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SK海力士宣布业界首次提供24Gb DDR5样品(2021-12-15)
SK海力士宣布业界首次提供24Gb DDR5样品;2021年12月15日，SK海力士宣布提供业界内DRAM单一芯片容量最大的24Gb DDR5*样品。
*DDR(Double Data......
昱联迎接DDR5世代来临(2021-10-18)
。
另外，DDR5芯片容量从16千兆比特(Gb)跃升至32Gb。芯片容量翻倍意味着一个模块可提供最高达512GB的容量，以流畅处理巨大的同时工作负载，具有......
iPhone 7皇帝版比乞丐版快十倍？！彻底真相了(2016-10-09)
相同的两款SSD，一款是32GB的，一款256GB，都采用16GB单片容量的闪存芯片。32GB的只要2片闪存芯片，而256GB需要16片闪存芯片。
而SSD读写时，会将数据分散，同时读写多个闪存芯片。这样......
长江存储64层闪存颗粒出货超3亿颗 128层QLC准备量产(2021-09-15)
，且拥有已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
值得一提的是，此次同步登场的还有128层TLC闪存（X2-9060），单颗容量512Gb(64GB......
东芝首发15nm eMMC闪存：速度飙升140%！(2016-10-27)
简化了设计。
据介绍，东芝的新e-MMC芯片容量从16GB到128GB不等，采用15nm工艺制造，这使得其成为现今全球尺寸最小的闪存芯片。
读写性能方面，新e-MMC芯片的顺序读写速度分别为320MB......
美光2025年量产1γ DRAM，先进制程竞赛继续打响(2023-09-04)
也在积极探索先进制程。
三星在去年10月召开的Samsung Foundry Forum 2022活动上，对外公布了DRAM技术路线图。按照规划，三星将于2023年进入1bnm工艺阶段，芯片容量将达到 24Gb（3GB......
存储专而精，封测小而美——佰维双轮驱动赋能万物互联(2020-12-07)
的封测制造工艺赋予了公司更灵活的和快速响应的定制化优势，通过研发与封测实力不断赋能存储芯片小型化、大容量与低功耗，进而满足终端设备日益轻薄与高集成度的需求。
如大家所知，存储芯片容量的提升一方面来自于3D NAND对2D NAND的突破，单颗......
三星宣布量产14纳米EUV DDR5 DRAM(2021-10-12)
组合，以支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用。另外，三星预计将其14纳米DRAM芯片容量提升至24Gb，以更好满足全球IT系统快速增长的数据需求。
封面图片来源：拍信网......
NVIDIA Hopper系列芯片为例，第一代H100搭载的HBM容量为80GB，而2024年放量的H200则跃升到144GB。在AI芯片与单芯片容量的增长推动下，对产业整体的HBM的消......
量的H200则跃升到144GB。在与单芯片容量的增长推动下，对产业整体的HBM的消耗量有显著提升，2024年预估年增率将超过200%，2025年HBM消耗量将再翻倍。
据TrendForce集邦......
1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续(2023-10-07)
阶段，芯片容量将达到
24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度将在6.4-7.2Gbp。
Flash领域，目前
Flash已经突破200层堆叠大关，厂商正持续发力更高层数。8月9日SK......
影响语音芯片采样率主要因素有哪些(2023-08-25)
广播的声音品质，44.1KHz则是理论上的CD音质界限，48KHz则更加精确一些，也是miniDV、数字电视、DVD、DAT、电影和专业音频所用的采样频率。
码率越高，音频文件所占容量越大。
如何计算出适合芯片容量......
常用的语音芯片采样率有哪些呢？(2023-01-03)
越大。
如何计算出适合芯片容量的采样率？
通常芯片：语音的采样率（K）=语音芯片秒数*6/语音长度
......
SK hynix率先推出HBM3e 16hi产品，推升位元容量上限｜TrendForce集邦咨询(2024-11-14)
上限
SK hynix（SK海力士）近日在SK AI Summit 2024活动透露其正在开发HBM3e 16hi产品，每颗HBM芯片容量为48GB，预计在2025年上半年送样。根据......
Credo推出新品单通道112G／s高速数字信号处理Retimer芯片(2022-10-12)
112G LR（长距）数字信号处理Retimer芯片，芯片容量高达1.6Tbps。通过支持1.6T、800G、400G、100G及最低至10G的多种端口速率，Screaming Eagle可以......
Credo推出新品单通道112G／s高速数字信号处理Retimer芯片(2022-10-12)
112G LR（长距）数字信号处理Retimer芯片，芯片容量高达1.6Tbps。通过支持1.6T、800G、400G、100G及最低至10G的多种端口速率，Screaming Eagle可以......
Credo推出新品单通道112G／s高速数字信号处理Retimer芯片(2022-10-12)
112G LR（长距）数字信号处理Retimer芯片，芯片容量高达1.6Tbps。通过支持1.6T、800G、400G、100G及最低至10G的多种端口速率，Screaming Eagle可以......
Credo推出新品单通道112G／s高速数字信号处理Retimer芯片(2022-10-12)
112G LR（长距）数字信号处理Retimer芯片，芯片容量高达1.6Tbps。通过支持1.6T、800G、400G、100G及最低至10G的多种端口速率，Screaming Eagle可以......
1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续(2023-10-04)
）的制程技术，目前在美光只在台中有EUV的制造工厂，因此1γ制程势必会先在台中厂量产，未来日本厂也有望导入EUV设备。三星计划于2023年进入1bnm工艺阶段，芯片容量将达到 24Gb（3GB......
单芯片超过 100Gb，三星表示将挑战业界最高密度 DRAM 芯片(2023-10-22)
提供业界最高密度。同时三星还在为亚 10nm DRAM 准备新的 3D 结构从而实现超过 100Gb 的单芯片容量。
而在闪存上，三星透露了第九代 V-NAND 的开......
存储芯片迈入下行周期，大厂的“保守”与“激进”(2022-11-08)
将于2023年进入1bnm工艺阶段，即第五代10nm级别DRAM产品，芯片容量将达到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度将在 6.4-7.2Gbps。
与目前主力第四代10nm级......
威刚5月营收同比增逾30%，看好DRAM价格增长(2024-06-07)
到大量AI方案、AI应用，所有AI PC、数据中心、边缘及终端应用搭载的存储芯片容量均会成倍增长。
NAND......
HI3531的DDR3配置流程(2023-09-06)
下，假设存储空间由两片容量为1Gbit，数据总线位宽为16bit 的DDR3 SDRAM 构成，DDRC 的初始化步骤如下：1. 软件等待200us 以上。2. 把DDRC_IOCFG 寄存......
三星半导体在2024 ODCC上分享生成式AI时代大容量高性能的存储解决方案(2024-09-03)
存储产品，沈昊俊分别介绍了三星半导体目前单芯片容量最大32Gb的DDR5内存产品，不久将可供应128GB/256GB等大容量封装规格；以及拥有目前三星最高随机写入性能400K IOPS......
STM32的启动过程如何分析(2023-05-10)
可以不会吹灰之力就可以运行起来。STM32F103的启动文件形如：
根据不同的芯片容量，都有相对应的启动文件可供选择，实际使用根据芯片容量选择合适的启动文件即可。
启动文件的主要作用有：
1）设置栈
2）初始化 SP 指针......
STM32库函数SystemInit()详解(2024-07-23)
= (uint32_t)0xF8FF0000;
#else
RCC->CFGR = (uint32_t)0xF0FF0000;
#endif /* STM32F10X_CL */
这个条件编译是根据芯片容量......
1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续(2023-10-07)
计划于2023年进入1bnm工艺阶段，芯片容量将达到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度将在6.4-7.2Gbp。
NAND Flash领域，目前NAND Flash已经突破200......
1γ DRAM、321 层 NAND: 主流厂商新一轮装备竞赛已拉开帷幕(2023-10-10)
月开始量产 1β DRAM，不过研发的目标是在 2025 年量产 1γ DRAM，这将标志着美光首次涉足极紫外 (EUV) 光刻技术。
而三星计划 2023 年迈入 1b DRAM 工艺阶段，芯片容量......
SK海力士率先推出HBM3e 16hi产品，预计2025年上半年送样(2024-11-14 13:55:26)
士）近日在SK AI Summit 2024活动透露其正在开发HBM3e 16hi产品，每颗HBM芯片容量为48GB，预计在2025年上半年送样。根据TrendForce集邦咨询最新研究，这款......
STM32F1_ 片内FLASH编程(2023-06-08)
，可别溢出了，也别和程序冲突。最好看看你的程序大小及芯片容量。
二、读函数接口
该函数位于flash.c文件下面；
注意的地方和上面写函数接口一样，主要是参数。
三、读写应用
该函......
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！(2023-07-05)
随着制程提升，存储密度增加，相邻存储单元格电荷干扰问题也就越严重，进而导致数据处理错误率提升以及使用寿命减少等问题。
为了突破这些瓶颈，闪存从平面走向立体，堆叠层数越来越高，闪存芯片容量......
美光科技在日本广岛开始量产“1β”DRAM，内存密度提升 35%(2022-11-28 11:30)
光介绍，1β 技术可将能效提高约 15%，内存密度提升 35% 以上，单颗裸片容量高达 16Gb。
1β 制程技术能实现比以往更低的每比特功耗，为智能手机提供了目前市场上最节能的内存技术。它将......
3D NAND Flash，剑指1000层堆叠！(2023-07-06)
导致数据处理错误率提升以及使用寿命减少等问题。
为了突破这些瓶颈，闪存从平面走向立体，堆叠层数越来越高，闪存芯片容量与性能也不断提升。
除了......
美光科技在日本广岛开始量产“1β”DRAM，内存密度提升 35%(2022-11-28)
。
据美光介绍，1β 技术可将能效提高约 15%，内存密度提升 35% 以上，单颗裸片容量高达 16Gb。
1β 制程技术能实现比以往更低的每比特功耗，为智......
基于FPGA的NAND FLASH坏块表的设计与实现(2022-12-21)
NAND Flash芯片说明
NAND Flash芯片使用型号是三星公司的K9K8G08U0A，单片容量为1 G×8 Bit。该芯片总共有8 192 块，每块中含有64 页，每页共2 112 个字......
三星半导体在2024 ODCC上分享生成式AI时代大容量高性能的存储解决方案(2024-09-03)
并行搭载HBM和DRAM的方式正在逐渐成为行业趋势。其中HBM在性能方面扮演重要角色，DRAM则日益突破内存容量限制，满足市场对大容量的需求。
关于目前行业主流应用的大容量存储产品，沈昊俊分别介绍了三星半导体目前单芯片容量......
三星半导体在2024 ODCC上分享生成式AI时代大容量高性能的存储解决方案(2024-09-04 08:50)
并行搭载HBM和DRAM的方式正在逐渐成为行业趋势。其中HBM在性能方面扮演重要角色，DRAM则日益突破内存容量限制，满足市场对大容量的需求。关于目前行业主流应用的大容量存储产品，沈昊俊分别介绍了三星半导体目前单芯片容量......
存储大厂们DRAM先进制程进行到哪一步了？(2023-10-20)
年进入1bnm工艺阶段，芯片容量将达到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度将在6.4-7.2Gbp。三星透露，将于2026年推出DDR6内存，2027年即实现原生10Gbps的速......
逆袭SSD！希捷要发20TB机械硬盘：移动存储的春天(2017-02-07)
几年虽然没有从结构上升级机械硬盘，却使用比较独特的基于PMR垂直存储技术，充入氦气叠堆碟片，使得单片碟片容量达1.5TB。12TB容量机械硬盘就因此而诞生了，也就是文章开头提到的2017年年底会发售的那款。至于16TB和......
DDR5价格渐亲民，巨头纷纷押注推动入市(2022-10-11)
可提升至32TB。
近日，三星在Samsung Foundry Forum 2022活动中表示，今年三星将进入1bnm工艺阶段，内存芯片容量将达到24Gb（3GB）-32Gb（4GB），原生......
存储大厂先进制程竞赛迎新进展(2022-12-24)
上，对外公布了DRAM技术路线图。按照规划，三星将于2023年进入1bnm工艺阶段，即第五代10nm级别DRAM产品，芯片容量将达到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度将在6.4......
能效内存密度双提升，美光在日本量产1βDRAM(2022-11-29)
视频录制和便捷的手机视频编辑。
1β技术可将能效提高约15%，密度提升35%以上，单颗裸片容量高达16Gb。1β制程技术能实现比以往更低的每比特功耗，为智......
mini2440之S3C2410 SDRAM寄存器初始化设置(2024-06-20)
mini2440之S3C2410 SDRAM寄存器初始化设置;板子是s3c2410，使用两片容量为32MB、位宽16bit的HY57V561620CT-H芯片拼成容量为64M、32bit的SDRAM......
富士通与 Nantero 达成协议 2018 年推出快 1000 倍的 NRAM 内存(2016-10-18)
年就说要开始生产碳纳米管内存了。但是，到现在一直没什么特别的进展。未来，即便是跟富士通半导体达成了合作协议，量产的 NRAM 芯片容量还是不够大，只适合一些嵌入式设备使用。所以，未来......
摩尔定律是否走到尽头？半导体巨头CEO观点出现严重分歧(2022-09-30)
上台积电三星。以经验而言，导入新节点制程通常需时2年，英特尔想要4年内开发5个节点制程，业界都认为是大胆的尝试。
在此目标下，英特尔需要摩尔定律继续活着，必须单芯片容纳更多晶体管。但晶......
基于FPGA的NAND Flash的分区续存的功能设计实现(2023-08-19)
器的使用的不均衡的问题。
1 电路说明
NAND Flash芯片使用型号是三星公司的K9K8G08U0A，单片容量为1 G x 8 Bit。该芯片总共有8 192 个块（Block），每个块中含有64 页......
内存解决方案提供更及时的支持，从而促进数据中心生态系统的发展。”
美光的 32Gb DDR5 内存解决方案采用创新的裸片架构，实现了卓越的阵列效率和更大的单块DRAM 裸片容量密度。电压......
美光率先为业界伙伴提供基于 32Gb 单裸片 DRAM 的高速率、低延迟 128GB 大容量 RDIMM 内存(2023-11-23 10:10)
内存解决方案提供更及时的支持，从而促进数据中心生态系统的发展。”
美光的 32Gb DDR5 内存解决方案采用创新的裸片架构，实现了卓越的阵列效率和更大的单块DRAM 裸片容量......
宏旺ICMAX：国产自主可控，筑牢万物互联的基石(2020-12-21)
系统的负荷非常大。视频监控系统需要24小时不间断地工作；同时，数据在不断地写入的同时可能伴随着视频回放、导出等工作。这对存储芯片容量、传输带宽(MB/s)、访问速度、成本等因素方面有着更严格的要求。宏旺ICMAX研发......
HBM：SK海力士、三星、美光三分天下(2023-06-13)
代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代），HBM芯片容量从1GB升级至24GB，带宽从128GB/s提升至819GB/s，数据传输速率也从1Gbps提高至6.4Gbps......
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