最新磁铁矿选矿工艺流程、赤铁矿选矿工艺流程、褐铁矿选矿工艺流程
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